JPH0210666Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、広帯域可変利得増幅器の利得制御に
用いられるPINダイオードを使用した可変減衰器
に関する。

〔従来の技術〕

PINダイオードを備えた可変減衰器を利得制御
部とする可変利得増幅器の利得は演算増幅器およ
びトランジスタなどを備えた自動利得制御回路を
用いてこのPINダイオードのバイアス電流を変化
させることにより制御される。第３図はこの可変
減衰器および自動利得制御回路の構成を示す接続
図である。

〔考案が解決しようとする問題点〕

さて、この可変減衰器３００では制御電圧端子
３０４の電位が高いときにその減衰量が少なくな
るように構成されているが、自動利得制御回路５
００を用いてこの制御電圧を下げてゆくとバイア
ス電流Ibが駆動源抵抗５２０に流入するので、制
御電圧がある一定値以下には下がらなくなる。こ
のためにPINダイオード３１０および３１１のバ
イアス電流の可変範囲が狭くなり可変利得増幅器
のダイナミツクレンジが狭まる欠点があつた。

本考案は、このような欠点を除去するもので、
可変利得増幅器のダイナミツクレンジを増加させ
る可変利得増幅器の利得制御部として用いられる
可変減衰器を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本考案は、可変の直流バイアス電流を与える利
得制御回路と、高周波信号の入力端子から高周波
信号の出力端子に至る第一の径路に挿入され上記
利得制御回路の出力電流によりバイアスされる第
一のPINダイオードと、上記第一の径路に並列に
接続された第二の径路に挿入され、上記利得制御
回路の出力電流によりバイアスされる第二のPIN
ダイオードと、上記第一のPINダイオードの出力
側から共通電位に接続され上記バイアス電流の通
路になるバイアス抵抗とを含む可変減衰器で、前
述の問題点を解決するための手段として、上記バ
イアス抵抗に直列に接続された第三のPINダイオ
ードを備えたことを特徴とする。

〔作用〕

上記利得制御回路によりこの可変減衰器に与え
る制御電圧を低下させるとこの可変減衰器の減衰
量は増大するが、この制御電圧の最低値の限界値
により上記減衰量の可変範囲が狭まる。上記バイ
アス抵抗に直列に接続されたPINダイオードの動
作により、制御電圧が低下した状態と等価な状態
が実現され、上記減衰量可変範囲が拡張される。

〔実施例〕

以下、本考案実施例装置を図面に基づいて説明
する。

第１図は本考案の第一実施例回路の構成を示す
接続図であり、第２図は本考案の第二実施例回路
の構成を示す接続図である。

まず、第一実施例回路の構成を第１図に基づい
て説明する。この実施例回路は、入力端子１０１
と、出力端子１０２と、制御電源端子１０３と、
制御電圧端子１０４と、第一のPINダイオード１
１０と、第二のPINダイオード１１１と、第一の
バイアス抵抗１２０と、第二のバイアス抵抗１２
１と、第三のバイアス抵抗１２２と、第一の結合
コンデンサ１３０と、第二の結合コンデンサ１３
１と、第三の結合コンデンサ１３２と自動利得制
御回路５００とを備える。

入力端子１０１は第一の結合コンデンサ１３０
の一方の極に接続され、第一のコンデンサ１３０
の他方の極は第一のPINダイオード１１０のアノ
ードに接続され、第一のPINダイオード１１０の
カソードは第二結合コンデンサ１３１の一方の極
に接続され、第二の結合コンデンサ１３１の他方
の極は出力端子１０２に接続される。制御電圧端
子１０３は第二のPINダイオード１１１のアノー
ドに接続され、第二のPINダイオード１１１のカ
ソードは第三のバイアス抵抗１２２の一方の端お
よび第三の結合コンデンサ１３２の一方の極に接
続される。第三の結合コンデンサ１３２の他方の
極は、第一の結合コンデンサ１３０と第一のPIN
ダイオード１１０の接続点に接続され、この接続
点は第二のバイアス抵抗１２１の一方の端に接続
される。第二のバイアス抵抗１２１の他方の端お
よび第三のバイアス抵抗１２２の他方の端は制御
電圧端子１０４に接続される。

制御電圧端子１０４は自動利得制御回路５００
の駆動源抵抗５２０の一方の端に接続され、この
駆動源抵抗５２０の他方の端は共通電位に接続さ
れる。第一のPINダイオード１１０と第二の結合
コンデンサ１３１の一方の極との接続点は第一の
バイアス抵抗１２０の一方の端に接続され、第一
のバイアス抵抗１２０の他方の端は本考案の特徴
とするレベルシフトダイオード１５０のアノード
に接続され、レベルシフトダイオード１５０のカ
ソードは共通電位に接続される。

次に、この実施例回路の動作を第１図に基づい
て説明する。

第一実施例回路はＬ形構成の可変減衰器であ
り、この回路では制御電圧端子１０４の電位が低
下する程入力端子１０１と出力端子１０２との間
の信号減衰量は増大する。一方、バイアス電流Ib
により生ずる駆動源抵抗５２０の電圧降下に相当
する電位が制御電圧端子１０４での最低電位Va
である。ところが、減衰量が増大するとレベルシ
フトダイオード１５０によるレベルシフト効果に
より制御電圧が最低電位Va以下の電位になつた
状態と等価な状態が実現される。

第４図はこの状態を示すもので、横軸の値は制
御電圧端子１０４での制御電圧値に対応し、縦軸
の値は減衰量に対応する。実線で示された特性曲
線はこの実施例装置の特性を示し、破線で示され
た特性曲線は従来例装置の特性を示す。従来例装
置の減衰量可変範囲は減衰量ａと減衰量ｂとの範
囲でり、この実施例装置の減衰量可変範囲は減衰
量ａと減衰量ｃとの範囲であり、減衰量可変範囲
の拡大されていることが示されている。

次に、第二実施例回路は橋絡Ｔ形構成の可変減
衰器であり、この回路での動作原理は第一実施例
回路の動作原理と同一である。

〔考案の効果〕

本考案は、以上説明したように、可変減衰器に
簡単な部品を付加することにより、この減衰器の
制御電圧を出力する自動利得制御回路を変更する
ことなしに、この可変減衰器の可変範囲を広げる
ことができる顕著な効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案第一実施例装置の構成を示す回
路接続図。第２図は本考案第二実施例装置の構成
を示す回路接続図。第３図は従来例装置の構成を
示す回路接続図。第４図は動作特性図。 １００，２００，３００……可変減衰器、１０
１，２０１，３０１……入力端子、１０２，２０
２，３０２……出力端子、１０３，２０３，３０
３……制御電源端子、１０４，２０４，３０４…
…制御電圧端子、１１０，１１１，２１０，２１
１，３１０，３１１……PINダイオード、５００
……自動利得制御回路。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 可変の直流バイアス電流を与える利得制御回路
   と、 高周波信号の入力端子から高周波信号の出力端
   子に至る第一の径路に挿入され上記利得制御回路
   の出力電流によりバイアスされる第一のPINダイ
   オードと、 上記第一の径路に並列に接続された第二の径路
   に挿入され、上記利得制御回路の出力電流により
   バイアスされる第二のPINダイオードと、 上記第一のPINダイオードの出力側から共通電
   位に接続され上記バイアス電流の通路になるバイ
   アス抵抗と を含む可変減衰器において、 上記バイアス抵抗に直列に接続された第三の
   PINダイオード を備えたことを特徴とする可変減衰器。