JPH02110919A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPH02110919A JPH02110919A JP26357488A JP26357488A JPH02110919A JP H02110919 A JPH02110919 A JP H02110919A JP 26357488 A JP26357488 A JP 26357488A JP 26357488 A JP26357488 A JP 26357488A JP H02110919 A JPH02110919 A JP H02110919A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は半導体素子の成膜装置に関するものである。
Ｂ８発明の概要
本発明は、ターゲットと基板間にプラズマを発生させて
基板上に成膜するようにした成膜装置において、 前記ターゲットを棒状のターゲット片で形成すると共に
、このターゲット片から発生するプラズマを制御するプ
ラズマ制御コイルを設けることにより、 成膜特性が優れた成膜装置を得る。
基板上に成膜するようにした成膜装置において、 前記ターゲットを棒状のターゲット片で形成すると共に
、このターゲット片から発生するプラズマを制御するプ
ラズマ制御コイルを設けることにより、 成膜特性が優れた成膜装置を得る。
Ｃ１従来の技術
従来、太陽電池等に使用されるアモンファス半導体例え
ばａ−３ｉ、ａ−ＳｉＣ，ａ−９ｉＧ＋２は容奄結合型
ＲＦＰＣＶＤ法（高周波プラズマ化学蒸着法）によって
作られていた。
ばａ−３ｉ、ａ−ＳｉＣ，ａ−９ｉＧ＋２は容奄結合型
ＲＦＰＣＶＤ法（高周波プラズマ化学蒸着法）によって
作られていた。
Ｄ８発明が解決しようとする課題
容量結合型ＲＦＰＣＶＤ法は比較的高い圧力（０゜５〜
数Ｔｏｒｒ）で行われるため、ガス粒子の平均自由工程
が短く気相中での活性種の相反芯や基板への大きなイオ
ン損傷を伴い、良質膜作製の障害となっている。
数Ｔｏｒｒ）で行われるため、ガス粒子の平均自由工程
が短く気相中での活性種の相反芯や基板への大きなイオ
ン損傷を伴い、良質膜作製の障害となっている。
特にａ−９ｉでは、Ｓ ｉ Ｈ，／ ＣＨ４＝ １ ／
ｌのガス比で膜中への炭素同人ｆｆｉ （Ｃ導入量）
はどの様にしても数％（５〜８％）程度となる。このこ
とが特性を飛躍的に向上出来ない事になる。また、Ｃ一
種をＣ，Ｈ，等に変えるとＣ導入量は増加するか膜中に
−Ｃ、！−１５基が入り膜質を悪くする問題が多かった
。
ｌのガス比で膜中への炭素同人ｆｆｉ （Ｃ導入量）
はどの様にしても数％（５〜８％）程度となる。このこ
とが特性を飛躍的に向上出来ない事になる。また、Ｃ一
種をＣ，Ｈ，等に変えるとＣ導入量は増加するか膜中に
−Ｃ、！−１５基が入り膜質を悪くする問題が多かった
。
本発明は」二連の問題点に鑑みてなされたしので、その
目的は低圧成膜ができるスパッタ法によるプラズマ生成
と、スパッタの欠点である。低いデボジノジン率を、タ
ーゲラｌ−面効而債の増大効果により解決することで高
いデポジション率を有し、かつ低圧下で活性種を相互反
応を抑制しかつ基板−トへのイオン照射を適度に行うこ
とができろ成膜装置を提供することである。
目的は低圧成膜ができるスパッタ法によるプラズマ生成
と、スパッタの欠点である。低いデボジノジン率を、タ
ーゲラｌ−面効而債の増大効果により解決することで高
いデポジション率を有し、かつ低圧下で活性種を相互反
応を抑制しかつ基板−トへのイオン照射を適度に行うこ
とができろ成膜装置を提供することである。
８１課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、真空容器内にター
ゲットホルダ電極とこのターゲットホルダ電極に対向し
て基板ホルダーを設け、前記ターゲットホルダ電極にタ
ーゲットを配設し、前記基板ホルダーに成膜すべき基板
を配設すると共に、前記ターゲットからプラズマを発生
させて前記基板に成膜するようにした成膜装置において
、前記ターゲットを棒状ターゲット片によって形成し、
ｎＮ記真空容器にプラズマ室と成膜室を形成すると共に
、プラズマ室と成膜室に関して前記プラズマの進路外周
部位にプラズマを収束させるプラズマ制御コイルを配設
して成膜装置を構成する。
ゲットホルダ電極とこのターゲットホルダ電極に対向し
て基板ホルダーを設け、前記ターゲットホルダ電極にタ
ーゲットを配設し、前記基板ホルダーに成膜すべき基板
を配設すると共に、前記ターゲットからプラズマを発生
させて前記基板に成膜するようにした成膜装置において
、前記ターゲットを棒状ターゲット片によって形成し、
ｎＮ記真空容器にプラズマ室と成膜室を形成すると共に
、プラズマ室と成膜室に関して前記プラズマの進路外周
部位にプラズマを収束させるプラズマ制御コイルを配設
して成膜装置を構成する。
また、前記ターゲットを電極ロッドと、この電極ロット
に連設され前記プラズマ室内に配置されたターゲットホ
ルダ電極と、このターゲットホルダ電極に取り付けられ
た複数個の棒状のターゲット片によって構成する。
に連設され前記プラズマ室内に配置されたターゲットホ
ルダ電極と、このターゲットホルダ電極に取り付けられ
た複数個の棒状のターゲット片によって構成する。
１９作用
〔ｌラド付ターゲットによりスパッタ有効面積を増加さ
せ、ガスプラズマをヘルムホルツ磁場効果て制御しなが
ら堰板近傍に輸送し、同時にソースガスをそのプラズマ
で分離させて、所望の分子が多電に入った膜を基板−Ｌ
に生成する。
せ、ガスプラズマをヘルムホルツ磁場効果て制御しなが
ら堰板近傍に輸送し、同時にソースガスをそのプラズマ
で分離させて、所望の分子が多電に入った膜を基板−Ｌ
に生成する。
Ｇ 実施例
以下に本発明の実施例を第１図〜第・１図を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第１図は本発明の実施例によろ成膜装置の上略構成図で
あって、ｌはプラズマ室（スパッタソース室）ｌａを形
成する第１の容器で、この第１の容器ｌは有底円筒状に
形成されている。２は第１の容器１に連設され成膜室２
ａを形成する第２の容器、３は排気口、４ａはＨ，ガス
の流量を制御する第１の質量流量制御器（ＭＦＣ）で第
１のコック５ａを介してプラズマ室ｌａ内と連通してい
る。４ｂはＳ ｉＨ４／ Ｈ２の混合ガスの流量を制御
する第２の質９流ｍ制御器（ＭＦＣ）で第２のコック５
ｂを介して成膜室２ａ内に連通している。
あって、ｌはプラズマ室（スパッタソース室）ｌａを形
成する第１の容器で、この第１の容器ｌは有底円筒状に
形成されている。２は第１の容器１に連設され成膜室２
ａを形成する第２の容器、３は排気口、４ａはＨ，ガス
の流量を制御する第１の質量流量制御器（ＭＦＣ）で第
１のコック５ａを介してプラズマ室ｌａ内と連通してい
る。４ｂはＳ ｉＨ４／ Ｈ２の混合ガスの流量を制御
する第２の質９流ｍ制御器（ＭＦＣ）で第２のコック５
ｂを介して成膜室２ａ内に連通している。
４ＣはＣｘ Ｈｙ／ Ｈ２の混合ガスの流量を制御する
質量流量制御器で第３のコック５Ｃを介して成膜室２ａ
と連通している。６は高周波電源（Ｒ−１；”電源）で
ある。
質量流量制御器で第３のコック５Ｃを介して成膜室２ａ
と連通している。６は高周波電源（Ｒ−１；”電源）で
ある。
第２の容器２の成膜室２ａ内にはベローズ７を介して基
板ホルダー８が挿設され、基板ホルダー８にはヒータ９
が設けられていると共に、成膜すべき基板ｌＯが配設さ
れている。第１の容器ｌのプラズマ室ｌａ内にはプラズ
マ整流板１１が配設されており、第１の容器ｌの外周に
は第１のプラズマ制御コイル１２と第２のプラズマ制御
コイル１３が巻装されていると共に、第２の容器２の外
周には第３のプラズマ制御コイル１４が巻装されている
。
板ホルダー８が挿設され、基板ホルダー８にはヒータ９
が設けられていると共に、成膜すべき基板ｌＯが配設さ
れている。第１の容器ｌのプラズマ室ｌａ内にはプラズ
マ整流板１１が配設されており、第１の容器ｌの外周に
は第１のプラズマ制御コイル１２と第２のプラズマ制御
コイル１３が巻装されていると共に、第２の容器２の外
周には第３のプラズマ制御コイル１４が巻装されている
。
第１の容器Ｉの底部には絶縁部材１５を介してターゲッ
トホルダー１６が配設されている。ターゲットホルダー
１６は電極ロッド１７とターゲットホルダ電極１８から
なり、ターゲットホルダ電極１８にはターゲット部１９
が配設されている。
トホルダー１６が配設されている。ターゲットホルダー
１６は電極ロッド１７とターゲットホルダ電極１８から
なり、ターゲットホルダ電極１８にはターゲット部１９
が配設されている。
第２図、第３図に示すように、ターゲット部１９はター
ゲットホルダ電極１８において同一円周上に配設された
グラファイト材からなる円柱状のターゲット片２０ａ〜
２０ｄによって構成され、これらのターゲット片２０ａ
〜２０ｄはそれぞれネジ部２１によってターゲットホル
ダ電極１８に取り付けられている。
ゲットホルダ電極１８において同一円周上に配設された
グラファイト材からなる円柱状のターゲット片２０ａ〜
２０ｄによって構成され、これらのターゲット片２０ａ
〜２０ｄはそれぞれネジ部２１によってターゲットホル
ダ電極１８に取り付けられている。
上記構成の成膜装置において、Ｃ源ソース発生と導入し
たガスによるプラズマ生成とを兼ねるプラズマ室１ａに
Ｈ，ガスを導入し、高周波電力により着火して水素プラ
ズマを生成する。これにより、グラファイトターゲット
をスパッタし、Ｉ（１プラズマ中に瞬時に多量のＣＨｘ
活性種が生成し、高周波電力により一定の混合比が出来
て平衡する。
たガスによるプラズマ生成とを兼ねるプラズマ室１ａに
Ｈ，ガスを導入し、高周波電力により着火して水素プラ
ズマを生成する。これにより、グラファイトターゲット
をスパッタし、Ｉ（１プラズマ中に瞬時に多量のＣＨｘ
活性種が生成し、高周波電力により一定の混合比が出来
て平衡する。
このままでは通常のスパッタと何等変わりなく、プラズ
マは壁の方へ拡散し密度が希になる。そこで、プラズマ
室１ａの外に設置した第１．第２のプラズマ制御コイル
１２．１３に交流の高周波電流を流し、ターゲット電極
径がそれの７０％程度になる様に電流を制御することに
より、生成したプラズマを密にかつ安定で多量に生成さ
ける。生成したプラズマは接地した基板ホルダー８の方
に引き出されて行く。この時、第１．第２のプラズマ制
御コイル１２．１３で集密されたプラズマは広がりをみ
仕る。
マは壁の方へ拡散し密度が希になる。そこで、プラズマ
室１ａの外に設置した第１．第２のプラズマ制御コイル
１２．１３に交流の高周波電流を流し、ターゲット電極
径がそれの７０％程度になる様に電流を制御することに
より、生成したプラズマを密にかつ安定で多量に生成さ
ける。生成したプラズマは接地した基板ホルダー８の方
に引き出されて行く。この時、第１．第２のプラズマ制
御コイル１２．１３で集密されたプラズマは広がりをみ
仕る。
成膜室２ａでは第３のプラズマ制御コイル１４に電流（
ＡＣ）を流すことにより広がったプラズマを基［１０に
集める役目をし、第２のプラズマ制御コイル１３の電流
を制御することによってプラズマのｍを制御する。この
様にプラズマを制御した所にＳ ｉ Ｈ４ガスを導入し
、Ｈｔプラズマにより５ｉｔ（４が解離する。予めプラ
ズマ室１ａで電流を生成したＣ Ｈｘ種と解離したＳ
ｉ Ｉ−１ｘ種が基板近傍で混り合い、エネルギー的に
はＣＨｘの方が高いので、膜中に多量のＣを含むＳｉＣ
膜を生成させることができる。
ＡＣ）を流すことにより広がったプラズマを基［１０に
集める役目をし、第２のプラズマ制御コイル１３の電流
を制御することによってプラズマのｍを制御する。この
様にプラズマを制御した所にＳ ｉ Ｈ４ガスを導入し
、Ｈｔプラズマにより５ｉｔ（４が解離する。予めプラ
ズマ室１ａで電流を生成したＣ Ｈｘ種と解離したＳ
ｉ Ｉ−１ｘ種が基板近傍で混り合い、エネルギー的に
はＣＨｘの方が高いので、膜中に多量のＣを含むＳｉＣ
膜を生成させることができる。
上述のようにして作製したアモルファスＳｉＣについて
実施例を示す。
実施例を示す。
第１図に示すように、成膜室２ａ内において基板ホルダ
ー８に基板１０をセットし３００°Ｃに保持する。ベー
ス圧力をｌｏ’Ｔｏｒｒ（Ｉ ０−５Ｐａ）以下に充分
真空引きした後、第１の質量流全制御器４ａにより流量
制御して水素（Ｈｔ ）を５０３ＣＣＭ流す。この状態
でプラズマ室１ａ内圧力を０．２Ｔｏ ｒ ｒ （２，
６５ｘ １０Ｐａ）で着火し直ぐに２ＸＩＯ−３Ｔｏｒ
ｒ （２，６６ＸＩＯ−’Ｐａ）に低くする。高周波ミ
ノＪＩＫＷを投入して水素プラズマを立てターゲット部
１９をスパッタして水素プラズマ中にＣＨＸ種を立ち入
れる。これと同時に第１．第２のプラズマ制御コイル１
２．１３に電流を流すと、約１０〜２ＯＡでプラズマは
約７０％に集密される。
ー８に基板１０をセットし３００°Ｃに保持する。ベー
ス圧力をｌｏ’Ｔｏｒｒ（Ｉ ０−５Ｐａ）以下に充分
真空引きした後、第１の質量流全制御器４ａにより流量
制御して水素（Ｈｔ ）を５０３ＣＣＭ流す。この状態
でプラズマ室１ａ内圧力を０．２Ｔｏ ｒ ｒ （２，
６５ｘ １０Ｐａ）で着火し直ぐに２ＸＩＯ−３Ｔｏｒ
ｒ （２，６６ＸＩＯ−’Ｐａ）に低くする。高周波ミ
ノＪＩＫＷを投入して水素プラズマを立てターゲット部
１９をスパッタして水素プラズマ中にＣＨＸ種を立ち入
れる。これと同時に第１．第２のプラズマ制御コイル１
２．１３に電流を流すと、約１０〜２ＯＡでプラズマは
約７０％に集密される。
次に、成膜室２ａに３０％Ｈ７希釈したＳｉＨ＋をｌ
ＯＯＳＣＣＭ流ず。５ｉ）（４を導入すると同時に排気
弁（図示仕ず）を制御することにより２Ｘ］（Ｉ３′ｒ
ｏｒｒ （２，６６Ｘ１０−’Ｐａ）にする。
ＯＯＳＣＣＭ流ず。５ｉ）（４を導入すると同時に排気
弁（図示仕ず）を制御することにより２Ｘ］（Ｉ３′ｒ
ｏｒｒ （２，６６Ｘ１０−’Ｐａ）にする。
同時に第３のプラズマ制御コイルＩ４に電流を１０〜２
ＯＡ流す。プラズマの状態を見ながら第２のプラズマ制
御コイル１３の電流を自動的に減少させ、１〜５Ａ程度
とすることで基板ＩＯ上に適度なプラズマ状態を得るこ
とが出来る。この様にして作製したａ−９ｉＣの成膜ス
ピードと高周波電力を３００Ｗ、５００Ｗ、７００Ｗに
変えたときの成膜スピードとＥ Ｓ ＣＡ （Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ ５ｐｅｃｔｒｏｓＣｏｐｙ Ｆｏｒ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ ； Ｘ線光電子分析
）により定量した膜中０両の値を第４図に示す。
ＯＡ流す。プラズマの状態を見ながら第２のプラズマ制
御コイル１３の電流を自動的に減少させ、１〜５Ａ程度
とすることで基板ＩＯ上に適度なプラズマ状態を得るこ
とが出来る。この様にして作製したａ−９ｉＣの成膜ス
ピードと高周波電力を３００Ｗ、５００Ｗ、７００Ｗに
変えたときの成膜スピードとＥ Ｓ ＣＡ （Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ ５ｐｅｃｔｒｏｓＣｏｐｙ Ｆｏｒ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ ； Ｘ線光電子分析
）により定量した膜中０両の値を第４図に示す。
上記実施例の成膜装置によれば、次のような利点がある
。
。
（１）ターゲットホルダ電極１８に４個の円柱状ターゲ
ット片２０ａ〜２０ｄを設けたから、ターゲット面積を
平板状ターゲットに比べて約４倍とすることが出来、か
つプラズマ生成により４個が一体となったプラズマバル
クを作るため、多量のＣＨｘ活性種−作れる。
ット片２０ａ〜２０ｄを設けたから、ターゲット面積を
平板状ターゲットに比べて約４倍とすることが出来、か
つプラズマ生成により４個が一体となったプラズマバル
クを作るため、多量のＣＨｘ活性種−作れる。
（２）圧力が１０−”Ｉ”ｏｒｒ台であるから、ＲＦ
Ｐ ＣＶ Ｄに比べて飛躍的に平均自由行程を長くする
ことが出来る。これにより、気相中での相互反応をなく
することか出来、良質膜作製が可能である。
Ｐ ＣＶ Ｄに比べて飛躍的に平均自由行程を長くする
ことが出来る。これにより、気相中での相互反応をなく
することか出来、良質膜作製が可能である。
（３）Ｃ源はスパッタにより得られるので、Ｃ源の運動
エネルギーか５ｉｌｌｘ種のらのよりも高く、このため
従来から言われているＲ ＦＩ） ＣＶ Ｄの場合のＣ
導入量が低い所もない。
エネルギーか５ｉｌｌｘ種のらのよりも高く、このため
従来から言われているＲ ＦＩ） ＣＶ Ｄの場合のＣ
導入量が低い所もない。
（４）プラズマ輸送は３つのプラズマ制御コイルにより
ヘルムホルツ効果で行え、かつコイル電流を制御するこ
とによりプラズマの密１１を高く保持でき低圧下でも安
定させることが出来る。
ヘルムホルツ効果で行え、かつコイル電流を制御するこ
とによりプラズマの密１１を高く保持でき低圧下でも安
定させることが出来る。
１−１ 発明の効果
本発明は上述の如くであって、ターゲットとしてスパッ
タ有効面積が増加するものを用い、ガスプラズマをヘル
ムホルツ磁場効果で制御しながら基板近傍に輸送し、同
時にソースガスを分離させるようにしたから、高性能な
膜を生成できる効果が得られる。
タ有効面積が増加するものを用い、ガスプラズマをヘル
ムホルツ磁場効果で制御しながら基板近傍に輸送し、同
時にソースガスを分離させるようにしたから、高性能な
膜を生成できる効果が得られる。
図面は本発明の実施例に関するもので、第１図は本発明
の実施例による成膜装置の概略構成図、第２図はターゲ
ット部の正面図、第３図はターゲット部の側面図、第４
図は実施例の特性図である。 Ｉ・・・第１の容器、Ｉａ・・・プラズマ室、２・・・
第２の容器、２ａ・・・成膜室、８・・・基板ホルダー
ＩＯ・・・基板、１２・・・第１のプラズマ制御コイ
ル、Ｉ２・・・第２のプラズマ制御コイル、１４・・・
第３のプラズマ制御コイル、１６・・・ターゲットボル
ダ−１７・ターゲットホルダ電極、１８・・・電極ロッ
ド、Ｉ９・・・ターゲット部、２０ａ〜２０ｄ・・・タ
ーゲット片。 第４図 Ｒ，Ｆ、電力 （Ｗ） 第２図 タープ゛ヅト邦の正面圏 ２１１ノＢ１ 第３図 ターフ′ヅト邪℃イ則面園
の実施例による成膜装置の概略構成図、第２図はターゲ
ット部の正面図、第３図はターゲット部の側面図、第４
図は実施例の特性図である。 Ｉ・・・第１の容器、Ｉａ・・・プラズマ室、２・・・
第２の容器、２ａ・・・成膜室、８・・・基板ホルダー
ＩＯ・・・基板、１２・・・第１のプラズマ制御コイ
ル、Ｉ２・・・第２のプラズマ制御コイル、１４・・・
第３のプラズマ制御コイル、１６・・・ターゲットボル
ダ−１７・ターゲットホルダ電極、１８・・・電極ロッ
ド、Ｉ９・・・ターゲット部、２０ａ〜２０ｄ・・・タ
ーゲット片。 第４図 Ｒ，Ｆ、電力 （Ｗ） 第２図 タープ゛ヅト邦の正面圏 ２１１ノＢ１ 第３図 ターフ′ヅト邪℃イ則面園
Claims (2)
- （１）真空容器内にターゲットホルダ電極とこのターゲ
ットホルダ電極に対向して基板ホルダーを設け、前記タ
ーゲットホルダ電極にターゲットを配設し、前記基板ホ
ルダーに成膜すべき基板を配設すると共に、前記ターゲ
ットからプラズマを発生させて前記基板に成膜するよう
にした成膜装置において、前記ターゲットを棒状ターゲ
ット片によって形成し、前記真空容器にプラズマ室と成
膜室を形成すると共に、プラズマ室と成膜室に関して前
記プラズマの進路外周部位にプラズマを収束させるプラ
ズマ制御コイルを配設して構成したことを特徴とする成
膜装置。 - （２）前記ターゲットを電極ロッドと、この電極ロッド
に連設され前記プラズマ室内に配置されたターゲットホ
ルダ電極と、このターゲットホルダ電極に取り付けられ
た複数個の棒状のターゲット片によって構成したことを
特徴とする請求項第１項の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26357488A JPH02110919A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26357488A JPH02110919A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110919A true JPH02110919A (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=17391444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26357488A Pending JPH02110919A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02110919A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109655A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Applied Materials Japan Kk | Ｃｖｄ−スパツタ装置 |
| JPH0688222A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-03-29 | Nachi Fujikoshi Corp | スパッタイオンプレーティング装置 |
| JP2006176822A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
| JPWO2021176911A1 (ja) * | 2020-03-03 | 2021-09-10 |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP26357488A patent/JPH02110919A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109655A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Applied Materials Japan Kk | Ｃｖｄ−スパツタ装置 |
| JPH0688222A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-03-29 | Nachi Fujikoshi Corp | スパッタイオンプレーティング装置 |
| JP2006176822A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
| JPWO2021176911A1 (ja) * | 2020-03-03 | 2021-09-10 | ||
| TWI861356B (zh) * | 2020-03-03 | 2024-11-11 | 日商東麗股份有限公司 | 樹脂接合體的製造裝置及樹脂接合體的製造方法 |
| US12151440B2 (en) | 2020-03-03 | 2024-11-26 | Toray Industries, Inc. | Apparatus for producing joined-resin product and method for producing joined-resin product |
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