JPH02114591A - 広バンドギャップ半導体発光装置 - Google Patents

広バンドギャップ半導体発光装置

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JPH02114591A
JPH02114591A JP1237417A JP23741789A JPH02114591A JP H02114591 A JPH02114591 A JP H02114591A JP 1237417 A JP1237417 A JP 1237417A JP 23741789 A JP23741789 A JP 23741789A JP H02114591 A JPH02114591 A JP H02114591A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は広バンドギャップ半導体発光装置（ＬＥＤ）、
特にレーザ出力を得るためのファプリーベロー空胴を有
する広バンドギャップ半導体発光装置に関９するもので
ある。
（従来の技術） ■−■化合物のような広バンドギャップ材料から形成し
た半導体発光装置（ＬＥＤ）は、これらが電磁スペクト
ルの可視領域内の波長の放射光を放出するため所望とさ
れている。しかし、現時点では、広バンドギャップ半導
体材料からｐｎ接合発光装置を形成するのは困難である
。その理由は、−Ｃに好適な材料はｎ導電型またはＰ導
電型のいずれにも適宜にドープし得るからである。
これらの欠点があるにもかかわらず、それでも単一導電
型の広バンドギャップ半導体材料を用いる装置において
、通常例えば異なる導電型の領域間の境界の近くの高フ
ィールド電位によりもたらされる電子なだれ降伏によっ
てレーザ発光を行うようにしている。これに関し、フェ
ルン等による米国特許第３，４９３，８９１号明細書（
ｐ−ＧａＡｓ）および三浦による特許顆間５４−１４４
７０号明細書（ｎ−ＧａＡｓ）を参照されたい。また、
かかる単一導電型材料におけるレーザ発光はストリーマ
のイオン化面の後方に誘起される高フィールド電位によ
って達成するようにしている。これに関し、Ｎ、Ｇ、バ
ソウ等による論文′°半導体ストリーマレーザ”Ｊ、ク
オンタム　エレクトロニクス、第ＱＥ−１３巻、第８号
、１９８８年８月（ＣｄｘＳｅ＋−ｘおよびＺｎＳｅ　
）参照。更に、ショットキーダイオードから直接キャリ
ア注入によってレーザ発光を行うことも提案されている
。
これに関し、ウェイトによる米国特許第３，３８２，４
５４号明細書（ｐ−ＧａＡｓ）参照。また、光学的ポン
ピングまたは高エネルギー電子ビームによりかかる材料
内でレーザ発光させることも既知である。
ロー■化合物材料の電子ビーム励起はビデオのような表
示の用途に特に興味がある。その理由は、表示スクリー
ンを電子ビームで走査する技術は良好に開発されており
、かつ、これら材料のバンドギャップエネルギーが可視
スペクトル内で良好に規定された放出を得られるような
大きさであるからである。かかる単一導電型の材料を用
いる半導体発光装置の効率は、かかる材料をｎ−型およ
びｐ−型のいずれにドープしてｐｎ接合を得る際に得ら
れる場合よりも少なくなる。かかる単一導電型材料に対
しては、電子なだれ降伏によるキャリア増倍、即ち、最
も効率の良い作動モードを達成するに要する電子ビーム
エネルギーは実際上禁止的となる。
本発明はこれらあらかじめ必要とされる場合よりも少な
いエネルギーの電子ビームにより励起し得る広バンドギ
ャップ単一導電型半導体発光装置を提供することを目的
とする。　本発明の他の目的はこれらあらかじめ必要と
される場合よりも少ないエネルギーの電子ビームにより
励起し得る広バンドギャップ単一導電型半導体レーザを
提供せんとするにある。
本発明の更に他の目的は作動の効率を高めるようにした
広バンドギャップ単一導電型半導体発光装置およびレー
ザを提供せんとするにある。
本発明の更に他の目的は作動の効率を高めるようにした
広バンドギャップ単一導電型半導体へテロ構造の発光装
置およびレーザを提供せんとするにある。
本発明の１例によれば、電子なだれ降伏によるキャリア
増倍に必要なスレシホルド以下の電位を供給し、必要と
される場合よりも低いエネルギーでキャリア導入により
光放出の励起を行い得るようにする。かかるキャリア導
入は電子の入射ビーム、または光のような電磁放射、或
はｐｎ接合ダイオードまたはショットキーダイオードの
ようなキャリア注入によって行うことができる。
本発明の他の例では、電位井戸または階段状部、或はそ
の組合わせのような効率−増強へテロ構体を有し、キャ
リア増倍および／またはかかる装置の再結合の効率を高
め得るようにした広バンドギャップ単一導電型半導体発
光装置を提供することができる。
本発明の更に他の例では、かかる装置に、広バンドギャ
ップ半導体ホモ構体またはへテロ構体のエピタキシャル
成長を支持するに好適な単結晶半導体材料の基板に形成
されたキャリア注入構体を用いる。ここに云うかかる構
体とは一般に装置の“能動領域パを意味するものとする
。かかる装置は集積回路分野に既知の技術により例えば
キャリア注入構体および能動領域の双方を形成する基板
に形成された装置の配列（アレイ）の１つである。
例えば、基板の全面を覆うヘテロ構体のエピタキシャル
成長層を、所望の能動領域に相当する区域をマスクし、
次いでヘテロ構体のエピタキシャル層の材料に対し選択
されるエツチング剤により露出部分を除去することによ
って個別の能動領域の配列に分離し得るようにする。か
かる配列は、その個別の装置に電子なだれ降伏に必要な
走査電子ビーム電位以下の電位を供給する際にビデオ表
示装置のような表示装置に有利である。
本発明の更に他の例では、かかる装置に平行な反射面を
設け、これら平行反射面により装置の能動領域のキャリ
ア再結合領域のファブリーベロー空胴を形成して放出光
のレーザ発光を行い得るようにする。かかるレーザ装置
では、電極は部分伝送とするか、またはレーザ光の通路
の外側に設けて電極材料によるかかる光の吸収および／
または減衰を防止し得るようにする。
（実施例） 図面につき本発明の詳細な説明する。
ここに云う“広バンドギャップ半導体材料“とは周期率
表の■族および■族から選択した元素の化合物および■
族および■族から選択した元素の化合物に基づく半導体
組成を意味するものとする。
■−■化合物の例としては硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン
化亜鉛（ＺｎＳｅ）　、硫化カドミウム（ＣｄＳ）およ
びセレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）がある。■族の′カ
チオンまたは■族のアニオン或はその双方が、１つ以上
の他の■族のカチオンまたは■族のアニオンと夫々部分
的に置換される混合化合物も含まれ、その例としては（
Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ、　Ｚｎ（Ｓ、Ｓｅ）等がある。又、か
かる広バンドギャップ半導体材料としては砒化ガリウム
（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）　、窒化アルミ
ニウム（ＡＩＮ）および燐化インジウム（ＩｎＰ）のよ
うな■−■族化合物および■族のカチオンまたは■族の
アニオンまたはその双方が１つ以上の他の■族のカチオ
ンまたはＶ族のアニオンと部分的に置換されるこれら材
料の混合化合物に基づく化合物がある。
かかる混合化合物は特定の装置の用途に適合される、個
別の層またはバンドギャップエネルギー（バンドギャッ
プとは材料の伝導帯および価電子帯のエネルギー間の差
である）が変化するヘテロ構体の形成に有利である。
第１図には、能動材料１１が電極１２および１３間にサ
ンドインチ状に挟まれた本発明の広バンドギャップ半導
体発光装置１０の１例の断面を示す。能動材料１１は例
えばｎ−型ＺｎＳｅとする。この材料の両端には電極１
２に正電圧を印加し、電極１３を接地して正電位を加え
る。かかる正電位によって能動材料のバンドギャップを
変化させ、装置に矢印で示す電子ビームを入射する際光
放出を行い得るようにする。
第２図は第１図の装置の能動領域のエネルギー状態を線
図的に示し、Ｅｃは材料の伝導帯のエネルギーレベル（
準位）、Ｅνは材料の価電子帯のエネルギーレベルであ
る。電子（ｎ−型材料では多数キャリア）は伝導帯内で
接地電極１３から離れる方向に移動して正電極１２に向
かい、正孔（少数キャリア）は価電子帯に沿って正電極
１２から離れる方向に移動して接地電極１３に向かう。
電子−正孔対は、第１図に矢印で示す電子ビームが装置
の片側表面に入射する際に発生する。これら電子−正孔
対が再結合すると、エネルギーは光放出の形態で生ずる
ようになる。電位が増大するにつれて一層多数の電子−
正孔対が発生し、その結果可能なキャリア再結合の数従
って装置から出る光の量が増大する。電位が電子なだれ
降伏によるキャリア増倍に必要なレベル以下のレベルに
保持される場合には装置に入射する電子ビームは電子な
だれ状態を発生する。
既知のように、電子なだれは、それ自体追加の電荷キャ
リア発生するに充分な電荷キャリアを生ずるプロセスに
関連し、これによりキャリア対従って再結合の数が増大
し、その結実装置の効率および光出力の双方が増大する
ようになる。
第３図は第１図の装置の効率を電位井戸に能動領域を追
加することによって増強するようにした零発明広バンド
ギャップ半導体発光装置他の例を示す断面図である。従
って、装置３０は電位井戸３２および３３が位置し、正
電位および接地電位に夫々保持される電極３４および３
５間にサンドインチ状に挾まれた能動材料３１を有する
。能動材料を例えばＺｎ５ＸＳｅｌ−Ｘとすると、電位
井戸はＺｎＳｅとなる。ここにＸは約０．１〜０．３の
範囲内とする。電位井戸を含むこれら能動領域は、能動
材料３１の層をエピタキシャル堆積し、電位井戸３３の
層をエピタキシャル堆積し、能動材料３１の他の層を堆
積し、他の電位井戸層３２を堆積し、能動領域３１の残
りの層を堆積することによって形成することができる。
電位井戸の厚さは例えば数１００人近くとし、能動領域
の全部の厚さは５〜２０μとする。
電位井戸の組成を適宜選定してこれら電位井戸のバンド
ギャップが能動領域の周囲の材料のバンドギャップより
も低くなるようにする。かかる装置のエネルギー状態図
を第４図に示し、ここに状態図の下側部分および価電子
帯の切欠き部は、電位井戸の正しい位置に相当し、これ
ら電位井戸の低いバンドギャップを示す。
装置の作動に当たり、電子および正孔が図示の方向に移
動するにつれて多数のこれら電荷キャリアが電位井戸で
トラップされ、その結果キャリア再結合および光放出が
これら電位井戸に集中するようになる。かかる電荷キャ
リアのトラップによってキャリアが弛張され、第１図に
示す場合のホモ構体で生ずるよりも大きな効率の再結合
が行われるようになる。
第５図は零発明広バンドギャップ半導体発光装置５０の
他の例の断面図を示し、本例では正電極５４および接地
電極５５間の能動領域を各々が類別組成の３つのサブ領
域５１．５２および５３に分割する。例えば、これら３
つの領域はｎ−Ｚｎ５ｘＳｅ＋□で構成し、ここに例え
ばＸは約０．０５から約０．３まで各層の下側面から上
側面まで均一に増大する。かかる層の厚さは数１００人
程度とする。類別組成は既知のエピタキシャル堆積技術
によって形成することができる。
類別組成のかかる層構体によればバンドギャップが層を
横切って連続的に変化し、この変化によっていわゆる“
階段状部”を形成する。かかる構体のエネルギー状態を
第６図に示す。図から明らかなようにこの階段状部のス
テップは伝導帯よりも価電子帯で深くなる。これは追加
の正孔（ｎ型材料の少数キャリア）の形成を促進するう
えで必要である。正孔が装置の正電極から接地電極に向
かって移動するにつれてその価電子帯のエネルギーは急
激に変化する。その理由は、これらが“′ステップ゛に
追加の正札を発生し、これにより少数キャリアの集中を
増大し、電子正孔対の再結合の可能性を増大し、その結
果光放出を増強するようになる。能動材料をｎ−型でな
くｐ−型とする場合には階段状部が形成されて正札より
も電子を像倍するようになる。
第７図は零発明広バンドギャップ半導体発光装置７０の
他の例の断面を示し、本例では第３回の電位井戸および
第５図の階段状部を単一能動領域に組合わせてキャリア
発生および再結合の効率を更に増大し得るようにする。
これがため階段状部の領域７１．７２および７３は第５
図の装置につき説明した所と同様に存在し、最下側階段
状部領域７３は電位井戸７４および７５を含む。
かかる装置のエネルギー状態を第８図に示す。
かかる装置の作動では、正札は正電極から接地電極に向
かって移動し、追加の正札を発生する。その理由はこれ
らが階段状部のステップに降下し最下部の階段状部領域
７３の電位井戸でトラップされるようになる。又、電子
は接地電極から正電極に向かって移動し、これも階段状
部のステップに到達する前に電位井戸でトラップされる
ようになる。
前述したように、トラップされた電荷キャリアは緩和さ
れて再結合し、未トラップキャリアに比較し、増大した
効率で光放出を生じるようになる。
第１〜７図の装置では個別のキャリア導入を装置の表面
に入射する電子ビームによって行っている。第９図では
キャリア導入を電子ビームよりもキャリア注入構体によ
り第７図の装置と同様の装置に対して行う。かかる装置
９０ではｐｎ接合ダイオード９１を能動領域上に位置さ
せ、ｐ十領域およびｎ十領域を例えばドープして不純物
レベルが１０１８〜１０Ｉ９１／ｃｍ３の範囲となるよ
うにする。能動領域は階段状部層９２．９３および９４
を具え、層９４は電位井戸９５および９６を有するよう
にする。ダイオードのｎ十領域上に位置する電極９７お
よびダイオードのｐ十領域上に位置する電極９８は正電
位に保持し、電極９７の電位を電極９８の電位よりも大
きくし、底部電極９９は接地電位に保持する。
かかる装置のエネルギー状態を第１０図に示す。
本例では下側部分を層９２．９３および９４とし、第８
図に示すものと同様とする。上側部分はｐｎ接合ダイオ
ードの伝導帯および価電子帯のエネルギー変化を示す。
図面から明らかなように、図示のような逆バイアスを行
うと、ｐｎ接合ダイオードは正孔を装置内に注入する。
能動領域の組成を第３および５図に示す所と同様のもの
とする場合にはこれら層９２．９３および９４の全体の
厚さを約１μとし、ｎ＋領領域厚さを約０．５μとし、
ｎ　ｅＩ域の下側のダイオードのｐ領域の厚さを約１０
０〜３００人とし、電極９７に約１０Ｖの電位を印加し
電極９８の約５■の電位を印加して装置の能動領域にホ
ット正札を注入し得るようにする＝ｒｐｎ接合ダイオー
ドは、能動領域に対し選定した材料と両立し７得、例え
ば珪素または砒化ガリウ１％　ＯＩｌよらな〇−型また
は丁〕−型の双方にドープし得る任意の半導体から造る
、二とができる。或は又、キヤＩｊア注入に逆バイアス
ショットキーダイオードを用いる、−とができる。
既、知のように、装置の後にｐ−型材料を選択する場合
には、順バイアスｐｎ接合ダイオードまたはパ・ｑ　＝
＝　）キーダイオードを用いて装置の能動領域に電子を
注入し得るようにする。
第１．１図は零発明広バンドギャップ半導体発光装置１
００を他の例として示す。本例ではｎ−型単結晶半導体
基板１０１上に同一材料の単結晶ｐ−型層１０２を設け
１、既知のように不純物の熱拡散によってｎ＋＋領域を
設けてｐｎ接合を形成し得るようにする。このＰ−型層
１０２の上側のｐｎ接合上に類別組成ＪＷ１．０３．１
０６および１０７を有する能動領域をエピタキシャル堆
積し、層１０３には電位井戸層１０４および１０５を設
ける。例えば層１０３はＺｎＳｅとして層１０４および
１０５に交互に設け、これら層１０４および１０５の各
々はＺｎＳＳｅとする。層１０６は全部をＺｎＳｅとし
、層１０７は全部をＺｎＳＳｅとする。これら層の成長
は基板１０２の残存領域をマスクしてｐｎ接合上の区域
に制■するか、または基板１０２の全面で行い、その後
その部分を例えばエツチング処理により選択的に除去す
る。次いで、電極１０８．１０９および１１０をｎ−型
基板１０１の下側表面、能動領域１０７の上側表面およ
びｐ−型層の上側表面に夫々形成する。電極１０８を正
電位、電極１０９を負電位および電極１１．０を接地電
位とする。かかる装置のエネルギー状態を第１２図に示
す。
例えば、ｎ　４４領域の厚さを約０．５μとし、ｎ”領
域上のｐ−型領域の厚さを約１００〜３００人とし、層
１１２の厚さを約０．２〜０．３μとし、層１１２の電
位井戸１０３．１０４および１０５の厚さを夫々約３０
人とし、層１０６および１０７の厚さを夫々約０．１〜
０．２μとする。
第１１図の構成は単結晶基板の広バンドギャップ半導体
発光装置の配列の製造に用いる装置である。
かかる配列を第１５図に部分的に示す。本例では基板１
７１上に、第１１図に示すものの構成と同様の装置１７
２を設ける。かかる配列の製造時には、まず最初ｐｎ接
合の配列（アレイ）を、集積回路で既知の写真食刻マス
ク技術、熱拡散およびエピタキシャル成長技術を用いて
基板に形成する。次いで装置の能動領域は、まず最初能
動材料を必要とするダイオード上の区域のみを露光して
基板表面をマスクし、露出した領域にエピタキシャル層
を成長させ、次いでマスク材料を除去するか、或は又、
基板の全表面にエピタキシャル層を成長させ、次いで写
真食刻マスクおよび選択エツチング技術により層の部分
を除去してダイオード上の区域に能動材料を残存させる
ようにする。最後に電極を形成する。かかる配列は、例
えば配列の個別の半導体発光装置を個別にアドレス指定
してビデオその他の情報を表示する表示装置の製造に用
いることができる。
第１３図は零発明広バンドギャップ半導体発光装置の他
の例の装置１５０を示し、本例装置は、ファプリーペロ
ー表面１５４および１５５を能動領域１５１の対向表面
に平行に配置する意思外は第１図に示す装置と同一であ
る。既知のように、かかる表面は空洞内にトラップされ
た光波を増幅し、次いで矢印で示すように装置からレー
ザ光を放出し得るファプリーペロー空胴を構成する。こ
の例では、ファプリーペロー表面に対する垂線を電極表
面１５１５２および１５３に平行とし、従って電極材料
を光が通過する際に発生するレーザ光の減衰または吸収
を防止し得るようにする。
第１４図は零発明広バンドギャップ半導体レーザ装置の
他の例のレーザ装置１６０を示す。この装置１６０では
、能動材料１６１の層を適宜の基板１６２上に堆積し、
その後能動材料１６１に溝をエンチングにより形成して
電極材料を充填し電極１６３および１６４を形成する。
次いで能動材料１６１および基板１６２の外側表面に反
射層１６５および１６６を夫々堆積し、ファプリーペロ
ー表面を形成する。電極１６４に印加する正電圧によっ
て電極間の能動材料に電子なだれ降伏に必要な電位より
も低い電位を印加する。次いで反射層１６５を経て能動
材料１６１に電子ビームを照射することによって電子な
だれ降伏によるキャリア増倍を行う。キャリアを再結合
することによって反射層１６５および１６６間に発振を
生ぜしめ、矢印で示すように光増幅およびレーザ出力を
発生させて光を放出し得るようにする。この配置は基板
上にかかる装置の配列を形成する際に用いることができ
る。かかる配列は、レーザ出力を励起するに充分なエネ
ルギーを存する変調電子ビームにより配列を走査して配
列に印加する定バイアス電圧によってビデオ情報を表示
するようにした表示の用途に用いるのが特に好適である
。
これがため、第１１図の装置に対比し、配列の各素子を
個別にアドレス指定するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は光放出に必要な電位以下の電位を供給し、かつ
、光放出を装置に入射する電子ビームによって励起する
ようにした本発明半導体発光装置の１例を示す断面図、 第２図は装置全体バンドギャップエネルギーの変化を示
す第１図の装置の能動領域のエネルギー状態図、 第３図は第１図の装置の効率を電位井戸の迫力ｑにより
増強するようにした本発明半導体発光装置の他の例を示
す第１図と同様の断面間 第４図は第３図の装置の能動領域のエネルギー状態図、 第５図は第１図の装置の効率を階段状部の追ｆＪｎによ
り増強するようにした本発明半導体発光装置゛の他の例
を示す第１図と同様の断面図 第６図は第５図の装置の能動領域のエネルギー状態図、 第７図は第３および５図の装置の効率を電位井戸および
階段状部のの組合わせにより増強するようにした本発明
半導体発光装置の他の例を示す第１図と同様の断面図 第８図は第７図の装置の能動領域の電位状態図、第９図
は第７図の電子ビームをｐｎ接合ダイオードにより置換
した本発明半導体発光装置の他の例を示す断面図、 第１０図は第９図の装置の能動領域のエネルギー状態図
、 第１１図はｐｎ接合を単結晶基板材料に形成し、能動領
域を基板の表面にエピタキシャル成長させるようにした
本発明半導体発光装置の他の例を示す断面図、 第１２図は第１１図の装置の能動領域のエネルギー状態
図、 第１３図はファプリーペロー表面を第１図の装置の能動
領域に追加するようにした本発明半導体発光装置の他の
例を示す断面図、 第１４図はファプリーペロー表面を電極間の能動領域お
よび基板材料に位置させるようにした本発明広バンドギ
ャップ半導体発光装置の他の例を示す断面図、 第１５図は表示装置に用いるに好適な零発明広バンドギ
ャップ半導体発光装置の配置の１部分を示す平面図であ
る。 １０．３０．５０．７０．９０．１００．１５０．１６
０．１７０・・・広バンドギャップ半導体発光装置 １１．３１．１０３．１０６．１０７・・・能動材料１
２．１３．３４．３５．５４．５５．１０８．１０９．
１１０・・・電極３２．３３．７４．７５．９５．９６
．１０４．１０５・・・電位井戸５１．５２．５３・・
・サブ領域 ７１．７２．７３．９２．９３．９４・・・階段状部領
域９１・・・ｐｎ接合ダイオード １０１・・・単結晶半導体基板 １０２・・・単結晶ｐ−型層

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも２つの電極およびこれら電極間の能動領
    域を有し、II−VIおよびIII−Ｖ半導体化合物並びにそ
    の混合化合物の群から選択した単一導電型の主として単
    結晶半導体化合物を具える 広バンドギャップ単一導電型半導体発光装置において、
    前記能動領域へのキャリア導入を行う手段を設け、作動
    時に電子なだれ降伏によるキャリア増倍に必要な電位よ
    りも低いバイアス電位を前記電極間に供給してバイアス
    電位をかけない場合に必要とするよりも低いエネルギー
    で個別のキャリア導入により光放出を励起するようにし
    たことを特徴とする広バンドギャップ半導体発光装置。 ２、前記能動領域が少なくとも１つの電位井戸を含むこ
    とを特徴とする請求項１に記載の広バンドギャップ半導
    体発光装置。 ３、前記能動領域の組成をｎ−型ＺｎＳ＿ｘＳｅ＿１＿
    −＿ｘとし、前記電位井戸の組成をｎ−型ＺｎＳｅとし
    たことを特徴とする請求項２に記載の広バンドギャップ
    半導体発光装置。 ４、前記能動領域の組成をｎ−型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−
    ＿１Ｎとし、前記電位井戸の組成をｎ−型ＧａＮとした
    ことを特徴とする請求項２に記載の広バンドギャップ半
    導体発光装置。 ５、前記能動領域は少なくとも１つの階段状部を含むこ
    とを特徴とする請求項１に記載の広バンドギャップ半導
    体発光装置。 ６、前記能動領域の組成を式ｎ−型ＺｎＳ＿ｘＳｅ＿１
    ＿−＿ｘとし、この組成を前記階段状部領域全体に亘り
    均一に変化し得るようにしたことを特徴とする請求項５
    に記載の広バンドギャップ半導体発光装置。 ７、前記階段状部全体に亘りｘの値を下限約０．０５〜
    上限約０．３の範囲としたことを特徴とする請求項６に
    記載の広バンドギャップ半導体発光装置。 ８、前記能動領域は少なくとも１つの電位井戸および少
    なくとも１つの階段状部を含むことを特徴とする請求項
    １に記載の広バンドギャップ半導体発光装置。 ９、前記電位井戸は全体に階段状部領域内に位置させる
    ようにしたことを特徴とする請求項８に記載の広バンド
    ギャップ半導体発光装置。 １０、前記個別のキャリア導入は装置の片側表面に電子
    ビームをイオン注入することにより達成するようにした
    ことを特徴とする請求項１に記載の広バンドギャップ半
    導体発光装置。 １１、前記キャリア導入は前記能動領域の片側表面のキ
    ャリア注入構体によって達成するようにしたことを特徴
    とする請求項１に記載の広バンドギャップ半導体発光装
    置。 １２、前記キャリア注入構体をｐｎ接合ダイオードとし
    たことを特徴とする請求項１１に記載の広バンドギャッ
    プ半導体発光装置。 １３、少なくとも１つのキャリア注入構体は単結晶半導
    体基板に位置させ、１つの以上のエピタキシャル層を具
    える少なくとも１つの能動領域を前記基板上の前記キャ
    リア注入構体に位置させるようにしたことを特徴とする
    請求項１１に記載の広バンドギャップ半導体発光装置。 １４、前記キャリア注入構体をｐｎ接合ダイオードとし
    たことを特徴とする請求項１３に記載の広バンドギャッ
    プ半導体発光装置。 １５、前記基板材料は単結晶珪素および砒化ガリウムよ
    りなる群から選択するようにしたことを特徴とする請求
    項１４に記載の広バンドギャップ半導体発光装置。 １６、前記基板は離間されたキャリア注入構体の配列を
    含み、前記基板は前記キャリア注入構体配列上に位置す
    る能動領域の配列を支持するようにしたことを特徴とす
    る請求項１３に記載の広バンドギャップ半導体発光装置
    。 １７、一対の平行反射面を設けて前記能動領域の少なく
    とも再結合領域に対するファブリーペロー空胴を設ける
    用にしたことを特徴とする請求項１に記載の広バンドギ
    ャップ半導体発光装置。 １８、前記電極はレーザ光路の外側に設けるようにした
    ことを特徴とする請求項１７に記載の広バンドギャップ
    半導体発光装置。
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