JPH0210A - 電気光学装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野Ｊ 本発明は表示装置や透過光制御装置などと−して用いる
ことのできる電気光学装置の駆動方法に関する。

［従来の技術］ 従来、電気光学装置として種々のものが開発されている
。これらの中でも、液晶を用いた電気光学装置は比較的
構成が簡単で、小型、軽量、低消費電力等の特徴により
、表示装置、光シャッター等として広く用いられている
。

液晶電気光学装置の製造上、大容量化／大面積化時には
単純マトリクスを用いたものがアクティブマトリクスを
用いたものより有利であるが、従来の単純マトリクスを
用いた液晶電気光学装置においては、光学応答特性から
大容量のものを作製することが困難である。例えば、ツ
イストネマチックモードを用いたものでは１／２００デ
ユーティ、よりツイスト角を大きくして高性能化したＳ
ＴＮ／ＳＢＥモードでも１／４００デユーティ程度ある
いはそれ以上とすると、液晶の電気光学特性の不足など
による表示品位あるいは応答速度の悪化によって実用上
使用に耐えないという問題点があった。

そこで、液晶とその配向制御によって記憶を持たせる（
印加電圧による双安定性を利用するものＪ、Ａｐｐ１．
Ｐｈｙｓ、、５９，３０８７．８６など）方法が考えら
れた。これは、液晶材斜によっては９０度を超える高ツ
イスト状態で印加電圧と透過率もしくは反射率がヒステ
リシス現象を起こすことを利用しており、（第２図参照
）書き込み時に選択的に書き込んだ情報を、電圧−透過
車（もしくは反射率）曲線におけるヒステリシスループ
内どなるように設定した保持電圧で保持しようとするも
のである。

以下本明細書では、この表示モードをＨＴＮモードと略
記する。

このＨＴＮモードを用いた電気光学装置においては、電
気光学特性にヒステリシス特性が発現するには種々の条
件を満たすことが必要である。すなわち、電気光学装置
を構成する液晶パネルにおけるツイスト角、セルギャッ
プ、プレチルト角、液晶組成物の自発ピッチ・弾性定数
・誘電率、配向膜と液晶分子の相互作用の状況等によっ
てヒステリシス特性の発現状況が異なってくる。一般に
は、プレチルト角が大、ツイスト角が大、界面規制力が
大、弾性定数の比Ｋ３３／Ｋｌｌ、　　Ｋ３３／Ｋ２２
が共に大、Δε／ε上が小、液晶セルの配向処理によっ
て決められるピッチＰｃと液晶組成物の自発ピッチＰｓ
のずれ八Ｐ　（＝Ｐｃ／Ｐｓ−１）が小の方向にある等
の方がヒステリシス特性が発現し易いという傾向にある
。

第３図は従来のＨＴＮモードでの駆動波形の概念を示す
ものである−従来のＨＴＮモードの駆動方法ではヒステ
リシスループ内に設定した保持電圧±ｖｈで以前の表示
状態を保持している保持状態に対し、略ゼロボルトを印
加して前の書き込み内容を消去する消去期間ｔｅ、書き
込みパルスによって新たな表示内容を書き込む書き込み
期間ｔｓ、さらに保持電圧上ｖｈによって新しい書き込
み内容を保持する保持期間ｔｈの繰り返しからなる。本
明細書ではこの駆動方式を従来のＨＴＮ方式と呼ぶ。

すなわち従来のＨＴＮ方式によるマルチプレクス駆動で
は、表示内容の更新はパネル全面の一括消去と順次走垂
による書き込みからなっている。

【発明が解決しようとする課題１ しかし、従来のＨＴＮ方式によってパネル全面の一括消
去と順次走査による書き込みによる画面の書き換えを行
なう場合、走査期間の最初に選択される走査信号線に当
たる画素と、最後に選択される走査信号線に当たる・画
素で、表示が消えている時間に大きな差異が生じてしま
う。たとえば消去にかかる時間ｔｅを５０ミリ秒、１ラ
イン当りの書き込み時間ｔｓを０．２ミリ秒とす−ると
、最初に書き込みが行なわれる１ライン目は５０ミリ秒
後に書き込まれる。それに対して１０００ライン目では
、消去開始後２５０ミリ秒たってやっと書き込まれるた
め、書き換えが目立ってしまい表示効果としてあまり好
ましくない結果となっていた。

また、必要な最低消去時間と総書き込み時間の和にたい
してあまり長くない間隔で書き換えが行なわれる場合に
は、最初に選択される部分に対して最後に選択される画
素の表示が薄くなってしまい、表示濃度にむらが生じて
表示品位が低下してしまう。これらの課題は、従来のＨ
ＴＮ方式の駆動において一括消去をすることによって、
走査線ごとに消去期間の長さが異なることによって生じ
ている。

そこで本発明では、これらの課題に対して各走査線毎の
消去時間をほぼ等しくする駆動方法を提供することによ
って、表示効果を向上した電気光学装置を得ることを目
的とするものである。また、駆動方法の工夫によってセ
ルギャップマージンを広げる方法も提案し、電気光学装
置の製造上の歩留まりの向上に対して効果がある駆動方
法を提供することも目的としている。

［課題を解決するための手段］ 本発明の電気光学装置の駆動方法は、 ■消去後書き込まれた表示内容を、保持電圧を印加する
ことで保持する方法で駆動する双安定性電気光学装置に
対して、特°定の場所における表示内容の消去期間に印
加される実効値電圧を、表示を保持することが可能な電
圧よりも低く設定すること。

■各走査信号線における消去期間の開始時期が、直前の
走査信号線における消去の開始時期に対して少なくとも
書き込みに要する選択パルス幅以上遅れてし１ること。

■表示内容を消去する期間に印加される実効値電圧を、
表示を保持する事が可能な保持電圧の上限値の（２／３
）Ｉ２倍よりも低く設定すること。

■表示−内容を消去する期間に印加される他の走査信号
線用のデータおよび保持用の電圧を、選択期間の１７４
以上に相当する時間繰り返して走査信号線に印加するこ
と。

■表示内容を消去する期向の最初に、保持電圧よりも高
い電圧レベルを持つ消去用の高パルスを印加すること。

■表示内容を消去する期間の最初に印加する消去用の高
パルスの電圧レベルを、書き込みのための選択電圧と同
等以上に設定すること。

を特徴とする特 ＊実施例］ 以下、実施例により本発明の詳細を示す。

（実施例１） ストライプ状に形成した透明電極上に、ＳｉＯを８５度
の入射角で蒸着し、焼成してＳ　ｉ　０２としたものは
液晶のプレチルト角が約２５度となった。

これを用いて上下基板間の液晶分子のツイスト角を２７
０度、セルギャップを４．４μｍとしたセルを作り、メ
ルク社製の液晶組成物ＺＬニー３１８７にＢＤＨ社製の
カイラルド−パントＣ８−１５を２．４ｗｔ％溢加した
液晶を注入し、画素数７５０ｘｌ１２０ドツトの液晶表
示装置を製作した。

この電気光学装置を３０°Ｃで駆動し、電気光学特性を
測定したところ第２図（ａ）に示すようなヒステリシス
特性が得られた。また、書き込み電圧Ｖｗとパルス輻Ｐ
ｗの関係を測定したところ第４図に示すような関係が得
られた。

第４図において、ａで示す曲線はＯＦＦ８！の書き込み
を行なおうとしたときに、書き込み電圧Ｖｗをこれ以上
に設定すると表示が全てＯＮになってしまう限界を示す
。また、ｂで示す曲線はＯＮ状態の書き込みを行なおう
としたときに、書き込み電圧Ｖｗをこれ以下にすると表
示が全てＯＦＦとなってしまう限界をあられしている。

従って、ＨＴＮモードの液晶パネルを駆動する場合には
、書き込み電圧Ｖｗと書き込みパルス幅Ｐｗはこのａと
ｂの曲線の間の斜線で示す領域の条件に設定しなければ
ならない。第４図から、一般に駆動マージンを大きくす
るには、書き込みパルスのパルス幅を大きくし電圧を下
げればよいことが判る。

また、この電気光学装置の消去のために必要な消去期間
の長さｔｅを測定したところ、第３図に示した従来のＨ
ＴＮ方式、による消去波形では１３ミリ秒の零ボルト印
加を必要とした。

それに対し、第５図に示すような、消去期間中にも保持
電圧ｖｈと同レベルのパルスを間欠的に印加する本発明
による駆動波形を用いた場合、保持電圧ｖｈがヒステリ
シス特性の下限（＝２．１１ボルト）では２１ミリ秒、
保持電圧ｖｈがヒステリシス特性の上限（＝２．３１ボ
ルト）では２９ミリ秒で消去が可能であった。このこと
から消去を高速化するには、消去期間中にかかる他の走
査電極用の保持電圧のレベルをでき得る限り低くするこ
とが好ましいことが分かる。

このように保持電圧のレベルを下げた場合、書き込み内
容の保持が部分によって俄下する場合がある。そのとき
は、消去期間の無い書き込みの波形を加えることによっ
て、表示濃度が低下した保持内容を再び書き加えて表示
品位を向上させることが好ましい。このような表示内容
の書き加えは、本実施例のように他のラインが消去中の
ＨＴＮ方式のディスプレイに限らず、−ａに表示内容の
保持を行なうディスプレイで有効である。

この電気光学装置をマルチプレックス駆動しながら消去
するために、第１図に示すような波形で駆動を行なった
。

第１図において、ＣＯＷ（１）〜ＣＯＮ（ｎ）は各々、
１木目〜ｎ本目の走査信号線に印加される信号波形を表
し、ＳＥＧ（１）は１木目のデータ信号線に印加される
データ信号波形を表している。また、ＶＬＣ（１）〜ｖ
Ｌｃ（ｎ）は、それぞれ、１木目〜ｎ本目の走査信号線
上の１木目のデータ信号線と交わる画素の液晶に印加さ
れる合成波形を示す。

第１図の駆動波形においては （１）全てのデータ信号線には一定の周期で同位相の信
号（以下、消去信号とーぶ）が加えられる。第１図の駆
動波形では、書き込み期間ｔｓの２倍の時間を周期とし
て、パルス輻が書き込み期間ｔｓの１７２、電圧の絶対
値が保持電圧ｖｈと同じで正負両極性の反転パルスが消
去信号として加えられている。

（２）表示を消去したい走査信号線には、データ信号線
に加えられる消去信号と同じタイミングで消去信号が加
えられる。第１図の駆動波形では、データ信号線に加え
られる消去信号と同位相・同レベルの反転パルスを走査
信号線の消去信号として加え、液晶に印加される合成波
形ＶＬＣの電圧を消去信号が加え°られる期間ゼロとす
ることができる。

（３）各走査信号線が消去期間に入るタイミングは互い
にずらしである。第１図の駆動波形では、各走査線毎の
消去期間−にはいるタイミングは同じ時間、すなわち２
　Ｘ　ｔｓずつずれて開始している。

（４）各走査信号線の消去期間の長さは同一にしてあり
、液晶組成物やパネル構成、温度特性に合わせて消去の
ために必要な消去期間の長さの長さを調整する。

このような駆動を行なうことで、例えば第１図中のｔＩ
のタイミングでは ■すでに書き込みが終って、保持期間にある走査信号線
［→ＣＯに（１）］ ■書き込みパルスが印加さ飄　書き込み状態にある走査
信号線［→ＣＯＷ（２）］ ■消去期間中の走査信号線［→ＣＯＷ（３）］■前フレ
ームの表示状態を保持している走査信号ＩＩ　［＋ＣＯ
Ｎ（ｎ）］ の各段階の走査信号線が同時に存在することが可能とな
り、同一表示面内で各走査信号線毎の状態を任意に設定
することができる。従って、基本的には各走査信号線毎
の消去期間の位置を任意に設定セき、消去期間の長さが
他の走査信号線の状態に左右されることがなくなる。こ
れは全てのラインで消去時間が一定で、駆動走査線数が
増えるほど消去時間が相対的に短くなるラインが多いこ
とをあられしている。

また、略零ポルトをパネル全面に対して印加することで
一括消去する従来のＨＴＮ方式の駆動方法による表示が
消えている時間に対し、最高２倍までで全ての走査信号
線の表示を消去することができるようになる。

なお、第１図の駆動波形においては、消去信号は駆動に
必要な電源電圧レベル数を少なくできる利点から、保持
電圧ｖｈと同じ電圧レベルに設定した反転パルスを用い
て一定周期で印加されているが、消去信号の周期・波形
・電圧レベルはこの条件にする必要はない。すなわち、
消去を速くするためには消去期間の実効値が保持電圧ｖ
ｈの下限よりも低く、しかもできるだけゼロに近い実効
値を持つ波形を印加することが望ましいだけで、前記の
条件には束縛されない。　　そこで、消去信号の電圧レ
ベルを保持電圧ｖｈからずらして消去時の実効値電圧を
低下させ、消去時間が短くなるように略ゼロボルトと消
去信号のパルス波形を印加することも可能である。

第１図に示す本実施例の駆動波形を用い、選択電圧Ｖｓ
＝１５．０ボルト、保持電圧Ｖｈ＝２．１１ボルト、選
択期間ｔｓ＝０．５ミリ秒として前記電気光学装置を駆
動してやると、各走査信号線上の画素は表示が２１ミリ
秒で消え、全画面を書き換えるのに要する時間は３２５
ミリ秒であり、表示が消えているのはほとんど見えず、
４０ラインはどの表示が薄くなることで走査しているの
がわかる程度だったため、従来の略零ボルトを全面に同
時に印加して消去を行なう方法に対して見栄えのよい表
示装置を得ることが出来た。

一方、第３図の従来のＨＴＮ方式の消去波形を用いて一
括消去を行なう方法では、最後に選択される走査信号線
上の画素は約３４０ミリ秒もの間表示が消えており、フ
ラッシングしているように見え、表示が非常に見にくか
った。特に、１フレームの書き換えに必要な時間の数倍
以下の間隔で表示内容を変化させた場合には、従来のＨ
ＴＮ方式の駆動方法では消去によってちらつきが激しく
なり、表示品位を著しく低下させるのに対し、本発明に
よる駆動方法ではほとんどちらつきを生じないため、フ
レーム周期は表示品位にあまり影響を与えない。

第６図に、第１図の駆動波形を得るするための−回路例
を示す。また、第７図に第６図に示す回路の各部分の信
号波形を示しである。第６図（ａ）は走査信号線ＣＯＷ
（１）に印加する波形を出力する回路で、第７．図中の
各信号７０１〜７０５によってトランスミッションゲー
ト６０１を制御し、電圧レベルＶｓ〜−Ｖｓを選択する
。また、第６図（ｂ）はデータ信号線ＳＥＧ（１）に印
加される波形を出力する回路で、信号７０６によってラ
ッチされ、た各画素の表示状態に応じたデータ信号と、
信号７０７によってラッチの出力をゼロレベルにリセッ
トすることでトランスミッションゲートの出力を制御し
た±ｖｈが交互に印加される。

（実施例２） 電気光学装置として、４００Ｘ６４０画素のＨＴＮ方式
のパネルを試作した。配向処理は実施例１と同様に、Ｓ
ｉＯ斜方蒸着とし、プレチルト角２５度、ツイスト角２
−７０度、セルギャップ６゜０μｍとしたパネルに対し
、メルク社製の液晶組成物ＺＬニー１１３２にＢＤＨ社
のカイラルド−パントＣ８−１５を１．５ｗｔ％添加し
た液晶組成物を封入した。

このパネルを用いて、いろいろな駆動波−形に対する消
去の光学応答特性を測定した。実施例１と同様にして消
去のために必要な消去期間の長さを測定すると、２５°
Ｃにおいて第１３図（ａ）の従来のＨＴＮ方式の駆動波
形では５０ミリ秒、第１３図（ｂ）または（Ｃ）の波形
では４０ミリ秒、第１３図（ｄ）の波形では９６ミリ秒
、第１３図（ｅ）の波形では１０４ミリ秒を要した。

このパネルを、選択電圧Ｖｓ＝１０．５ボルト、保持電
圧Ｖｈ＝１．５ボルト、選択期間ｔｓ＝１ミリ秒として
マルチプレックス駆動すると、最後に選択される走査信
号線は第３図の従来のＨＴＮ方式の駆動波形では約４５
０ミリ秒の時間表示が消えていたのに対し、第１３図（
ｄ）または第１３図（ｅ）の本発明の駆動波形では走査
信号線毎に表示が消えている時間は１００ミリ秒程度で
あり、しかもパネル全面が一度に消えることがなくなっ
たためフラッシングしているように見えることがなくな
るため表示品位が向上し、本発明によって実用上非常に
有利なものとなった。

（実施例３） 実施例１で作製した液晶パネルの電気光学特性を２５°
Ｃにおいて測定したところ、第２図（ｂ）に示すように
、表示を保持するのに必要な保持電圧が２．１９〜２．
５０ボルトと０．３１ボルトの幅を有するヒステリシス
特性となった。

第５図に示すような、消去時間ｔｅにはゼロボルトおよ
び電圧レベルＶｅの消去信号を印加する本発明による駆
動波形を用い、この消去信号の電圧を変化させながら消
去のために必要な消去期間の長さτ、を測定したところ
、第８図に示すような結果が得られた。第８図の曲線ａ
は保持電圧■＝２゜５０ボルト、第８図の曲線すは保持
電圧Ｖｈ＝２゜１９ボルトとした場合に、消去のために
必要な消去期間の長さτ、を示す。また第８図で消去信
号の実効値が２．１９ボルト以上の領域では、表示を保
持することが可能なヒステリシスループ内の電圧となる
ため、表示を消去することはできなかった。

例えば本実施例で用いた第９図の駆動波形では、１走査
信号線当りの選択時間ｔｓを１．５分割し、消去信号と
してこの選択期間の１７３のパルス輻−Ｐｗを持った両
極性の反転パルスを合計１分割分与えて書き込み信号と
、している。各データ信号線には、選択期間中に各走査
信号線に選択信号が印加されるタイミングに合わせ、各
画素の表示状態に応じた電圧レベル±ｖｈのデータ信号
が加えられる。

このデータ信号が印加されていない選択時間の残り１／
３に相当する時間は全データ信号線に対して＋ｖｈある
いはー■の電圧レベルの信号（以下、消去信号Ｓｅと呼
ぶ）を同位相で印加する。消去期間中にある各走査信号
線には、上記の消去信号Ｓｅと同タイミング・同電圧の
消去信号Ｓｅが加えら沃　この消去信号が加えられてい
るタイミングには各画素の液晶に印加される合成波形は
ゼロボルトとできる。その結果、消去期間中に各画素の
液晶に加えられる合成波形は２／３の期間ｖｈが加えら
れる形になり、その実効値は（２／３）””ＸＶｈ＝０
．　８１６ｘＶｈとな−る。

なお、第９図中で消去期間ｔｅ、選択期間ｔｓおよび保
持期間ｔｈは１木目の走査信号線の場合についてのもの
をあられしている。

第９図に示す本実施例の波形を用い、選択電圧Ｖｓ＝１
５．０ボルト、保持電圧Ｖｈ＝２．５０ボルト、消去信
号の電圧Ｖｅ＝２．５０ボルト、選択期間ｔｓ＝０．　
５ミリ秒として前記電気光学装置を駆動してやると、消
去期間中の波形の実効値は２゜０４ボルトとなり、各走
査信号線上の画素は表示が約６０ミリ秒で消去ができる
。よって、消去のために表示が薄くなっているのはパネ
ル全面の１７７以下にしか過ぎず、気にならないレベル
であった。また、全画面を書き換えるのに要する時間は
４３５ミリ秒であり、消去用パルスを入れない場合に全
走査線を走査するのに必要な走査時間の５割増しの値で
あり、一瞬、走査しているのがわかる程度に表示品位を
改善することが出来た。

一方、第３図のような従来のＨＴＮ方式の消去波形を用
いて一括消去を行なう方法では、最後に選択される走査
信号線上の画素は約３９０ミリ秒もの間表示が消えてお
り、非常に見にくかった。

また、５００ミリ秒間隔程度で表示内容の書き換えを行
なった場合には、従来のＨＴＮの駆動方法では最初に書
き込まれる走査信号線では約１３ミリ秒表示内容が消え
ていた後書き込み内容が４００ミリ秒以上保持され、最
後に走査される走査信号線では約３００ミリ秒はど表示
内容が消えていた後に２００ミリ秒以下しか表示内容が
保持されないため、表示濃度に明らかな差異が生じる。

それに対し、本発明による駆動方法を用いると金ての走
査信号線が６０ミリ秒以下表示が薄くなるのみであるた
めに、部分による表示濃度に差異がほとんど無く表示品
位が向上した。

ところで、これ以上選択期間の分割数を減らし、略ゼロ
ボルトを印加する割合を減らすと、例えば１．３３分割
した１／４とすると消去期間中の実効値電圧がＶＭ）（
３／４）１２４０．８７倍ニモなってしまい、２０％程
度のｖｈマージンが確保できなくなってしまう。このた
め、本実施例の１゜５分割が実用的な限界である。

（実施例４） 実施例１で作製したパネルを第１０図に示すような波形
を用いて駆動した。第１０図の駆動波形では、実施例３
と同様の考え方で１走査信号線当りの選択時間ｔｓを２
分割し、この選択期間の１７２のパルス幅Ｐｗを持った
片極性のパルスを選択信号としている。各データ信号線
には各走査信号線に書き込み信号が印加されるタイミン
グに合わせ各画素の表示状態に応じた電圧レベル±ｖｈ
のデータ信号が加えられる。このデータ信号が印加され
ていない残りの１７２の時間には全データ信号線に対し
て＋ｖｈあるいはｍｙｂの電圧レベルの信号（以下、消
去信号Ｓｅと呼ぶ）を同位相で印加する。消去期間中に
ある各走査信号線には上記のデータ信号線における消去
信号Ｓｅと同タイミング・同電圧の消去信号Ｓｅが加え
られ、この消去信号Ｓｅが走査信号線に加えられている
タイミングには、各画素の液晶に印加される合成波形ｖ
Ｌｃはゼロボルトとすることができる。

その結果、消去期間中に各画素の液晶に加えら′れる合
成波形の実効値は（１／２）””　ｘＶｈとなる。ま°
た、各波形の電圧極性は１フレーム（ｔｅ＋ｔｓ＋ｔｈ
）毎に極性反転し、液晶に直流分が印加されないように
しである。さらに、消去信号Ｓｅは交互に極性を反転す
ることで、データ信号によらず各画素に連続して長いパ
ルスが印加されないようにしである。

第１０図に示す本実施例の波形を用い、選択電圧Ｖｓ＝
１８．０ボルト、保持電圧Ｖｈ＝２．１９ボルト、消去
信号の電圧Ｖｅ＝２．１９ボルト、選択期間ｔｓ＝０．
５ミリ秒として前記電気光学装置を駆動してやると、消
去期間中の波形の実効値は１．５５ボルトとなり、各走
査信号線上の画素は表示が約２５ミリ秒で消え、表示が
消えているのはほとんど見えず表示品位が向上した。ま
た、全画面を書き換えるのに要する時間は４００ミリ秒
で消去信号を印加しな・い場合の２倍の時間であり、表
示の薄くなっている部分の割合は最大でもパネルの１７
１６以下で実用上問題はなかった。しかし本実施例のよ
うにフレーム毎の極性反転を行なった場合では、特に保
持期間の長い駆動を行なった場合にはイオン性不純物の
影響などと考えられる書き込み電圧や保持電圧の変動現
象などが起きるため信頼性の低下は免れず、本実施例の
駆動波形はフレーム周波数の比較的高い用途に適してい
る。

（実施例５） 実施例１で作製したパネルを第１１図に、示すような波
形を用いて駆動した。第１１図の駆動波形では、実施例
５と同様の考え方で１走査信号線当りの選択期間ｔｓを
３分割し、消去信号として選択期間の１７６のパルス幅
Ｐｗを持った両極性の反転パルスを正負電圧合計で選択
期間の１７３加えて選択信号としている。消去期間中の
各画素には、選択期間の１７３のデユーティでデータ信
号、残り３／４のデユーティでゼロボルトが印加される
。

その結果、消去期間中に各画素の液晶に加えられる合成
波形の実効値は（１／３）１７２ＸＶｈとなる。

選択電圧Ｖｓ＝２０．０ボルト、保持電圧Ｖｈ＝２゜１
９ボルト、消去信号の電圧Ｖｅ＝２．１９ボルト、選択
期間ｔｓ＝０．６ミリ秒として前記電気光学装置を駆動
してやると、消去期間中の波形・の実効値は１．２６ボ
ルトとなり、各走査信号線上の画素において表示が消え
るのに約１９ミリ秒、全画面を書き換えるのに４６９ミ
リ秒かかる。よって、書き換えのために表示が薄くなっ
ている領域は走査の直前のパネル全面積の約１７２５に
過ぎず、走査しているのがわかる程度となるため従来の
ＨＴＮの駆動方法に対して非常に表示品位が向上す左 （実施例６） 実施例１と同じパネルを第１２図に示すような波形を用
いて駆動した。第１２図の駆動波形では、実施例３と同
様の考え方で、１走査信号線当りの選択期間ｔｓを４分
割し、消去信号として選択期間の１７８のパルス幅Ｐ％
＃を待った両極性の反転パルスを合計選択期間の１７４
与えて書き込み信号としている。消去期間中の各画素に
は、１／４のデユーティでデータ信号、残り３／４のデ
ユーティでゼロボルトが印加される。

その結果、消去期間中に各画素の液晶に加えられる合成
波形の実効値は　（１／４　）　１７２Ｘ　Ｖｈ＝　０
゜５×■となり、選択電圧Ｖｓ＝２０．０ボルト、保持
電圧Ｖｈ＝２．１９ボルト、消去信号の電圧はＶｅ＝２
．１９ボルト、選択期間ｔｓ＝０．８ミリ秒として前記
電気光学装置を駆動してやると、消去期間中の波形の実
効値は１．１０ボルトとなり、各走査信号線上の画素は
表示が消えるのに約１８ミリ秒しかかからず、表示が消
えているのはほとんど見えなかった。この消去期間の長
さはおよそ選択期間の長さの２３倍程度である。また、
全画面を走査するのに要する時間は６１８ミリ秒となり
、消去信号を印加しない場合の４倍の時間になってしま
うため、はぼ実用に耐え得る限界であった。この駆動で
消去のために表示が薄くなっている部分は、全パネル面
積の１７３０以下にしかすぎない。また、これ以上選択
信号を印加する時間の選択期間に対するデユーティ比を
下げたばあいには、消去のために必要な消去期間の長さ
τ、は短かくなるが全画面を走査するのに必要な時間が
非常に長くなり、実−用性が低下する。

（実施例７） 実施例１と同様にして作製した液晶パネルに封入する液
晶組成物ＺＬニー３１８７に対し、カイラルドーパント
の添加量をさまざまに変えてみた。

この液晶パネルにおいては、Ｃ８−１５の添加量が１．
９０〜１．１１ｗｔ％、液晶セルの配向処理によって決
められるピッチＰｃと液晶組成物の自発ピッチＰｓのず
れに相当するΔＰ　（＝Ｐｃ／Ｐｓ−１）の値にして０
．３〜−０．２の領域では正常なヒステリシス特性が得
られる。

ところが、Ｃ８−１５の添加量が１．０７〜１゜０２ｗ
ｔ％、ΔＰの値が−０，２５〜−０，３の領域では電圧
−透過率曲線が第１４図のｅで示されるように変形した
り、ひどい場合には一旦書き込んだ後の消去に通常の数
倍以上もの時間がかかるなど、電気光学特性に異常なヒ
ステリシス特性が発生する。以下本明細書ではこのよう
な電気光学特性における異常なヒステリシス特性を異常
ヒステリシス特性と呼ぶこととする。

また、Ｃ８−１５の添加量を１．０２ｗｔ％以下とし、
ΔＰの値が−０，３以下になるとローツイストドメイン
の発生する領域になる。

ΔＰの値が−０，２〜−０，２５の領域は不安定で、配
向条件のむらなどによって異常ヒステリシス特性を示し
たり、示さなかったりする場合がある。

ΔＰの値が−０，２５の異常ヒステリシ・ス特性−を示
す液晶パネルを用いて、２５℃における消去のために必
要な消去期間の長さて、を測定したところ、第１３図（
ａ）に示した従来のＨＴＮ方式の駆動波形では５０ミリ
秒もかかったのに対し、第１３図（ｂ）あるいは（ｅ）
に示すような、消去期間の最初に書き込みパルスの電圧
レベルｖＯＮと同程度の電圧レベル±Ｙｅｔの消去用高
パルスを印加し、残る消去期間はゼロボルトを印加する
波形にするとτ、＝２５ミリ秒と非常に速くなり、正常
なヒステリシスを示すものとほぼ同等になった。

また、正常なヒステリシスを示すパネルに対して第１３
図（ｂ）あるいは（Ｃ）に示すような波形を印加すると
、第１３図（ａ）に示す従来のＨＴＮ方式による駆動方
法の消去が４５ミリ秒だったのに対し、消去時の実効値
電圧が消去用高パルスの分だけ高くなっているにも係わ
らず、４０ミリ秒程度と高速で消去が可能となった。

そこで、第１３図（ｄ）に概念を示す消去用高パルス印
加、消去用高パルスの直後のゼロボルト印加と、ゼロボ
ルトと電圧レベル±■の消去信号の反転パルスを交互に
印加することからなる波形ではτ、＝８０ミリ秒で消去
が可能なことを確認した。また、第１３図（ｅ）に示す
、消去用高パルスに引続き、消去用高パルスの直後に電
圧レベル±■の反転パルスを印加し、ゼロボルトと電圧
レベル±■の消去信号を交互に印加する波形では、τ●
＝０５ミリ秒となった。

第１３図に示した（ａ）〜（ｆ）の各波形を用いて消去
を行なった場合の消去の光学応答特性を図示すると、そ
れぞれ第１５図のａ−ｆに示すようになる。

ところで、第１３図（ａ）、（ｂ）及び（Ｃｏ）に示す
波形でマルチプレックス駆動を行なう場合には、一旦全
画面を消去してから走査信号線を順次選択して表示情報
を書き込む必要がある。例えば、駆動マージンを大きく
するために、書き込み電圧ＶＯＮを低くし、選択期間ｔ
ｓを大きくした場合には、たとえば書き込み電圧ＶＯＮ
　（＝　Ｖｓ　＋　Ｖｈ）を１２．０ボルトとし、保持
電圧Ｖｈ＝１．５ボルト、選択期間ｔｓ　＝　１ミリ秒
で駆動を行なうと、最初に選択される走査線上の画素が
表示が消えている時間はどれも変わらず４０ミリ秒以下
なのに対して、最後に選択される走査線上の画素は、第
１３図（ａ）に示す従来のＨＴＮ方式の駆動波形では約
４５０ミリ秒、消去応答特性の改善された第１３図（ｂ
）あるいは（Ｃ）の波形でも約４２５ミリ秒もの間表示
が消えているのが見え、このように走査線数が多い場合
にはとても実用レベルとは言い難い。

そこで、本発明にしたがってこの液晶パネルをマルチプ
レックス駆動しながら消去するために、第１３図（ｄ）
で示す波形を応用し、消去用高パルス電圧Ｔｅｌ　＝書
き込み電圧ＶＱＮ＝１０．５ボルト、保持電圧Ｖｈ＝１
．５ボルト、消去用の高パルスの印加時間ｔｅｌ　＝　
１ミリ秒として第１６図に示す波形で駆動したところ、
各走査信号線上の画素は表示が８０ミリ秒以下で消え、
表示が消えているのはほとんど見えなかった。また、全
画面を書き換えるのに要する時間は４００ミリ秒であり
、表示が消えている部分は最大でもパネル全面の１７５
以下でしかなく、書き込みのための走査している部分の
直前の表示が徐々に薄くなり、消え、書き換えられるた
め、従来の駆動法による全面一括消去とその後の書き換
えを行なう駆動法よりも非常に見栄えがよく、表示品位
の優れた電気光学装置となった。

また、本実施例で用いた駆動方法によってΔＰの値が−
０，２〜−０，３である異常ヒステリシス特性を示す液
晶パネルについても、正常なヒステリシス特性を示すパ
ネルとほぼ同様な消去応答が可能であり、はぼ正常に駆
動できることを確認した。

さらに、ΔＰの値が−０，２以上の正常なヒステリシス
特性を示すパネルの場合にも若干の消去応答特性の改善
がみら瓢　第１３図（ｄ）または（ｅ）の駆動波形で消
去にそれぞれ６４ミリ秒、７０ミリ秒しかかからないの
で、画面を書き換えるときに表示が消えている部分の割
合が低下し１７６以下になった。

第１６図にしめず駆動波形において、ＣＯＮ（１）〜Ｃ
ＯＷ（ｍ）は各々、１木目〜ｍ本目の走査信号線に印加
される信号波形を表し、ＳＥＧ（１）は１木目のデータ
信号線に印加されるデータ信号波形を表している。また
、ＶＬｃ（１）〜Ｖｔｃ（＋）は、それぞｔＬ、１木目
〜ｍ本目の走査信号線上の１木目のデータ信号線と交わ
る画素の液晶に印加される合成波形を示す。ー なお、第１６図の駆動波形においては、・消去期間の最
初ｔｅｌに走査信号線に加えられる、消去用高パルスの
電圧レベルＴｅｌと、書き込み時の選択期間ｔｓ中に加
えられる書き込みパルスの電圧レベルＷＯＮ ・保持電圧ｖｈと、消去期間中に走査信号線およびデー
タ信号線の双方に加えられる消去信号の電圧レベルＷｅ をそれぞれ同一電圧として、必要な電源電圧レベル数を
５レベルないし６レベルと少なくして設定しているが、
この消去信号の周期・波形・電圧レベルはこれに限定さ
れない。すな：）ち、消去信号の実効値が保持電圧ｖｈ
よりも低ければ、消去は可能であり、例えばデータに応
じて消去信号の電圧レベルを保持電圧ｖｈからずらし、
略ゼロボルトとパルス波形を印加することで消去も可能
である。

また、書き込みに必要な書き込みパルスの電圧とパルス
幅は、例えば第４図に示したような関係の中で設定すれ
ば良く、消去用高パルスとは無関係であるため、消去用
高パルスの設定は自由にできる。

しかし消去パルスについては、のちほど実施例８で詳細
を述べるが消去用の高パルスの電圧Ｖｅｌが高いほど消
去が速くなる傾向があり、消去を速くする目的では書き
込み電圧と同等以上のできるだけ高い電圧で消去を行な
うことが望ましい。さらに、消去期間中の信号レベルも
実効値をできるだけ低くした方が消去が速くなるため、
消去信号の電圧レベルはできるだけ低くして、消去を速
くすることも望ましいことである。

本実施例では、従来の駆動波形ではΔＰの値が０．３〜
−０．２の正常なヒステリシス特性を示す範囲でしか実
用的な使用ができないのに対し、その範囲をローツイス
トドメインは発生せずに異常ヒステリシス特性を示す限
界であるΔｐ　＝　−０゜３の領域まで拡張できる。従
って、セルギャップを６．０μｍ−定と仮定すると、液
晶パネルに注入する液晶組成物に禄加するカイラルドー
パントの添加許容輻を１．９０〜１．１１ｗｔ％の０゜
７９ｗｔ％から、１．９０〜１．０２ｗｔ％の０゜８８
ｗｔ％と約１１％増加することができる。また、逆にセ
ルギャップ６．０μｍ時のΔｐ　＝　−ｏ。

１に相当する液晶組成物へのカイラルドーパント量１．
６９ｗｔ％に固定したとき、液晶パネルのセルギャップ
の許容幅は８．６７〜５．３３μｍの３．３４μｍから
、８．６７〜４．６７μｍの４．００μｍと約２０・％
増加させることができ、液晶パネルの製造マージンを広
くすることが可能となる。

−また、正常なヒステリシスを持つパネルの場合には消
去の応答速度を改善し、書き換え中に表示が消えている
部分の割合を低下させられる。

（実施例８） 電気光学装置として、７５０ｘｌ１２０画素の液晶パネ
ルを試作した。配向処理としてはＳｉＯの斜方蒸着によ
って液晶分子のプレチルト角を２５度、上下基板間の液
晶のツイスト角を２７０度に設定した。このパネルにメ
ルク社製の液晶組成物ＺＬニー３１８７にカイラルドー
パントとしてＢＤＨ社のＣ８−１５を添加したものを封
入して、液晶パネルとした。

界面規制力などセル製造の各条件やカイラルドーパント
の種類によってヒステリシス特性の発現−状況は異なる
が、例えば４．４μｍのセルギャップの液晶パネルに、
液晶組成物ＺＬニー３１８７に対してカイラルドーパン
トとしてＣ８−１５を２．４３〜２．１７ｗｔ％添加し
た液晶を注入することでΔＰの値を−０，０５〜−０，
１５としたものについては、正常なヒステリシス特性が
安定して得られた。また、Ｃ８−１５の添加量を２゜０
５ｗｔ％以下としてΔＰの値を−０，２よりも小さくす
ると、パネルによって異なるがローツイストドメインが
発生することが多くなった。ΔＰの値が−０，１５〜−
０，２の領域ではローツイストドメインは発生しないが
、液晶パネルの製造条件によっては異常ヒステリシス特
性を示したり、示さなかったりした。

これらの液晶パネルのうち、一例えばΔＰの値を−〇、
１とした正常なヒステリシス特性を示す液晶パネルでは
、３０℃において、第１３図（ａ）に示した消去期間に
パネル全面に対してゼロボルトを印加する従来のＨＴＮ
方式の駆動法による一括消去法では１３ミリ秒で消去が
可能であった。

一方、ΔＰの値を−０，２とした異常ヒステリシス特性
を示す液晶パネルでは、従来のＨＴＮ方式の駆動法によ
る消去波形では速くても数百ミリ秒、遅い場合には数秒
の単位で消去期間δ長さが必要であったのに対し、第１
３図（ｄ）あるいは（ｅ）に示すように、消去期間の先
頭に高電圧の消去用高パルスを印加し、それに引続きゼ
ロボルトと±■の反転パルスを印加する消去波形とする
ことによって、消去期間の長さを非常に短くすることが
可能であった。この駆動法によると消去期間の長さは、
正常なヒステリシス特性を持つ液晶パネルに対して消去
用の高パルス電圧印加をしない駆動法を用いた場合の消
去期間の長さとほぼ同等とすることができた。

消去波形の電圧を±２．１１ボルト、消去パルス印加時
間ｔｅｔを５〜０．２ミリ秒としたときの、消去パルス
電圧Ｖｅｌに対する消去のために必要な消去期間の長さ
τ、（単位ミリ秒）の値を第１表に示す。

第１表によると、消去用高パルスは高電圧で印加時間を
短かくする方が消去期間の長さを短縮する効果がより大
きく、よいことが判る。

この液晶パネルを、３０°Ｃにおいて、書き込みパルス
電圧ＶＯＮ＝１５．０ボルト、保持電圧ｖｈ＝２．１１
ボルト、選択期間ｔｓ＝０．　５ミリ秒、消去用高パル
スの電圧Ｖｅｌ　＝２０．０ボルト、消去用高パルス印
加時間ｔｅｌ＝０．５ミリ秒、消去信号の電圧を保持電
圧ｖｈと同じにしてマルチプレックス駆動すると、第１
３図（ｂ）の波形では最後に選択される走査信号線上の
画素の表示が消えている時間が約３６５ミリ秒であった
のに対し、第１３図（ｄ）の本発明の駆動波形では場所
にかかわらず２５ミリ秒以下であった。また、低温にす
ると一般に消去応答特性は悪化するが、本実施例の駆動
方法によって１０°Ｃでも消去期間の長さを約８０ミリ
秒以下にすることが可能であり、実用に耐えうる消去時
間となった。

本実施例では、従来の駆動波形ではΔＰの値が０．０５
〜−０．１５である正常なヒステリシス特性を示す範囲
のパネルしか実用的な使用ができないのに対し、その範
囲をローツイストドメインは発生せずに異常ヒステリシ
ス特性を示す限界であるΔＰ＝−０，２の領域まで拡張
できる。従って、セルギャップを４．４μｍ−定と仮定
すると、液晶パネルに注入する液晶組成物に添加するカ
イラルドーパントの添加許容幅を２．４３〜２．１７ｗ
ｔ％の０．２６ｗｔ％から、２．４３〜２゜０５ｗｔ％
の０．３８ｗｔ％と約４６％増加することができる。ま
た、逆にセルギャップ４．４μｍ時のΔＰ＝−０，１に
設定し、液晶組成物へのカイラルドーパント量を２．３
０ｗｔ％一定としたとき、液晶パネルのセルギャップの
許容幅を４６６４〜４．１６μｍの０．４８μｍから、
４．６４〜３．９１Ｊｚｍの０．７３７ｚｍと約５２％
も増加させることができ、液晶パネルの製造時のマージ
ンを非常に広くすることが可能となる。

以上実施例７および８で述べた消去時の高パルス印加に
よる消去応答特性の改善は、液晶組成物や、ツイスト角
やプレチルト角などのパネルの構造に依存しないことも
確認した。例えば、液晶組成物としてメルク社製のＺＬ
ニー１８４０．ＺＬニー３２３８．ＺＬＩ−３２３９，
ＺＬＩ−２４１１、ＺＬニー３２１９．ＺＬＩ−１８０
０１０００、ＺＬニー３２０１１０００．ＺＬニー１６
９１などで同様の効果があった。これらの液晶組成物で
は比較的セルギャップマージンが少ないため、特に効果
的であっ−た。また、ツイスト角は２７０度、２８５度
、３００度、３３０度、３６０度などし）わゆるスーパ
ーツイストと呼ばれる１８０度以上の領域でヒステリシ
ス特性を持つもの全般についても同様の効果があること
は確認している。

また、ネマチック−コレステリック相転移によって表示
を行なうモード仲ついてもネマチック相あるいはコレス
テリック相の初期状態に戻すのに略零ボルトを印加する
ものについても同様に本特許が有効であることも確認し
、走査線が１０００ライン程度のディスプレイにおいＣ
は表示の消えている時間を最高約１７３程度にまで改善
できた。

以上、実施例を述べたが、本発明は上記実施例にのみ限
定されるものではなく、ＨＴＮモードで消去期間中にゼ
ロボルト以外の電圧を印加するもの全てに適用でき、そ
の電圧、パルス幅などの条件に上記実施例が何等制限を
与えるものではないことはいうまでもない。

また、正常なヒステリシス特性、異常ヒステリシス特性
、あるいはローツイストドメインの発生するΔＰの値の
領域は、液晶パネルのプレチルト角なとの配向条件や配
向材料、ツイスト角やギャップ材の分布状態などの製造
条件や液晶組成物やカイラルドーパントの材料によって
も異なるため、必ずしも本発明の実施例中の値に限定さ
れるものではないことは言うまでもない。

さらに、一般に液晶組成物に対するカイラルドーパント
量と旋回力の関係は液晶組成物によって異なるため、カ
イラルドーパント量とセルギャップの組合せも本発明の
実施例中の値とは異なる可能性がある。

そのうえ、本発明の範囲はＨＴＮモードだけに限定され
るものではなく、ネマチック−コレステリック相転移型
などの、消去−書き込みと電圧印加による書き込み内容
の保持からなる、書き込み内容保持型の液晶ディスプレ
イすべてに適用できることは、本発明により容易に推測
できることも示している。

［発明の効果１ 以上説明したように、本発明によれば、消去後書き込ま
れた内容を、保持電圧を印加して保持する方法で駆動さ
れる双安定性電気光学装置において、マルチプレックス
駆動を行なった場合にも、消去のために表示が消えてい
る時間を各走査信号線につき同一で、はぼ最小限度とす
ることが可能となり、部分によって表示／消去されてい
る期間の長さが異なるために表示品位に及ぼしていた悪
影響を最小限にするという効果を有する。

また、従来のＨＴＮ方式をはじめとする駆動波形を用い
た場合には消去時間が非常に長くかかり、本来ならば実
用上使用不可能な異常ヒステリシス特性を示す液晶パネ
ルにおいても、表示の消えている時間を短くすることが
でき、実用上問題なく使用可能とすることができること
で、液晶パネルの製造時のマージンが非常に広くなり、
製造が容易になるという大きな効果を有する。

よって、デユーティ比に依存しないため原理的には走査
線を無限に増やせるＨＴＮ方式やネマチック−コレステ
リック相転移型などの、消去−書き込みと電圧印加によ
る書き込み内容の保持からなる、書き込み内容保持型の
液晶ディスプレイの表示品位の向上による使いやすさの
改善と、製造時のマージンを大きいものとすることが可
能なため製造の歩留まりを向上させることで、パソコン
、端末機、計測機用等の超高解像度ディスプレイなど、
用途を広くすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の駆動波形の概念を示す図である。 第２図（ａ）、（ｂ）は、ＨＴＮ方式の液晶パネルの電
気光学特性の一例を示す図である。 第３図は従来のＨＴＮ方式の駆動波形の概念を示す図で
ある。 第４図は、ＨＴＮ方式の液晶ディスプレイの駆動可能な
選択時間と書き込み電圧の関係の一例を示した図である
。 第５図は本発明による駆動波形の概念を示す図である。 ｔｓは書き込みのための選択期間、ｔｈは保持期間、ｔ
ｅは消去期間を示しており、実際の駆動波形はこの繰り
返しからなっている。 −回路例を示す図である。 第７図は、第６図の回路の各部分の信号波形を表す図で
ある。 第８図は、本発明の駆動波形を用いたときの、消去用反
転パルスの電圧Ｗｅと消去のために必要な消去期間の長
さτ、の関係を示す図である。 第９図は実施例３で用いた駆動波形の概念をあられす図
、第１０図は実施例４で用いた駆動波形の概念をあられ
す図、第１１図は実施例５で用いた駆動波形の概念をあ
られす図、第１２図は、実施例６で用いた駆動波形の概
念をあられす図であ第１３図は、従来例と本発明の駆動
波形の違いを説明する図であり、（ａ）は従来のＨＴＮ
方式での駆動波形、（ｂ）および（ｅ）はより高速な消
去波形、（ｄ）および（ｅ）は本発明による消去用の波
形の例を示す図である。 −第１４図は、実施例７における異常ヒステリシス特性
の例を示す図である。 第１５図は、第１３図に示した各波形を用いて消去した
場合のＨＴＮ方式の電気光学装置の光学応答の様子を示
す図であり、図中ａ−ｆの曲線は第１３図の（ａ）〜（
ｆ）の各駆動波形に対応している。 第１６図は、実施例７における駆動波形の概念をあられ
す図である。 以　　　上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士鈴木喜三郎　他１名 三１□　− １”　ｌ　　　　Ｉ＋　。 第１図 ”ｉ　　ｉｉ　　ｌ 実効ｔ五　（Ｔ） −７” 第２図（＃＝） ｊ−←」−→ｒ蜀 第３図 、

【−エニひ ゜−ＰコＣ，。）　　　” 第４図 １−１　　±Ｌ　　　　　　　　　ｔａ（幻　　　　　
　　　　　　　　　（ｂ）”１　　　　　　　　　　　
　　　　　　ｌ、１　　　　　　　　　　　　　　　　
　　コ　ＩＣｏｇ（１・＝「＝ ＝：□琴 ＴＬＣ（η優り冊冊中」μ刑４皿冊囮訃マｃＱ）−ｌｉ
ｔ■剖”ｆ日−釦圓弼二■ト第９図 ｔ、、　　　１＄ ＣＤＨ（１）　　　＋　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　１＋　　　ｏｆ １　　ｎｆ　　ｌ　　　ｊ！ 第１０図 −１Ｌ−一と＝隻− −□ ＣＤ８０】 ＳＬｒ：ｒ（１）　＃丁＋” ｔ（２） 第１１図 ｃｏＨｔｌ） ＣＤＭ（２）　　　　　　　　　　。 ＣＤＨｔｓ） ＳＥｋ（（Ｊ　　　　− ■ ′ｖＬａ＜ｚ） １■ 第１２図 １−Ａ本１口１生。 １　　　Ｈ −ｎ１　　　　　−１ｒｌ 第１３図 第１５図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）消去後書き込まれた表示内容を保持電圧を印加す
   ることで保持する方法で駆動する双安定性電気光学装置
   に対して、特定の場所における表示内容の消去期間に印
   加される実効値電圧を、表示を保持することが可能な電
   圧よりも低く設定することを特徴とする電気光学装置の
   駆動方法。
2. （２）各走査信号線における消去期間の開始時期が、直
   前の走査信号線における消去の開始時期に対して少なく
   とも書き込みに要する選択パルス幅の時間以上遅れてい
   ることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の駆動
   方法。
3. （３）表示内容を消去する期間中に印加される実効値電
   圧を、表示を保持する事が可能な保持電圧の上限値の（
   ２／３）＾１＾／＾２倍よりも低く設定することを特徴
   とする請求項１または２記載の電気光学装置の駆動方法
   。
4. （４）表示内容を消去する期間に印加される他の走査信
   号線用のデータおよび保持用の電圧を、選択期間の１／
   ４以上に相当する時間繰り返して走査信号に印加するこ
   とを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電気光
   学装置の駆動方法。
5. （５）表示内容を消去する期間の最初に、保持電圧より
   も高い電圧レベルを持つ消去用の高パルスを印加するこ
   とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電気光
   学装置の駆動方法。
6. （６）表示内容を消去する期間の最初に印加する消去用
   高パルスの電圧レベルを、書き込みのための選択電圧と
   同等以上に設定することを特徴とする請求項１〜５のい
   ずれかに記載の電気光学装置の駆動方法。