JPH02106753A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH02106753A JPH02106753A JP63260042A JP26004288A JPH02106753A JP H02106753 A JPH02106753 A JP H02106753A JP 63260042 A JP63260042 A JP 63260042A JP 26004288 A JP26004288 A JP 26004288A JP H02106753 A JPH02106753 A JP H02106753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- excimer laser
- arf excimer
- forming method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体等の製造工程のリングラフィ工程のパ
ターン形成方法に関する。
ターン形成方法に関する。
２へ
従来の技術
高解像のパターン形成が可能であることで、短波長光源
を用いた１ ９３ｎｍのＡｒＦエキシ−？Ｌ／−ザ光に
よるリソグラフィが挙げられる。
を用いた１ ９３ｎｍのＡｒＦエキシ−？Ｌ／−ザ光に
よるリソグラフィが挙げられる。
ところが、このリソグラフィに用いるレジストとしては
、通常の遠紫外線レジストがこの光に吸収が大きすぎて
使用が難しいことが多いために、たとえばＰＭＭＡ（ポ
リメチルメタアクリレート）が考えられる。
、通常の遠紫外線レジストがこの光に吸収が大きすぎて
使用が難しいことが多いために、たとえばＰＭＭＡ（ポ
リメチルメタアクリレート）が考えられる。
第２図を用いて従来のＰＭＭＡを用いたレジストパター
ン形成方法を示す。基板１上にＰＭＭＡを回転塗布し、
厚さ１．５μｍのレジスト膜を得る（第２図ａ）。つぎ
に１９３ｎｍのＡｒＦ−［１−キｙマレーザ光４によシ
選択的にレジスト３を露光４する（第２図ｂ）。そして
、最後に通常の現像処理を施してレジストパターン３ａ
が得られた（第２図Ｃ）。
ン形成方法を示す。基板１上にＰＭＭＡを回転塗布し、
厚さ１．５μｍのレジスト膜を得る（第２図ａ）。つぎ
に１９３ｎｍのＡｒＦ−［１−キｙマレーザ光４によシ
選択的にレジスト３を露光４する（第２図ｂ）。そして
、最後に通常の現像処理を施してレジストパターン３ａ
が得られた（第２図Ｃ）。
発明が解決しようとする課題
ところが、ＰＭＭＡはＡｒＦに対して感度が５１／蛎程
度と大変低く、又、パターン３ａもその３ 、 形状は良くなく、劣化した０、４μｍパターンであった
。
度と大変低く、又、パターン３ａもその３ 、 形状は良くなく、劣化した０、４μｍパターンであった
。
本発明は、このような従来のＡｒＦエキシマレーザに対
するレジメトパターンの感度と解像性、形状を向上させ
るものである。
するレジメトパターンの感度と解像性、形状を向上させ
るものである。
課題を解決するための手段
本発明は、従来の問題点を解決すべく、アルカリ可溶性
樹脂膜にＡｒＦエキシマレーザ光を照射してパターンを
形成するものである。
樹脂膜にＡｒＦエキシマレーザ光を照射してパターンを
形成するものである。
作 用
本発明の如く、アルカリ可溶性樹脂膜にＡｒＦエキシマ
レーザ光を選択的に露光すれば、ＡｒＦエキシマレーザ
の短波長性により微細パターンが得られる。即ち、アル
カリ可溶性樹脂はＡｒＦエキシマレーザの高エネルギー
により効率良くネガ化し、アルカリ水溶液現像にて形状
の良いネガ型パターンを形成する。
レーザ光を選択的に露光すれば、ＡｒＦエキシマレーザ
の短波長性により微細パターンが得られる。即ち、アル
カリ可溶性樹脂はＡｒＦエキシマレーザの高エネルギー
により効率良くネガ化し、アルカリ水溶液現像にて形状
の良いネガ型パターンを形成する。
実施例
本発明に用因るアルカリ可溶性樹脂としては、ノボラッ
ク樹脂、スチレン樹脂などが挙げられる。
ク樹脂、スチレン樹脂などが挙げられる。
この樹脂にジアゾやアジド化合物が混入されていればこ
れが増感剤や架橋促進剤として働き良い結果が得られる
。ジアゾ化合物としては、４−モルフォリノベンゼンジ
アゾニウム、４−アニリノベンゼンジアゾニウムなどの
化合物、アジド化合物としては、４．４′−ジアジドジ
フェニルメタン。
れが増感剤や架橋促進剤として働き良い結果が得られる
。ジアゾ化合物としては、４−モルフォリノベンゼンジ
アゾニウム、４−アニリノベンゼンジアゾニウムなどの
化合物、アジド化合物としては、４．４′−ジアジドジ
フェニルメタン。
Ｎ３・
などの化合物が挙げられる。
なお、ＡｒＦエキシマレーザによる本発明の方法５１、
では、樹脂の透過性と関係な（ＡｒＦエキシマレーザに
よる反応が進む。これは、ＡｒＦエキシマレザの高エネ
ルギーによる反応機構によると考えられる。
よる反応が進む。これは、ＡｒＦエキシマレザの高エネ
ルギーによる反応機構によると考えられる。
本発明の方法により、高感度で高解像性のパクンが得ら
れる。
れる。
本発明のレジメトパターン形成方法の実施例を第１図で
説明する。半導体等の基板１上にポリ（ｌレン・マレイ
ン酸シクロヘキシルハーフエヌテ）ｖ ）溶液２を回転
塗布し、厚さ１．５μｍのレジスト膜２を得る（第１図
ａ）。つぎに１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光４に
より選択的にレジスト２をパルス露光する（第１図ｂ）
。そして、最後に通常のアルカリ現像処理を施してレジ
スト２の未露光部２０を除去し、レジストパターン２ａ
が得られた（第１図Ｃ）。なお、このときレジストパタ
ーン２ａはマスク設計通りに精度よくコン１−ラヌトの
良い（アスベク１−比８６°の）微細パターン（０，３
μｍ）であった。感度も２ｏ○ｔｎ Ｊ ／ｉ と良
好であった。なお、このパターン形６ ・＼−７ 成材料はスチレン樹脂であることからエツチング耐性は
良好であった。
説明する。半導体等の基板１上にポリ（ｌレン・マレイ
ン酸シクロヘキシルハーフエヌテ）ｖ ）溶液２を回転
塗布し、厚さ１．５μｍのレジスト膜２を得る（第１図
ａ）。つぎに１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光４に
より選択的にレジスト２をパルス露光する（第１図ｂ）
。そして、最後に通常のアルカリ現像処理を施してレジ
スト２の未露光部２０を除去し、レジストパターン２ａ
が得られた（第１図Ｃ）。なお、このときレジストパタ
ーン２ａはマスク設計通りに精度よくコン１−ラヌトの
良い（アスベク１−比８６°の）微細パターン（０，３
μｍ）であった。感度も２ｏ○ｔｎ Ｊ ／ｉ と良
好であった。なお、このパターン形６ ・＼−７ 成材料はスチレン樹脂であることからエツチング耐性は
良好であった。
なお、本発明において他に下記の材料を用いても同様の
良好な結果が得られた。もちろん、本発明はこれらに限
定されない。
良好な結果が得られた。もちろん、本発明はこれらに限
定されない。
発明の効果
本発明によれば、特にＤＵＶ光やＡｒＦエキシマレーザ
光による露光・現像に際してのレジストパターン形成が
高コントラスト、高解像、高精度で行うことができ、結
果として半導体素子の微細化。
光による露光・現像に際してのレジストパターン形成が
高コントラスト、高解像、高精度で行うことができ、結
果として半導体素子の微細化。
歩留まシ向上につながシ、工業的価値が高い。
第１図は本発明のパターン形成方法の工程断面図、第２
図は従来のレジストを用いたパターン形成方法の工程断
面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・本発明のパターン
形成材料、４・・・・・・ＡｒＦエキシマレーサ光、５
．５′・・・・・・マスク、２ａ、３ａ・・・・・・ハ
ターン。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名区
図は従来のレジストを用いたパターン形成方法の工程断
面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・本発明のパターン
形成材料、４・・・・・・ＡｒＦエキシマレーサ光、５
．５′・・・・・・マスク、２ａ、３ａ・・・・・・ハ
ターン。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名区
Claims (3)
- （１）基板上にアルカリ可溶性樹脂を形成し、ＡｒＦか
ら発振されるエキシマレーザ光により選択露光を行い現
像により前記樹脂の未露光部を除去し、露光部を残して
前記樹脂のパターンを形成することを特徴とするパター
ン形成方法。 - （２）アルカリ可溶性樹脂にアジド化合物又はジアゾ化
合物又はその両者を混合した混合物を形成することを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成方
法。 - （３）アルカリ可溶性樹脂がノボラック樹脂、スチレン
樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63260042A JPH02106753A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63260042A JPH02106753A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106753A true JPH02106753A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17342494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63260042A Pending JPH02106753A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02106753A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57195250A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-30 | Hoechst Ag | Manufacture of printing plate |
| JPS63172153A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-15 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | 感光性組成物及びこれを含有する感光性記録材料 |
| JPS63298341A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成材料 |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63260042A patent/JPH02106753A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57195250A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-30 | Hoechst Ag | Manufacture of printing plate |
| JPS63172153A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-15 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | 感光性組成物及びこれを含有する感光性記録材料 |
| JPS63298341A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成材料 |
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