JPH02116132A - 集積回路配線保護膜 - Google Patents
集積回路配線保護膜Info
- Publication number
- JPH02116132A JPH02116132A JP26973988A JP26973988A JPH02116132A JP H02116132 A JPH02116132 A JP H02116132A JP 26973988 A JP26973988 A JP 26973988A JP 26973988 A JP26973988 A JP 26973988A JP H02116132 A JPH02116132 A JP H02116132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wiring
- sio2
- sin
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の配線に通常用いられる多結晶
アルミに対する保護膜の構造に関する。
アルミに対する保護膜の構造に関する。
集積回路は半導体産業の基盤であり、その配線材料は経
済性の利点からスバリタ蒸着によるアルミを用いるのが
一般的である。このアルミ配線は電気的アイソレイショ
ンの目的でＰＳＧ （リン含有ケイ酸ガラス）ＩＩＡで
カバーされ、更に５ｉＮ（窒化シリコン）膜で防湿用の
保護膜が形成されるのが通常である。ここで問題となる
のはアルミ配線が消失現象を起こすことにある。アルミ
ニウム薄膜を配線として加工し、パッシベーション膜で
被覆した後、通電せずに１００〜２００℃程度の高温状
態に放置しておくだけでアルミ配線にくさび状の消失が
生じたり、竹の節のように切断された形で断線に至るこ
とがある。
済性の利点からスバリタ蒸着によるアルミを用いるのが
一般的である。このアルミ配線は電気的アイソレイショ
ンの目的でＰＳＧ （リン含有ケイ酸ガラス）ＩＩＡで
カバーされ、更に５ｉＮ（窒化シリコン）膜で防湿用の
保護膜が形成されるのが通常である。ここで問題となる
のはアルミ配線が消失現象を起こすことにある。アルミ
ニウム薄膜を配線として加工し、パッシベーション膜で
被覆した後、通電せずに１００〜２００℃程度の高温状
態に放置しておくだけでアルミ配線にくさび状の消失が
生じたり、竹の節のように切断された形で断線に至るこ
とがある。
上に述°べたことはデバイスの信頼性から大きな問題で
あるが、完全な原因究明には至っていない。
あるが、完全な原因究明には至っていない。
但し、パッシベーション膜のアルミニウム（以下。
アルミという）配線に及ぼす応力が重要な加速原因にな
っていることが多くのデータで確かめられている。即ち
、ＰＳＧ膜のみでは大きな消失は起きないが、最外層に
耐湿用５ｉＮＢｉを付着すると、消失が顕著になること
が知られている。ＳｉＮがＰＳＧに比べ剛性率が高いこ
と、真性内在応力が大きいことによりアルミ配線部に引
っ張り応力をもたらしていると考えられる。従って、ア
ルミ消失の発生率を低下させるにはカバー膜がアルミ配
線に及ぼす引っ張り応力を低減することが必要である。
っていることが多くのデータで確かめられている。即ち
、ＰＳＧ膜のみでは大きな消失は起きないが、最外層に
耐湿用５ｉＮＢｉを付着すると、消失が顕著になること
が知られている。ＳｉＮがＰＳＧに比べ剛性率が高いこ
と、真性内在応力が大きいことによりアルミ配線部に引
っ張り応力をもたらしていると考えられる。従って、ア
ルミ消失の発生率を低下させるにはカバー膜がアルミ配
線に及ぼす引っ張り応力を低減することが必要である。
本発明の目的はカバー膜がアルミ配線に及ぼす引っ張り
応力を軽減し、かつ集積回路の信頼性を確保するための
耐湿性をもたせたカバー膜を提供することにある。
応力を軽減し、かつ集積回路の信頼性を確保するための
耐湿性をもたせたカバー膜を提供することにある。
（課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本発明に係る集積回路配線保
護膜においては、集積回路に用いられる配線を保護する
カバー膜部を少なくとも酸化ケイ素膜／窒化ケイ素膜／
リンガラス膜の三重構造としたものである。
護膜においては、集積回路に用いられる配線を保護する
カバー膜部を少なくとも酸化ケイ素膜／窒化ケイ素膜／
リンガラス膜の三重構造としたものである。
本発明では熱膨脹係数の大きいＳ ｉ Ｎ（２，２Ｘ
ｔｏ””に−１）膜を熱膨脹係数の小さい５ｉｎ２（０
，５Ｘ １０−”Ｋ−”）膜で被覆してサンドイッチ構
造に構成し、ＳｉＮｗＡがアルミ配線に及ぼす応力を軽
減することにより。
ｔｏ””に−１）膜を熱膨脹係数の小さい５ｉｎ２（０
，５Ｘ １０−”Ｋ−”）膜で被覆してサンドイッチ構
造に構成し、ＳｉＮｗＡがアルミ配線に及ぼす応力を軽
減することにより。
アルミ消失現象の発生を緩和したものである。
ここではＳｉＮ膜をＳｉｎ、 ［でサンドインチしてい
ルカ、リンヲ含ンだＳｉｎ、 膜部チＰＳＧ［１！ テ
ｓ ｉ Ｏ，ＷＡ ヲ代用させても物性定数に大きな差
異はなく、同様な効果が期待でき、製造工程も簡単にな
る。
ルカ、リンヲ含ンだＳｉｎ、 膜部チＰＳＧ［１！ テ
ｓ ｉ Ｏ，ＷＡ ヲ代用させても物性定数に大きな差
異はなく、同様な効果が期待でき、製造工程も簡単にな
る。
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成図であり、サンドイン
チ層の片側をＰ−５Ｇ膜で代用させたものを示す、Ｓｉ
基板１上にスパッタされたＳｕｎ、下地膜２上にアルミ
配線膜３が蒸着されている。配線膜３のカバー膜にはＰ
ＳＧ膜４が用いられている。リンは重金属のゲッタリン
グ作用があるため、０．４％程度ドープされている。更
にＰＳＧ膜４上にＳｉＮ膜５及びＳｉＯ□１ｌｉｉ６が
形成される。本発明の骨子である三層構造はＳｉｎ、膜
６／ＳｉＮ膜５／ＰＳＧ膜４で構成される。
チ層の片側をＰ−５Ｇ膜で代用させたものを示す、Ｓｉ
基板１上にスパッタされたＳｕｎ、下地膜２上にアルミ
配線膜３が蒸着されている。配線膜３のカバー膜にはＰ
ＳＧ膜４が用いられている。リンは重金属のゲッタリン
グ作用があるため、０．４％程度ドープされている。更
にＰＳＧ膜４上にＳｉＮ膜５及びＳｉＯ□１ｌｉｉ６が
形成される。本発明の骨子である三層構造はＳｉｎ、膜
６／ＳｉＮ膜５／ＰＳＧ膜４で構成される。
以上説明したとおり本発明によれば、従来、大きな真性
応力、熱応力をアルミ配線に及ぼしていた５ｉＮｌｌｉ
による内在応力を軽減し、かつ耐候性も持たせたパッシ
ベーション膜構造を提供することができる効果を有する
。
応力、熱応力をアルミ配線に及ぼしていた５ｉＮｌｌｉ
による内在応力を軽減し、かつ耐候性も持たせたパッシ
ベーション膜構造を提供することができる効果を有する
。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。
１・・・Ｓｉ基板 ２，６・・・Ｓｉｎ、
膜３・・・アルミ配線膜 ４・・・ＰＳＧｆｌ１
５・・・ＳｘＮ膜
膜３・・・アルミ配線膜 ４・・・ＰＳＧｆｌ１
５・・・ＳｘＮ膜
Claims (1)
- （１）集積回路に用いられる配線を保護するカバー膜部
を少なくとも酸化ケイ素膜／窒化ケイ素膜／リンガラス
膜の三重構造としたことを特徴とする集積回路配線保護
膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26973988A JPH02116132A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 集積回路配線保護膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26973988A JPH02116132A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 集積回路配線保護膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116132A true JPH02116132A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17476487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26973988A Pending JPH02116132A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 集積回路配線保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116132A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5633202A (en) * | 1994-09-30 | 1997-05-27 | Intel Corporation | High tensile nitride layer |
| US6228777B1 (en) | 1999-06-08 | 2001-05-08 | Intel Corporation | Integrated circuit with borderless contacts |
| US6525404B1 (en) * | 1999-11-22 | 2003-02-25 | Stmicroelectronics S.R.L. | Moisture corrosion inhibitor layer for Al-alloy metallization layers, particularly for electronic devices and corresponding manufacturing method |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP26973988A patent/JPH02116132A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5633202A (en) * | 1994-09-30 | 1997-05-27 | Intel Corporation | High tensile nitride layer |
| US6228777B1 (en) | 1999-06-08 | 2001-05-08 | Intel Corporation | Integrated circuit with borderless contacts |
| US6515351B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-02-04 | Intel Corporation | Integrated circuit with borderless contacts |
| US6525404B1 (en) * | 1999-11-22 | 2003-02-25 | Stmicroelectronics S.R.L. | Moisture corrosion inhibitor layer for Al-alloy metallization layers, particularly for electronic devices and corresponding manufacturing method |
| US6762123B2 (en) | 1999-11-22 | 2004-07-13 | Stmicroelectronics S.R.L. | Moisture corrosion inhibitor layer for Al-alloy metallization layers, particularly for electronic devices and corresponding manufacturing method |
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