JPH021071A - 図形読取り方法及び装置 - Google Patents
図形読取り方法及び装置Info
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- JPH021071A JPH021071A JP63127966A JP12796688A JPH021071A JP H021071 A JPH021071 A JP H021071A JP 63127966 A JP63127966 A JP 63127966A JP 12796688 A JP12796688 A JP 12796688A JP H021071 A JPH021071 A JP H021071A
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- JP
- Japan
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- signal
- image sensor
- measured
- rectangular
- optical
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Image Analysis (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Image Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、例えば縮小投影露光装置、ステップアンドリ
ピート装置、PCBn光装置、メタル露光装置、LCD
CD露光装置等2決置決必要な露光装置に使われるアラ
イメントマーク、位置決め用の格子状パターン等の中心
座標、巾寸法、ピッチ等を高精度に検出する図形読取り
方法及び装置に関する。
ピート装置、PCBn光装置、メタル露光装置、LCD
CD露光装置等2決置決必要な露光装置に使われるアラ
イメントマーク、位置決め用の格子状パターン等の中心
座標、巾寸法、ピッチ等を高精度に検出する図形読取り
方法及び装置に関する。
(従来技術及びその課題)
半導体装置の高集積化に伴うフォトマスクパターンの微
細化により、フォトマスクパターンとウェハの位置合せ
(アライメント)を行なうためには両者に形成されたア
ラインメントマーク位置をより高精度に検出すること、
又は位置決め用の格子状パターンの巾寸法やピッチ等を
より高精度に検出することが要請される。
細化により、フォトマスクパターンとウェハの位置合せ
(アライメント)を行なうためには両者に形成されたア
ラインメントマーク位置をより高精度に検出すること、
又は位置決め用の格子状パターンの巾寸法やピッチ等を
より高精度に検出することが要請される。
これらの要請を一部満たすものとして、レティクルパタ
ーン(フォトマスクパターンの原版となるパターン)を
拡大光学系を介してフォトダイオードアレイに投影し、
該フォトダイオードアレイから出力されるレティクルパ
ターンに応じた光信号を電気信号に変換し、該電気信号
を所定のしきい値(電圧)で量子化(2値化)し、該量
子化された信号を連続的に走査して量子化パターンを形
成し、このパターンを用いてパターンの最小寸法より小
さい部分の欠陥を検出する方法が特公昭58−5041
4号公報から知られる。
ーン(フォトマスクパターンの原版となるパターン)を
拡大光学系を介してフォトダイオードアレイに投影し、
該フォトダイオードアレイから出力されるレティクルパ
ターンに応じた光信号を電気信号に変換し、該電気信号
を所定のしきい値(電圧)で量子化(2値化)し、該量
子化された信号を連続的に走査して量子化パターンを形
成し、このパターンを用いてパターンの最小寸法より小
さい部分の欠陥を検出する方法が特公昭58−5041
4号公報から知られる。
当該方法における分解能は、フォトダイオードアレイの
画素の大きさ、即ちビット数、ビット間隔及び拡大光学
系の倍率で決定される。拡大光学系の倍率は、高くなる
につれて検出視野が狭くなり実用的でなくなるため、光
学系の倍率を高くするには限度がある。例えば1024
ビツト、28μmビット間隔の一次元固定撮像素子を用
いた装置において、拡大光学系の視野を百数十μm確保
しようとすると分解能は0.14μmにしかならず、0
.1μm以下の位置決め精度の要求には応じられない。
画素の大きさ、即ちビット数、ビット間隔及び拡大光学
系の倍率で決定される。拡大光学系の倍率は、高くなる
につれて検出視野が狭くなり実用的でなくなるため、光
学系の倍率を高くするには限度がある。例えば1024
ビツト、28μmビット間隔の一次元固定撮像素子を用
いた装置において、拡大光学系の視野を百数十μm確保
しようとすると分解能は0.14μmにしかならず、0
.1μm以下の位置決め精度の要求には応じられない。
(発明の目的)
本発明は、以上の問題点を解決するためになされたもの
で、既存の拡大光学系及び固体撮像素子を用いて拡大光
学系の視野を充分確保した上で高分解能を実現でき、高
精度の読取りが可能な図形読取り方法及び装置を提供す
ることを目的とする。
で、既存の拡大光学系及び固体撮像素子を用いて拡大光
学系の視野を充分確保した上で高分解能を実現でき、高
精度の読取りが可能な図形読取り方法及び装置を提供す
ることを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は」二記目的を達成するために、被測定図形から
の光信号を光学手段によって固体撮像素子上に結像させ
、該結像された光信号を電気信号に変換し、該電気信号
から前記被測定図形の特徴を読取る図形読取り方法にお
いて、前記固体撮像素子上の光学信号を走査して得られ
る電気的信号波形を平滑化し、該平滑化された電気的信
号波形を所定のしきい値によって成形して矩形信号を発
生し、該矩形信号の立上がり時点及び立下がり時点を検
出し、前記矩形信号の前記検出された立上がり時点及び
立下がり時点までの期間、一定周期で発生するクロック
パルスを計数1.、該計数された言1数値に基づき前記
比測定図形の特徴を表わす電気信号値を創成するように
したものである。
の光信号を光学手段によって固体撮像素子上に結像させ
、該結像された光信号を電気信号に変換し、該電気信号
から前記被測定図形の特徴を読取る図形読取り方法にお
いて、前記固体撮像素子上の光学信号を走査して得られ
る電気的信号波形を平滑化し、該平滑化された電気的信
号波形を所定のしきい値によって成形して矩形信号を発
生し、該矩形信号の立上がり時点及び立下がり時点を検
出し、前記矩形信号の前記検出された立上がり時点及び
立下がり時点までの期間、一定周期で発生するクロック
パルスを計数1.、該計数された言1数値に基づき前記
比測定図形の特徴を表わす電気信号値を創成するように
したものである。
更に本発明は、被測定図形からの光信号を光学手段によ
って固体撮像素子上に結像させ、該結像された光信号を
電気信号に変換し、該電気信号から前記被測定図形の特
徴を読取る図形読取り装置において、前記固体撮像素子
上の光学信号を走査して得られる電気的信号波形を平滑
する平滑回路と、該平滑回路から出力される平滑された
波形を所定のしきい値によって成形して矩形信号を発生
するしきい値処理手段と、該矩形信号の立上がり時点及
び立下がり時点を検出する計数領域指定手段と、一定周
期のクロックパルスを発生するクロックパルス発生手段
と、前記矩形信号の前記検出された立上がり時点及び立
下がり時点までの期間発生する前記クロックパルスを計
数する計数手段とから成るようにしたものである。
って固体撮像素子上に結像させ、該結像された光信号を
電気信号に変換し、該電気信号から前記被測定図形の特
徴を読取る図形読取り装置において、前記固体撮像素子
上の光学信号を走査して得られる電気的信号波形を平滑
する平滑回路と、該平滑回路から出力される平滑された
波形を所定のしきい値によって成形して矩形信号を発生
するしきい値処理手段と、該矩形信号の立上がり時点及
び立下がり時点を検出する計数領域指定手段と、一定周
期のクロックパルスを発生するクロックパルス発生手段
と、前記矩形信号の前記検出された立上がり時点及び立
下がり時点までの期間発生する前記クロックパルスを計
数する計数手段とから成るようにしたものである。
好ましくは更に前記図形読取り装置は、前記計数手段か
ら出力される計数値に基づき前記被測定図形の特徴を表
わす値を演算する演算処理装置とから成るようにしたも
のである。
ら出力される計数値に基づき前記被測定図形の特徴を表
わす値を演算する演算処理装置とから成るようにしたも
のである。
(作用)
被測定図形を光学的手段により固体撮像素子上に結像さ
せて該結像された光信号を電気信号に変換する。該電気
信号を平滑回路で平滑した上で、しきい値処理回路にお
いて所定のしきい値に基づき矩形信号に変換する。しき
い値は該矩形信号の立上がり、立下がり時点が被測定図
形と正確に対応するような所定値に設定する。計数領域
指定手段によって矩形信号の立上がり時点、立下がり時
点を検出し、引数手段によって該立上がり時点。
せて該結像された光信号を電気信号に変換する。該電気
信号を平滑回路で平滑した上で、しきい値処理回路にお
いて所定のしきい値に基づき矩形信号に変換する。しき
い値は該矩形信号の立上がり、立下がり時点が被測定図
形と正確に対応するような所定値に設定する。計数領域
指定手段によって矩形信号の立上がり時点、立下がり時
点を検出し、引数手段によって該立上がり時点。
立下がり時点までの期間発生するクロックパルス発生手
段からのクロックパルスを計数する。この計数されたパ
ルス数に基づいて被測定図形の特徴を高分解能で読取る
ことが可能となる。
段からのクロックパルスを計数する。この計数されたパ
ルス数に基づいて被測定図形の特徴を高分解能で読取る
ことが可能となる。
(実施例)
以下図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の図形読取り装置1を適用した、レティ
クルからマスターマスクを作成するステップアンドリピ
ート装置を示す概略図である。
クルからマスターマスクを作成するステップアンドリピ
ート装置を示す概略図である。
同図に示すように、レティクル2は、モータM1を有す
る位置微調整装置8に装填され、また、表面にエマルジ
ョンもしくはクロム等の皮膜を塗布されたガラス基板か
ら成る乾板6は、モータM2.M3.XY方向移動装置
、Z方向移動装置。
る位置微調整装置8に装填され、また、表面にエマルジ
ョンもしくはクロム等の皮膜を塗布されたガラス基板か
ら成る乾板6は、モータM2.M3.XY方向移動装置
、Z方向移動装置。
位置倣H1m装置等から成る乾板移動装置7に装填され
る。レティクル2の拡大パターンがキセノンランプ又は
水銀ランプから成る光源3及びレンズ4.5により乾板
6に投影され、乾板6の位置を乾板移動装置7で移動す
ることにより、同一パターンを連続的に配列したマスク
パターンが作成される。図形読取り装置1は、レティク
ル2に設けられた位置合せ用のアライメントマーク9(
第2図)を読取り、その位置座標を検出し、これに基づ
いて乾板6との相対的位置を所望の位置に位置微調整装
置8により調整する。
る。レティクル2の拡大パターンがキセノンランプ又は
水銀ランプから成る光源3及びレンズ4.5により乾板
6に投影され、乾板6の位置を乾板移動装置7で移動す
ることにより、同一パターンを連続的に配列したマスク
パターンが作成される。図形読取り装置1は、レティク
ル2に設けられた位置合せ用のアライメントマーク9(
第2図)を読取り、その位置座標を検出し、これに基づ
いて乾板6との相対的位置を所望の位置に位置微調整装
置8により調整する。
第2図は、図形読取り装置lを示す概略図である。
同図に示すように、フォトレジスタが感光しない光(λ
=546nm又は632.8nm)を発光する光源i。
=546nm又は632.8nm)を発光する光源i。
からの該光がレンズ11を介してハーフミラ−12で反
射され、レンズ13を介してレティクル2に設けられた
十字状のアライメントマーク9に照射される。アライメ
ントマーク9から反射した光は、レンズ13を介してハ
ーフミラ−12を透過し、一部はハーフミラ−14で反
射してレンズ15を介してX方向−次元の固体撮像素子
であるX方向イメージセンサ16に達してアライメント
マーク9の光学像が該センサ16上に結像する。残りは
、ハーフミラ−14を透過してレンズ17を介してY方
向−次元の固体撮像素子であるY方向イメージセンサ1
8に達してアライメントマーク9の光学像が該センサ1
8上に結像する。
射され、レンズ13を介してレティクル2に設けられた
十字状のアライメントマーク9に照射される。アライメ
ントマーク9から反射した光は、レンズ13を介してハ
ーフミラ−12を透過し、一部はハーフミラ−14で反
射してレンズ15を介してX方向−次元の固体撮像素子
であるX方向イメージセンサ16に達してアライメント
マーク9の光学像が該センサ16上に結像する。残りは
、ハーフミラ−14を透過してレンズ17を介してY方
向−次元の固体撮像素子であるY方向イメージセンサ1
8に達してアライメントマーク9の光学像が該センサ1
8上に結像する。
第3図(a)は、X方向イメージセンサ16の受光素子
161にアラメントマーク9の光学像91が結像した様
子を示す図であり、第3図(b)は、同図(a)の受光
素子161の拡大して示す各画素の位置と対応させた、
X方向イメージセンサ16からの走査出力されるビデオ
信号(?!気倍信号を示す図である。Y方向イメージセ
ンサ18においても第3図と同様なビデオ信号が出力さ
れる。
161にアラメントマーク9の光学像91が結像した様
子を示す図であり、第3図(b)は、同図(a)の受光
素子161の拡大して示す各画素の位置と対応させた、
X方向イメージセンサ16からの走査出力されるビデオ
信号(?!気倍信号を示す図である。Y方向イメージセ
ンサ18においても第3図と同様なビデオ信号が出力さ
れる。
第3図に示すような、イメージセンサ16.18からの
ビデオ信号を処理する電気回路を第4図に示す。即ち、
イメージセンサ16,18は感光機能と自己走査機能を
有したCOD (電荷結合素子)から成り、該センサ1
6,18にはスタートパルス発生器40が接続され、該
発生器4oがらイメージセンサ16,18の受光素子の
走査を開始させるスタートパルスが供給される。センサ
16には分周器42が接続され、例えば600kHzの
クロックパルスを発生するクロックパルス発生器41か
らの出力を例えば分周比8で75kHzに分周したパル
スをセンサ16に供給する。該イメージセンサ16は、
75kHzに分周されたパルスの入力毎に受光素子+6
1が電荷転送(信号転送)を行ない、操作されたビデオ
信号を出力する。
ビデオ信号を処理する電気回路を第4図に示す。即ち、
イメージセンサ16,18は感光機能と自己走査機能を
有したCOD (電荷結合素子)から成り、該センサ1
6,18にはスタートパルス発生器40が接続され、該
発生器4oがらイメージセンサ16,18の受光素子の
走査を開始させるスタートパルスが供給される。センサ
16には分周器42が接続され、例えば600kHzの
クロックパルスを発生するクロックパルス発生器41か
らの出力を例えば分周比8で75kHzに分周したパル
スをセンサ16に供給する。該イメージセンサ16は、
75kHzに分周されたパルスの入力毎に受光素子+6
1が電荷転送(信号転送)を行ない、操作されたビデオ
信号を出力する。
X方向イメージセンサ16の出力端子はローパスフィル
タ43に接続され、ローパスフィルタ43の出力端子は
しきい値処理回路44に接続される。
タ43に接続され、ローパスフィルタ43の出力端子は
しきい値処理回路44に接続される。
該しきい値処理回路44は、比較器(コンパレータ)4
41とスイッチングトランジスタ442がら成る。
41とスイッチングトランジスタ442がら成る。
しきい値処理回路44の出力端子はD−フリップフロッ
プ(以下rD−FFJと呼ぶ)45のタロツクパルス端
子CPに接続されるとともにインバータ46を介しても
う1つのD−FF47のクロツクパルス入力端子CPに
接続される。該D−FF45,47のデータ入力端子り
にはいずれも定電圧Vccが入力する。D−FF45の
ζ出力端子はAND回路48に接続され、D−FF47
のζ出力端子は、もう1つのAND回路49に接続され
る。AND回路48.49のそれぞれの残りの入力端子
は、クロックパルス発生器41に接続され、例えば60
0kllzのクロックパルスが供給される。AND回路
48.49の出力端子はそれぞれパルスカウンタ50,
51に接続され、該パルスカウンタ50,51の出力端
子は演算装置52に接続される。
プ(以下rD−FFJと呼ぶ)45のタロツクパルス端
子CPに接続されるとともにインバータ46を介しても
う1つのD−FF47のクロツクパルス入力端子CPに
接続される。該D−FF45,47のデータ入力端子り
にはいずれも定電圧Vccが入力する。D−FF45の
ζ出力端子はAND回路48に接続され、D−FF47
のζ出力端子は、もう1つのAND回路49に接続され
る。AND回路48.49のそれぞれの残りの入力端子
は、クロックパルス発生器41に接続され、例えば60
0kllzのクロックパルスが供給される。AND回路
48.49の出力端子はそれぞれパルスカウンタ50,
51に接続され、該パルスカウンタ50,51の出力端
子は演算装置52に接続される。
Y方向イメージセンサ18の出力信号の処理回路は、前
述のX方向イメージセンサ16の出力信号の処理回路と
同様の構成であるため、説明を省略する。
述のX方向イメージセンサ16の出力信号の処理回路と
同様の構成であるため、説明を省略する。
次に第4図に示した、図形読取り装置lを構成する電気
回路の作用を第5図乃至第7図を参照しながら説明する
。
回路の作用を第5図乃至第7図を参照しながら説明する
。
第3図に示すようなアライメントマーク9の光学像91
がX方向イメージセンサ16の受光素子161上に結像
しているときに、スタートパルス発生器40からパルス
がイメージセンサ16に入力すると、イメージセンサ1
6は、分周器42がらの75ktlzのパルスで受光素
子161を走査して、第3図(b)に示すような、受光
素子161の画素ごとの受光量に応じた電圧から成る階
段状の波形のビデオ信号を出力する。第3図(b)の横
軸は、分周器42からの75kHzのパルスに基づく走
査経過時間を示すとともに第3図(a)の受光素子!6
1の各画素の位置とも対応している。
がX方向イメージセンサ16の受光素子161上に結像
しているときに、スタートパルス発生器40からパルス
がイメージセンサ16に入力すると、イメージセンサ1
6は、分周器42がらの75ktlzのパルスで受光素
子161を走査して、第3図(b)に示すような、受光
素子161の画素ごとの受光量に応じた電圧から成る階
段状の波形のビデオ信号を出力する。第3図(b)の横
軸は、分周器42からの75kHzのパルスに基づく走
査経過時間を示すとともに第3図(a)の受光素子!6
1の各画素の位置とも対応している。
第3図(a)の画素とビデオ信号との対応関係を第5図
に拡大して示す。即ち、受光素子161の成る画素16
1aの上に示した二点鎖線から右方にアライメントマー
ク9の光学像91がある場合、受光素子161の各画素
が示す出力電圧は実線で示した、光学像91の光量に応
じた信号波形S1を呈する。即ち、画素161aより右
側に配置される画素においては、照射される光量が右側
に寄った画素程(第3図ではアライメントマークの中心
に寄る程)多いため、右側に寄った画素程高い電圧値を
示し、一方画素161aより左側では光がいずれの画素
にも照射されていないため出力電圧はなく、更に画素+
61aでは画素の一部だけに光が照射されているため、
その照射面積に応じた電圧値を示している。
に拡大して示す。即ち、受光素子161の成る画素16
1aの上に示した二点鎖線から右方にアライメントマー
ク9の光学像91がある場合、受光素子161の各画素
が示す出力電圧は実線で示した、光学像91の光量に応
じた信号波形S1を呈する。即ち、画素161aより右
側に配置される画素においては、照射される光量が右側
に寄った画素程(第3図ではアライメントマークの中心
に寄る程)多いため、右側に寄った画素程高い電圧値を
示し、一方画素161aより左側では光がいずれの画素
にも照射されていないため出力電圧はなく、更に画素+
61aでは画素の一部だけに光が照射されているため、
その照射面積に応じた電圧値を示している。
イメージセンサ16から出力されたビデオ信号Slはロ
ーパスフィルタ43において平滑されて第5図の一点鎖
線で示す61らかな信号波形S2となる。但しこの場合
には第5図の横軸は走査経過時間を表わしている。信号
S2はしきい値処理回路44の比較器441の反転端子
に供給され、比較器4旧の非反転端子には所定のしきい
値(スレッシュホールド)電圧VTIIXが供給される
。従って信号S2がしきい値電圧Vn+x以下のときの
み比較器441は高レベル電圧を出力し、該高レベル電
圧によりスイッチングトランジスタ442は非導通とな
り、しきい値処理回路44の出力端子である該トランジ
スタ442のエミッタ端子は高電位となる。
ーパスフィルタ43において平滑されて第5図の一点鎖
線で示す61らかな信号波形S2となる。但しこの場合
には第5図の横軸は走査経過時間を表わしている。信号
S2はしきい値処理回路44の比較器441の反転端子
に供給され、比較器4旧の非反転端子には所定のしきい
値(スレッシュホールド)電圧VTIIXが供給される
。従って信号S2がしきい値電圧Vn+x以下のときの
み比較器441は高レベル電圧を出力し、該高レベル電
圧によりスイッチングトランジスタ442は非導通とな
り、しきい値処理回路44の出力端子である該トランジ
スタ442のエミッタ端子は高電位となる。
信号S2及びしきい値電圧VTIIXに対してしきい値
処理回路44の出力信号S3は第6図(b)のように示
される。前記しきい値電圧VTIIXを適正に設定する
ことにより出力信号S3の立上がり位置及び立下がり位
置を第3図のアライメントマーク9の光学fiJI91
の両端α2.Q3と正確にそれぞれ対応させることがで
きる。
処理回路44の出力信号S3は第6図(b)のように示
される。前記しきい値電圧VTIIXを適正に設定する
ことにより出力信号S3の立上がり位置及び立下がり位
置を第3図のアライメントマーク9の光学fiJI91
の両端α2.Q3と正確にそれぞれ対応させることがで
きる。
矩形波形を成す信号S3はアップエツジ動作のD−FF
45のCp端子に入力し、D端子には第6図(d)で示
すような定電圧Vccが入力しているので、第6図(C
)に示すような矩形信号S3の立上がり時にQ端子の出
力S4が立下がる[第6図(e)]。なお、詳細な説明
は省略するが、スタートパルス発生器40のスタートパ
ルス発生時にCp端子に立上がりパルスが入力し、その
とき、D端子入力電圧は一時的に零レベルに維持されて
いるように構成されており、それによってスタートパル
ス発生後は矩形信号S3が立上がるまでQ端子出力は高
レベルを維持している。これはDFF47においても同
様である。
45のCp端子に入力し、D端子には第6図(d)で示
すような定電圧Vccが入力しているので、第6図(C
)に示すような矩形信号S3の立上がり時にQ端子の出
力S4が立下がる[第6図(e)]。なお、詳細な説明
は省略するが、スタートパルス発生器40のスタートパ
ルス発生時にCp端子に立上がりパルスが入力し、その
とき、D端子入力電圧は一時的に零レベルに維持されて
いるように構成されており、それによってスタートパル
ス発生後は矩形信号S3が立上がるまでQ端子出力は高
レベルを維持している。これはDFF47においても同
様である。
AND回路48には該信号S4が入力するとともにクロ
ックパルス発生器41から600kHzのクロックパル
ス[第6図(f)]が入力しているので、AND回路4
8の出力は第6図(g)に示すようなパルス列S5とな
る。第6図における左端は、スタートパルス発生器40
からスタートパルスが発生してX方向イメージセンサ1
6が走査を開始した時点を示している。パルス列S5の
パルス数が詳細な説明は省略するがスタートパルス発生
時にクリアされたパルスカウンタ50でカウントされ、
カウント数naが該カウンタ50から演算装置52に出
力される。
ックパルス発生器41から600kHzのクロックパル
ス[第6図(f)]が入力しているので、AND回路4
8の出力は第6図(g)に示すようなパルス列S5とな
る。第6図における左端は、スタートパルス発生器40
からスタートパルスが発生してX方向イメージセンサ1
6が走査を開始した時点を示している。パルス列S5の
パルス数が詳細な説明は省略するがスタートパルス発生
時にクリアされたパルスカウンタ50でカウントされ、
カウント数naが該カウンタ50から演算装置52に出
力される。
イメージセンサ16の受光素子+61の1画素の大きさ
(ビット間隔)をp(例えば28μm)、受光素子+6
1の各画素間を信号転送するためのパルス信号の周波数
をft(例えば75kHz)、第6図(f)に示される
クロックパルスの周波数をf2(例えば600 k t
Iz)とすると、1クロックパルス当りの走査移動圧m
mはm = p (f s/ f 2)(例えば3.5
μm)と表わされる。従って上記パルスカウンタ50の
出力値naと該mとの積m・naは第3図(a)に示さ
れる、イメージセンサ16の受光素子161の信号転送
開始ビットの左側位f4 Q 1からアライメントマー
ク9の光学像91の右端位置Q2までの距離を表わして
いる。更に入方向イメージセンサlGは位置が固定され
ているから位111τQ1を座標として特定でき、従っ
て位置Q2の座標を上記績によって特定できる。
(ビット間隔)をp(例えば28μm)、受光素子+6
1の各画素間を信号転送するためのパルス信号の周波数
をft(例えば75kHz)、第6図(f)に示される
クロックパルスの周波数をf2(例えば600 k t
Iz)とすると、1クロックパルス当りの走査移動圧m
mはm = p (f s/ f 2)(例えば3.5
μm)と表わされる。従って上記パルスカウンタ50の
出力値naと該mとの積m・naは第3図(a)に示さ
れる、イメージセンサ16の受光素子161の信号転送
開始ビットの左側位f4 Q 1からアライメントマー
ク9の光学像91の右端位置Q2までの距離を表わして
いる。更に入方向イメージセンサlGは位置が固定され
ているから位111τQ1を座標として特定でき、従っ
て位置Q2の座標を上記績によって特定できる。
更に第6図(b)の矩形信号S3は、インバータ46を
経て第7図(a)に示すような信号S6となり、D−F
F47のCP端子に供給される。
経て第7図(a)に示すような信号S6となり、D−F
F47のCP端子に供給される。
D−FF47のD端子には第7図(b)に示される定電
圧Vccが供給されているので、D−FF47のQ端子
には第7図(C)に示される信号が出力される。AND
回路49には該信号S7と、第7図(d)に示されるク
ロックパルス発生器41からのクロックパルスとが入力
するので、AND回路49の出力は第6図(e)に示さ
れるようなパルス列S8となる。第7図における左端も
、スタートパルス発生器40からスタートパルスが発生
してX方向イメージセンサ16が走査を開始した時点を
示している。パルス列S8のパルス数が詳細な説明は省
略するがスタートパルス発生時にクリアされたパルスカ
ウンタ51でカウントされ、カウント数nbが該カウン
タ51から演算装置52に出力される。
圧Vccが供給されているので、D−FF47のQ端子
には第7図(C)に示される信号が出力される。AND
回路49には該信号S7と、第7図(d)に示されるク
ロックパルス発生器41からのクロックパルスとが入力
するので、AND回路49の出力は第6図(e)に示さ
れるようなパルス列S8となる。第7図における左端も
、スタートパルス発生器40からスタートパルスが発生
してX方向イメージセンサ16が走査を開始した時点を
示している。パルス列S8のパルス数が詳細な説明は省
略するがスタートパルス発生時にクリアされたパルスカ
ウンタ51でカウントされ、カウント数nbが該カウン
タ51から演算装置52に出力される。
カウント数nbと前記lクロックパルス当りの走査移動
距離mとの積m−nbは、第3図(a)に示される、位
MQ 1とアライメントマーク9の光学像91の左端位
置Q3との距離を表わしており、更に前述と同様に位置
Q3の座標を特定することも可能である。
距離mとの積m−nbは、第3図(a)に示される、位
MQ 1とアライメントマーク9の光学像91の左端位
置Q3との距離を表わしており、更に前述と同様に位置
Q3の座標を特定することも可能である。
更に演算装置52を用いれば、入力されたカウント値n
a、nbを用いて第3図に示される位置Q2.Q3の中
点と位置Qxとの距離、即ち前述したように位置Q1が
特定できるので、中点座標である値Mxを次式によって
演算できる。
a、nbを用いて第3図に示される位置Q2.Q3の中
点と位置Qxとの距離、即ち前述したように位置Q1が
特定できるので、中点座標である値Mxを次式によって
演算できる。
この求められた中点座標に従ってレティクル2を入方向
に位置微調整装置2で移動してX方向の所望位置にレテ
ィクル2を置くことが可能となる。
に位置微調整装置2で移動してX方向の所望位置にレテ
ィクル2を置くことが可能となる。
以上、X方向イメージセンサ16に基づく作用の説明を
行なったがX方向イメージセンサ18に基づく作用もX
方向と同様であり、即ち演算装置52においてX方向の
中点座標が求められ、X方向の所望位置にレティクル2
を移動調整することを可能とする。
行なったがX方向イメージセンサ18に基づく作用もX
方向と同様であり、即ち演算装置52においてX方向の
中点座標が求められ、X方向の所望位置にレティクル2
を移動調整することを可能とする。
なお第3図に示されるアライメントマーク9の光学像9
1においては、その十字形の広幅部(Q2〜Q3)を受
光素子!61で検出したが勿論、狭幅部を検出すること
も可能である。
1においては、その十字形の広幅部(Q2〜Q3)を受
光素子!61で検出したが勿論、狭幅部を検出すること
も可能である。
更に、本発明装置に依れば、上記カウント値na、nb
を用イテ演算装置52が位置92. Q3間の距11
iWxを次式によって演算し、Wx=m (na−nb
) =−(2)この求められた距離Wxからアライメ
ントマーク9のX方向のiJ (=J法)を求めること
が可能である。全く同様にX方向の巾(寸法)もX方向
イメージセンサ18の出力に基づき求めることが可能で
ある。
を用イテ演算装置52が位置92. Q3間の距11
iWxを次式によって演算し、Wx=m (na−nb
) =−(2)この求められた距離Wxからアライメ
ントマーク9のX方向のiJ (=J法)を求めること
が可能である。全く同様にX方向の巾(寸法)もX方向
イメージセンサ18の出力に基づき求めることが可能で
ある。
更には位置α2.Q3の間の距離が精度良く検出できる
ことから、例えば回折格子、マスクパターンの巾2寸法
を求めたり、更には格子パターンのピッチを求めること
ができる。
ことから、例えば回折格子、マスクパターンの巾2寸法
を求めたり、更には格子パターンのピッチを求めること
ができる。
以上のように本発明装置においては、例えば1024ビ
ツト、28μmビット間隔の一次元固体撮像素子を用い
、拡大光学系での視野を百数十μm確保した上での前記
従来技術での分解能は0.14μmであったのに対し、
本発明の実施例装置の分解能は、分周器42の分周比を
例えば8とすれば0.0175μm (=0.14μm
/ 8)となる。
ツト、28μmビット間隔の一次元固体撮像素子を用い
、拡大光学系での視野を百数十μm確保した上での前記
従来技術での分解能は0.14μmであったのに対し、
本発明の実施例装置の分解能は、分周器42の分周比を
例えば8とすれば0.0175μm (=0.14μm
/ 8)となる。
(発明の効果)
以上詳述したように本発明によれば、被測定図形からの
光信号を光学手段によって固体撮像素子上に結像させ、
該結像された光信号を電気信号に変換し、該電気信号か
ら前記被測定図形の特徴を読取る図形読取リカ法及び装
置において、平滑回路により前記固体撮像素子上の光学
信号を走査して得られる電気的信号波形を平滑し、該平
滑回路から出力される平滑された波形をしきい値処理手
段により所定のしきい値によって成形して矩形信号を発
生し、計数領域指定手段により該矩形信号の立上がり時
点及び立下がり時点を検出し、クロックパルス発生手段
により一定周期のクロックパルスを発生し、前記矩形信
号の前記検出された立上がり時点及び立下がり時点まで
の期間発生する前記クロックパルスを計数手段により計
数し、前記計数手段から出力される計数値に基づき前記
比測定図形の特徴を表わす電気信号値を創成するように
したので、光学系の視野を充分確保した上で既存の光学
系及び固体撮像素子の分解能を越えた高分解能、高精度
の図形読取りができる。更に、前記電気信号値を演算処
理装置において演算することにより被測定図形の特徴量
の巾、ピッチ、座標などの値を求めることができ、図形
読取り装置を備えた露光装置における位置決め補正や形
状読取り装置等を用いた形状検査、形状読取りを高精度
に行うことができる。
光信号を光学手段によって固体撮像素子上に結像させ、
該結像された光信号を電気信号に変換し、該電気信号か
ら前記被測定図形の特徴を読取る図形読取リカ法及び装
置において、平滑回路により前記固体撮像素子上の光学
信号を走査して得られる電気的信号波形を平滑し、該平
滑回路から出力される平滑された波形をしきい値処理手
段により所定のしきい値によって成形して矩形信号を発
生し、計数領域指定手段により該矩形信号の立上がり時
点及び立下がり時点を検出し、クロックパルス発生手段
により一定周期のクロックパルスを発生し、前記矩形信
号の前記検出された立上がり時点及び立下がり時点まで
の期間発生する前記クロックパルスを計数手段により計
数し、前記計数手段から出力される計数値に基づき前記
比測定図形の特徴を表わす電気信号値を創成するように
したので、光学系の視野を充分確保した上で既存の光学
系及び固体撮像素子の分解能を越えた高分解能、高精度
の図形読取りができる。更に、前記電気信号値を演算処
理装置において演算することにより被測定図形の特徴量
の巾、ピッチ、座標などの値を求めることができ、図形
読取り装置を備えた露光装置における位置決め補正や形
状読取り装置等を用いた形状検査、形状読取りを高精度
に行うことができる。
第1図は、本発明を適用した図形読取り装置を含むステ
ップアンドリピート装置を示す概略図、第2図は第1図
に示された図形読取り装置を示す概略図、第3図は第2
図におけるアライメントマークと受光素子との位置関係
及び受光素子の画素ごとに検出される電圧値を示す説明
図、第4図は第2図に示される図形読取り装置の一部を
成す電気回路図、第5図は第3図の一部の拡大図、第6
図及び第7図は第4図の電気回路の各部における信号の
タイミングチャートである。 1・・・図形読取り装置、9・・・被測定図形(アライ
メント)、16. 18.161・・・固体撮像素子(
イメージセンサ、受光素子)、41・・・クロックパル
ス発生手段、43・・・平滑回路(ローパスフィルタ)
、44・・・しきい値処理手段、45.47・・・計数
領域指令手段(D−FF) 、48,49,50.51
・・・計数手段(AND回路、パルスカウンタ)、52
・・・演算処理装置。
ップアンドリピート装置を示す概略図、第2図は第1図
に示された図形読取り装置を示す概略図、第3図は第2
図におけるアライメントマークと受光素子との位置関係
及び受光素子の画素ごとに検出される電圧値を示す説明
図、第4図は第2図に示される図形読取り装置の一部を
成す電気回路図、第5図は第3図の一部の拡大図、第6
図及び第7図は第4図の電気回路の各部における信号の
タイミングチャートである。 1・・・図形読取り装置、9・・・被測定図形(アライ
メント)、16. 18.161・・・固体撮像素子(
イメージセンサ、受光素子)、41・・・クロックパル
ス発生手段、43・・・平滑回路(ローパスフィルタ)
、44・・・しきい値処理手段、45.47・・・計数
領域指令手段(D−FF) 、48,49,50.51
・・・計数手段(AND回路、パルスカウンタ)、52
・・・演算処理装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被測定図形からの光信号を光学手段によって固体撮
像素子上に結像させ、該結像された光信号を電気信号に
変換し、該電気信号から前記被測定図形の特徴を読取る
図形読取り方法において、前記固体撮像素子上の光学信
号を走査して得られる電気的信号波形を平滑化し、該平
滑化された電気的信号波形を所定のしきい値によって成
形して矩形信号を発生し、該矩形信号の立上がり時点及
び立下がり時点を検出し、前記矩形信号の前記検出され
た立上がり時点及び立下がり時点までの期間、一定周期
で発生するクロックパルスを計数し、該計数された計数
値に基づき前記比測定図形の特徴を表わす電気信号値を
創成することを特徴とする図形読取り方法。 2、被測定図形からの光信号を光学手段によって固体撮
像素子上に結像させ、該結像された光信号を電気信号に
変換し、該電気信号から前記被測定図形の特徴を読取る
図形読取り装置において、前記固体撮像素子上の光学信
号を走査して得られる電気的信号波形を平滑する平滑回
路と、該平滑回路から出力される平滑された波形を所定
のしきい値によって成形して矩形信号を発生するしきい
値処理手段と、該矩形信号の立上がり時点及び立下がり
時点を検出する計数領域指定手段と、一定周期のクロッ
クパルスを発生するクロックパルス発生手段と、前記矩
形信号の前記検出された立上がり時点及び立下がり時点
までの期間発生する前記クロックパルスを計数する計数
手段とから成ることを特徴とする図形読取り装置。 3、更に、前記計数手段から出力される計数値に基づき
前記被測定図形の特徴を表わす値を演算する演算処理装
置とから成る、請求項2記載の図形読取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127966A JPH021071A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 図形読取り方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127966A JPH021071A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 図形読取り方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021071A true JPH021071A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=14973086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63127966A Pending JPH021071A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 図形読取り方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH021071A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5113538A (ja) * | 1974-07-25 | 1976-02-03 | Nippon Electric Co | |
| JPS62116070A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Canon Inc | 原稿読取装置 |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP63127966A patent/JPH021071A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5113538A (ja) * | 1974-07-25 | 1976-02-03 | Nippon Electric Co | |
| JPS62116070A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Canon Inc | 原稿読取装置 |
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