JPH02116108A - セラミック積層コンデンサ素子とその製造方法 - Google Patents
セラミック積層コンデンサ素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPH02116108A JPH02116108A JP63269903A JP26990388A JPH02116108A JP H02116108 A JPH02116108 A JP H02116108A JP 63269903 A JP63269903 A JP 63269903A JP 26990388 A JP26990388 A JP 26990388A JP H02116108 A JPH02116108 A JP H02116108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- powder
- niobium
- tantalum
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は容量の温度変化が小さい高誘電率系のセラミッ
ク積層コンデンサに関するものであり、特に表面二次相
の析出の少ない素子の構成及びその製造方法に関する。
ク積層コンデンサに関するものであり、特に表面二次相
の析出の少ない素子の構成及びその製造方法に関する。
従来の技術
容量の温度変化が小さい高誘電率系のセラミック積層コ
ンデンサの誘電体磁器組成物に関する従来の技術として
は、B a T i O3に、N b 205とCO2
O3を添加したもの、(特開昭61−275164号公
報) 、BaTiO3にNb2O5とMn02を添加し
たもの(特開昭51−76597号公報)などが知られ
ている。
ンデンサの誘電体磁器組成物に関する従来の技術として
は、B a T i O3に、N b 205とCO2
O3を添加したもの、(特開昭61−275164号公
報) 、BaTiO3にNb2O5とMn02を添加し
たもの(特開昭51−76597号公報)などが知られ
ている。
チタン酸バリウム結晶粒に酸化ニオブ、酸化タンタル、
からなる群から選ばれた少なくとも一種類の成分と酸化
マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの遷移金属
酸化物が部分的に拡散した構造からなる誘電体を主成分
とする誘電体磁器は純粋なりaTiOsのキュリー温度
を有する組成部分と、室温あるいは室温以下にキュリー
点を有する組成部分がおもにセラミック各結晶粒の中心
部と周辺部に存在している複合体により容量の温度変化
の平坦性を得ているものであり、このような複合体はあ
らかじめ仮焼した純粋なり a T i O3にその他
の成分を混合し焼成時に部分的に拡散させる手法により
得られている。
からなる群から選ばれた少なくとも一種類の成分と酸化
マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの遷移金属
酸化物が部分的に拡散した構造からなる誘電体を主成分
とする誘電体磁器は純粋なりaTiOsのキュリー温度
を有する組成部分と、室温あるいは室温以下にキュリー
点を有する組成部分がおもにセラミック各結晶粒の中心
部と周辺部に存在している複合体により容量の温度変化
の平坦性を得ているものであり、このような複合体はあ
らかじめ仮焼した純粋なり a T i O3にその他
の成分を混合し焼成時に部分的に拡散させる手法により
得られている。
次にセラミック積層コンデンサ素子の内部電極について
本発明と類似する従来の技術としては、誘電体層と電極
層の剥離を防止し、密着性を向上し、耐湿性を向上させ
る目的で、電極ペースト中に誘電体有効層と同一組成の
セラミック粉末を含有したものを用いて、セラミック積
層コンデンサ素子を作製する技術がある。(特開昭55
−83216号公報) 発明が解決しようとする課題 上述のようにチタン酸バリウム結晶粒に酸化ニオブ、酸
化タンタル、からなる群から選ばれた少なくとも一種類
の成分と酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケルな
どの遷移金属酸化物が部分的に拡散した構造からなる誘
電体を主成分とする誘電体は、BaTiO3のTiを置
換する成分のみを純粋なりaTiO3に拡散させるため
、焼成時に掃き出されたTi成分がBaTiO3との間
に低融点の液相成分を生成し冷却後BaTiO39相、
Ba。
本発明と類似する従来の技術としては、誘電体層と電極
層の剥離を防止し、密着性を向上し、耐湿性を向上させ
る目的で、電極ペースト中に誘電体有効層と同一組成の
セラミック粉末を含有したものを用いて、セラミック積
層コンデンサ素子を作製する技術がある。(特開昭55
−83216号公報) 発明が解決しようとする課題 上述のようにチタン酸バリウム結晶粒に酸化ニオブ、酸
化タンタル、からなる群から選ばれた少なくとも一種類
の成分と酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケルな
どの遷移金属酸化物が部分的に拡散した構造からなる誘
電体を主成分とする誘電体は、BaTiO3のTiを置
換する成分のみを純粋なりaTiO3に拡散させるため
、焼成時に掃き出されたTi成分がBaTiO3との間
に低融点の液相成分を生成し冷却後BaTiO39相、
Ba。
T i Is Os o相などのBaTiO3相に対し
Ti過剰の相、およびこれらの成分と添加した成分が反
応固溶した相などの二次相が残存する問題点を有してい
た。特に、BaTiO3相、B a 4 T i Is
Os o相などのB a T i Oaに対し、Ti
過剰の相およびこれらの成分と添加した成分が反応固溶
した相などは、大半が誘電体磁器と気相との界面に分布
する。特に冷却速度が遅いと、これらの二次相は針状に
成長し、素子表面に凹凸を形成し素子の機械的強度、外
部電極表面メツキ時のメツキ金属の外部電極部以外への
付着などの問題が発生していた。またこの二次相は誘電
率が低(、この二次相が内部電極層と誘電体層の界面に
析出し、容量の低下が発生する問題点もあった。特にこ
の問題点は、チタン酸バリウムに酸化ニオブ、酸化タン
タルを添加した際問題化していた。本発明ではかかる問
題点に鑑み、二次相が形成されにくいセラミック積層コ
ンデンサ素子とその製造方法を提供しようとするもので
ある。
Ti過剰の相、およびこれらの成分と添加した成分が反
応固溶した相などの二次相が残存する問題点を有してい
た。特に、BaTiO3相、B a 4 T i Is
Os o相などのB a T i Oaに対し、Ti
過剰の相およびこれらの成分と添加した成分が反応固溶
した相などは、大半が誘電体磁器と気相との界面に分布
する。特に冷却速度が遅いと、これらの二次相は針状に
成長し、素子表面に凹凸を形成し素子の機械的強度、外
部電極表面メツキ時のメツキ金属の外部電極部以外への
付着などの問題が発生していた。またこの二次相は誘電
率が低(、この二次相が内部電極層と誘電体層の界面に
析出し、容量の低下が発生する問題点もあった。特にこ
の問題点は、チタン酸バリウムに酸化ニオブ、酸化タン
タルを添加した際問題化していた。本発明ではかかる問
題点に鑑み、二次相が形成されにくいセラミック積層コ
ンデンサ素子とその製造方法を提供しようとするもので
ある。
課題を解決するための手段
ニオブ、タンタルから選ばれた少なくとも一種を主成分
とする酸化物粒を含有した内部電極層を有する構成とす
る。
とする酸化物粒を含有した内部電極層を有する構成とす
る。
製造方法としては、チタン酸バリウム粉末として、平均
位径0.7μm以下の粉末を用い、焼成中に内部電極層
に含まれる酸化物粒よりニオブ、タンタルから選ばれた
少なくとも一種類の酸化物成分を誘電体に拡散させる工
程からを有し、焼成温度として、1300℃以下の温度
範囲を選択する。
位径0.7μm以下の粉末を用い、焼成中に内部電極層
に含まれる酸化物粒よりニオブ、タンタルから選ばれた
少なくとも一種類の酸化物成分を誘電体に拡散させる工
程からを有し、焼成温度として、1300℃以下の温度
範囲を選択する。
作用
二次相が形成されるのは、焼成過程でBaTiO3に対
しTiO2過剰成分が液相となり、冷却過程で早(冷却
される誘電体層と気相もしくは内部・電極層界面より固
化されるためである。このような二次相を形成させない
ためには、液相が生成する温度である1300℃以下で
素子を焼成すればよい。チタン酸バリウム系セラミック
では焼結前のチタン酸バリウムが高純度で粒径が小さい
と、焼成温度が低下するが、一方このような出発原料の
チタン酸バリウム粉末に酸化ニオブや、酸化タンタルを
混合して焼成すると、これらの成分がチタン酸バリウム
と均一に反応してしまい、従来の技術で述べたような、
キュリー点の異なったセラミックの複合体になりにくい
。本発明では、焼結温度の低いチタン酸バリウム粉末を
もちいるかわりにニオブまたはタンタルの拡散を内部電
極層よりおこさせるため、拡散が抑制され、低い焼結温
度で目的とする不均一な誘電体構造を得ることができる
。このため二次相が析出しにくい。
しTiO2過剰成分が液相となり、冷却過程で早(冷却
される誘電体層と気相もしくは内部・電極層界面より固
化されるためである。このような二次相を形成させない
ためには、液相が生成する温度である1300℃以下で
素子を焼成すればよい。チタン酸バリウム系セラミック
では焼結前のチタン酸バリウムが高純度で粒径が小さい
と、焼成温度が低下するが、一方このような出発原料の
チタン酸バリウム粉末に酸化ニオブや、酸化タンタルを
混合して焼成すると、これらの成分がチタン酸バリウム
と均一に反応してしまい、従来の技術で述べたような、
キュリー点の異なったセラミックの複合体になりにくい
。本発明では、焼結温度の低いチタン酸バリウム粉末を
もちいるかわりにニオブまたはタンタルの拡散を内部電
極層よりおこさせるため、拡散が抑制され、低い焼結温
度で目的とする不均一な誘電体構造を得ることができる
。このため二次相が析出しにくい。
実施例
実施例 1
誘電体セラミックの出発原料として次の粉末を用いた。
まずチタン酸バリウムは水熱法より作成した化−学的に
高純度なりaTiO3粉末を1050℃で2時間仮焼し
平均粒径が0.5μ鴎となった粉末を用いた。その他の
添加物はそれぞれ化学的に高純度で平均粒径が0.3μ
mより0.7μmであるMnO2,Coo、NiO粉末
を用いた。
高純度なりaTiO3粉末を1050℃で2時間仮焼し
平均粒径が0.5μ鴎となった粉末を用いた。その他の
添加物はそれぞれ化学的に高純度で平均粒径が0.3μ
mより0.7μmであるMnO2,Coo、NiO粉末
を用いた。
これらの粉末は第1表に示した配合量を精秤し、内容積
600ccのポリエチレン製ボールミルに投入し、直径
4.5mmのイツトリア部分安定化ジルコニア製球石8
00gを混合媒体とし、純水を150g加え湿式で16
時間混合した。混合したスラリーは吸引濾過法により水
分の大半を除いたのち乾燥した。
600ccのポリエチレン製ボールミルに投入し、直径
4.5mmのイツトリア部分安定化ジルコニア製球石8
00gを混合媒体とし、純水を150g加え湿式で16
時間混合した。混合したスラリーは吸引濾過法により水
分の大半を除いたのち乾燥した。
第 1
表
第2表
本印は本発明の範囲外の比較例
この粉末longに対しバインダとしてポリビニルブチ
ラール樹脂を4.5g、可塑剤としてジブチルフタレー
トを2.2g、溶剤としてイソプロピルアルコールを1
5gトルエンを15g加え内容積300ccのポリエチ
レン製ボールミルを用い、直径8mmのイツトリア部分
安定化ジルコニア製球石150gを混合媒体として用い
、ペイントコンディショナー装置により誘電体スラリー
を作成した。誘電体スラリーは輻200mmのポリエチ
レンテレフタレートフィルム上にギャップ幅80μmの
ドクターブレードを用い幅150mmのセラミックグリ
ーンシートに成型した。乾燥後のグリーンシート厚みは
16μmであった。
ラール樹脂を4.5g、可塑剤としてジブチルフタレー
トを2.2g、溶剤としてイソプロピルアルコールを1
5gトルエンを15g加え内容積300ccのポリエチ
レン製ボールミルを用い、直径8mmのイツトリア部分
安定化ジルコニア製球石150gを混合媒体として用い
、ペイントコンディショナー装置により誘電体スラリー
を作成した。誘電体スラリーは輻200mmのポリエチ
レンテレフタレートフィルム上にギャップ幅80μmの
ドクターブレードを用い幅150mmのセラミックグリ
ーンシートに成型した。乾燥後のグリーンシート厚みは
16μmであった。
つぎに内部電極ペーストの電極金属の出発原料としては
、平均粒径0.8μmの球状にちがい形状を有した金属
パラジウム粉末を用いた。これに平均粒径0.4μmの
化学的に高純度な酸化ニオブ、酸化タンタルを第2表に
示した所定量加え、この粉体の合計体積に対し、エチル
セルロース粉末を15体積%を加え、あらかじめ乳ばち
で乾式混合したのち、α−ターピネオールを250体積
゛%加え、さらに乳ばちで混練し、その後フーバーマー
ラーを用い内部電極ペーストとした。
、平均粒径0.8μmの球状にちがい形状を有した金属
パラジウム粉末を用いた。これに平均粒径0.4μmの
化学的に高純度な酸化ニオブ、酸化タンタルを第2表に
示した所定量加え、この粉体の合計体積に対し、エチル
セルロース粉末を15体積%を加え、あらかじめ乳ばち
で乾式混合したのち、α−ターピネオールを250体積
゛%加え、さらに乳ばちで混練し、その後フーバーマー
ラーを用い内部電極ペーストとした。
積層コンデンサの作成については次の手順によった。ま
ず上述のセラミックグリーンシート上に325メツシユ
のステンレス製メシュをもちい内部電極パターンを形成
し、65℃気流中で8分間乾燥した。乾燥後の電極層の
厚みは3.5μmであった。このセラミックグリーンシ
ートは内部電極が交互に引き出されるように位置をずら
し、上下に無効層を重ねたのち65℃に加熱し、250
kg/cmllの圧力で積層した。積層体は内部電極が
交互に両端面に露出するよう切断した。
ず上述のセラミックグリーンシート上に325メツシユ
のステンレス製メシュをもちい内部電極パターンを形成
し、65℃気流中で8分間乾燥した。乾燥後の電極層の
厚みは3.5μmであった。このセラミックグリーンシ
ートは内部電極が交互に引き出されるように位置をずら
し、上下に無効層を重ねたのち65℃に加熱し、250
kg/cmllの圧力で積層した。積層体は内部電極が
交互に両端面に露出するよう切断した。
積層体は平均粒径500μmのジルコニア粗粒を敷いた
シャモツト質焼成容器中に並べ、電気炉中にいれ、20
℃/時で450℃まで昇温したのち2時間保持しバイン
ダを焼却除去した後、250℃/時で所定温度まで昇温
し、2時間保持し、その後300℃/時で室温付近まで
冷却した。
シャモツト質焼成容器中に並べ、電気炉中にいれ、20
℃/時で450℃まで昇温したのち2時間保持しバイン
ダを焼却除去した後、250℃/時で所定温度まで昇温
し、2時間保持し、その後300℃/時で室温付近まで
冷却した。
冷却後の試料は平均粒径500μmのSiC粒子とメチ
ルアルコールとともに振動ミル中でバレル処理し、端面
の内部電極を露出させた。この端面に無機フリットを含
む銀電極ペーストを850℃で焼き付け、積層コンデン
サ素子とした。
ルアルコールとともに振動ミル中でバレル処理し、端面
の内部電極を露出させた。この端面に無機フリットを含
む銀電極ペーストを850℃で焼き付け、積層コンデン
サ素子とした。
焼成後の積層コンデンサ素子は、外形3.2×1.6X
0.7mmで有効電極面積は一層当たり1.32mm2
、有効誘電体層5層で、内部電極の平均厚みは2.0μ
m、有効誘電体層の平均厚みは11μmであった。
0.7mmで有効電極面積は一層当たり1.32mm2
、有効誘電体層5層で、内部電極の平均厚みは2.0μ
m、有効誘電体層の平均厚みは11μmであった。
積層コンデンサ素子は各試料とも10個の素子につき、
容量、tanδをIVの交流電圧を印加し、1kHzの
周波数で測定した。また各試料とも1個の素子について
、容量の一25℃から85℃までの温度変化を測定し、
あわせて、走査型電子顕微鏡で表面層の二次相の析出状
態を観察した。
容量、tanδをIVの交流電圧を印加し、1kHzの
周波数で測定した。また各試料とも1個の素子について
、容量の一25℃から85℃までの温度変化を測定し、
あわせて、走査型電子顕微鏡で表面層の二次相の析出状
態を観察した。
第3表に誘電体がD1内部電極がElのものについて、
焼成温度、容量と一25℃から85℃の最大と最少温度
変化率、tanδ、(10個の平均)、二次相の析出状
態を示す。第4表に各誘電体、内部電極を用いた素子を
1280℃で焼成したものについて、容量と一25℃か
ら85℃の最大と最少温度変化率、tanδ、(10個
の平均)、二次相の析出状態を示す。誘電体E5内部電
極D5を用いた比較例については、1280℃では焼結
せず、1350℃で焼成した結果について示す。
焼成温度、容量と一25℃から85℃の最大と最少温度
変化率、tanδ、(10個の平均)、二次相の析出状
態を示す。第4表に各誘電体、内部電極を用いた素子を
1280℃で焼成したものについて、容量と一25℃か
ら85℃の最大と最少温度変化率、tanδ、(10個
の平均)、二次相の析出状態を示す。誘電体E5内部電
極D5を用いた比較例については、1280℃では焼結
せず、1350℃で焼成した結果について示す。
第 3 表
本年は本発明特許請求の範囲外の比較例第
表
本年は本発明特許請求の範囲外の比較例以上の試料番号
1〜4.11〜19の試料は、チタン酸バリウム結晶粒
に酸化ニオブ、酸化タンタルから選ばれた少なくとも一
種類の成分と酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケ
ルから選ばれた少なくとも一種類の成分が部分的に拡散
した構造からなるセラミックを主成分とする誘電体層と
、ニオブ、タンタルから選ばれた少なくとも−種を主成
分とする酸化物粒を含有した内部電極層からなる構造を
有している。本実施例より明らかな様に、本発明のセラ
ミック積層コンデンサ素子およびその製造方法によると
、チタン酸バリウムに酸化ニオブ、酸化タンタルが拡散
した時に発生する表面二次相がほとんどなく、チ密でか
つ、誘電体の誘電率が大きく、容量の温度変化の小さい
セラミック積層コンデンサ素子かえられる。
1〜4.11〜19の試料は、チタン酸バリウム結晶粒
に酸化ニオブ、酸化タンタルから選ばれた少なくとも一
種類の成分と酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケ
ルから選ばれた少なくとも一種類の成分が部分的に拡散
した構造からなるセラミックを主成分とする誘電体層と
、ニオブ、タンタルから選ばれた少なくとも−種を主成
分とする酸化物粒を含有した内部電極層からなる構造を
有している。本実施例より明らかな様に、本発明のセラ
ミック積層コンデンサ素子およびその製造方法によると
、チタン酸バリウムに酸化ニオブ、酸化タンタルが拡散
した時に発生する表面二次相がほとんどなく、チ密でか
つ、誘電体の誘電率が大きく、容量の温度変化の小さい
セラミック積層コンデンサ素子かえられる。
発明の効果
本発明によれば、液相が生成する温度である1300℃
以下で素子を焼成してもチ密で、かつ、キュリー点の異
なったセラミックの複合体かえられ、二次相の発生成長
が防がれた、容量が大きくかつ温度変化の小さいセラミ
ック積層コンデンサ素子を得ることができる。
以下で素子を焼成してもチ密で、かつ、キュリー点の異
なったセラミックの複合体かえられ、二次相の発生成長
が防がれた、容量が大きくかつ温度変化の小さいセラミ
ック積層コンデンサ素子を得ることができる。
Claims (2)
- (1) チタン酸バリウム結晶粒に、酸化ニオブおよび
酸化タンタルから選ばれた少なくとも一種類の成分と、
酸化マンガン、酸化コバルトおよび酸化ニッケルから選
ばれた少なくとも一種類の成分が部分的に拡散した構造
からなるセラミックを主成分とする誘電体層と、ニオブ
、タンタルから選ばれた少なくとも一種を主成分とする
酸化物粒を含有した内部電極層とを備えたことを特徴と
するセラミック積層コンデンサ素子。 - (2) チタン酸バリウム粉末として、平均粒径0.7
μm以下の粉末を用い、このチタン酸バリウム粉末に、
酸化マンガン、酸化コバルトおよび酸化ニッケルから選
ばれた、少なくとも一種類の酸化物を混合した粉末をグ
リーンシート化する工程と、このグリーンシート上に金
属パラジウム粉末と酸化ニオブおよび酸化タンタルから
選ばれた少なくとも一種の酸化物粉末の混合物からなる
電極ペーストにより内部電極を形成し積層する工程と、
積層した積層体を、1300℃以下で焼成し、焼成中に
内部電極層に含まれる酸化物粒よりニオブ、タンタルか
ら選ばれた少なくとも一種類の酸化物成分を誘電体に拡
散させる工程とを含むことを特徴とするセラミック積層
コンデンサ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63269903A JPH02116108A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | セラミック積層コンデンサ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63269903A JPH02116108A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | セラミック積層コンデンサ素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116108A true JPH02116108A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17478821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63269903A Pending JPH02116108A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | セラミック積層コンデンサ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010272493A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 電極形成用ペースト |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP63269903A patent/JPH02116108A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010272493A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 電極形成用ペースト |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3835254B2 (ja) | チタン酸バリウム粉末の製造方法 | |
| CN114914086B (zh) | 电介质组合物、电子部件及层叠电子部件 | |
| WO2014097678A1 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| CN103534223A (zh) | 电介质陶瓷、层叠陶瓷电子部件、层叠陶瓷电容器以及层叠陶瓷电容器的制造方法 | |
| JP6329236B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ用誘電体材料および積層セラミックコンデンサ | |
| JP3783678B2 (ja) | 誘電体セラミック用原料粉末の製造方法、誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JP7594928B2 (ja) | 誘電体組成物、電子部品および積層電子部品 | |
| JP7037945B2 (ja) | セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP4622518B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPH10310469A (ja) | 誘電体セラミック原料粉末の製造方法および誘電体セラミック組成物 | |
| JP2011079720A (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法 | |
| JPH08239265A (ja) | 誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラミックキャパシタおよびその製造方法 | |
| WO2011162044A1 (ja) | 誘電体セラミック組成物、および積層セラミック電子部品 | |
| JP7262640B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP7575961B2 (ja) | 誘電体組成物、電子部品および積層電子部品 | |
| JPH02116108A (ja) | セラミック積層コンデンサ素子とその製造方法 | |
| JP2580374B2 (ja) | 複合ペロブスカイト型誘電体磁器粉末の製造方法 | |
| JPH1017359A (ja) | 誘電体磁器組成物と磁器コンデンサ | |
| JP3316717B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2899303B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2938468B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2757402B2 (ja) | 高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法 | |
| JP2899302B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2005035843A (ja) | 圧電セラミックスおよび焼結助剤ならびに積層型圧電素子 | |
| JP2933635B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ |