JPH02114193A - 薄膜放射線検出体の製造方法 - Google Patents
薄膜放射線検出体の製造方法Info
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- JPH02114193A JPH02114193A JP26783788A JP26783788A JPH02114193A JP H02114193 A JPH02114193 A JP H02114193A JP 26783788 A JP26783788 A JP 26783788A JP 26783788 A JP26783788 A JP 26783788A JP H02114193 A JPH02114193 A JP H02114193A
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- Japan
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- boron nitride
- radiation
- silver
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- Pending
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はスパッタリング法によって薄膜放射線検出体の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
(従来の技術)
最近の原子力産業の著しい発展にともない、原子力施設
における放射線の遮蔽が重要になっている。また、分析
化学および医療などの分野においても放射線の利用が増
大しており、放射線の遮蔽材および放射線感知性能をも
つ材料の開発が急務となっている。特に、放射線感知性
能材については、放射線取扱者を放射線被ばくの危険か
ら守るのみならず、放射線を使用する各種の分析、構造
解析、放射線の積分強度の測定などの分析において広く
求められている。
における放射線の遮蔽が重要になっている。また、分析
化学および医療などの分野においても放射線の利用が増
大しており、放射線の遮蔽材および放射線感知性能をも
つ材料の開発が急務となっている。特に、放射線感知性
能材については、放射線取扱者を放射線被ばくの危険か
ら守るのみならず、放射線を使用する各種の分析、構造
解析、放射線の積分強度の測定などの分析において広く
求められている。
従来、放射線によって発光する螢光顔料(たとえば、タ
ングステン酸カルシウム、銀付活硫化亜鉛)を含有する
組成物を成形物(たとえば、シート状物)の表面に塗布
する方法か行なわれていた。
ングステン酸カルシウム、銀付活硫化亜鉛)を含有する
組成物を成形物(たとえば、シート状物)の表面に塗布
する方法か行なわれていた。
また1本発明者らの一部らは、ポリエチレン樹脂に多量
の無機礒素化合物および硫化亜鉛系螢光体からなるポリ
エチレン樹脂組成物について以前に開発した(特開昭5
6−133349号)。
の無機礒素化合物および硫化亜鉛系螢光体からなるポリ
エチレン樹脂組成物について以前に開発した(特開昭5
6−133349号)。
(発明か解決しようとする課題)
前者の塗布する方法では、螢光顔料は、感度が弱く、し
たかってかなりの放射線によらなければ感知することが
てきない。また、二次放射線を発生するなどの問題かあ
り、微量の放射線の感知材料としてあまり有効でなく、
二次放射線の発生も含めて、放射線の運転問題、環境汚
染などの安全性について問題がある。
たかってかなりの放射線によらなければ感知することが
てきない。また、二次放射線を発生するなどの問題かあ
り、微量の放射線の感知材料としてあまり有効でなく、
二次放射線の発生も含めて、放射線の運転問題、環境汚
染などの安全性について問題がある。
一方、後者の組成物では、成形させて得られる成形物に
中性子を反射・吸収させる場合では。
中性子を反射・吸収させる場合では。
よい効果を発揮する。しかし、中性子を透過しないため
、反対側から像を映し出そうとすると、シャープにみる
ことができない。
、反対側から像を映し出そうとすると、シャープにみる
ことができない。
以上のことから、本発明は微量の放射線の感知性も良好
であり、二次放射線の発生がなく、反対側からも像を映
し出すことかできる薄膜放射線検出体を得ることである
。
であり、二次放射線の発生がなく、反対側からも像を映
し出すことかできる薄膜放射線検出体を得ることである
。
(課題を解決するための手段および作用)本発明にした
かえば、これらの課題は、窒化硼素および硫化亜鉛系螢
光性物質を主成分とする無機物質を無機基板上にスパッ
タリングさせることを特徴とする薄膜放射線検出体の製
造方法。
かえば、これらの課題は、窒化硼素および硫化亜鉛系螢
光性物質を主成分とする無機物質を無機基板上にスパッ
タリングさせることを特徴とする薄膜放射線検出体の製
造方法。
によって解決することができる。以下、本発明を具体的
に説明する。
に説明する。
(A)硫化亜鉛系螢光性物質およびその割合本発明にお
いて、窒化硼素とともに使われる硫化亜鉛系螢光性物質
としては、銀、銅、マンガン、鉛などの金属を付活させ
た硫化亜鉛かあげられる。なかても、銀付活硫化亜鉛か
好ましい。
いて、窒化硼素とともに使われる硫化亜鉛系螢光性物質
としては、銀、銅、マンガン、鉛などの金属を付活させ
た硫化亜鉛かあげられる。なかても、銀付活硫化亜鉛か
好ましい。
窒化lil*および硫化亜鉛系螢光性物質を後記のスパ
ッタリンクを行うにあたり、これらは別々にまたは混合
物を成形させる。成形物の大きさは一般にスバ・ンタリ
ンクの分野において通常に用いられている大きさでよい
。一般には、径は10〜300■であり、 10〜2
50■か望ましく、とりわけ20〜2001−か好適で
ある。形状は円板状でもよく、また角状でもよい。
ッタリンクを行うにあたり、これらは別々にまたは混合
物を成形させる。成形物の大きさは一般にスバ・ンタリ
ンクの分野において通常に用いられている大きさでよい
。一般には、径は10〜300■であり、 10〜2
50■か望ましく、とりわけ20〜2001−か好適で
ある。形状は円板状でもよく、また角状でもよい。
100重量部の窒化硼素に対する硫化亜鉛系螢光性物質
の割合は、通常1〜30重量部であり、特に1〜2踵1
部が好ましい、100重量部の窒化硼素に対する硫化亜
鉛系螢光性物質の割合か1重量部ては、放射線感知性能
か著しく低い。一方、30重量部を超えると、ターゲツ
ト材の焼結か困難となる。
の割合は、通常1〜30重量部であり、特に1〜2踵1
部が好ましい、100重量部の窒化硼素に対する硫化亜
鉛系螢光性物質の割合か1重量部ては、放射線感知性能
か著しく低い。一方、30重量部を超えると、ターゲツ
ト材の焼結か困難となる。
(11)無機基板
また、本発明において使用される無機基板は後記のスパ
ッタリングを行なうさい、その脱焼結温度に耐える材料
である必要がある。さらに、基板は放射線を透過し易い
ことが要求され、中性子線に対する線吸収係数ルか小さ
いものか望ましい。
ッタリングを行なうさい、その脱焼結温度に耐える材料
である必要がある。さらに、基板は放射線を透過し易い
ことが要求され、中性子線に対する線吸収係数ルか小さ
いものか望ましい。
線吸収係数は物質の原子番号か大きくなるにともない増
大するため、てきるたけ原子番号か小さいものが好まし
い。また、融点か脱焼結温度よりも高い温度すなわち6
00 ’C以上(好ましくは、 80000以上)のも
のかよい。これらのことから、基板として使用される物
質としては、酸化アルミニウム(アルミナ、AL;L2
03) 、 炭化けい素(5iC) 、窒化けい素(S
i3N4) 、窒化アルミニウム(AiN)か望ましい
。
大するため、てきるたけ原子番号か小さいものが好まし
い。また、融点か脱焼結温度よりも高い温度すなわち6
00 ’C以上(好ましくは、 80000以上)のも
のかよい。これらのことから、基板として使用される物
質としては、酸化アルミニウム(アルミナ、AL;L2
03) 、 炭化けい素(5iC) 、窒化けい素(S
i3N4) 、窒化アルミニウム(AiN)か望ましい
。
さらに、該無機基板の厚さは、通常0.1〜2.0am
(好ましくは、0.1〜1.0 am)である。厚さか
0.1層重未満の無機基板は作成することか難しい。
(好ましくは、0.1〜1.0 am)である。厚さか
0.1層重未満の無機基板は作成することか難しい。
一方、 2.0111を超えたものは、中性子の吸収か
大きくなり、感度よくない。
大きくなり、感度よくない。
(C)スパッタリング方法
前記の無機基板上に窒化硼素および硫化亜鉛系螢光性物
質を主成分とする無機物質をスパッタリングするには、
一般に行なわれている方法を適用すればよい。スパッタ
リング条件は、RF(高周波)出力か通常1.0〜6.
0 W / c m″であり、特に 1.0〜5.0
W / c rn”か好ましい。RF比出力1.0W/
cm’未満では、プラズマか安定しない。
質を主成分とする無機物質をスパッタリングするには、
一般に行なわれている方法を適用すればよい。スパッタ
リング条件は、RF(高周波)出力か通常1.0〜6.
0 W / c m″であり、特に 1.0〜5.0
W / c rn”か好ましい。RF比出力1.0W/
cm’未満では、プラズマか安定しない。
一方、 6.0W/cm’を超えるならば、熱衝撃によ
るターゲツト材か破壊する可能性かある。また、スパッ
タガス源としては、一般にはアルゴンガスを用いるか、
このさいガス圧は一般には 1.0×10−’ 〜5.
Ox 10−2トールてあり、とりわけ 1.0x10
−” ヘ1.OX 10−2トールか望ましい。ガス圧
か1、Ox 10−’ )−ル未満では、プラズマか安
定しない。一方、 5.Ox 1O−2t−−ルを超え
るならば、アルゴン粒子か膜中に混入し、膜性能か劣化
する。
るターゲツト材か破壊する可能性かある。また、スパッ
タガス源としては、一般にはアルゴンガスを用いるか、
このさいガス圧は一般には 1.0×10−’ 〜5.
Ox 10−2トールてあり、とりわけ 1.0x10
−” ヘ1.OX 10−2トールか望ましい。ガス圧
か1、Ox 10−’ )−ル未満では、プラズマか安
定しない。一方、 5.Ox 1O−2t−−ルを超え
るならば、アルゴン粒子か膜中に混入し、膜性能か劣化
する。
さらに、スパッタリンク温度は、通常室温ないし200
°Cてあり、特に室温ないし150°Cか好ましい。ま
た、得られる膜厚は、一般には0.1−10μBであり
、とりわけ0.2〜lOμmか望ましい。
°Cてあり、特に室温ないし150°Cか好ましい。ま
た、得られる膜厚は、一般には0.1−10μBであり
、とりわけ0.2〜lOμmか望ましい。
膜厚か0,1μ1未満では、得られる放射線検出体の放
射線感知性能か小さい。一方、10μ■を超えると、膜
の強度の点および価格の点から問題となる。
射線感知性能か小さい。一方、10μ■を超えると、膜
の強度の点および価格の点から問題となる。
このようにスパッタリングされた積層物は600〜15
00℃(好ましくは、 600〜1200℃)において
焼結される。
00℃(好ましくは、 600〜1200℃)において
焼結される。
(実施例および比較例)
以下、実施例によって本発明をさらにくわしく説明する
。
。
なお、実施例において使ったスパッタリンクターゲツト
材として、窒化硼素(平均粒径 3.5pm、純度 9
9.99%)をホットプレス法によって焼結し、厚さか
6.Oa+mである円板(径 10100aを製造した
ものを用いた。また、硫化亜鉛系螢光性物質は銀付活硫
化亜鉛(純度 99.99%、密度 4.20 g /
c m’ 、平均粒径 7p−m)を同様に焼結し、
厚さか6.0+ssである円板(径 1001)を製造
したものを使用した。
材として、窒化硼素(平均粒径 3.5pm、純度 9
9.99%)をホットプレス法によって焼結し、厚さか
6.Oa+mである円板(径 10100aを製造した
ものを用いた。また、硫化亜鉛系螢光性物質は銀付活硫
化亜鉛(純度 99.99%、密度 4.20 g /
c m’ 、平均粒径 7p−m)を同様に焼結し、
厚さか6.0+ssである円板(径 1001)を製造
したものを使用した。
さらに、無機基板として、厚さか0.5msのアルミナ
基板(径 50■)をあらかじめ脱脂洗浄、エツチング
処理したものを使った。
基板(径 50■)をあらかじめ脱脂洗浄、エツチング
処理したものを使った。
実施例 l
高周波マグネトロンスパッタ製造(日本真空社製、形式
SMH2304RH)に前記のようにして得られた窒
化硼素のスパッタリングターゲツト材および銀付活硫化
亜鉛のスバ・ンタリングターゲット材を置き、アルゴン
の圧力が8.0×10−″トールの雰囲気下で窒化硼素
のターゲツト材の出力を30OW (:1.7W /
c rn’ ) 、銀付活硫化亜鉛のターゲツト材の出
力を200W (2,6W/c rn’ )に調整し、
前記のアルミナ基板を250℃に保持させ、 100分
間スパッタリングを行なった。
SMH2304RH)に前記のようにして得られた窒
化硼素のスパッタリングターゲツト材および銀付活硫化
亜鉛のスバ・ンタリングターゲット材を置き、アルゴン
の圧力が8.0×10−″トールの雰囲気下で窒化硼素
のターゲツト材の出力を30OW (:1.7W /
c rn’ ) 、銀付活硫化亜鉛のターゲツト材の出
力を200W (2,6W/c rn’ )に調整し、
前記のアルミナ基板を250℃に保持させ、 100分
間スパッタリングを行なった。
得られた放射線検出体の端面図を第1図に示す。
第1図において、lはアルミナ基板であり、2は窒化硼
素と銀付活硫化亜鉛との混合膜である。
素と銀付活硫化亜鉛との混合膜である。
得られた放射線検出体の薄膜の厚さは2.OILtmで
あり、この膜中の銀付活硫化亜鉛の割合は窒化硼素10
0重量部に対して 101重量部であった。
あり、この膜中の銀付活硫化亜鉛の割合は窒化硼素10
0重量部に対して 101重量部であった。
実施例 2
実施例1において得られた放射線検出体の薄膜中の銀付
活硫化亜鉛の割合を窒化硼素100重量部に対して20
重量部にかえたほかは、実施例1と同様に放射線検出体
を製造した(薄膜の厚さは実施例1と回し)。
活硫化亜鉛の割合を窒化硼素100重量部に対して20
重量部にかえたほかは、実施例1と同様に放射線検出体
を製造した(薄膜の厚さは実施例1と回し)。
実施例 3
実施例1において得られた放射線検出体の薄膜の厚さを
0.5μlにかえたほかは、実施例1と同様に放射線検
出体を製造した(薄膜の窒化硼素に対する銀付活硫化亜
鉛の割合は実施例1と回し)。
0.5μlにかえたほかは、実施例1と同様に放射線検
出体を製造した(薄膜の窒化硼素に対する銀付活硫化亜
鉛の割合は実施例1と回し)。
実施例 4
実施例1と同様にまず窒化硼素のみをスパッタリングを
行なった。ついて、その薄膜上に銀付活硫化亜鉛のみの
スパッタリングを行なった(得られた薄膜の厚さおよび
窒化硼素に対する銀付活硫化亜鉛の割合は実施例1と回
し)、第2図は得られた薄膜放射線検出体の端面図であ
る。この図面において、1はアルミナ基板であり、3は
窒化硼素膜である。また、4は銀付活硫化亜鉛膜である
。
行なった。ついて、その薄膜上に銀付活硫化亜鉛のみの
スパッタリングを行なった(得られた薄膜の厚さおよび
窒化硼素に対する銀付活硫化亜鉛の割合は実施例1と回
し)、第2図は得られた薄膜放射線検出体の端面図であ
る。この図面において、1はアルミナ基板であり、3は
窒化硼素膜である。また、4は銀付活硫化亜鉛膜である
。
実施例1ないし4て得られた各放射線検出体を窒素雰囲
気中て、 800°Cにおいて2時間スバッタリンタ膜
(薄膜)の熱処理を行なった。この熱処理を施すことに
よって実施例4によって得られた検出体の薄膜について
も、実施例1ないし3と同様に前記銀付活硫化亜鉛粒子
か結晶化し、窒化硼素粒子との界面において中性子−光
変換か形成されていた。
気中て、 800°Cにおいて2時間スバッタリンタ膜
(薄膜)の熱処理を行なった。この熱処理を施すことに
よって実施例4によって得られた検出体の薄膜について
も、実施例1ないし3と同様に前記銀付活硫化亜鉛粒子
か結晶化し、窒化硼素粒子との界面において中性子−光
変換か形成されていた。
以上のようにして得られた各放射線検出体をトリガII
型原子炉から放射される熱中性子にさらしたところ、該
検出体の前に置かれた感光紙が感光しており、感度も従
来品に比べてすぐれていることか確認された。
型原子炉から放射される熱中性子にさらしたところ、該
検出体の前に置かれた感光紙が感光しており、感度も従
来品に比べてすぐれていることか確認された。
(発明の効果)
本発明の薄膜放射線検出体は、中性子に対して感度か強
く、薄型の検出体が製造てき、それたけ広範囲な用途に
供することかてきる。その使用例として、テレビ用コン
バーターがあげられる。
く、薄型の検出体が製造てき、それたけ広範囲な用途に
供することかてきる。その使用例として、テレビ用コン
バーターがあげられる。
第1図は実施例工ないし3によって得られた放射線検出
体の端面図であり、第2図は実施例4によ って得られた放射線検出体の端面図である。 l・・・・・・アルミナ基板 2・・・・・・窒化硼素と銀付活硫化亜鉛との混合膜3
・・・・・・窒化硼素膜 4・・・・・・銀付活硫化亜鉛膜
体の端面図であり、第2図は実施例4によ って得られた放射線検出体の端面図である。 l・・・・・・アルミナ基板 2・・・・・・窒化硼素と銀付活硫化亜鉛との混合膜3
・・・・・・窒化硼素膜 4・・・・・・銀付活硫化亜鉛膜
Claims (1)
- 窒化硼素および硫化亜鉛系螢光性物質を主成分とする
無機物質を無機基板上にスパッタリングさせることを特
徴とする薄膜放射線検出体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26783788A JPH02114193A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 薄膜放射線検出体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26783788A JPH02114193A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 薄膜放射線検出体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114193A true JPH02114193A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17450310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26783788A Pending JPH02114193A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 薄膜放射線検出体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02114193A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08302342A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-19 | Futaba Corp | 蛍光体 |
| JP2009294089A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Aloka Co Ltd | 放射線測定装置及びその製造方法 |
| JP5704258B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2015-04-22 | 東レ株式会社 | シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法 |
| JP2015175806A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 | 半透明ZnS/10Bコンバータ中性子シンチレータ及びその製造方法 |
| JP2017510804A (ja) * | 2014-03-27 | 2017-04-13 | クロメック リミテッドKromek Limited | 中性子検出 |
| KR20170120558A (ko) * | 2014-11-14 | 2017-10-31 | 키네틱 에너지 오스트레일리아 피티와이 엘티디 | 전기 발전기 시스템 |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP26783788A patent/JPH02114193A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08302342A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-19 | Futaba Corp | 蛍光体 |
| JP2009294089A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Aloka Co Ltd | 放射線測定装置及びその製造方法 |
| JP5704258B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2015-04-22 | 東レ株式会社 | シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法 |
| JP2015175806A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 | 半透明ZnS/10Bコンバータ中性子シンチレータ及びその製造方法 |
| JP2017510804A (ja) * | 2014-03-27 | 2017-04-13 | クロメック リミテッドKromek Limited | 中性子検出 |
| KR20170120558A (ko) * | 2014-11-14 | 2017-10-31 | 키네틱 에너지 오스트레일리아 피티와이 엘티디 | 전기 발전기 시스템 |
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