JPH02112200A - 誘導プラズマ応用装置 - Google Patents
誘導プラズマ応用装置Info
- Publication number
- JPH02112200A JPH02112200A JP63263632A JP26363288A JPH02112200A JP H02112200 A JPH02112200 A JP H02112200A JP 63263632 A JP63263632 A JP 63263632A JP 26363288 A JP26363288 A JP 26363288A JP H02112200 A JPH02112200 A JP H02112200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- plasma flame
- flame
- tube
- irradiated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、誘導プラズマ成膜装置等の誘導プラズマ応用
装置に関する。
装置に関する。
（従来技術）
物体の表面の耐熱性を向上させる目的で、耐熱性に秀れ
た粉末等の物質を１万度程度の高温プラズマ中に通して
溶かし、この溶融した物質を被処理材料に導き、溶融物
質を材料に溶射したり、材料上に粉末物質の膜あるいは
粉末物質とプラズマカスあるいは反応ガスとの反応物質
の膜を形成することが行われているが、このプラズマを
発生させるために誘導プラズマ発生装置か用いられてい
る。
た粉末等の物質を１万度程度の高温プラズマ中に通して
溶かし、この溶融した物質を被処理材料に導き、溶融物
質を材料に溶射したり、材料上に粉末物質の膜あるいは
粉末物質とプラズマカスあるいは反応ガスとの反応物質
の膜を形成することが行われているが、このプラズマを
発生させるために誘導プラズマ発生装置か用いられてい
る。
この装置では、絶縁性物質で形成された円筒状の管の周
囲に高周波電源により駆動される加熱用のＲＦコイルを
配置するようにしている。この構成で、ＲＦコイルに励
磁電流を流すと、管の内部に誘導プラズマか発生ずるか
、このプラズマの温度は、］万度から１万５千度程度と
かなりの高温になり、このプラズマ内に成膜用の物質を
流すことにより、この物質を溶解することかできる。溶
解された物質は、管に連通したチャンバー内に配置され
た材料上に照射され、例えば、該材料上に所望物質の膜
が形成される。
囲に高周波電源により駆動される加熱用のＲＦコイルを
配置するようにしている。この構成で、ＲＦコイルに励
磁電流を流すと、管の内部に誘導プラズマか発生ずるか
、このプラズマの温度は、］万度から１万５千度程度と
かなりの高温になり、このプラズマ内に成膜用の物質を
流すことにより、この物質を溶解することかできる。溶
解された物質は、管に連通したチャンバー内に配置され
た材料上に照射され、例えば、該材料上に所望物質の膜
が形成される。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、この高周波誘導プラズマは、ＤＣの熱プラズ
マに比較して、プラズマ内の流速が遅く、注入材料の蒸
発や反応等の時間か充分にとれる有利さかあるが、一方
、成膜の観点からすると、プラズマフレーム自体それは
と大きくなく、又、均一性も高くない。従って、スポッ
ト的な成膜なら良いが、比較的面積の大きな材料上に成
膜しようとしても、均一な成膜は困難となる。
マに比較して、プラズマ内の流速が遅く、注入材料の蒸
発や反応等の時間か充分にとれる有利さかあるが、一方
、成膜の観点からすると、プラズマフレーム自体それは
と大きくなく、又、均一性も高くない。従って、スポッ
ト的な成膜なら良いが、比較的面積の大きな材料上に成
膜しようとしても、均一な成膜は困難となる。
本発明は、」一連した点に鑑みてなされたもので、その
目的は、大きな面積の材料であっても均一な成膜等の処
理を行うことができる誘導プラズマ応用装置を実現する
ことにある。
目的は、大きな面積の材料であっても均一な成膜等の処
理を行うことができる誘導プラズマ応用装置を実現する
ことにある。
（課題を解決するための手段）
前記した課題を解決する本発明は、絶縁性物質で形成さ
れた管の周囲に巻回されたＲＦコイルに励磁電流を流し
て管内部に誘導プラズマを発生させ、誘導プラズマから
のフレームを被処理材料に照射するようにした誘導プラ
ズマ応用装置において、プラズマフレームの外側に電磁
偏向手段を配置したことを特徴としている。
れた管の周囲に巻回されたＲＦコイルに励磁電流を流し
て管内部に誘導プラズマを発生させ、誘導プラズマから
のフレームを被処理材料に照射するようにした誘導プラ
ズマ応用装置において、プラズマフレームの外側に電磁
偏向手段を配置したことを特徴としている。
（作用）
誘導プラズマからのフレームは、フレームの外側に配置
された電磁偏向手段によって偏向され、被処理材料表面
は、プラズマフレームによって適宜走査され、材料表面
の広い範囲が均一にプラズマフレームによって照射され
る。
された電磁偏向手段によって偏向され、被処理材料表面
は、プラズマフレームによって適宜走査され、材料表面
の広い範囲が均一にプラズマフレームによって照射され
る。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。添附図面は本発明に基づく誘導プラズマ成膜装置を示
しており、図中１は誘導ブラスマ発生部（１・−チ）で
あり、Ｉ・−チ］は、石英等の絶縁性物質で形成された
円筒状の管２．ガス供給ノスル３および管２の周囲に巻
回されたＲＦフイ３には、複数の孔５が穿たれており、
孔５は、図示していないが、カス供給源や成膜物質供給
源に接続されている。又、ＲＦコイル４は、図示してい
ない高周波電源に接続されている。なお、通常、管２は
二重に形成され、その二重管の間には冷却水が流されて
、管を冷却するように構成される。
。添附図面は本発明に基づく誘導プラズマ成膜装置を示
しており、図中１は誘導ブラスマ発生部（１・−チ）で
あり、Ｉ・−チ］は、石英等の絶縁性物質で形成された
円筒状の管２．ガス供給ノスル３および管２の周囲に巻
回されたＲＦフイ３には、複数の孔５が穿たれており、
孔５は、図示していないが、カス供給源や成膜物質供給
源に接続されている。又、ＲＦコイル４は、図示してい
ない高周波電源に接続されている。なお、通常、管２は
二重に形成され、その二重管の間には冷却水が流されて
、管を冷却するように構成される。
トーチ１の下部には、材料６が内部に配置されるチャン
バー７か接続されている。チャンバー７は、非磁性材料
で形成されており、その内部は、排気管８を介してロー
タリポンプの如き排気ポンプ９によって排気される。又
、チャンバー７の外側には、電磁偏向コイル１０が配置
されている。
バー７か接続されている。チャンバー７は、非磁性材料
で形成されており、その内部は、排気管８を介してロー
タリポンプの如き排気ポンプ９によって排気される。又
、チャンバー７の外側には、電磁偏向コイル１０が配置
されている。
このように構成された装置の動作を説明すれば、以下の
通りである。装置の初期状態においては、ガスノスル３
に穿たれた孔５から、例えば、アルゴンガスを供給する
と共に、ＲＦコイル４に高周波を供給する。この状態で
プラズマを着火し、その後、アルゴンガスに代えて酸素
ガスや窒素ガスを供給し、更に、キャリアーガスと共に
、成膜用あるいは材料への溶射用の物質を管２内部に供
給する。この結果、物質は１万度〜１万５千度に加熱さ
れたプラズマによって溶融する。
通りである。装置の初期状態においては、ガスノスル３
に穿たれた孔５から、例えば、アルゴンガスを供給する
と共に、ＲＦコイル４に高周波を供給する。この状態で
プラズマを着火し、その後、アルゴンガスに代えて酸素
ガスや窒素ガスを供給し、更に、キャリアーガスと共に
、成膜用あるいは材料への溶射用の物質を管２内部に供
給する。この結果、物質は１万度〜１万５千度に加熱さ
れたプラズマによって溶融する。
トーチ１内で発生したプラズマからの溶融物質を含むフ
レームＦは、月料６に照射される。ここで、チャンバー
７の外側に配置された偏向コイルに電流を流すと、この
コイルによる磁界により、フレミングの右手の法則によ
ってフレームＦは曲げられる。このフレームＦの曲げら
れる方向、大きさは、偏向コイルに流される電流に応じ
て変えられ。従って、材料７の全面に渡ってプラズマフ
レームを均一に照射することが可能となり、成膜の場合
には、材料表面の広い範囲に渡って均一な膜を形成する
ことができる。このプラズマフレームの走査は、２次元
的であっても良く、又、帯状の材料の場合は、材料を長
手方向に移動させ、フレームを移動方向とは直角方向に
走査するようにしても良い。
レームＦは、月料６に照射される。ここで、チャンバー
７の外側に配置された偏向コイルに電流を流すと、この
コイルによる磁界により、フレミングの右手の法則によ
ってフレームＦは曲げられる。このフレームＦの曲げら
れる方向、大きさは、偏向コイルに流される電流に応じ
て変えられ。従って、材料７の全面に渡ってプラズマフ
レームを均一に照射することが可能となり、成膜の場合
には、材料表面の広い範囲に渡って均一な膜を形成する
ことができる。このプラズマフレームの走査は、２次元
的であっても良く、又、帯状の材料の場合は、材料を長
手方向に移動させ、フレームを移動方向とは直角方向に
走査するようにしても良い。
以上本発明の一実施例を説明したが、本発明はこの実施
例に限定されない。例えば、成膜装置以外にも、プラズ
マフレームによる溶射装置等にも本発明を適用すること
ができる。
例に限定されない。例えば、成膜装置以外にも、プラズ
マフレームによる溶射装置等にも本発明を適用すること
ができる。
（効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、被処理
月料に照射されるプラズマフレームを磁場によって偏向
し、材料表面をフレームによって走査するようにしたの
で、材料全面に渡って、均一にフレームを照射すること
ができる。
月料に照射されるプラズマフレームを磁場によって偏向
し、材料表面をフレームによって走査するようにしたの
で、材料全面に渡って、均一にフレームを照射すること
ができる。
添附図面は、本発明の一実施例である誘導ブラズマ成膜
装置を示す図である。 １・・・ドータ ２・管
装置を示す図である。 １・・・ドータ ２・管
Claims (1)
- 絶縁性物質で形成された管の周囲に巻回されたＲＦコイ
ルに励磁電流を流して管内部に誘導プラズマを発生させ
、誘導プラズマからのフレームを被処理材料に照射する
ようにした誘導プラズマ応用装置において、プラズマフ
レームの外側に電磁偏向手段を配置したことを特徴とす
る誘導プラズマ応用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63263632A JPH02112200A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 誘導プラズマ応用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63263632A JPH02112200A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 誘導プラズマ応用装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02112200A true JPH02112200A (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=17392200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63263632A Pending JPH02112200A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 誘導プラズマ応用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02112200A (ja) |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP63263632A patent/JPH02112200A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63274762A (ja) | 反応蒸着膜の形成装置 | |
| US5159173A (en) | Apparatus for reducing plasma constriction by intermediate injection of hydrogen in RF plasma gun | |
| US4831230A (en) | Surface shaping and finishing apparatus and method | |
| GB2223032A (en) | Apparatus for applying dielectric or metallic materials to a substrate | |
| US3210518A (en) | Hollow cathode device | |
| US4555611A (en) | Method and apparatus for uniformly heating articles in a vacuum container | |
| JP3022794B2 (ja) | ダイヤモンド様炭素薄膜堆積装置 | |
| JP2004523869A (ja) | プラズマ溶接法 | |
| EP0448098B1 (en) | Method of generating a heat-plasma and coating apparatus employing said method | |
| JPH08274067A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| US5095189A (en) | Method for reducing plasma constriction by intermediate injection of hydrogen in RF plasma gun | |
| US5039836A (en) | Radiation manufacturing apparatus and method | |
| KR100246490B1 (ko) | 저전압 아크방전 및 가변자석에 의한 기판 가열방법 및 장치 | |
| US3449505A (en) | Method of and means for heat-treating refractory materials at high temperatures | |
| JPH01292828A (ja) | 誘導プラズマ応用装置 | |
| JPH05242995A (ja) | 誘導プラズマ発生装置におけるプラズマ着火方法 | |
| JP2595365B2 (ja) | 熱プラズマジェット発生装置 | |
| US5170032A (en) | Radiation manufacturing apparatus and amendment | |
| JPS6250098A (ja) | 金属化合物の粉末冶金装置 | |
| US3136835A (en) | Method and means for equalizing the heat balance within an electric furnace | |
| JPH0367496A (ja) | 誘導プラズマ発生装置 | |
| JPH0367497A (ja) | 誘導プラズマ発生装置 | |
| US5231259A (en) | Radiation manufacturing apparatus | |
| JPH0367499A (ja) | 誘導プラズマ発生装置 | |
| JP7770685B2 (ja) | プラズマ発生装置およびプラズマ処理方法 |