JPH02115372A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

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Publication number
JPH02115372A
JPH02115372A JP26853188A JP26853188A JPH02115372A JP H02115372 A JPH02115372 A JP H02115372A JP 26853188 A JP26853188 A JP 26853188A JP 26853188 A JP26853188 A JP 26853188A JP H02115372 A JPH02115372 A JP H02115372A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
plasmas
plasma processing
different
processing apparatus
Prior art date
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Pending
Application number
JP26853188A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラズマ処理装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、プラズマ処理装置は１つのプラズマ発生源から１
つあるいは２つ以上の分子・元素のプラズマを発生し、
反応部位に供給されるのが通例であった。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、上記従来技術によると、反応が最適エネルギー
で行なわれず、例へばプラズマＣＶＤの場合には生成物
の安定性が損われたり、プラズマ・エツチングの場合に
は放射線損傷を被処理物に与えたりする等の課題があっ
た。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、生成物が安
定に、且つ、エツチング時にも損傷を生じさせないプラ
ズマ処理装置を提供する事を目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決するために、本発明はプラズマ処理装置
に関し、２つ以上のプラズマ発生源を具備し、各々異な
る分子・元素のプラズマを発生し、反応部位に供給する
手段をとる事、及び、各々のプラズマに異なる電位及び
極性を付与する手段をとる。
〔実　施　例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すプラズマ処理装置の模
式図である。いま、−例として、試料台１１上のＳｌウ
ェーハ等から成る半導体基板等にＣＶＤ５　ｉ　Ｏ，膜
を木本によりプラズマＣＶＤによる生成する事を例にと
ると、ガス（１）１としてＳｉＨ，ガスをプラズマ発生
室に供給し、ＲＦコイル（１）２により５ｉｌｌ（＋１
はラジカルの意味）等から成るプラズマ（１）を発生す
る。この場合Ｆ８は共有しても良いし、質量分析磁石に
より取り除いても良い。そして、プラズマ（１）３には
、直流電源７に連らなったグリッドより、合圧の電位が
付与されたものとする。更に、ガス（２）４として酸素
ガスが別のプラズマ発生室に送られ、ＲＦコイル（２）
５により０８から成るプラズマ（２）６が発生し、該プ
ラズマ（２）には直流電源（２）８よりグリッドを通し
て負の電位が付与されたものとする。この様に、正の適
正な電位を付与されたＳｔ”と負の適正な電位を付与さ
れた０８とは反応室９内に入り、試料１０の表面に安定
な５ｉｎ２膜を形成する事となる。尚、本装置内は真空
１２の排気により低圧に保たれる。
前記例はプラズマＣＶＤ膜形成の例であったが、半導体
基板のプラズマ・エツチングに正の適正な電位を付与し
たＨ８と負の適正な電位を付与したＣｇ＊とをＦ２ガス
とＣ１１２ガスを供給して行なうこともでき、又、５ｉ
ｏ２膜等のプラズマ・エツチングに正の適正な電位を付
与されたＨ３と、負の適正な電位を付与されたＨ８とを
Ｆ２ガスとＦ２ガスとを供給して放射線損傷等の損（易
のないエツチングを行なうこともできる。
〔発明の効果〕
本発明により、安定で、損傷の無いプラズマＣＶＤ膜形
成やプラズマ・エツチング処理等が行なえる効果がある
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示すプラズマ処理装置の模
式図である。 １　・ ２　・ ３　・ ４　＠ ５・ ６　・ ７　・ 訃 ９・ １０・ １１φ １２・ ガス（１） ＲＦコイル（１） プラズマ（１） ガス（２） ＲＦコイル（２） プラズマ（２） 直流電源（１） 直流電源（２） 反応室 試料 試料台 真空 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　上　柳　雅　誉（他１名）第１図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）２つ以上のプラズマ発生源を具備し、各々異なる
    分子・元素のプラズマを発生し、反応部位に供給される
    事を特徴とするプラズマ処理装置。
  2. （２）２つ以上のプラズマ発生源からのプラズマに異な
    る電位を付与する事を特徴とする請求項１記載のプラズ
    マ処理装置。
  3. （３）２つ以上のプラズマ発生源からのプラズマに異な
    る極性の電位を付与する事を特徴とする請求項１又は請
    求項２記載のプラズマ処理装置。
JP26853188A 1988-10-25 1988-10-25 プラズマ処理装置 Pending JPH02115372A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5702530A (en) * 1995-06-23 1997-12-30 Applied Materials, Inc. Distributed microwave plasma reactor for semiconductor processing

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5702530A (en) * 1995-06-23 1997-12-30 Applied Materials, Inc. Distributed microwave plasma reactor for semiconductor processing

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