JPH02115800A - 製品の両面照射装置 - Google Patents
製品の両面照射装置Info
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- JPH02115800A JPH02115800A JP1240486A JP24048689A JPH02115800A JP H02115800 A JPH02115800 A JP H02115800A JP 1240486 A JP1240486 A JP 1240486A JP 24048689 A JP24048689 A JP 24048689A JP H02115800 A JPH02115800 A JP H02115800A
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- charged particle
- magnet
- scanning
- particle beam
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K5/00—Irradiation devices
- G21K5/04—Irradiation devices with beam-forming means
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Food Preservation Except Freezing, Refrigeration, And Drying (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、荷電粒子の加速器によって、製品の両面を照
射することのできる装置に関するものである。
射することのできる装置に関するものである。
従来の技術
食品を良好な状態で長期間保存する公知の方法に、食品
にイオン化放射を当てることがある。このため、食品を
イオン化放射源の前面を移動させてイオン化粒子が一方
からこの食品にぶつかるようにする。食品が様々な厚さ
のパックである場合、このように食品を一方の面からの
み処理するのは十分ではない。両面の処理は、パックを
引っ繰り返して二度連続して通過させることによって実
施される。しかし、製品が(パックになっておらず)ば
らばらであったり液体である場合には、このように引っ
繰り返すことはできない。従って、この場合、2つのイ
オン化放射源を装置の両側に配置して、その間を製品を
通過させるようにして使用すると、製品の両面を同時に
照射することができる。
にイオン化放射を当てることがある。このため、食品を
イオン化放射源の前面を移動させてイオン化粒子が一方
からこの食品にぶつかるようにする。食品が様々な厚さ
のパックである場合、このように食品を一方の面からの
み処理するのは十分ではない。両面の処理は、パックを
引っ繰り返して二度連続して通過させることによって実
施される。しかし、製品が(パックになっておらず)ば
らばらであったり液体である場合には、このように引っ
繰り返すことはできない。従って、この場合、2つのイ
オン化放射源を装置の両側に配置して、その間を製品を
通過させるようにして使用すると、製品の両面を同時に
照射することができる。
両側もしくは両面の照射のために、本出願人は、フラン
ス国特許第2.396.392号に、2つの対向する面
を備えるターゲットの両面照射用装置について記載した
。この照射装置は、マイクロ波発生器が付属した荷電粒
子加速器、例えば、電子加速器を備え、荷電粒子を高い
周波数パルスに変えることができる。荷電粒子ビームは
、ホーン形の走査チャンバに入り、その人口部で可変磁
界の影響を受けて、ホーンの対称軸の何れか側に角度を
なして偏向される。このホーンの広い部分には、切り込
みが設けられている。この切り込みはホーンの開口の半
分にあたり対称軸の片側に位置して、荷電粒子ビームを
透過する2つの窓を備えている。
ス国特許第2.396.392号に、2つの対向する面
を備えるターゲットの両面照射用装置について記載した
。この照射装置は、マイクロ波発生器が付属した荷電粒
子加速器、例えば、電子加速器を備え、荷電粒子を高い
周波数パルスに変えることができる。荷電粒子ビームは
、ホーン形の走査チャンバに入り、その人口部で可変磁
界の影響を受けて、ホーンの対称軸の何れか側に角度を
なして偏向される。このホーンの広い部分には、切り込
みが設けられている。この切り込みはホーンの開口の半
分にあたり対称軸の片側に位置して、荷電粒子ビームを
透過する2つの窓を備えている。
照射されるべき製品は、これらの窓の間を移動する。こ
の切り込みを越えると、荷電粒子ビームは連続した磁界
の作用を受け、この切り込みに対してホーンの反対側を
走査すると、荷電粒子ビームは180°向きを変える。
の切り込みを越えると、荷電粒子ビームは連続した磁界
の作用を受け、この切り込みに対してホーンの反対側を
走査すると、荷電粒子ビームは180°向きを変える。
この配置によって、荷電粒子ビームがホーンの切り込み
部を備える部分を走査するときには製品の一方の面を照
射し、荷電粒子ビームが方向転換してホーンの他の部分
を走査するときには製品の他方の面を照射する。
部を備える部分を走査するときには製品の一方の面を照
射し、荷電粒子ビームが方向転換してホーンの他の部分
を走査するときには製品の他方の面を照射する。
発明が解決しようとする課題
上記の特許に記載の装置は、以下のような欠点を有する
。すなわち、電子を発生する加速器と走査及び磁気偏向
装置の高さが大きいので、高さの点で大きな空間を占め
る。
。すなわち、電子を発生する加速器と走査及び磁気偏向
装置の高さが大きいので、高さの点で大きな空間を占め
る。
第2の欠点は、加速器によって供給される電子ビームの
エネルギーを制御することができず、従って、イオン化
処理が均一性に欠けるという点である。
エネルギーを制御することができず、従って、イオン化
処理が均一性に欠けるという点である。
第3の欠点は、イオン化すべき製品の上面に衝突する電
子ビームが分散しており、従って、利用できる筈のエネ
ルギーの大部分が損失することである。
子ビームが分散しており、従って、利用できる筈のエネ
ルギーの大部分が損失することである。
第4の欠点は、製品の軸の近傍にある部分のイオン化強
度が調節できないことである。
度が調節できないことである。
従って、本発明の目的は、上記の欠点を持たない製品の
両面照射装置を提供することにある。
両面照射装置を提供することにある。
課題を解決するための手段
本発明によるならば、荷電粒子ビームをパルスとして放
出する変調器付荷電粒子加速器と、ホーン形真空密封式
の走査チャンバとを備え、該走査チャンバの最も広がっ
た端部には、円錐の半分を占める切り込み部が設けられ
、該切り込み部には上記荷電粒子ビームを透過する2つ
の窓が設けられ、上記切り込み部は、上記荷電粒子ビー
ムが照射されるべき製品が通過するように使用される、
製品の両面照射用装置であって、上記荷電粒子ビームの
パルスの持続期間の間、該荷電粒子ビームを軸の何れか
の側に角度偏向させるために、上記走査チャンバに設け
られた磁気走査手段と、広がる方向の角度走査を平行走
査に変換させるために、上記走査チャンバに設けられた
第1の磁気偏向手段と、上記走査チャンバの上記切り込
み部を備えない部分に対応する平行走査ビームを180
度偏向させるために、上記走査チャンバに設けられた第
2の磁気偏向手段とを備えることを特徴とする装置が提
供される。
出する変調器付荷電粒子加速器と、ホーン形真空密封式
の走査チャンバとを備え、該走査チャンバの最も広がっ
た端部には、円錐の半分を占める切り込み部が設けられ
、該切り込み部には上記荷電粒子ビームを透過する2つ
の窓が設けられ、上記切り込み部は、上記荷電粒子ビー
ムが照射されるべき製品が通過するように使用される、
製品の両面照射用装置であって、上記荷電粒子ビームの
パルスの持続期間の間、該荷電粒子ビームを軸の何れか
の側に角度偏向させるために、上記走査チャンバに設け
られた磁気走査手段と、広がる方向の角度走査を平行走
査に変換させるために、上記走査チャンバに設けられた
第1の磁気偏向手段と、上記走査チャンバの上記切り込
み部を備えない部分に対応する平行走査ビームを180
度偏向させるために、上記走査チャンバに設けられた第
2の磁気偏向手段とを備えることを特徴とする装置が提
供される。
本発明は、添付図面を参照して行う以下の実施例の説明
によってより明らかとなろう。
によってより明らかとなろう。
実施例
第1図に図示したように、本発明による製品220両面
照射装置10は、荷電粒子ビームを放出する荷電粒子加
速器11と、荷電粒子ビームを受けるための真空密封型
の走査チャンバ12と、走査チャンバ12内でこの荷電
粒子ビームの角度を様々に変更する磁石装置13から2
0とを備える。
照射装置10は、荷電粒子ビームを放出する荷電粒子加
速器11と、荷電粒子ビームを受けるための真空密封型
の走査チャンバ12と、走査チャンバ12内でこの荷電
粒子ビームの角度を様々に変更する磁石装置13から2
0とを備える。
荷電粒子加速器は、例えば、持続期間が10マイクロ秒
のパルスを放出し、出力が例えばlQMeVの電子加速
器である。
のパルスを放出し、出力が例えばlQMeVの電子加速
器である。
走査チャンバ12は、−船釣にホーンの形状をしている
。ビームの人口部となる狭い部分は、加速器11の出力
に配置される。
。ビームの人口部となる狭い部分は、加速器11の出力
に配置される。
磁石装置は、グラザー(Glazer)レンズ型の磁気
集束レンズ13を備える。このレンズは、集束性の加速
器の出力で発散しようとする電子ビームを収束させるた
めのものである。このレンズ13に続いてセンタリング
用磁石14が配置されており、この磁石は、スロット8
の形をした磁石15の人口に電子ビームの方向を向ける
ように調節するために使用されている。磁石15は、2
の機能を有し、第1の機能はビームの方向を偏向させて
、鉛直方向にすることであり、第2の機能は電子ビーム
を軸平面内に集束させて、より狭い放射ビームを得るこ
とである。この磁石15の出力部には、エネルギー限定
スロット9がある。磁石15によって形成された磁界に
対応するエネルギーを有する電子だけが、このスロット
9を通過することができる。これによって、電子のエネ
ルギーを制御することができる。
集束レンズ13を備える。このレンズは、集束性の加速
器の出力で発散しようとする電子ビームを収束させるた
めのものである。このレンズ13に続いてセンタリング
用磁石14が配置されており、この磁石は、スロット8
の形をした磁石15の人口に電子ビームの方向を向ける
ように調節するために使用されている。磁石15は、2
の機能を有し、第1の機能はビームの方向を偏向させて
、鉛直方向にすることであり、第2の機能は電子ビーム
を軸平面内に集束させて、より狭い放射ビームを得るこ
とである。この磁石15の出力部には、エネルギー限定
スロット9がある。磁石15によって形成された磁界に
対応するエネルギーを有する電子だけが、このスロット
9を通過することができる。これによって、電子のエネ
ルギーを制御することができる。
電子ビームは、補正磁石16によって走査磁石17の方
向に向けられる。この補正磁石16は、ビームの方向を
磁石17の入口部に正確に調節するために使用される。
向に向けられる。この補正磁石16は、ビームの方向を
磁石17の入口部に正確に調節するために使用される。
円形の磁極片を有する走査磁石17は、10マイクロ秒
のパルス持続期間にビームの方向を所定の角度、例えば
、約20から25度偏向させるのに使用される。走査方
向に応じて、ビームは磁石18もしくは磁石19の方向
を指す。この磁石の各々は、走査によって発散する方向
にあるビームを平行なビームに集束する効果がある。
のパルス持続期間にビームの方向を所定の角度、例えば
、約20から25度偏向させるのに使用される。走査方
向に応じて、ビームは磁石18もしくは磁石19の方向
を指す。この磁石の各々は、走査によって発散する方向
にあるビームを平行なビームに集束する効果がある。
さらに、磁石18を出た平行ビームを180°の角度偏
向させ、従って、完全に戻すために偏向磁石20が設け
られている。
向させ、従って、完全に戻すために偏向磁石20が設け
られている。
照射されるべき製品22は、電子ビームを通過させるコ
ンベア27によって移動される。このコンベアは、磁石
20と磁石19との間に、第1図の図面の面に平行な方
向に配置される。製品の移動は大気中で行われ、一方1
.電子ビームの様々な通路は真空密封走査チャンバ12
の中であるので、この走査チャンバ12は、磁石19と
磁石20との間に形成された切り込み部24を有する。
ンベア27によって移動される。このコンベアは、磁石
20と磁石19との間に、第1図の図面の面に平行な方
向に配置される。製品の移動は大気中で行われ、一方1
.電子ビームの様々な通路は真空密封走査チャンバ12
の中であるので、この走査チャンバ12は、磁石19と
磁石20との間に形成された切り込み部24を有する。
この切り込み部は、そこで照射されるべき製品を通過さ
せるために使用される。この切り込み部24の位置に、
走査チャンバ12の一部23は上部窓25と下部窓26
とを有し、この両方の窓は電子ビームを透過させるが、
走査チャンバの他の部分は電子ビームを透過させない。
せるために使用される。この切り込み部24の位置に、
走査チャンバ12の一部23は上部窓25と下部窓26
とを有し、この両方の窓は電子ビームを透過させるが、
走査チャンバの他の部分は電子ビームを透過させない。
第1図には、種々の磁石13.14.15.16.17
.18.19及び20が極めて概略的に図示されており
、これらの主な対向磁極片だけ図示されている。また、
極めて概略的に示したコイル28等が設けられる。磁石
17を除いて、これらの磁石には全部直流電流が供給さ
れ、対向磁極片の間に固定磁界を生じさせる。電子ビー
ムの所望の偏向が得られるように設定するときにこれら
の直流電流の値が調整される。
.18.19及び20が極めて概略的に図示されており
、これらの主な対向磁極片だけ図示されている。また、
極めて概略的に示したコイル28等が設けられる。磁石
17を除いて、これらの磁石には全部直流電流が供給さ
れ、対向磁極片の間に固定磁界を生じさせる。電子ビー
ムの所望の偏向が得られるように設定するときにこれら
の直流電流の値が調整される。
磁石17のコイル28のみは、パルス持続期間中に電子
ビームを走査させるためにそのパルス持続期間中に変化
する電流が供給される。
ビームを走査させるためにそのパルス持続期間中に変化
する電流が供給される。
第2図は、コイル28を流れる電流を制御する回路の概
略図である。この回路は、直流電流源29、直流電流源
29と並列で容量Cを有するコンデンサ30、コイルと
直列なスイッチ31とを備える。このコイルは、インダ
クタンスしてあり、抵抗Rである。スイッチ31は、同
期回路32によって制御され、また、この同期回路32
は電子加速器11の変調器33も制御する。このコンデ
ンサ30とコイル28とを備える回路は共振回路であり
、この回路を流れる電流は以下の式で示される: 但し、スイッチ31は閉じており、コンデンサ30は直
流電流源29の電圧V。であらかじめ充電されている。
略図である。この回路は、直流電流源29、直流電流源
29と並列で容量Cを有するコンデンサ30、コイルと
直列なスイッチ31とを備える。このコイルは、インダ
クタンスしてあり、抵抗Rである。スイッチ31は、同
期回路32によって制御され、また、この同期回路32
は電子加速器11の変調器33も制御する。このコンデ
ンサ30とコイル28とを備える回路は共振回路であり
、この回路を流れる電流は以下の式で示される: 但し、スイッチ31は閉じており、コンデンサ30は直
流電流源29の電圧V。であらかじめ充電されている。
この式では、ω。−1/(LC)”’であり、R<2・
(L/C)”2である。
(L/C)”2である。
第3図は、I (t)のグラフである。これは正弦曲線
であり、その周期は80マイクロ秒に等しいように選択
される。従って、約10マイクロ秒持続してほぼ直線状
に変化する4つの区間A’、B、C。
であり、その周期は80マイクロ秒に等しいように選択
される。従って、約10マイクロ秒持続してほぼ直線状
に変化する4つの区間A’、B、C。
Dを有している。各区間の持続時間は、電子ビームの各
パルスの持続期間である。これらの区間A、B、C,も
しくはDの1つを選ぶことによって、電子ビームは、鉛
直軸のどちらかの側に、右側から左側に、もしくは左側
から右側に偏向される。より正確には、第3図の正弦曲
線のトリガはスイッチ31を閉じることで決定されるの
で、スイッチが閉じた瞬間は、ビームのパルスの次のト
リガの瞬間を決定し、従って、このパルスは選択すべき
走査の形式に応じて、区域ASBSCもしくはDと一致
する。
パルスの持続期間である。これらの区間A、B、C,も
しくはDの1つを選ぶことによって、電子ビームは、鉛
直軸のどちらかの側に、右側から左側に、もしくは左側
から右側に偏向される。より正確には、第3図の正弦曲
線のトリガはスイッチ31を閉じることで決定されるの
で、スイッチが閉じた瞬間は、ビームのパルスの次のト
リガの瞬間を決定し、従って、このパルスは選択すべき
走査の形式に応じて、区域ASBSCもしくはDと一致
する。
さらに、軸上にビームがあるを防ぐために、電子ビーム
パルスは、正弦曲線が振幅零を通過した後遅延θを持っ
て始まる。そして、正弦曲線が振幅零を通過する前のあ
る時間θに林わる。換言すれば、磁石17の磁界は、そ
の間を電子ビームが通過しているときは零であることは
ない。
パルスは、正弦曲線が振幅零を通過した後遅延θを持っ
て始まる。そして、正弦曲線が振幅零を通過する前のあ
る時間θに林わる。換言すれば、磁石17の磁界は、そ
の間を電子ビームが通過しているときは零であることは
ない。
第4図a及び第4図すは、ビームのパルス(第4図b)
と正弦曲線の区間A、B、CもしくはDとの間の同期化
を示している。
と正弦曲線の区間A、B、CもしくはDとの間の同期化
を示している。
従来のように、プラス方向に電流を増加させると、ビー
ムを左から右に偏向させると仮定すると、第4図の部分
■は中心軸の右の方へのビームの偏向、すなわち、下部
窓26による製品22の走査に対応する。部分■は、中
心軸の左側へのビームの偏向、すなわち、上部窓25に
よる製品22の走査に対応する。部分■は、右側から中
心軸の方へビームの偏向、すなわち、下部窓26による
製品22の走査に対応する。さらに、部分■は、左から
中心軸の方へのビームの偏向、すなわち、上部窓25に
よる製品22の走査に対応する。
ムを左から右に偏向させると仮定すると、第4図の部分
■は中心軸の右の方へのビームの偏向、すなわち、下部
窓26による製品22の走査に対応する。部分■は、中
心軸の左側へのビームの偏向、すなわち、上部窓25に
よる製品22の走査に対応する。部分■は、右側から中
心軸の方へビームの偏向、すなわち、下部窓26による
製品22の走査に対応する。さらに、部分■は、左から
中心軸の方へのビームの偏向、すなわち、上部窓25に
よる製品22の走査に対応する。
発明の効果
上記に記載した照射装置は、以下のような利点を有する
。
。
まず、製品の両面の照射ができ、従って、同じ出力の場
合、照射する製品の厚さを増大することができる。
合、照射する製品の厚さを増大することができる。
次に、照射を走査によって実施することができる。これ
によって、1つのパルスの持続期間中製品の比較的大き
い面積をイオン化することができと共に、狭いビームを
使用することもできる。
によって、1つのパルスの持続期間中製品の比較的大き
い面積をイオン化することができと共に、狭いビームを
使用することもできる。
ビームを走査するので、ビームのエネルギーを窓部のよ
り広い面積に渡って分配することができ、その結果、発
熱がより小さい。
り広い面積に渡って分配することができ、その結果、発
熱がより小さい。
製品の表面は、各々、連続して両方の方向から走査され
、その結果、パルス持続期間中のビームの強度の分布の
点から製品が受ける線量がより均一になる。この受ける
線量の均一化は、さらに、偏向磁石15とエネルギー限
定スロット9とを組み合わせることによって改良され、
磁石15の磁界に対応するエネルギーを有しない電子を
除去することができる。
、その結果、パルス持続期間中のビームの強度の分布の
点から製品が受ける線量がより均一になる。この受ける
線量の均一化は、さらに、偏向磁石15とエネルギー限
定スロット9とを組み合わせることによって改良され、
磁石15の磁界に対応するエネルギーを有しない電子を
除去することができる。
ビームは、常に軸に対して移動されるので、放射線のな
い空間の中心にベルトコンベア27を配置することがで
きる。また、これによって、製品22の内部端のイオン
化強度を制御することができる。
い空間の中心にベルトコンベア27を配置することがで
きる。また、これによって、製品22の内部端のイオン
化強度を制御することができる。
本発明は、上記のように、電子ビームによる製品の照射
にも適用される。しかし、磁界によって偏向することの
できる荷電粒子のパルス源を使用する照射装置であれば
どのような装置にも適用することができる。
にも適用される。しかし、磁界によって偏向することの
できる荷電粒子のパルス源を使用する照射装置であれば
どのような装置にも適用することができる。
また、これらの荷電粒子は、他の型の粒子に転化するこ
ともできる。すなわち、電子流を光子流に転化させるタ
ーゲットを、各々窓部25及び26の近傍に設けて、電
子を光子に転化することができる。
ともできる。すなわち、電子流を光子流に転化させるタ
ーゲットを、各々窓部25及び26の近傍に設けて、電
子を光子に転化することができる。
製品の端部をより効果的に照射する前に、磁石19及び
20の磁界を窓部26及び25の近傍に偏向して、製品
の端部にビームを集中させることができる。
20の磁界を窓部26及び25の近傍に偏向して、製品
の端部にビームを集中させることができる。
第1図は、本発明による製品の両面照射用装置の斜視図
であり、 第2図は、荷電粒子ビームを走査する磁石の電流を制御
する装置の概略図であり、 第3図は、走査磁石の電流を制御する方法を図解する概
略図であり、 第4図a及び第4図すは、走査信号と荷電粒子パルスと
の間との同期化を示すグラフである。 (主な参照番号) 8.9・・・スロット11・・・荷電粒子加速器12・
・・真空密封走査チャンバ 13・・・集束レンズ 14・・・センタリング磁石 15・・・磁石 17・・・走査磁石 20・・・偏向磁石 24・・・切り込み部 27・・・コンベア 29・・・直流電流源
であり、 第2図は、荷電粒子ビームを走査する磁石の電流を制御
する装置の概略図であり、 第3図は、走査磁石の電流を制御する方法を図解する概
略図であり、 第4図a及び第4図すは、走査信号と荷電粒子パルスと
の間との同期化を示すグラフである。 (主な参照番号) 8.9・・・スロット11・・・荷電粒子加速器12・
・・真空密封走査チャンバ 13・・・集束レンズ 14・・・センタリング磁石 15・・・磁石 17・・・走査磁石 20・・・偏向磁石 24・・・切り込み部 27・・・コンベア 29・・・直流電流源
Claims (3)
- (1)荷電粒子ビームをパルスとして放出する変調器付
荷電粒子加速器と、ホーン形真空密封式の走査チャンバ
とを備え、該走査チャンバの最も広がった端部には、円
錐の半分を占める切り込み部が設けられ、該切り込み部
には上記荷電粒子ビームを透過する2つの窓が設けられ
、上記切り込み部は、上記荷電粒子ビームが照射される
べき製品が通過するように使用される、製品の両面照射
用装置であって、上記荷電粒子ビームのパルスの持続期
間の間、該荷電粒子ビームを軸の何れかの側に角度偏向
させるために、上記走査チャンバに設けられた磁気走査
手段と、広がる方向の角度走査を平行走査に変換させる
ために、上記走査チャンバに設けられた第1の磁気偏向
手段と、上記走査チャンバの上記切り込み部を備えない
部分に対応する平行走査ビームを180度偏向させるた
めに、上記走査チャンバに設けられた第2の磁気偏向手
段とを備えることを特徴とする装置。 - (2)上記磁気走査手段が、円形磁極片を有する磁石を
備え、そのコイルには、上記荷電粒子ビームのパルスの
持続期間の間変化する電流が供給されていることを特徴
とする請求項1に記載の照射装置。 - (3)上記コイルは、直流電流供給源と並列のコンデン
サと、上記コイルと直列なスイッチとを備える発振回路
の一部であり、上記スイッチと上記荷電粒子加速器の変
調器は同期回路によって制御されて、最初に上記スイッ
チが閉じて上記コイルに電流を供給し、次に、発振が振
幅零を通過後の第1の所定の時に荷電粒子ビームが現れ
、この通過の前の第2の所定の時に終わるように変調器
が制御されることを特徴とする請求項2に記載の照射装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8812118A FR2636773B1 (fr) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | Dispositif d'irradiation double face d'un produit |
| FR8812118 | 1988-09-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02115800A true JPH02115800A (ja) | 1990-04-27 |
| JP2958028B2 JP2958028B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=9370077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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