JPH0210390B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0210390B2
JPH0210390B2 JP56074964A JP7496481A JPH0210390B2 JP H0210390 B2 JPH0210390 B2 JP H0210390B2 JP 56074964 A JP56074964 A JP 56074964A JP 7496481 A JP7496481 A JP 7496481A JP H0210390 B2 JPH0210390 B2 JP H0210390B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
power supply
data
input signal
memory circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56074964A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57190276A (en
Inventor
Takayoshi Ishii
Ryoichi Kurihara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP56074964A priority Critical patent/JPS57190276A/ja
Publication of JPS57190276A publication Critical patent/JPS57190276A/ja
Publication of JPH0210390B2 publication Critical patent/JPH0210390B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/40Testing power supplies

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、回路試験方式に関するものであり、
例えば記憶回路の電源電圧変動時の動作を試験す
るものである。
第1図は、記憶回路1のブロツク図を示す。第
1図において、記憶回路1はアドレスバツフア1
1とデータバツフア12と記憶素子13とより構
成され、読出し/書込み信号132の制御によ
り、アドレス信111で指定された記憶素子13
の記憶番地にデータ信号121を記憶したり、記
憶データを出力信号131として取出す。141
は前記アドレスバツフア11、データバツフア1
2及び記憶素子13の動作に必要な電源を供給す
る電源線である。
第2図は、データバツフア12の詳細な回路図
を示す。これはMOSトランジスタを使用した一
般的なフリツプフロツプタイプの回路である。
第3図は、データバツフア12の動作状態を示
すタイミングチヤートである。電源線141に供
給される電圧が正常である場合の動作状態をA
に、電圧が変動した場合の動作状態をBにす。
第2図,第3図において、まず電源電圧が正常
な場合の動作について説明する。時刻T4でデー
タ信号121がMOSトランジスタ1207のゲ
ート電位VREFより高い電位となつてMOSトラン
ジスタ1206のゲートに印加されると、データ
信号122―1の電位はMOSトランジスタ12
06,1201に導通比により第3図Aの実線の
如き電位に、またデータ信号122―2の電位は
MOSトランジスタ1207,1200の導通比
によつて第3図Aの破線の如き電位に傾く。時刻
T4+t1でコントロール信号12―1,12―2が
第3図に示す極性で印加されると、MOSトラン
ジスタ1208が導通し、MOSトランジスタ1
204,1205が活性化され、MOSトランジ
スタ1204が急速にOFF、MOSトランジスタ
1205が急速にONとなり、フリツプフロツプ
作用によりデータ信号121が正しく保持され
る。
しかし、第3図Bに示す如く、時刻T4以前か
らデータ信号122―1,122―2を出力する
各節点の電位が何等かの要因により同電位となら
ず、データ信号122―1の節点側がデータ信号
122―2の節点側より高い電位になつた場合
は、MOSトランジスタ1206で強く電位を下
げようとしても、元々その電位が高い為、時刻
T4+t1になつてもデータ信号122―1の電位が
データ信号122―2の電位以下に下りきらない
で、コントロール信号12―1,12―2が
MOSトランジスタ1208,1200,120
1に印加されると、MOSトランジスタ1204
はOFFとならずONに、MOSトランジスタ12
05はONとならずOFFに誤動作する。
この為、データ信号121が正しくデータブツ
フアに印加されても、誤つて記憶素子13に送信
され、記憶回路1は誤つたデータを記憶し、誤動
作することになる。なお次のサイクルから誤動作
が生じないのは第3図Bより明らかである。
次にデータ信号122―1,122―2を出力
する節点の電位が同一とならない要因について説
明する。記憶回路1の電源線141に印加される
電圧が、第4図に示す如くオーバシユートを生じ
た場合(実使用状態では、この様な状態は電源リ
ツプル、負荷変動等により発生する可能性は大で
ある。)時刻T0〜T2はMOSトランジスタ120
1〜1203は導通状態を保つているので、これ
らMOSトランジスタの電圧降下分ΔVだけ低い電
位にデータ信号122―1,122―2の各節点
が追従する。しかし時刻T2以降の如く、電源線
141の電位がV1からV2に急激に下るとMOSト
ランジスタ1200〜1203はOFF状態とな
り、データ信号122―1,122―2を出力す
る各節点の電位は浮遊容量1210,1209で
放電され、最終的にはどちらの電位も電源線14
1の電位V2よりΔVだけ低い電位に落ちつく。し
かし浮遊容量1209,1210はデータバツフ
アの製造時のマスクのバラツキによつて同一とな
らぬ場合があり、この場合は放電の時定数が異な
ることになり、データ信号122―1,122―
2を出力する各節点の電位は、各々第4図の実
線,破線に示す如くなる。ここで、第4図の時刻
T4の状態は第3図Bの時刻T4の状態と一致する。
データ信号122―1,122―2を出力する各
節点間の電位差が小さい場合は、フリツプフロツ
プの回路マージンがある為誤動作は発生しない
が、電位差が回路マージンを超えた場合(時刻
T3′からT5迄の期間T)は、誤動作が発生する。
期間T′は電位差発生領域、Tは誤動作領域であ
る。
この誤動作を検出する試験を行なうには、すく
なくとも電源線141の電位が下る時刻T2から
データ信号122―1,122―2を出力する各
節点の電位がV2に落着く時刻T6迄の期間T′中に、
データバツフアを動作させてみる必要がある。す
なわち、この期間記憶回路1に対して書込み、読
出し動作を実行して、出力信号131が期待デー
タと一致しているかを試験すれば良いのである。
第5図は、従来の試験する方式のブロツク図を
示す。第5図において、3は記憶回路1への入力
信号を発生する入力信号発生回路であり、これは
プログラム記憶式制御回路2により制御される。
電源回路4はプログラム記憶式制御回路2からは
制御されておらず、記憶回路1の試験に先立ち、
手動等で立上げ、電源線141より記憶回路1内
に給電しておく。記憶回路1内に給電する電源電
圧を変動させるには、ノイズ発生器6を追加して
電源線141に結合し、ノイズ電圧61を重畳さ
せることにより行なう。
しかしこのような従来の試験方法では、記憶回
路1に供給する入力信号1とノイズ電圧61が互
いに非同期で発生しており、この為、第4図に示
す互動作領域Tはおろか電位差発生領域T′にも
入力信号31が供給される保証がない。
第6図は、従来の試験方法での動作を示すタイ
ミングチヤートである。時刻T2に入力信号31
が加わつて、Wでデータ“0”を記憶回路1に書
込み、Rで読出しを行なつた場合は、誤動作領域
T以前である為、データ“0”は“0”として正
しく記憶回路1に書込まれ、誤動作は生じない。
また時刻T9に入力信号31が加わつた場合は、
誤動作領域T内である為、データバツフアの誤動
作によりWでデータ“1”が“1”として正しく
記憶回路1に書込めず、次のRで“0”が出力信
号131として読出され、出力比較回路5におい
て、もう一方の入力である期待データ21の
“1”と不一致が生じ、エラー信号51が出力さ
れ誤動作が検出される。
以上の如き従来の試験方式において、入力信号
31を誤動作領域T内に印加する為には、入力信
号31の発生間隔TWRと、電源線141に重畳さ
せるノイズ電圧の発生間隔TNとをお互い可変さ
せなければならない。しかし、この様にしても、
入力信号31を正確に誤動作領域T内に発生させ
る保証は不可能であり、たまたま誤動作領域T内
に入力信号31が遭遇し誤動作が検出されても、
これは誤動作があつたという現象のみが確認でき
るだけで、ノイズ電圧61に対して誤動作領域T
がどこに存在するが、定量的かつ再現性のある試
験ができないという問題がある。
そこで本発明の目的とするところは、前記の如
き従来の問題点を除去するものであり、電源線の
電圧変動時刻からの誤動作領域を定量的の測定
し、再現性のある回路試験方式を提供することに
ある。
本発明の特徴とするところは、被試験回路に供
給する入力信号と電源電圧とを一定の時間関係を
持たせて発生させるところにある。
次に本発明の実施例につき図面を用いて詳細に
説明明する。
第7図は、本発明の一実施例である回路試験方
式のブロツク図である。第5図と同じものには同
じ番号を付してある。なお、この場合の電源回路
4は、入力信号発生回路3と同様に、プログラム
記憶式制御回路2の出力信号である電源信号23
により制御する。
第8図は本発明による回路試験方式での動作状
態を示すタイミングチヤートである。第8図にお
いて、入力信号31が電源信号23に対して、
t1,t1+Δt,t1+2Δt後…という位相関係で発生
される。t1,Δtを細かくして順次記憶回路1を動
作させることにより、電源線141の電圧変動時
刻からの誤動作領域Tを正確に把握することが可
能となる。また電源信号23に、電源電圧振幅値
を制御する機能も持たせることによりノイズ電圧
振幅に追随して変化する誤動作領域Tも定量的に
把握することができる。
第9図は、記憶回路1の誤動作領域を検出する
に有効な入力信号31と電源線141の電圧との
位相関係を示すテストパターンの一例である。
Aは、データ信号“1”が記憶回路1内に正し
く“1”として書込めないという誤動作と、記憶
回路1の最初の0番地を正しく選択できぬ誤動作
の2つを検出するものである。Bは、データ信号
“0”が記憶回路1内に正しく“0”として書込
めないという誤動作と、記憶回路1の最終番地N
を正しく選択できぬ誤動作の2つを検出するもの
である。これらのAとBを実施することによりデ
ータバツフア,アドレスバツフアの全誤動作が検
出できる。
第9図Aについて詳細に説明すると、電源線1
41の電圧が高い時刻に、記憶回路1の0番地か
ら最終番地N迄順番にデータ“0”を書込んでお
く。次に電源線141の電圧を低くした後時刻t
で記憶回路1の0番地にデータ“1”を書込み、
その後、記憶回路1の全番地にわたつて読出しを
実施するものである。この様にすると、記憶回路
1のデータバツフアで電源線141の電圧を急激
に低下させることによつて誤動作が発生し、デー
タ“1”が正しく書込めなかつた場合は、電源線
141の電圧が高かつた時に書込んだデータ
“0”が記憶回路1の0番地に残つているので、
期待データ“1”とは異なつたデータ“0”が読
出され、データバツフアの“1”の誤動作が検出
される。
また、記憶回路1のアドレスバツフア11が電
源線141の電圧を急激に低下することによつて
誤動作が発生し、記憶回路1の0番地にデータ
“1”を書込むことができず、例えば記憶回路の
N番地にデータ“1”を書込んだとすると、読出
しを実行した場合記憶回路1の0番地からは、電
源電圧が高い時に書込んでおいたデータ“0”が
読出されるので、このデータ“0”が記憶回路1
より出力信号131として現われ、出力比較回路
5において期待データ21の“0”と異なつてい
ることが検出され、アドレスバツフア11の
“0”が“1”に誤動作することが検出される。
第9図Bでは、前記Aのデータが逆の場合の誤
動作を検出することができることは容易に推察さ
れるので説明は省略する。なお図内の矢印は動作
させる番地の順番を示す。
第10図は、被試験回路である記憶回路1がリ
フレツシユを必要とするダイナミツクタイプの場
合のテストパターンの一例を示したもので、入力
信号31の中に、リフレツシユ動作の起動を行な
う信号RNFを、電源線141の電圧を急激に低
下してから書込み動作W迄の間に挿入し、リフレ
ツシユ動作による記憶回路1内のノイズ増加によ
り、アドレスバツフア,データバツフアの誤動作
が増減する影響を把握するものである。
第11図は、電源線141の電圧が低電位から
高電位に急激に変化した場合の誤動作を検出する
テストパターンである。
以上、本発明を記憶回路を例にとり説明した
が、他の電子回路に応用できることはもちろんで
ある。
本発明は、以上述べた如き回路試験方式であ
り、電源線の制御に対応させて入力信号の制御を
一定の時間関係で行なうので、電源線の電圧変動
によつて生じる誤動作を定量的に検出することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、記憶回路のブロツク図、第2図は記
憶回路内のデータバツフアの回路図、第3図及び
第4図は、その動作内容を示すタイミングチヤー
ト、第5図は、従来の試験方式のブロツク図、第
6図は、その動作を示すタイミングチヤート、第
7図は、本発明による回路試験方式のブロツク
図、第8図及び第9図は、それぞれその動作を示
すタイミングチヤート、テストパターンを示す
図、第10図及び第11図は、他の応用例である
テストパターンを示す図である。 図において、1…記憶回路、2…プログラム記
憶式制御回路、3…入力信号発生回路、4…電源
回路、5…出力比較回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 電子回路の動作を試験する回路試験方式にお
    いて、前記電子回路への入力信号を発生する入力
    信号発生回路と、前記電子回路1の電源を供給す
    る電源回路と、前記電子回路からの出力信号を前
    記入力信号発生回路の入力信号と比較する出力比
    較回路と、前記入力信号発生回路、電源回路、出
    力比較回路を制御する制御回路を具備し、電子回
    路の試験に必要な入力信号と当該入力信号の発生
    時刻に対応させて電源電圧を規定したテストパタ
    ーンをあらかじめ制御回路に記憶させ、電子回路
    への入力信号と電源を所定の時間関係を保たせて
    電子回路に供給して電子回路を試験することを特
    徴とする回路試験方式。
JP56074964A 1981-05-20 1981-05-20 Circuit testing system Granted JPS57190276A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56074964A JPS57190276A (en) 1981-05-20 1981-05-20 Circuit testing system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56074964A JPS57190276A (en) 1981-05-20 1981-05-20 Circuit testing system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57190276A JPS57190276A (en) 1982-11-22
JPH0210390B2 true JPH0210390B2 (ja) 1990-03-07

Family

ID=13562490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56074964A Granted JPS57190276A (en) 1981-05-20 1981-05-20 Circuit testing system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS57190276A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57190276A (en) 1982-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5363333A (en) Dynamic random access memory device having power supply system appropriately biasing switching transistors and storage capacitors in burn-in testing process
US5365481A (en) Semiconductor memory device having test mode and method of setting test mode
USRE35645E (en) Semiconductor memory device having a test mode setting circuit
US5523977A (en) Testing semiconductor memory device having test circuit
US6522567B2 (en) Semiconductor memory device and semiconductor integrated device using the same
US5337272A (en) Circuit for applying selected voltages to dynamic random access memory
JP2627475B2 (ja) 半導体メモリ装置
US7872926B2 (en) Input buffer and method with AC positive feedback, and a memory device and computer system using same
US6510072B2 (en) Nonvolatile ferroelectric memory device and method for detecting weak cell using the same
US6088820A (en) Static semiconductor memory device having test mode
JP3059024B2 (ja) 半導体記憶回路
EP0212945B1 (en) Clock signal generating circuit for dynamic type semiconductor memory device
US5157630A (en) Semiconductor memory which can be prevented from shifting to undesired operation mode
KR100936418B1 (ko) 반도체 기억 장치 및 반도체 기억 장치의 시험 방법
KR100383007B1 (ko) 반도체 기억 장치
US4347589A (en) Refresh counter test
KR100438237B1 (ko) 테스트 회로를 갖는 반도체 집적 회로
JP2003317476A (ja) 半導体メモリ装置用電圧検知回路及び方法
US5260901A (en) Output circuit of semiconductor memory device
EP0019150B1 (en) Method of testing the operation of an internal refresh counter in a random access memory and circuit for the testing thereof
JPH1050097A (ja) 半導体記憶装置
US7184337B2 (en) Method for testing an integrated semiconductor memory
US20060049862A1 (en) Integrated semiconductor memory with clock generation
US6477096B1 (en) Semiconductor memory device capable of detecting memory cell having little margin
NL194812C (nl) Schakeling voor het testen van een geheugeninrichting.