JPH02106970A - Adhesion type image sensor - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000566146 Asio Species 0.000 description 1
- 229910004446 Ta2 O5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は密着型イメージセンサ、特にロッドレンズアレ
イを用いない所謂完全密着型イメージセンサの構造に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a contact type image sensor, and particularly to the structure of a so-called complete contact type image sensor that does not use a rod lens array.
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、ＮＩＫＫＥＩＭ
ＥＣＩＩＡＮＩＣＡＬ にッケイ メカニカル）（１
９８６−１２−１）日経マグロウヒル社Ｐ、７１７８に
記載されるものがあった。(Conventional technology) Conventionally, as a technology in this field, NIKKEIM
ECIIANICAL mechanical) (1
986-12-1) There was one described in Nikkei McGraw-Hill Co. P, 7178.
前記文献に述べられているように、縮小投影光学系を用
いたイメージセンサに代って登場した密着型イメージセ
ンサは、原稿とほぼ同じ幅のイメージセンサの上にロッ
ドレンズアレイを用いて原稿を等倍に投影する。それ故
、縮小投影光学系に比べて光路が大幅に短くなり、ファ
クシミリ等における画像読取装置の小型化が図れるとい
う利点がある。As described in the above-mentioned literature, the contact type image sensor, which has appeared in place of the image sensor using a reduction projection optical system, uses a rod lens array on top of an image sensor that is approximately the same width as the original to capture the original. Project to the same size. Therefore, the optical path is significantly shorter than that of a reduction projection optical system, and there is an advantage that an image reading device in a facsimile or the like can be made smaller.
さらに、ロッドレンズアレイを用いない密着型イメージ
センサの開発も行なわれている。このイメージセンサは
完全密着型イメージセンサと呼ばれれ、原稿を受光素子
に直に接触させながら読取る方式のものであり、より小
型化及び製造コストの低減を図ることができる。以下、
その構成を図を用いて説明する。Furthermore, a contact type image sensor that does not use a rod lens array is also being developed. This image sensor is called a complete contact type image sensor, and is of a type that reads a document while it is in direct contact with a light-receiving element, making it possible to further reduce the size and manufacturing cost. below,
Its configuration will be explained using figures.
第２図（ａ＞、（ｂ）は前記文献に記載された従来の完
全密着型イメージセンサの構成図であり、同図（ａ）は
その部分断面図及び同図（ｂ）は部分平面図である。FIGS. 2(a) and 2(b) are configuration diagrams of the conventional complete contact type image sensor described in the above-mentioned document, in which FIG. 2(a) is a partial sectional view and FIG. 2(b) is a partial plan view. It is.
この密着型イメージセンサは、透光性基板１の上に共通
電極２、感光層３及び上部電極４が順次形成されて成る
センサ部５を有している。共通電極２は透光性基板１上
に膜状に広く形成され、遮光膜の役割も兼ねている。感
光層３はアモルファスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）等によ
って形成され、上部電極４は酸化インジウム錫（ＩＴＯ
＞等の透光性導電膜によって形成されている。This contact type image sensor has a sensor section 5 in which a common electrode 2, a photosensitive layer 3, and an upper electrode 4 are sequentially formed on a transparent substrate 1. The common electrode 2 is widely formed in the shape of a film on the transparent substrate 1, and also serves as a light shielding film. The photosensitive layer 3 is made of amorphous silicon (a-8i:H), and the upper electrode 4 is made of indium tin oxide (ITO).
It is formed from a transparent conductive film such as ＞.
上部電極４はビット単位に多数個が横一列に配列され、
個々の上部電極４のほぼ中央部には、感光層３及び共通
電極２を貫通して透光性基板１に達する透光窓６が形成
されている。各上部電極４には個別電極７が接続され、
各個別電極７は感光層３上を経て図示しない外部回路へ
導出されている。センサ部５及び個別電極７上には透光
性保護ｐＡ８が形成されている。A large number of upper electrodes 4 are arranged in a horizontal line in bit units,
A light-transmitting window 6 that penetrates the photosensitive layer 3 and the common electrode 2 and reaches the light-transparent substrate 1 is formed approximately at the center of each upper electrode 4 . An individual electrode 7 is connected to each upper electrode 4,
Each individual electrode 7 is led out to an external circuit (not shown) via the photosensitive layer 3. A light-transmitting protection pA8 is formed on the sensor section 5 and the individual electrodes 7.
このように構成された密着型イメージセンサにおいて、
透光性基板１の裏面側に設けられた発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）等の光源９からの光は、透光性基板１、透光窓６
及び透光性保護膜８を経て原稿１０に達する。原稿１０
で反射した光は、透光性保護膜８及び上部電極４を経て
感光層３に入射し、光電変換されることによって原稿１
０の読取りが行なわれる。読取りに際し、原稿１０はロ
ーラ１１の回転により移動する。In the contact type image sensor configured in this way,
A light emitting diode (L) provided on the back side of the transparent substrate 1
The light from the light source 9 such as ED) is transmitted through the transparent substrate 1 and the transparent window 6.
The light passes through the transparent protective film 8 and reaches the original 10 . Manuscript 10
The light reflected by the light enters the photosensitive layer 3 through the transparent protective film 8 and the upper electrode 4, and is photoelectrically converted into the original 1.
A zero read is made. During reading, the original 10 is moved by the rotation of the roller 11.
（発明が解決しようとする課Ｍ）
しかしながら、上記構成の密着型イメージセンサにおい
ては、対向する共通電極２と個別電極７との間に介在す
る感光層３にリークを生じ易いという問題があり、これ
を解決することが困難であった。(Problem M to be Solved by the Invention) However, in the contact type image sensor having the above configuration, there is a problem in that leakage is likely to occur in the photosensitive layer 3 interposed between the common electrode 2 and the individual electrodes 7 that face each other. This was difficult to resolve.
即ち第２図（ａ）において、図中りで示す共通電極２と
個別電極７間の感光層３にピンホールや異物等が存在す
ると、そこでリークが発生し、そのセンサ部５は不良ビ
ットとなる。例えば、Ａ４サイズの密着型イメージセン
サは１７２８ビットで構成されるが、そのうち１ビツト
でも不良品があれば密着型イメージセンサ全体が不良品
となってしまう。それ故、歩留りが極めて低下するおそ
れがあった。That is, in FIG. 2(a), if there is a pinhole or foreign matter in the photosensitive layer 3 between the common electrode 2 and the individual electrodes 7 shown in the figure, a leak will occur there and the sensor section 5 will be treated as a defective bit. Become. For example, an A4 size contact image sensor is composed of 1728 bits, and if even one bit is defective, the entire contact image sensor becomes defective. Therefore, there was a risk that the yield would be extremely low.
前記問題を解決するために、図中して示す箇所の長さを
短くし、共通電極２と個別電極７が対向する範囲を極力
小さくすることも考えられる。しかし、この場合には図
中矢印Ａで示す光源９からの光が感光層３内に入り込み
易くなり、これに起因する光キャリアの発生によって新
たなリークの原因を生じてしまう。In order to solve the above problem, it may be possible to shorten the length of the portion shown in the figure and to minimize the area where the common electrode 2 and the individual electrodes 7 face each other. However, in this case, the light from the light source 9 indicated by the arrow A in the figure tends to enter the photosensitive layer 3, and the resulting generation of photocarriers causes a new leak.
本発明は前記従来技術がもっていた課題として、共通電
極と個別電極間の感光層にリークを生じ易く、歩留りが
著しく低下する点について解決した密着型イメージセン
サを提供するものである。The present invention provides a contact image sensor that solves the problem of the prior art, in that the photosensitive layer between the common electrode and the individual electrodes tends to leak, resulting in a significant decrease in yield.
（課題を解決するための手段）
本発明は前記課題を解決するために、透光性基板上に順
次形成された共通電極、感光層及び上部電極から成り、
その共通電極から上部電極までを貫通する透光窓を有す
るセンサ部と、前記感光層上において前記上部電極と接
続され外部回路へ導出される個別電極と、前記センサ部
及び個別電極の上に形成された透光性保護膜とを備えた
密着型イメージセンサにおいて、前記感光層が介在する
前記共通電極と前記個別電極との間に電気的絶縁性を有
する絶縁膜を設けたものである。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention consists of a common electrode, a photosensitive layer, and an upper electrode that are sequentially formed on a transparent substrate,
A sensor portion having a light-transmitting window penetrating from the common electrode to the upper electrode, an individual electrode connected to the upper electrode on the photosensitive layer and led out to an external circuit, and formed on the sensor portion and the individual electrode. In the contact image sensor equipped with a light-transmitting protective film, an insulating film having electrical insulation properties is provided between the common electrode and the individual electrodes with the photosensitive layer interposed therebetween.
また、前記絶縁膜を効果的なものとし、かつ支障なく形
成するためには、アモルファスＳｉＯｘ、アモルファス
ＳｉＮｘ、アモルファスＳｉＣ、アモルファスＣ，Ａｆ
ＪＳｉＮ、Ａρ５ｉＯＮ、５ｉＯＮ、 Ａ、ｌｌ ２
ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＢＮ、１１Ｎ及びＭｇＯ
のいずれかで絶縁膜を形成し、その膜厚を５０〜３００
０人の範囲とするとよい。In order to make the insulating film effective and to form it without any trouble, it is necessary to use amorphous SiOx, amorphous SiNx, amorphous SiC, amorphous C, Af
JSiN, Aρ5iON, 5iON, A,ll 2
o3, Ta2O5, TiO2, BN, 11N and MgO
Form an insulating film with either of
It is recommended that the number be within the range of 0 people.
（作用）
本発明によれば、以上のように密着型イメージセンサを
構成したので、共通電極と個別電極との間に設けられた
絶縁膜は、両電極間に介在する感光層による電気的な接
続を断ち、両電極間を電気的に絶縁する働きをする。こ
の働きにより、感光層に存在するピンホールや異物等に
起因するリークが確実に防止される。(Function) According to the present invention, since the contact type image sensor is configured as described above, the insulating film provided between the common electrode and the individual electrodes is electrically connected to the photosensitive layer interposed between the two electrodes. It serves to break the connection and electrically insulate the two electrodes. This function reliably prevents leaks caused by pinholes, foreign matter, etc. present in the photosensitive layer.
また、前記絶縁膜をアモルファスＳｉＯｘ、アモルファ
スＳｉＮｘ、アモルファスＳｉＣ、アモルファスＣ，Ａ
！ＪＳｉＮ、Ａρ５ｉＯＮ、５ｉＯＮ、Ａｇ２Ｏ３、Ｔ
ａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＢＮ、ＡΩＮ及びＭｇＯのいずれ
かで形成し、その膜厚を５０〜３０００への範囲とする
ことは、効果的な絶縁膜を容易に形成せしめると共に、
絶縁膜上に形成される個別電極の段切れを防止するよう
に働く。The insulating film may be made of amorphous SiOx, amorphous SiNx, amorphous SiC, amorphous C, A
! JSiN, Aρ5iON, 5iON, Ag2O3, T
By forming the film using any one of a2O5, TiO2, BN, AΩN, and MgO, and setting the film thickness in the range of 50 to 3000, an effective insulating film can be easily formed, and
It works to prevent disconnection of the individual electrodes formed on the insulating film.
したがって、前記課題を解決することができる。Therefore, the above problem can be solved.
（実施例）
第１図は本発明の第１の実施例を示す密着型イメージセ
ンサの部分断面図である。(Embodiment) FIG. 1 is a partial sectional view of a contact type image sensor showing a first embodiment of the present invention.
この密着型イメージセンサは完全密着型構成を成し、セ
ンサ部２２を有している。センサ部２２は、ガラス等か
ら成る透光性基板２１上に順次形成された共通電極２３
、感光層２４及び上部電極２５によって構成されている
。感光層２４は、例えばアモルファスシリコン（ａ−８
ｉ ： Ｈ）或は硫化カドミウム（ＣｄＳ）等からなり
、上部電極２５は酸化インジウム錫（ＩＴＯ）或は酸化
錫（Ｓ ｎ ０２ ）等の透光性導電膜から成るもので
ある。This contact type image sensor has a completely contact type configuration and includes a sensor section 22. The sensor section 22 includes a common electrode 23 that is sequentially formed on a transparent substrate 21 made of glass or the like.
, a photosensitive layer 24 and an upper electrode 25. The photosensitive layer 24 is made of, for example, amorphous silicon (a-8
The upper electrode 25 is made of a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) or tin oxide (S n 02 ).
前記上部電極２５はビット単位に多数個が一列に配列さ
れ、各上部電極２５毎に透光性基板２１に達する透光窓
２６が形成されている。各上部電極２５は、感光層２４
上において個別電極２７に接続され、個別電極２７は図
示しない外部回路へ導出されている。センサ部２２及び
個別電極２７上には透光性保護膜２８が形成されている
。A large number of upper electrodes 25 are arranged in a line in units of bits, and a transparent window 26 reaching the transparent substrate 21 is formed for each upper electrode 25. Each upper electrode 25 has a photosensitive layer 24
It is connected to an individual electrode 27 at the top, and the individual electrode 27 is led out to an external circuit (not shown). A transparent protective film 28 is formed on the sensor section 22 and the individual electrodes 27.
前記感光層２４を介して対向する共通電極２３と個別電
極２７との間には、例えば膜厚５０〜３０００人程度の
薄い程度膜２９が形成されている。絶縁膜２９は共通電
極２３上及び透光性基板２１に形成され、感光層２４を
介して対向する共通電極２３と個別電極２７との間を遮
蔽するように設けられている。絶縁膜２９は電気的絶縁
性を有し、例えばアモルファス酸化シリコン（ａＳｉＯ
ｘ＞或はアモルファス窒化シリコン（ａＳｉＮｘ）等か
ら成るものである。Between the common electrode 23 and the individual electrodes 27 which face each other with the photosensitive layer 24 interposed therebetween, a thin film 29 having a thickness of, for example, about 50 to 3000 layers is formed. The insulating film 29 is formed on the common electrode 23 and on the transparent substrate 21, and is provided so as to shield between the common electrode 23 and the individual electrodes 27, which face each other with the photosensitive layer 24 in between. The insulating film 29 has electrical insulation properties, and is made of, for example, amorphous silicon oxide (aSiO
x> or made of amorphous silicon nitride (aSiNx) or the like.
上記のように構成された絶縁膜２９の形成は次のように
して行なわれる。The insulating film 29 configured as described above is formed as follows.
先ず、透光性基板２１上に共通電極２３をフォトリング
ラフィ技術とエツチングにより形成する。First, the common electrode 23 is formed on the transparent substrate 21 by photolithography and etching.
その後、スパッタリング或はプラズマＣＶＤ （化学的
気成長法）等によってＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ等の絶縁Ｗ１
２９を形成する。膜厚は、絶縁Ｍ！２９の抵抗値に依存
するが、電気的絶縁性を高めるという意味からはある程
度厚くすることが望ましい。After that, the insulation W1 of SiOx, SiNx, etc. is formed by sputtering or plasma CVD (chemical vapor deposition method).
Form 29. Film thickness is insulation M! Although it depends on the resistance value of 29, it is desirable to increase the thickness to some extent in order to improve electrical insulation.
しかし、あまり厚くすると個別電極２７の段切れを生じ
るため、５０〜３０００八程度とするのが良い。However, if it is too thick, the individual electrodes 27 will break off, so it is preferable to set the thickness to about 50 to 3,000.
絶縁ｆｙＡ２９の形成に際しては、必要な部分のみをマ
スクを用いて選択的に成膜してもよいし、或は全面成膜
後にフォトリングラフィ技術、エツチング等によりパタ
ーニングしてもよい。その後、従来と同様に感光層２４
、上部電極２５、個別電極２７及び透光性保護膜２８を
順次形成する。When forming the insulating fyA 29, it may be selectively formed using a mask only on the necessary portions, or it may be patterned by photolithography, etching, etc. after forming the film over the entire surface. Thereafter, the photosensitive layer 24 is
, an upper electrode 25, an individual electrode 27, and a transparent protective film 28 are sequentially formed.
以上の密着型イメージセンサにおいては、共通電極２３
と個別電極２７間に絶縁膜２９を形成することにより、
両電極２３．２７間が電気的に絶縁される。それ故、光
源３０の光により、ローラ３２の回転により移動する原
稿３１の読取りを行なうに際し、両電極２３．２７間の
感光層２４にピンホールや異物等があっても、リークを
生じるおそれがなくなる。従って、多数ビットから成る
長尺の密着型イメージセンサを歩留り良く製造できると
共に、その信頼性を著しく高めること可能になる。In the above contact type image sensor, the common electrode 23
By forming an insulating film 29 between the and individual electrodes 27,
Both electrodes 23 and 27 are electrically insulated. Therefore, when reading the document 31 moving by the rotation of the roller 32 using the light from the light source 30, there is no risk of leakage even if there is a pinhole or foreign matter in the photosensitive layer 24 between the electrodes 23, 27. It disappears. Therefore, it is possible to manufacture a long contact type image sensor consisting of a large number of bits with a high yield, and it is also possible to significantly improve its reliability.
第３図は本発明の第２の実施例を示す密着型イメージセ
ンサの部分断面図である。FIG. 3 is a partial sectional view of a contact type image sensor showing a second embodiment of the present invention.
この実施例が第１の実施例と異なる点は、共通電極２３
と個別電極２７間における絶縁膜３３を個別電極２７側
に設けるようにしたことである。This embodiment differs from the first embodiment in that the common electrode 23
The insulating film 33 between the individual electrodes 27 and the individual electrodes 27 is provided on the individual electrode 27 side.
このような構造としても、第１の実施例とほぼ同様の作
用及び効果が得られる。それ故、製造条件、製造方法等
に応じて第１及び第２の実施例のいずれをも選択できる
ので、製造に関する融通性が増大する。Even with such a structure, substantially the same functions and effects as in the first embodiment can be obtained. Therefore, either the first or second embodiment can be selected depending on the manufacturing conditions, manufacturing method, etc., thereby increasing flexibility in manufacturing.
第４図は本発明の第３の実施例を示す密着型イメージセ
ンサの部分断面図である。FIG. 4 is a partial sectional view of a contact type image sensor showing a third embodiment of the present invention.
この実施例は、絶縁膜３４を第１の実施例と同様に共通
電極２３上に形成するが、その共通電極２３上の感光層
２４の幅Ｂを共通電極２３より狭くしたものである。こ
のような構造とすることにより、第１及び第２の実施例
とほぼ同様の作用、効果が得られると共に、透光性基板
２１側の感光Ｒ２４が共通電極２３によって完全に遮光
される。In this embodiment, an insulating film 34 is formed on the common electrode 23 as in the first embodiment, but the width B of the photosensitive layer 24 on the common electrode 23 is made narrower than that of the common electrode 23. By adopting such a structure, substantially the same functions and effects as those of the first and second embodiments can be obtained, and the light sensitive R24 on the transparent substrate 21 side is completely shielded from light by the common electrode 23.
それ故、感光層２４に光源３０の光が直接吸収されるお
それがなくなり、これに起因するリークも確実に防止さ
れる。Therefore, there is no possibility that the light from the light source 30 is directly absorbed by the photosensitive layer 24, and leakage caused by this is reliably prevented.
なお、本発明は図示の実施例に限定されず、種々の変形
が可能であり、例えば次のような変形例が挙げられる。Note that the present invention is not limited to the illustrated embodiment, and can be modified in various ways, such as the following modifications.
（１） 第１図、第３図及び第４図の絶縁膜２９．３３
．３４は、ａ−８ｉＯｘ及びａ−３ｉＮｘのみならず、
ａ−８ｉ Ｃ，ａ−Ｃ，Ａｌ５ｉＮ、ＡＩ！ ５ｉＯＮ
、５ｉＯＮ、Ａｆｆ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５ 、ＴｉＯ２、
ＢＮ、ＡＤ Ｎ或はＭｇＯ等を用いて形成してもよい。(1) Insulating film 29.33 in Figures 1, 3 and 4
．． 34 is not only a-8iOx and a-3iNx,
a-8i C, a-C, Al5iN, AI! 5iON
, 5iON, Aff2O3, Ta2O5, TiO2,
It may be formed using BN, ADN, MgO, or the like.
（２） 絶縁膜２９．３３．３４は単に電気的絶縁性だ
けでなく、遮光性を有する材質を用いることにより、遮
光膜としての機能を兼ねさせることもできる。(2) The insulating films 29, 33, and 34 are not only electrically insulating, but can also function as a light-shielding film by using a material that has light-shielding properties.
（３） 絶縁Ｍ２９．３３．３４は各個別電極２７毎に
ほぼ同一幅で形成してもよいし、或は個々に形成せずに
、感光層２４のほぼ全長に渡って形成してもよい。(3) The insulation M29.33.34 may be formed with substantially the same width for each individual electrode 27, or may be formed over substantially the entire length of the photosensitive layer 24 without being formed individually. .
（４） 密着型イメージセンサの構造、形状及び材質等
は図示のもののみに限らず、種々の密着型イメージセン
サに対して本発明の適用が可能である。(4) The structure, shape, material, etc. of the contact type image sensor are not limited to those shown in the drawings, and the present invention can be applied to various contact type image sensors.
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明によれば、感光層が
介在する共通電極と個別電極とは間に絶縁膜を設けたの
で、前記両電極間の感光層の状態にかかわらず電気的に
絶縁される。それ故、感光層にピンホールや異物等が存
在する場合にあっても、リークの発生が確実に防止され
る。また、絶縁膜を設けることによって感光層の幅を共
通電極より狭くすることが可能となり、これによって光
のリークによる暗電流の低減を図ることもできる。(Effects of the Invention) As described in detail above, according to the present invention, since an insulating film is provided between the common electrode and the individual electrodes in which the photosensitive layer is interposed, the state of the photosensitive layer between the two electrodes is electrically isolated regardless. Therefore, even if there are pinholes, foreign matter, etc. in the photosensitive layer, leakage can be reliably prevented. Further, by providing an insulating film, it is possible to make the width of the photosensitive layer narrower than that of the common electrode, and thereby it is also possible to reduce dark current due to light leakage.
前記絶縁膜はアモルファスＳｉＯｘ、アモルファスＳｉ
Ｎｘ、アモルファスＳｉＣ、アモルファスＣ，ＡＬＳｉ
Ｎ、ＡＪ！ ５ｉＯＮ、５ｉＯＮ、Ａｇ２Ｏ３、Ｔａ２
Ｏ５、ＴｉＯ２、ＢＮ、Ａ、ｌ！Ｎ及びＭｇＯのいずれ
かで形成し、その膜厚を５０〜３０００Ａの範囲とすれ
ば、効果的かつ個別電極に段切れを生じない絶縁膜を容
易に形成できる。The insulating film is amorphous SiOx, amorphous Si
Nx, amorphous SiC, amorphous C, ALSi
N.AJ! 5iON, 5iON, Ag2O3, Ta2
O5, TiO2, BN, A, l! If the insulating film is made of either N or MgO and the film thickness is in the range of 50 to 3000 Å, it is possible to easily form an insulating film that is effective and does not cause breaks in the individual electrodes.
従って、リークの生じない高信頼性を有する密着型イメ
ージセンサを高い歩留りで容易に製造できるので、生産
性に著しい向上が期待できる。Therefore, a highly reliable contact image sensor that does not cause leakage can be easily manufactured at a high yield, and a significant improvement in productivity can be expected.
第１図は本発明の第１の実施例を示す密着型イメージセ
ンサの部分断面図、第２図（ａ＞、（ｂ）は従来の密着
型イメージセンサの構成図であり、同図（ａ）はその部
分断面図及び同図（ｂ）は部分平面図、第３図は本発明
の第２の実施例を示す密着型イメージセンサの部分断面
図、第４図は本発明の第３の実施例を示す密着型イメー
ジセンサの部分断面図である。
２１・・・・・・透光性基板、２２・・・・・・センサ
部、２３・・・・・・共通電極、２４・・・・・・感光
層、２５・・・・・・上部電極、２６・・・・・・透光
窓、２７・・・・・・個別電極、２８・・・・・・透光
性保護膜、２９．３３．３４・・・・・・絶縁膜。FIG. 1 is a partial sectional view of a contact type image sensor showing a first embodiment of the present invention, and FIGS. ) is a partial sectional view thereof, FIG. 3(b) is a partial plan view thereof, FIG. It is a partial sectional view of a contact type image sensor showing an example. 21... Transparent substrate, 22... Sensor section, 23... Common electrode, 24... ... Photosensitive layer, 25 ... Upper electrode, 26 ... Transparent window, 27 ... Individual electrode, 28 ... Transparent protective film , 29.33.34...Insulating film.
Claims (1)
び上部電極から成り、その共通電極から上部電極までを
貫通する透光窓を有するセンサ部と、前記感光層上にお
いて前記上部電極と接続され外部回路へ導出される個別
電極と、 前記センサ部及び個別電極の上に形成された透光性保護
膜とを備えた密着型イメージセンサにおいて、 前記感光層が介在する前記共通電極と前記個別電極との
間に電気的絶縁性を有する絶縁膜を設けたことを特徴と
する密着型イメージセンサ。 ２、請求項１記載の密着型イメージセンサにおいて、 前記絶縁膜はアモルファスＳｉＯｘ、アモルファスＳｉ
Ｎｘ、アモルファスＳｉＣ、アモルファスＣ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＡｌＳｉＯＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｔａ＿
２Ｏ＿５、ＴｉＯ＿２、ＢＮ、ＡｌＮ及びＭｇＯのいず
れかで形成し、その膜厚を５０〜３０００Åの範囲とし
た密着型イメージセンサ。[Scope of Claims] 1. A sensor section consisting of a common electrode, a photosensitive layer, and an upper electrode sequentially formed on a light-transmitting substrate, and having a light-transmitting window penetrating from the common electrode to the upper electrode; In a contact image sensor comprising: an individual electrode connected to the upper electrode on a layer and led out to an external circuit; and a light-transmitting protective film formed on the sensor section and the individual electrode, the photosensitive layer is A contact image sensor, characterized in that an insulating film having electrical insulation is provided between the common electrode and the individual electrodes. 2. The contact image sensor according to claim 1, wherein the insulating film is made of amorphous SiOx, amorphous Si
Nx, amorphous SiC, amorphous C, AlSi
N, AlSiON, SiON, Al_2O_3, Ta_
A contact type image sensor formed of any one of 2O_5, TiO_2, BN, AlN, and MgO, and having a film thickness in the range of 50 to 3000 Å.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261024A JPH02106970A (en) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | Adhesion type image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261024A JPH02106970A (en) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | Adhesion type image sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106970A true JPH02106970A (en) | 1990-04-19 |
Family
ID=17355987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63261024A Pending JPH02106970A (en) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | Adhesion type image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02106970A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100381048B1 (en) * | 2000-06-23 | 2003-04-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Thin Film Transistor Type Finger Print Sensor |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP63261024A patent/JPH02106970A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100381048B1 (en) * | 2000-06-23 | 2003-04-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Thin Film Transistor Type Finger Print Sensor |
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