JPH02103451A - 微細粒子測定装置 - Google Patents
微細粒子測定装置Info
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- JPH02103451A JPH02103451A JP63257780A JP25778088A JPH02103451A JP H02103451 A JPH02103451 A JP H02103451A JP 63257780 A JP63257780 A JP 63257780A JP 25778088 A JP25778088 A JP 25778088A JP H02103451 A JPH02103451 A JP H02103451A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、成膜、工、チング、洗浄等のプロセス装置
内に存在する微細粒子（異物）の測定に関するものであ
る。
内に存在する微細粒子（異物）の測定に関するものであ
る。
第７図は例えば特公昭６３−３０５７０号公報に示され
た従来の微細粒子測定装置を示す構成図であり、ウェハ
表面上に付着した微細粒子を測定するためのものである
０図において、ｆｌｌは測定される半導体装置用基板す
なわちウェハ、（２）は微細粒子、（３）はレーザ光源
（平行光線発生用光＃）、（４）は偏光子、（５）は対
物レンズ、（６）は光を電気信号に変換する光検出器、
（７）は光検出器（６）からの出力情報を処理し微細粒
子の測定結果を得るための電子回路装置である。また、
（８）はウェハの位置を動かすための駆動機構である。
た従来の微細粒子測定装置を示す構成図であり、ウェハ
表面上に付着した微細粒子を測定するためのものである
０図において、ｆｌｌは測定される半導体装置用基板す
なわちウェハ、（２）は微細粒子、（３）はレーザ光源
（平行光線発生用光＃）、（４）は偏光子、（５）は対
物レンズ、（６）は光を電気信号に変換する光検出器、
（７）は光検出器（６）からの出力情報を処理し微細粒
子の測定結果を得るための電子回路装置である。また、
（８）はウェハの位置を動かすための駆動機構である。
次に従来例の動作について説明する。レーザ光源（３）
から出射されたレーザ光をウェハ表面に平行に照射させ
る。この時、例えばＳ偏光のレーザ光を用いている。Ｓ
偏光のレーザ光は微細粒子（２）により散乱されるが、
微細粒子の表面には微小な凹凸があるために、散乱光は
Ｐ偏光成分を多く含んだ光となる。一方、測定雰囲気の
媒質は通常空気の気体であるが、気体分子によるレーリ
ー散乱光はＰ偏光成分を含まない。したがって、Ｓ偏光
成分を遮断するように配置した偏光子（４）により、気
体分子による散乱光は遮断され、微細粒子からの散乱光
のうちのＰ偏光成分のみが光検出器（６）により受光さ
れ、電子回路装置（７）で測定結果が得られる。駆動機
構（８）は、ウェハ表面上の微細粒子の分布を測定する
ために設けられている。
から出射されたレーザ光をウェハ表面に平行に照射させ
る。この時、例えばＳ偏光のレーザ光を用いている。Ｓ
偏光のレーザ光は微細粒子（２）により散乱されるが、
微細粒子の表面には微小な凹凸があるために、散乱光は
Ｐ偏光成分を多く含んだ光となる。一方、測定雰囲気の
媒質は通常空気の気体であるが、気体分子によるレーリ
ー散乱光はＰ偏光成分を含まない。したがって、Ｓ偏光
成分を遮断するように配置した偏光子（４）により、気
体分子による散乱光は遮断され、微細粒子からの散乱光
のうちのＰ偏光成分のみが光検出器（６）により受光さ
れ、電子回路装置（７）で測定結果が得られる。駆動機
構（８）は、ウェハ表面上の微細粒子の分布を測定する
ために設けられている。
（発明が解決しようとする課題）
従来の微細粒子測定装置は以上のように構成されている
ので、微細粒子の表面に少なくともレーザ光の波長より
十分小さいとはみなせない程度の微小な凹凸が存在する
ことが必要であり、凹凸の少ない滑らかな微細粒子やよ
り粒径の小さい微細粒子に対しては測定が困難であるな
どの問題点があった。また、Ｓ偏光のレーザ光のかわり
にＰ偏光ないしは非偏光のレーザ光を用いると測定は可
能であるが、測定雰囲気の気体によるレーり散乱光（Ｐ
偏光）を偏光子（４）によって遮断することができない
ので、Ｓ／Ｎ比を上げることができず、より粒径の小さ
い微細粒子の測定は困難であった。
ので、微細粒子の表面に少なくともレーザ光の波長より
十分小さいとはみなせない程度の微小な凹凸が存在する
ことが必要であり、凹凸の少ない滑らかな微細粒子やよ
り粒径の小さい微細粒子に対しては測定が困難であるな
どの問題点があった。また、Ｓ偏光のレーザ光のかわり
にＰ偏光ないしは非偏光のレーザ光を用いると測定は可
能であるが、測定雰囲気の気体によるレーり散乱光（Ｐ
偏光）を偏光子（４）によって遮断することができない
ので、Ｓ／Ｎ比を上げることができず、より粒径の小さ
い微細粒子の測定は困難であった。
また、本従来例の装置は、プロセス装置内の微細粒子測
定をめざしたものではなく、オフライン検査用の装置で
あるので、ウェハｆｉｌから極めて近い距離に偏光子（
４）及び対物レンズ（５）（顕微鏡を構成）を配置し、
観測空間領域の限定をはかっているが、プロセス装置内
の測定への適用は困難である。
定をめざしたものではなく、オフライン検査用の装置で
あるので、ウェハｆｉｌから極めて近い距離に偏光子（
４）及び対物レンズ（５）（顕微鏡を構成）を配置し、
観測空間領域の限定をはかっているが、プロセス装置内
の測定への適用は困難である。
また、第８図は例えば文献（Ａ 、５ｈｉｎｔａｎｉｅ
ｔａｌ：Ｊ、［！Ｉｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、 １
２４ Ｎｏ、１１（１９７７）１７７１）に示された他
の従来例の微細粒子測定装置を示す構成断面図であり、
図において、（３）はレーザ光源。
ｔａｌ：Ｊ、［！Ｉｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、 １
２４ Ｎｏ、１１（１９７７）１７７１）に示された他
の従来例の微細粒子測定装置を示す構成断面図であり、
図において、（３）はレーザ光源。
（９）は受光レンズ系ＯＩにより空間的に限定されかつ
測定されるべき微細粒子を含む観測空間領域、（７）は
光検出器、０υは測定装置内の迷光を極力抑えるための
オプティカルトランプである０本従来例の装置は、キャ
ピラリ （管）を用いてプロセス装置と接続して使用し
、プロセス装置内の微細粒子を含んだ気体を吸引するこ
とにより、間接的にプロセス装（η内の微細粒子を測定
するものである。
測定されるべき微細粒子を含む観測空間領域、（７）は
光検出器、０υは測定装置内の迷光を極力抑えるための
オプティカルトランプである０本従来例の装置は、キャ
ピラリ （管）を用いてプロセス装置と接続して使用し
、プロセス装置内の微細粒子を含んだ気体を吸引するこ
とにより、間接的にプロセス装（η内の微細粒子を測定
するものである。
したがって、プロセス装置内に装着されたウェハ表面上
の微細粒子は測定できず、また、プロセス装置内の浮遊
した微細粒子についてもうまく吸引できかつ本測定装置
内に輸送できたものしか測定できないという問題があっ
た。
の微細粒子は測定できず、また、プロセス装置内の浮遊
した微細粒子についてもうまく吸引できかつ本測定装置
内に輸送できたものしか測定できないという問題があっ
た。
また、第９図ａ、ｂはＩｌｉｇｈ Ｙｉｅｌｄ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｙ社より製品化されているＰＭ １００
１ｎ −Ｓｉ ｔｕ Ｐａｒ口ｃｌｅ Ｆｌｕｘ Ｍｏ
ｎ１ｔｏｒの動作原理を示すそれぞれ平面図および正面
図である。レーザ（３）からのレーザ光を平行に配置さ
れたミラー（２１）間で多数回反射を繰り返えすことに
より、２次元の観測空間領域を拡大している。この空間
領域を微細粒子（２）が通過する際に散乱光が生じ、こ
の散乱光を光検出器（６）で受けることにより微細粒子
の測定を行なう。なお、（２２）は反射集光板、（２３
）はビームイストッパである。本装置は、プロセス装置
内に設置されて用いられる。
ｈｎｏｌｏｇｙ社より製品化されているＰＭ １００
１ｎ −Ｓｉ ｔｕ Ｐａｒ口ｃｌｅ Ｆｌｕｘ Ｍｏ
ｎ１ｔｏｒの動作原理を示すそれぞれ平面図および正面
図である。レーザ（３）からのレーザ光を平行に配置さ
れたミラー（２１）間で多数回反射を繰り返えすことに
より、２次元の観測空間領域を拡大している。この空間
領域を微細粒子（２）が通過する際に散乱光が生じ、こ
の散乱光を光検出器（６）で受けることにより微細粒子
の測定を行なう。なお、（２２）は反射集光板、（２３
）はビームイストッパである。本装置は、プロセス装置
内に設置されて用いられる。
したがって、本装置は浮遊している微細粒子は測定でき
るが、ウェハ表面上に付着したものについては測定でき
ない。また、光学系（レーザ光源（３）、ミラー（２１
） 、光検出器（６）等）をプロセス装置内に設置する
ことになるので、たとえば常圧熱ＣＶＤによる成膜プロ
セスを例に説明すると、高温に加熱されたウェハ上ない
しは直上付近の浮遊微細粒子を成膜中に測定することは
困難であるし、非成膜時においても、本装置の設置は、
ウェハ近傍の環境（たとえばガスの流れ、温度分布等）
を大きく変える要因となる。エツチングや洗浄のプロセ
スにおいても、大きな外乱を生じることなしに測定を行
なうことは困難である。さらに、本装置の測定方式では
雰囲気媒質である気体のレーリー散乱光に起因した信号
（バックグランド）を除去する手段を講じていないので
、微細粒子に起因した散乱光が前者のバックグラウンド
に埋もれてしまうような散乱光強度の弱いつまりは粒径
の小さい微細粒子については、測定が困難である。
るが、ウェハ表面上に付着したものについては測定でき
ない。また、光学系（レーザ光源（３）、ミラー（２１
） 、光検出器（６）等）をプロセス装置内に設置する
ことになるので、たとえば常圧熱ＣＶＤによる成膜プロ
セスを例に説明すると、高温に加熱されたウェハ上ない
しは直上付近の浮遊微細粒子を成膜中に測定することは
困難であるし、非成膜時においても、本装置の設置は、
ウェハ近傍の環境（たとえばガスの流れ、温度分布等）
を大きく変える要因となる。エツチングや洗浄のプロセ
スにおいても、大きな外乱を生じることなしに測定を行
なうことは困難である。さらに、本装置の測定方式では
雰囲気媒質である気体のレーリー散乱光に起因した信号
（バックグランド）を除去する手段を講じていないので
、微細粒子に起因した散乱光が前者のバックグラウンド
に埋もれてしまうような散乱光強度の弱いつまりは粒径
の小さい微細粒子については、測定が困難である。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、成膜、エツチング、洗浄等のプロセス装置内
に装着されたウェハ表面上に付着した微細粒子およびウ
ェハ表面上の空間に浮遊した微細粒子を、プロセス装置
内の環境あるいはプロセスそのものに大きな外乱を与え
ることなしに計測できる微細粒子測定装置を得ることを
目的とする。
たもので、成膜、エツチング、洗浄等のプロセス装置内
に装着されたウェハ表面上に付着した微細粒子およびウ
ェハ表面上の空間に浮遊した微細粒子を、プロセス装置
内の環境あるいはプロセスそのものに大きな外乱を与え
ることなしに計測できる微細粒子測定装置を得ることを
目的とする。
この発明に係る微細粒子測定装置は、ある所定の周波数
で空間的位置を微小に変調させたレーザ光を被測定空間
に照射するレーザ光微小走査変調照射機構と、上記被測
定空間中に存在する微細粒子により散乱された光を受光
して電気信号に変換する光検出器と、この光検出器から
出力される電気信号の中から上記レーザ光微小走査のた
めの変調信号と周波数が同一または２倍でかつ上記変調
信号との位相差が時間的に一定である信号分を取り出す
信号処理部とを備えるものである。
で空間的位置を微小に変調させたレーザ光を被測定空間
に照射するレーザ光微小走査変調照射機構と、上記被測
定空間中に存在する微細粒子により散乱された光を受光
して電気信号に変換する光検出器と、この光検出器から
出力される電気信号の中から上記レーザ光微小走査のた
めの変調信号と周波数が同一または２倍でかつ上記変調
信号との位相差が時間的に一定である信号分を取り出す
信号処理部とを備えるものである。
また、この発明の別の発明に係る微細粒子測定装置は、
レーザ微小走査変調照射機構のかわりに、レーザ光の微
小走査変調をこの変調に比べて準静的とみなすことので
きる速度の空間位置走査に重畳してレーザ光を走査する
レーザ光走査照射ｌａ構を有するものである。
レーザ微小走査変調照射機構のかわりに、レーザ光の微
小走査変調をこの変調に比べて準静的とみなすことので
きる速度の空間位置走査に重畳してレーザ光を走査する
レーザ光走査照射ｌａ構を有するものである。
この発明における微細粒子測定装置は、レーザ光を微小
走査変調して微細粒子に照射し、その測定されるべき微
細粒子に起因した散乱光を含む光を光検出器で電気信号
に変換し、さらに、その（３号の中からレーザ光微小走
査の変調信号と周波数が同一、または２倍でかつ両者の
位相差が時間的に一定である信号分つまりは微細粒子に
よる信号分を取り出すようにしたものである。したがっ
て、レーザ光に起因する以外の迷光の寄与は測定信号か
ら除去される。さらに、雰囲気媒質の気体によるレーリ
ー散乱光に起因した信号成分も、媒質が少なくとも微小
走査振れ幅内において均質とみなせる範囲では、除去で
きる。このように、本測定装置においては、測定におけ
る外乱要因を十分に抑制した上での微細粒子の測定が可
能となる。
走査変調して微細粒子に照射し、その測定されるべき微
細粒子に起因した散乱光を含む光を光検出器で電気信号
に変換し、さらに、その（３号の中からレーザ光微小走
査の変調信号と周波数が同一、または２倍でかつ両者の
位相差が時間的に一定である信号分つまりは微細粒子に
よる信号分を取り出すようにしたものである。したがっ
て、レーザ光に起因する以外の迷光の寄与は測定信号か
ら除去される。さらに、雰囲気媒質の気体によるレーリ
ー散乱光に起因した信号成分も、媒質が少なくとも微小
走査振れ幅内において均質とみなせる範囲では、除去で
きる。このように、本測定装置においては、測定におけ
る外乱要因を十分に抑制した上での微細粒子の測定が可
能となる。
また、レーザ光微小走査変調照射機構のかわりにレーザ
光走査照射機構を用いれば被測定空間に存在する微細粒
子の少なくとも一次元の分布が得られる。
光走査照射機構を用いれば被測定空間に存在する微細粒
子の少なくとも一次元の分布が得られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、＋１１はプロセス装置（２）内に装着され
た半導体装置用基板すなわちウェハ、（２）はウェハ（
１１の表面上に付着した微細粒子、（３）はレーザ光源
、０３はある所定の周波数で空間的位置を微小に変調さ
せたレーザ光をウェハ（１）の表面上に照射するための
レーザ光微小走査変調照射機構例えばガルバノスキャナ
ー、Ｑａはレーザ光微小走査変調照射機構Ｏ１を動作さ
せるための例えば上記ガルバノスキャナーには付属の制
御部、（６）は光検出器例えば光電子増倍管、０！９は
光検出器（６）から出力される電気１３号の中からレー
ザ光微小走査のための変調信号と周波数が同一（または
２倍）でかつ両者の位相差が時間的に一定である信号分
を取り出すための信号処理部、例えばロックインアンプ
、Ｏｅは微細粒子を腹部観測空間領域を限定するための
狭帯域透過多層膜干渉フィルタ、αυはプロセス装置０
乃内の迷光を極力抑えるためのオプティカルトラップで
ある。
図において、＋１１はプロセス装置（２）内に装着され
た半導体装置用基板すなわちウェハ、（２）はウェハ（
１１の表面上に付着した微細粒子、（３）はレーザ光源
、０３はある所定の周波数で空間的位置を微小に変調さ
せたレーザ光をウェハ（１）の表面上に照射するための
レーザ光微小走査変調照射機構例えばガルバノスキャナ
ー、Ｑａはレーザ光微小走査変調照射機構Ｏ１を動作さ
せるための例えば上記ガルバノスキャナーには付属の制
御部、（６）は光検出器例えば光電子増倍管、０！９は
光検出器（６）から出力される電気１３号の中からレー
ザ光微小走査のための変調信号と周波数が同一（または
２倍）でかつ両者の位相差が時間的に一定である信号分
を取り出すための信号処理部、例えばロックインアンプ
、Ｏｅは微細粒子を腹部観測空間領域を限定するための
狭帯域透過多層膜干渉フィルタ、αυはプロセス装置０
乃内の迷光を極力抑えるためのオプティカルトラップで
ある。
次に動作について説明する。レーザ光ｍ （３１から出
射されたレーザ光は、第２図ａに示すような微小走査変
調信号を発生する制御部０船のもとに制御されたレーザ
光微小走査変調照射機構α謙により所定のある周波数で
空間的位置を微小に変調された上で、ウェハ（１１の表
面に照射される。この時、第３図ａ ％ ｄに示すよう
に、ウェハ（１）の表面においてＬ／−ザ光の微小走査
位置と微細粒子（２）の位置が一敗する時間には散乱光
強度が最大となり、レーザ光が微細粒子に照射されない
位置になる時間には零となる。この散乱光強度に対応し
た電気信号成分とレーザ光に起因するもの以外の迷光（
たとえばプロセス’Ａ Ｗの外部から内部に漏れて入射
する室内照明光など）に対応した電気信号成分とプロセ
ス装置内の雰囲気媒質の気体によるレーザ光のレーリー
散乱光に対応した電気信号成分が重なって光検出器（６
）より出力される。この３つの信号成分のうち、第２番
目の迷光に対応したものは変ａ周信号と相関がなく、第
３番目の雰囲気媒質の気体に対応したものも少なくとも
微小走査振れ幅内において雰囲気媒質の気体が均一とみ
なせる限りにおいて変調信号と同期した成分を持たない
。したがって、イδ号処理部０９において、光検出器（
６）から出力出力された電気信号の中から、レーザ光微
小走査のための変調信号と周波数が同一（ただし、第３
図に示すように微細粒子（２）がレーザ微小走査範囲の
中心付近にある場合には２倍でもよい）でかつ両者の位
相差が時間的に一定である信号分を取り出すことにより
、レーザ光に起因するもの以外の迷光及び雰囲気媒質の
気体のレーリー散乱光に対応した電気信号成分は除去さ
れ、微細粒子（２）による散乱光に対応した信号のみが
測定される。
射されたレーザ光は、第２図ａに示すような微小走査変
調信号を発生する制御部０船のもとに制御されたレーザ
光微小走査変調照射機構α謙により所定のある周波数で
空間的位置を微小に変調された上で、ウェハ（１１の表
面に照射される。この時、第３図ａ ％ ｄに示すよう
に、ウェハ（１）の表面においてＬ／−ザ光の微小走査
位置と微細粒子（２）の位置が一敗する時間には散乱光
強度が最大となり、レーザ光が微細粒子に照射されない
位置になる時間には零となる。この散乱光強度に対応し
た電気信号成分とレーザ光に起因するもの以外の迷光（
たとえばプロセス’Ａ Ｗの外部から内部に漏れて入射
する室内照明光など）に対応した電気信号成分とプロセ
ス装置内の雰囲気媒質の気体によるレーザ光のレーリー
散乱光に対応した電気信号成分が重なって光検出器（６
）より出力される。この３つの信号成分のうち、第２番
目の迷光に対応したものは変ａ周信号と相関がなく、第
３番目の雰囲気媒質の気体に対応したものも少なくとも
微小走査振れ幅内において雰囲気媒質の気体が均一とみ
なせる限りにおいて変調信号と同期した成分を持たない
。したがって、イδ号処理部０９において、光検出器（
６）から出力出力された電気信号の中から、レーザ光微
小走査のための変調信号と周波数が同一（ただし、第３
図に示すように微細粒子（２）がレーザ微小走査範囲の
中心付近にある場合には２倍でもよい）でかつ両者の位
相差が時間的に一定である信号分を取り出すことにより
、レーザ光に起因するもの以外の迷光及び雰囲気媒質の
気体のレーリー散乱光に対応した電気信号成分は除去さ
れ、微細粒子（２）による散乱光に対応した信号のみが
測定される。
ゆえに、従来例に比較してより粒径の小さい微細粒子に
対しても測定能力が高い。
対しても測定能力が高い。
また、微細粒子（２）による散乱光強度は、レーザ光の
パワー密度に比例するので、粒径に対する測定能力の向
上をはかるには、照射レーザ光のパワー密度を増加させ
ることが有効であるが、パワー密度が大きすぎるとウェ
ハ（１１表面の損傷を発生させる。そこで、第４図に示
すように、レーザ光をウェハ表面に対して高入射角で照
射することにより、微細粒子、（２）に対するレーザ光
パワー密度を変えることなしに、ウェハ（１）表面に対
するパワー密度を低くすることができる。
パワー密度に比例するので、粒径に対する測定能力の向
上をはかるには、照射レーザ光のパワー密度を増加させ
ることが有効であるが、パワー密度が大きすぎるとウェ
ハ（１１表面の損傷を発生させる。そこで、第４図に示
すように、レーザ光をウェハ表面に対して高入射角で照
射することにより、微細粒子、（２）に対するレーザ光
パワー密度を変えることなしに、ウェハ（１）表面に対
するパワー密度を低くすることができる。
また、第５図はある一例の透過中心波長が４８８ｎｍの
多膜層干渉フィルタ の波長４８８ｎｍの光に対するエネルギー透過率の入射
角依存性の計算結果を示している。これより入射角ψが
大きくなると透過率が減少し視野を限定する機能を有す
ることがわかる。第１図に示すように、光検出器（６）
の前面に、中心透過波長がレーザ光と同一の狭帯域透過
多層膜干渉フィルタｏｌを配置することにより、光検出
器（６）から見た観測空間領域を限定することができ、
レーザ光に起因したプロセス装置０乃内の迷光の測定に
対する影響を低減できる。
多膜層干渉フィルタ の波長４８８ｎｍの光に対するエネルギー透過率の入射
角依存性の計算結果を示している。これより入射角ψが
大きくなると透過率が減少し視野を限定する機能を有す
ることがわかる。第１図に示すように、光検出器（６）
の前面に、中心透過波長がレーザ光と同一の狭帯域透過
多層膜干渉フィルタｏｌを配置することにより、光検出
器（６）から見た観測空間領域を限定することができ、
レーザ光に起因したプロセス装置０乃内の迷光の測定に
対する影響を低減できる。
これまでは、ウェハ表面上の微小領域のみの微細粒子測
定について説明したが、第１図のレーザ光微小走査変調
照射機構０３のかわりに、第２図に示すように、微小走
査変調信号（第２図ａ）をこの変調に比べて準静的とみ
なすことのできる速度の空間位置走査信号（第２図ｂ）
に重畳した重畳信号（第２図Ｃ）を用いる例えば電気光
学偏光器や音響光学偏向器とガルバノメータスキャナー
とを組み合せたレーザ光走査照射機構及びその制御部を
置きかえることにより、ウェハ（１１表面上に付着した
微細粒子の少なくとも一次元の分布が測定できる。
定について説明したが、第１図のレーザ光微小走査変調
照射機構０３のかわりに、第２図に示すように、微小走
査変調信号（第２図ａ）をこの変調に比べて準静的とみ
なすことのできる速度の空間位置走査信号（第２図ｂ）
に重畳した重畳信号（第２図Ｃ）を用いる例えば電気光
学偏光器や音響光学偏向器とガルバノメータスキャナー
とを組み合せたレーザ光走査照射機構及びその制御部を
置きかえることにより、ウェハ（１１表面上に付着した
微細粒子の少なくとも一次元の分布が測定できる。
さらに、第６図に示すように、レーザ光走査照射機構面
及びその制御部０醗をそれぞれ２台（２組）有すること
により、レーザ光の微小走査に対応した位置分解能で、
ウェハ（１１表面上の微細粒子（２）の２次元分布が測
定できる。
及びその制御部０醗をそれぞれ２台（２組）有すること
により、レーザ光の微小走査に対応した位置分解能で、
ウェハ（１１表面上の微細粒子（２）の２次元分布が測
定できる。
なお、上記実施例では何れもウェハ（１）表面に付着し
た微細粒子（２）の測定について説明したが、ウェハ表
面上の空間に浮遊した微細粒子についても、その微細粒
子の運動速度が微小走査されたレーザ光のビームの移動
速度よりも十分小さい条件のもとでは、本発明の測定装
置により同様に測定できる。
た微細粒子（２）の測定について説明したが、ウェハ表
面上の空間に浮遊した微細粒子についても、その微細粒
子の運動速度が微小走査されたレーザ光のビームの移動
速度よりも十分小さい条件のもとでは、本発明の測定装
置により同様に測定できる。
また、上記実施例ではレーザ光微小走査変澗照射機構ａ
湯がガルバノメータスキャナーである場合について示し
たが、これに限るものではなく、例えば電気光学偏向器
や音ツ光学偏向器であってもよい。
湯がガルバノメータスキャナーである場合について示し
たが、これに限るものではなく、例えば電気光学偏向器
や音ツ光学偏向器であってもよい。
なお、参考として、上記実施例ではプロセス装置内の微
細粒子に限定して説明したが、この測定Ｗ Ｗに用いた
方法をプロセス装置とは切り離され測定という行為のみ
を優先して設計された測定装置に適用できるのはいうま
でもない。
細粒子に限定して説明したが、この測定Ｗ Ｗに用いた
方法をプロセス装置とは切り離され測定という行為のみ
を優先して設計された測定装置に適用できるのはいうま
でもない。
以上のように、この発明によれば、ある所定の周波数で
空間的位置を微小に変調させたレーザ光を被測定空間に
照射するレーザ光微小走査変調照射機構と、上記被測定
空間中に存在する微細粒子により散乱された光を受光し
て電気１３号に変換する光検出器と、この光検出器から
出力される電気信号の中から上記レーザ光微小走査のた
めの変調信号と周波数が同一または２倍でかつ上記変３
［（３号との位相差が時間的に一定である信号分を取り
出す信号処理部とを備えるので、プロセス装置内に装着
された半導体装置用基板表面上の微細粒子および上記基
板表面上の空間に浮遊した微細粒子を、プロセス装置内
の環境やプロセスそのものに大きな外乱を与えることな
しに高感度で測定できる効果がある。
空間的位置を微小に変調させたレーザ光を被測定空間に
照射するレーザ光微小走査変調照射機構と、上記被測定
空間中に存在する微細粒子により散乱された光を受光し
て電気１３号に変換する光検出器と、この光検出器から
出力される電気信号の中から上記レーザ光微小走査のた
めの変調信号と周波数が同一または２倍でかつ上記変３
［（３号との位相差が時間的に一定である信号分を取り
出す信号処理部とを備えるので、プロセス装置内に装着
された半導体装置用基板表面上の微細粒子および上記基
板表面上の空間に浮遊した微細粒子を、プロセス装置内
の環境やプロセスそのものに大きな外乱を与えることな
しに高感度で測定できる効果がある。
また、レーザ光微小走査変調照射機構のかわりに、レー
ザ光の微小走査変調をこの変調に比べて準静的とみなす
ことのできる速度の空間位置走査に重畳してレーザ光を
走査するレーザ光照射機構を用いれば、被測定空間に存
在する微細粒子の少なくとも一次元の分布が得られる効
果がある。
ザ光の微小走査変調をこの変調に比べて準静的とみなす
ことのできる速度の空間位置走査に重畳してレーザ光を
走査するレーザ光照射機構を用いれば、被測定空間に存
在する微細粒子の少なくとも一次元の分布が得られる効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例による微細粒子測定装置を
示す構成図、第２図３−（はそれぞれレーザ光の走査信
号を説明する波形図であり、ａは微小走査信号、ｂは空
間位置走査信号、Ｃは重畳信号、第３図ａは散乱光強度
の時間変化を示す特性図、第３図ｂ−ｄはそれぞれ第３
図ａのＢ−Ｄ点における微細粒子とレーザ光との位置関
係を示す説明図、第４図はレーザ光照射角を説明する説
明図、第５図は干渉フィルタの透過率の入射角依存性を
示す特性図、第６図はこの発明の他の実施例による微細
粒子測定装置を示す構成図、第７図。 第８図はそれぞれ従来の微細粒子測定装置を示す構成図
および構成断面図、第９図ａ、ｂは従来の微細粒子測定
装置の動作原理を示すそれぞれ平面図および正面図であ
る。 （１）・・・ウェハ、（２）・・・微細粒子、（３）・
・・レーザ光源、（４）偏光子、（５）・・・対物レン
ズ、（６）・・・光検出器、（７）・・・電子回路装置
、（９）・・・観測空間領域、α１・・・受光レンズ系
、αυ・・・オプティカルトラップ、＠・・・プロセス
装置、Ｏｌ・・・レーザ光微小走査変調照射機構、ａ９
・・・信号処理部、ＯＩ・・・狭帯域透過多層膜干渉フ
ィルタ、０７＋・・・レーザ光走査照射機構、（２１）
ミラーなお、各図中同一符号は同一または相当部分を
示すものとする。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 Ｉ ゛ブエハ ３ 、 レー°す′ヲＬや炙 ＩＬ検出益 １５″ 、 イ８ピち′処王甲名や ｌ乙 ：を苧丁Ｋｂη多層用酊干／テフィルタ第２図 第４図 エネルキー橿富直斗 第６図 第７図 第８図 Ｎ刊二二二＝＝＝コ ロ＝二二＝＝］−〜 〜 手 続 補 正 書（自発） ２、発明の名称 微細粒子測定装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲および発明の詳細な説明の欄。 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおりに訂正す
る。 （２）明細書第８頁第１０行および第１６頁第１行（こ
それぞれ「波間」電空間中に存在する」とあるのを削除
する。 （３）同第１０頁第１２行〜第１３行の「ガルバノスキ
ャナーには」を「ガルバノスキャナーに」（こ訂正する
。 （４）同第１４頁第１１行〜第１２行の「制御部を」を
「制御部に」に訂正する。 ７、添付書類の目録 補正後の特許請求の範囲を記載した書面 １通以上 特許請求の範囲 （１）プロセス装置内に装着された半導体装置用基板表
面上に付着した微細粒子および上記半導体装置用基板表
面上の空間に浮遊した微細粒子を、レーザ光による散乱
を用いて測定するものにおいて、ある所定の周波数で空
間的位置を微小に変調させたレーザ光を被測定空間に照
射するレーザ光微小走査変調照射機構と、上記微細粒子
（こより散乱された光を受光して眠気信号に変換する光
検出器と、この光検出器から出力される電気信号の中か
ら上記レーザ光微小走査のための変調信号と周波数が同
一または２倍でかつ上記変調信号との位相差が時間的（
こ一定である信号分を取り出す信号処理部とを備えるこ
とを特徴とする微細粒子測定装置。 （２）光検出器の前面に、微細粒子を含む被測定領域を
限定するための中心透過波長がレーザ光と同一の狭帯域
透過多層膜干渉フィルタを有する請求項１記載の微細粒
子測定装置。 （３）プロセス装置内に装着された半導体装置用基板表
面上に付着した微細粒子および上記半導体装置用基板表
面上の空間に浮遊した微細粒子を、レーザ光による散乱
を用いて測定するものにおいて、ある所定の周波数で空
間的位置を微小に変調させるレーザ光微小変調をこの変
調に比べて準静的とみなすことのできる速度の空間位置
走査（こ重畳したレーザ光を被測定空間に照射するレー
ザ光走査照射機構と、上記微細粒子により散乱された光
を受光して電気信号に変換する光検出器と、この光検出
器から出力される電気信号の中から上記レーザ光微小走
査のための変調信号と周波数が同一または２倍でかつ上
記変調信号との位相差が時間的に一定である信号分を取
り出す信号処理部とを備えることを特徴とする微細粒子
測定装置。 手続補正書（自発） ８者 １年 ５月 ８日 Ｉ８事件の表示 特願昭５３−２５フフ８ｏ号 ２、発明の名称 微細粒子測定装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲および発明の詳細な説明の欄。 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおりに訂正す
る。 （２）明細書第７頁第１９行〜第２０行の「成膜。 ・・・装着された」を削除する。 （３）同第８頁第２行の「微細粒子を」の次に次の文章
を挿入する。 「高感度で計測でき、特にウェハが成膜、エツチング、
洗浄等のプロセス装置内に装着されている場合において
も」 （４）同第８頁第４行の「計測できる」のｍＪに「高感
度で」を挿入する。 （５） 同第１５頁第１２行の「参考として、」を削
除する。 （６）同第１６頁第７行〜第８行の「プロセス装置内に
装着された」を削除する。 （力 同第１６頁第９行〜第１０行の［微細粒子を」の
次に次の文章を挿入する。 ［高感度で計夕１］でき、特に半導体装置用基板がプロ
セス装置内に装着されている場合においても」 ７、 添付書類の目録 補ｉＥ後の特許請求の範囲を記数した書間 １通以と 特許請求の範囲 （１）半導体装置用基板表面上に付着した微細粒子およ
び上記半導体装置用基板表面上の空間に浮遊した微細粒
子を、レーザ光による散乱を用いて測定するものにおい
て、ある所定の周波数で空間的位置を微小に変調させた
レーザ光を被測定空間に照射するレーザ光微小走査変調
照射機構と、上記微細粒子により散乱された光を受光し
て電気信号に変換する光検出器と、この光検出器から出
力される電気信号の中から１記レーザ光微小走査のため
の変調信号と周波数が同一または２倍でかつ上記変調信
号との位相差が時間的に一足である信号分を取υ出す信
号処理部とを備えることを特徴とする微細粒子測定装置
０ （２）光検出器のＬＴｉｌ＠に、微細粒子を含む被測定
領域を限定するための中心透過波長がレーザ光と同一の
狭帯域透過多層膜干渉フィルタを有する請求項１記載の
微細粒子測定装置。 （３） 半導体装置用基板表面上に付着した微ａ＠子
および上記半導体装置用基板表面との空間に浮遊した微
細粒子を、レーザ光による散乱を用−て測定するものに
おいて、ある所定の周波数で空間的位置を微小に変調さ
ぜるレーザ光微小変調をこの変調に比べて準静的とみな
すことのできる速度の空間位置走査に重畳したレーザ光
を被測定空間に照射するレーザ光走頁照射機何と、と記
微細粒子により散乱された光？受光して電気信号に変換
する光検出器と、この光検出器から出力される電気信号
の中からと記レーザ光微小走査のだめの変調信号と周波
数が同一または２倍でかつと配置調信号との位相差が時
間的に一定である信号分を取り出す信号処理部とを備え
ることを特徴とする微細粒子測定装置。
示す構成図、第２図３−（はそれぞれレーザ光の走査信
号を説明する波形図であり、ａは微小走査信号、ｂは空
間位置走査信号、Ｃは重畳信号、第３図ａは散乱光強度
の時間変化を示す特性図、第３図ｂ−ｄはそれぞれ第３
図ａのＢ−Ｄ点における微細粒子とレーザ光との位置関
係を示す説明図、第４図はレーザ光照射角を説明する説
明図、第５図は干渉フィルタの透過率の入射角依存性を
示す特性図、第６図はこの発明の他の実施例による微細
粒子測定装置を示す構成図、第７図。 第８図はそれぞれ従来の微細粒子測定装置を示す構成図
および構成断面図、第９図ａ、ｂは従来の微細粒子測定
装置の動作原理を示すそれぞれ平面図および正面図であ
る。 （１）・・・ウェハ、（２）・・・微細粒子、（３）・
・・レーザ光源、（４）偏光子、（５）・・・対物レン
ズ、（６）・・・光検出器、（７）・・・電子回路装置
、（９）・・・観測空間領域、α１・・・受光レンズ系
、αυ・・・オプティカルトラップ、＠・・・プロセス
装置、Ｏｌ・・・レーザ光微小走査変調照射機構、ａ９
・・・信号処理部、ＯＩ・・・狭帯域透過多層膜干渉フ
ィルタ、０７＋・・・レーザ光走査照射機構、（２１）
ミラーなお、各図中同一符号は同一または相当部分を
示すものとする。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 Ｉ ゛ブエハ ３ 、 レー°す′ヲＬや炙 ＩＬ検出益 １５″ 、 イ８ピち′処王甲名や ｌ乙 ：を苧丁Ｋｂη多層用酊干／テフィルタ第２図 第４図 エネルキー橿富直斗 第６図 第７図 第８図 Ｎ刊二二二＝＝＝コ ロ＝二二＝＝］−〜 〜 手 続 補 正 書（自発） ２、発明の名称 微細粒子測定装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲および発明の詳細な説明の欄。 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおりに訂正す
る。 （２）明細書第８頁第１０行および第１６頁第１行（こ
それぞれ「波間」電空間中に存在する」とあるのを削除
する。 （３）同第１０頁第１２行〜第１３行の「ガルバノスキ
ャナーには」を「ガルバノスキャナーに」（こ訂正する
。 （４）同第１４頁第１１行〜第１２行の「制御部を」を
「制御部に」に訂正する。 ７、添付書類の目録 補正後の特許請求の範囲を記載した書面 １通以上 特許請求の範囲 （１）プロセス装置内に装着された半導体装置用基板表
面上に付着した微細粒子および上記半導体装置用基板表
面上の空間に浮遊した微細粒子を、レーザ光による散乱
を用いて測定するものにおいて、ある所定の周波数で空
間的位置を微小に変調させたレーザ光を被測定空間に照
射するレーザ光微小走査変調照射機構と、上記微細粒子
（こより散乱された光を受光して眠気信号に変換する光
検出器と、この光検出器から出力される電気信号の中か
ら上記レーザ光微小走査のための変調信号と周波数が同
一または２倍でかつ上記変調信号との位相差が時間的（
こ一定である信号分を取り出す信号処理部とを備えるこ
とを特徴とする微細粒子測定装置。 （２）光検出器の前面に、微細粒子を含む被測定領域を
限定するための中心透過波長がレーザ光と同一の狭帯域
透過多層膜干渉フィルタを有する請求項１記載の微細粒
子測定装置。 （３）プロセス装置内に装着された半導体装置用基板表
面上に付着した微細粒子および上記半導体装置用基板表
面上の空間に浮遊した微細粒子を、レーザ光による散乱
を用いて測定するものにおいて、ある所定の周波数で空
間的位置を微小に変調させるレーザ光微小変調をこの変
調に比べて準静的とみなすことのできる速度の空間位置
走査（こ重畳したレーザ光を被測定空間に照射するレー
ザ光走査照射機構と、上記微細粒子により散乱された光
を受光して電気信号に変換する光検出器と、この光検出
器から出力される電気信号の中から上記レーザ光微小走
査のための変調信号と周波数が同一または２倍でかつ上
記変調信号との位相差が時間的に一定である信号分を取
り出す信号処理部とを備えることを特徴とする微細粒子
測定装置。 手続補正書（自発） ８者 １年 ５月 ８日 Ｉ８事件の表示 特願昭５３−２５フフ８ｏ号 ２、発明の名称 微細粒子測定装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲および発明の詳細な説明の欄。 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおりに訂正す
る。 （２）明細書第７頁第１９行〜第２０行の「成膜。 ・・・装着された」を削除する。 （３）同第８頁第２行の「微細粒子を」の次に次の文章
を挿入する。 「高感度で計測でき、特にウェハが成膜、エツチング、
洗浄等のプロセス装置内に装着されている場合において
も」 （４）同第８頁第４行の「計測できる」のｍＪに「高感
度で」を挿入する。 （５） 同第１５頁第１２行の「参考として、」を削
除する。 （６）同第１６頁第７行〜第８行の「プロセス装置内に
装着された」を削除する。 （力 同第１６頁第９行〜第１０行の［微細粒子を」の
次に次の文章を挿入する。 ［高感度で計夕１］でき、特に半導体装置用基板がプロ
セス装置内に装着されている場合においても」 ７、 添付書類の目録 補ｉＥ後の特許請求の範囲を記数した書間 １通以と 特許請求の範囲 （１）半導体装置用基板表面上に付着した微細粒子およ
び上記半導体装置用基板表面上の空間に浮遊した微細粒
子を、レーザ光による散乱を用いて測定するものにおい
て、ある所定の周波数で空間的位置を微小に変調させた
レーザ光を被測定空間に照射するレーザ光微小走査変調
照射機構と、上記微細粒子により散乱された光を受光し
て電気信号に変換する光検出器と、この光検出器から出
力される電気信号の中から１記レーザ光微小走査のため
の変調信号と周波数が同一または２倍でかつ上記変調信
号との位相差が時間的に一足である信号分を取υ出す信
号処理部とを備えることを特徴とする微細粒子測定装置
０ （２）光検出器のＬＴｉｌ＠に、微細粒子を含む被測定
領域を限定するための中心透過波長がレーザ光と同一の
狭帯域透過多層膜干渉フィルタを有する請求項１記載の
微細粒子測定装置。 （３） 半導体装置用基板表面上に付着した微ａ＠子
および上記半導体装置用基板表面との空間に浮遊した微
細粒子を、レーザ光による散乱を用−て測定するものに
おいて、ある所定の周波数で空間的位置を微小に変調さ
ぜるレーザ光微小変調をこの変調に比べて準静的とみな
すことのできる速度の空間位置走査に重畳したレーザ光
を被測定空間に照射するレーザ光走頁照射機何と、と記
微細粒子により散乱された光？受光して電気信号に変換
する光検出器と、この光検出器から出力される電気信号
の中からと記レーザ光微小走査のだめの変調信号と周波
数が同一または２倍でかつと配置調信号との位相差が時
間的に一定である信号分を取り出す信号処理部とを備え
ることを特徴とする微細粒子測定装置。
Claims (3)
- （１）プロセス装置内に装着された半導体装置用基板表
面上に付着した微細粒子および上記半導体装置用基板表
面上の空間に浮遊した微細粒子を、レーザ光による散乱
を用いて測定するものにおいて、ある所定の周波数で空
間的位置を微小に変調させたレーザ光を被測定空間に照
射するレーザ光微小走査変調照射機構と、上記被測定空
間中に存在する微細粒子により散乱された光を受光して
電気信号に変換する光検出器と、この光検出器から出力
される電気信号の中から上記レーザ光微小走査のための
変調信号と周波数が同一または２倍でかつ上記変調信号
との位相差が時間的に一定である信号分を取り出す信号
処理部とを備えることを特徴とする微細粒子測定装置。 - （２）光検出器の前面に、微細粒子を含む被測定空間領
域を限定するための中心透過波長がレーザ光と同一の狭
帯域透過多層膜干渉フィルタを有する請求項１記載の微
細粒子測定装置。 - （３）プロセス装置内に装着された半導体装置用基板表
面上に付着した微細粒子および上記半導体装置用基板表
面上の空間に浮遊した微細粒子を、レーザ光による散乱
を用いて測定するものにおいて、ある所定の周波数で空
間的位置を微小に変調させるレーザ光微小変調をこの変
調に比べて準静的とみなすことのできる速度の空間位置
走査に重畳したレーザ光を被測定空間に照射するレーザ
光走査照射機構と、上記被測定空間中に存在する微細粒
子により散乱された光を受光して電気信号に変換する光
検出器と、この光検出器から出力される電気信号の中か
ら上記レーザ光微小走査のための変調信号と周波数が同
一または２倍でかつ上記変調信号との位相差が時間的に
一定である信号分を取り出す信号処理部とを備えること
を特徴とする微細粒子測定装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257780A JPH0739994B2 (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | 微細粒子測定装置 |
| US07/373,801 US5008558A (en) | 1988-10-12 | 1989-06-29 | System for detecting minute particles on or above a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257780A JPH0739994B2 (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | 微細粒子測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103451A true JPH02103451A (ja) | 1990-04-16 |
| JPH0739994B2 JPH0739994B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=17310998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63257780A Expired - Lifetime JPH0739994B2 (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | 微細粒子測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5008558A (ja) |
| JP (1) | JPH0739994B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682358A (ja) * | 1992-03-26 | 1994-03-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 粒子検出器 |
| JP2003197699A (ja) * | 2002-09-09 | 2003-07-11 | Hitachi Ltd | プロセス処理装置及びそのシステム |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995009354A1 (en) * | 1993-09-27 | 1995-04-06 | Venturedyne Limited | Improved particle sensor and method for assaying a particle |
| JP2982720B2 (ja) * | 1996-04-26 | 1999-11-29 | 日本電気株式会社 | パーティクルモニター装置およびこれを具備した無塵化プロセス装置 |
| JP3373367B2 (ja) * | 1996-08-09 | 2003-02-04 | 松下電器産業株式会社 | ３次元計測装置及び３次元計測方法 |
| AUPO399596A0 (en) * | 1996-12-02 | 1997-01-02 | Resmed Limited | A harness assembly for a nasal mask |
| US20050018944A1 (en) * | 2003-07-25 | 2005-01-27 | Mozdy Eric J. | Polarization modulation interrogation of grating-coupled waveguide sensors |
| KR100549948B1 (ko) * | 2003-11-11 | 2006-02-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 청정시스템 |
| CN100456015C (zh) * | 2006-05-18 | 2009-01-28 | 哈尔滨工程大学 | 激光水质测量方法及其测量仪 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4468120A (en) * | 1981-02-04 | 1984-08-28 | Nippon Kogaku K.K. | Foreign substance inspecting apparatus |
| US4376583A (en) * | 1981-05-12 | 1983-03-15 | Aeronca Electronics, Inc. | Surface inspection scanning system |
| US4689491A (en) * | 1985-04-19 | 1987-08-25 | Datasonics Corp. | Semiconductor wafer scanning system |
| DE3624314A1 (de) * | 1986-07-18 | 1988-01-28 | Hoechst Ag | Verwendung von epoxidharz/haerter-mischungen zur herstellung von beschichtungen mit erhoehter zwischenschichthaftung |
-
1988
- 1988-10-12 JP JP63257780A patent/JPH0739994B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-06-29 US US07/373,801 patent/US5008558A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682358A (ja) * | 1992-03-26 | 1994-03-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 粒子検出器 |
| JP2003197699A (ja) * | 2002-09-09 | 2003-07-11 | Hitachi Ltd | プロセス処理装置及びそのシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0739994B2 (ja) | 1995-05-01 |
| US5008558A (en) | 1991-04-16 |
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