JPH02116143A - Square device aligner - Google Patents

Square device aligner

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Publication number
JPH02116143A
JPH02116143A JP63270313A JP27031388A JPH02116143A JP H02116143 A JPH02116143 A JP H02116143A JP 63270313 A JP63270313 A JP 63270313A JP 27031388 A JP27031388 A JP 27031388A JP H02116143 A JPH02116143 A JP H02116143A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
light
level
chuck
driving means
Prior art date
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Pending
Application number
JP63270313A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinji Niwa
丹羽 慎治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP63270313A priority Critical patent/JPH02116143A/en
Publication of JPH02116143A publication Critical patent/JPH02116143A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)

Abstract

PURPOSE:To facilitate alignment in a short time by a method wherein, when a square device is rotated, a light which is transmitted from a light emission source without being interfered by the square device is detected by a photodetector and four peak level values are obtained in one rotation and a discrepancy of the alignment is calculated from the values. CONSTITUTION:A ceramic square substrate 10 is attracted by a subchuck 12. When the discrepancy of the substrate 10 is detected, the substrate 10 is rotated by a subchuck Z-direction driving means 13, a subchuck rotating driving means 14, tweezers X-direction driving means 16 and a Y-axial direction driving means 17. A light emitting diode 18 whose emitting light is interfered on the diagonal of the substrate 10 and transmitted if the facing sides are in parallel with each other is provided near the circumference of the substrate 10 and a photodetector 19 is provided so as to face the light emitting diode 18. Thus small and big four level values are detected every one turn of the substrate by a light detecting level detecting means 22 and the difference in level is processed by a CPU 30 having built-in discrepancy calculating means 33 and comparing means 31 and each driving means is controlled so as to eliminated the difference.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention] 【産業上の利用分野】[Industrial application field]

この発明は、方形状体の位置合わせ装置に関する。 The present invention relates to a positioning device for a rectangular body.

【従来の技術】[Conventional technology]

従来、第6図に示すような円形半導体ウェーハを検査す
る10−バと称せられる検査装置がある。 この検査装置では、検査用の基板載置台上において、予
め、定められた位置に半導体ウェーハを位置合わせする
必要がある。この位置合わせには、粗位置合わせと、微
細位置合わせとがある。粗位置合わせはプリアライメン
トと称されている。 先ず、カセットと呼ばれる基板収納部がら半導体ウェー
ハlが引き出されてサブチャックと呼ばれる基板載置台
に載せられ、プリアライメントが行われる0次に、この
プリアライメントがなされた半導体ウェーハ1がメイン
チャックと称せられる基板載置台にサブチャックから移
される。そして、このメインチャック上で微細位置合わ
せが行われて、正確な位置合わせがなされ、検査が行わ
れる。 プリアライメントは、サブチャックの中心位lに半導体
ウェーハ1の中心位置を合わせると共に、第3図に示す
ように半導体ウェーハ1の1部に設けられたオリエンテ
ーションフラット2の位!を基準に半導体ウェーハ1の
方向を定める処理を行つ。 従来、プリアライメントは、第7図に示すように、半導
体ウェーハ1の周縁部において、この半導体ウェーハ1
を挾むような位置に発光ダイオードからなる光源と受光
素子とを設けて行っている。 すなわち、半導体ウェーハ1を回転させたとき半導体ウ
ェーハのサブチャック上での位置ずれに応じてウェーハ
が光を遮る面積が変わるので、このときの受光素子の受
光出力から半導体ウェーハ1のサブチャック上における
位置を検出してプリアライメントを行うものである。
Conventionally, there is an inspection apparatus called a 10-bar which inspects a circular semiconductor wafer as shown in FIG. In this inspection apparatus, it is necessary to align the semiconductor wafer to a predetermined position on the substrate mounting table for inspection. This alignment includes coarse alignment and fine alignment. Rough alignment is called prealignment. First, a semiconductor wafer 1 is pulled out of a substrate storage unit called a cassette and placed on a substrate mounting table called a sub-chuck, where pre-alignment is performed.Next, the semiconductor wafer 1 that has been pre-aligned is called a main chuck. The substrate is transferred from the sub-chuck to the substrate mounting table. Fine positioning is then performed on this main chuck to ensure accurate positioning and inspection. Pre-alignment is performed by aligning the center position of the semiconductor wafer 1 with the center position l of the sub-chuck, and also aligning the center position of the semiconductor wafer 1 with the center position l of the sub-chuck, and aligning the center position of the semiconductor wafer 1 with the orientation flat 2 provided in a part of the semiconductor wafer 1 as shown in FIG. A process is performed to determine the direction of the semiconductor wafer 1 based on the . Conventionally, pre-alignment is carried out at the peripheral edge of the semiconductor wafer 1, as shown in FIG.
A light source consisting of a light emitting diode and a light receiving element are provided at positions sandwiching the light emitting diode. In other words, when the semiconductor wafer 1 is rotated, the area where the wafer blocks light changes depending on the positional shift of the semiconductor wafer on the sub-chuck. It detects the position and performs pre-alignment.

【発明が解決しようとする課!l!】[The problem that the invention tries to solve! l! ]

ところで、例えばセラミックからなる不透明方形基板が
最近使用されるようになってきたが、この方形基板も検
査装置で検査する工程が必要であり、その検査のために
、やはりアリアライメントと、微細位置合わせが必要で
ある。 ところが、この不透明方形基板は、半導体ウェーハと異
なり、方形であるので、円形の半導体ウェーハのグリア
ライメントの技術をそのまま使用することはできない。 この発明は以上の欠点を改善した位置合わせ装置を提供
しようとするものである。
By the way, opaque rectangular substrates made of ceramic, for example, have recently come into use, but these rectangular substrates also require a process to be inspected with an inspection device, and for that inspection, alignment and fine positioning are required. is necessary. However, unlike a semiconductor wafer, this opaque rectangular substrate is rectangular, so the technique of glial alignment for a circular semiconductor wafer cannot be used as is. The present invention aims to provide an alignment device that improves the above-mentioned drawbacks.

【課題を解決するための手段】[Means to solve the problem]

この発明による位置合わせ装置は、方形状基板上わせ体
を回転させたときの軌跡と予め定められた基準点との交
点から位置ずれ量を検出し、この位置ずれ量が零となる
ように上記被位置合わせ体の位置を修正する手段を具備
する。
The positioning device according to the present invention detects the amount of positional deviation from the intersection of the locus of the rectangular substrate mounting body when it is rotated and a predetermined reference point, and adjusts the amount of positional deviation as described above so that the amount of positional deviation becomes zero. A means for correcting the position of the object to be aligned is provided.

【作用】[Effect]

方形状体を回転させ、予め定められた基準と比較するの
で、被位置合わせ体を実質的に円形と見なして位置合わ
せを実行することができる。
Since the rectangular object is rotated and compared with a predetermined reference, alignment can be performed while assuming that the object to be aligned is substantially circular.

【実施例】【Example】

この発明による方形状体位置合わせ装置の一実施例を図
を参照して以下説明する。 発光源からの光の内、方形状基板に遮られた面積に応じ
た光が受光素子に受光される。方形状基板を回転させれ
ば、発光源からの光の照射位置は方形基板上で円状の軌
跡を描く、シたかって、第2図に示すように方形状基板
上に内接円を描くと、その接点位置で受光出力が最大に
なることが判る。 このことから、受光出力が最大となる4点を検出手段で
検出すれば、基板載置台上の方形ガラス基板の位置が判
り、位置合わせを行うことができる。 ところで、この受光レベルが最大となる4点を見つける
場合、受光出力が一定値以上になる位置から見つけよう
とすると、光の強度のばらつきによってそのスレッショ
ールド値の設定が難しい。 そこで、この例では逆に、受光レベルが小となる位置を
先ず検出し、これに基づいて受光レベルのピーク値を検
出する。受光レベルが小となる位置の次には必ず、受光
レベルがピークとなる位置が存在するからである。そし
て、受光レベルが小の方のばらつきは小さく、スレッシ
ョールド値の設定が容易であるからである。 第1図において、10は、例えば、第2図に示すような
方形状のセラミック製基板である。 12は、このセラミック製方形状基板10が載置される
サブチャックである。このサブチャック12は、サブチ
ャックZ軸方向駆動手段13により上下方向に駆動でき
るようにされている。また、サブチャック回転駆動手段
14によりこのサブチャック12に吸着されるセラミッ
ク製方形状基板10がその板面方向に回転させられるよ
うになっている。 また、15はピンセットと称せられる移動台である。こ
のピンセット15は、カセットからセラミック製方形状
基板を引き出し、サブチャック12上にこのセラミック
製方形状基板を持ち来すロボット作用をする。このため
、ピンセット15は、ピンセットX方向駆動手段16に
より図中矢印で示す左右方向に移動されるとともに、Y
軸方向駆動手段17により紙面に垂直な方向に移動され
るようになされている。ピンセット15によりサブチャ
ック上に持ち来されたセラミック製方形状基板10は、
サブチャック12がZ軸方向駆動手段13により上方に
持ち上げられることによりピンセット15からサブチャ
ック12上に移され、図示の状態になる。 セラミック製方形状基板10の周辺部の下方に位置する
部分には、発光源としての例えば発光ダイオード18が
設けられる。そして、セラミック製方形状基板10の周
辺部の上方の発光ダイオード18と対向する位置には、
受光素子19が設けられる。したがって、発光ダイオー
ド18及び受光素子19は、セラミック製方形状基板1
0を挾むようにして設けられる。 この場合、第2図に示すように、セラミック製方形状基
板10に内接円を描き、その接点をA、B。 C,Dとしたときに、セラミック製方形状基板10の中
心く重心)位置とサブチャック12の中心位置とが一致
しているとしてセラミック製方形状基板10を回転させ
た場合に、上記接点A、B、C,Dの部分においては発
光ダイオード18からの光束24の一部がセラミック製
方形状基板10を介して受光素子19に供給されるよう
に、発光ダイオード18、受光素子19の設置位置が定
められる。なお、被検査体であるセラミック製方形状基
板10のサイズが変えられてもこれに対処できるように
、発光ダイオード18の池に、サブチャック12の半径
方向の延長方向に発光ダイオード20.21が設けられ
ている。 受光素子19の出力は、受光レベル検出手段22に供給
される。この場合、発光ダイオード18からの光のセラ
ミック製方形状基板10上での照射面積分を差し引いた
透過光が受光素子19に受光されるので、レベル検出手
段22からは光の照射面積に応じたレベルの出力信号が
得られる。レベル検出手段22の出力信号は、A−Dコ
ンバータ23に供給されてデジタル化される。そして、
qのデジタルデータがCPU30に供給される。このC
PU30は、信号SDがスレッショールド値以下の点を
検出するための比較手段31と、この比較手段31の出
力に基づいて4個のピークレベル値を検出する検出手段
32と、位置ずれ演算手段33と、各駆動手段13,1
4゜16.17への駆動信号の形成手段34の機能を具
備する 40はキー人力ボードで、CPU30にキー人力データ
が供給され、キー人力に応じた駆動信号が各駆動手段に
供給される。 この位置合わせ装置を用いたセラミック製方形状基板の
1リアライメントについて以下説明する。 以下の説明では、簡単のためセラミック製方形状基板1
0の基準面方向は、オペレータによって予め定められて
いるものとする。 サブチャック12上に吸着されたセラミック製方形状基
板10は、サブチャック回転駆動手段14によリサブチ
ャック12が回転されることにより回転させられる。す
ると、受光レベル検出手段22からの検出出力SDは、
第3図に示すように、回転中心Os(セラミック製方形
状基板10の中心Ogからはずれている)からセラミッ
ク製方形状基板10の各辺に垂線を下ろしたときの交点
位置E、F、GHを光が照射する90度角間隔ごとの回
転角位置のときにピークとなり、方形状基板10の各角
部のところで、最小レベルとなる。したがって、受光レ
ベル検出手段22からの検出出力SDは、第4図に示す
ように、大レベル方向のピークと小レベル方向のピーク
が、1回転中にそれぞれ4個現れるものとなる。 セラミック製方形状基板10のサブチャック12上での
位置が大きくずれているときは、セラミック製方形状基
板10がサブチャック12に対し載置し直される0例え
ば、光の照射位置の軌跡がセラミック製方形状基板10
に対し、第3図において点線50で示すようになるとき
は、小レベルのピークが3個しか現れないが、このとき
は回転中心より接点G方向にセラミック製方形状基板1
0を移動させれば4個の小レベルピークが現れるように
できる。 受光出力に4個のピークが得られるような状態になった
ならば、A−Dコンバータ23がらの出力SDのデジタ
ル値と、第4図に示すように、小レベルのスレッショー
ルドff1THとが比較手段31において比較され、小
レベル方向のピークの存在位置SE、SF、SG、SH
が先ず検出される。 次に、検出された小レベル方向のピーク値fsE、SF
、SG、 SHから、これの後に現れる大レベル方向の
ピーク値!まで出力SDのデジタル値が、それぞれサー
チされ、いわゆる山登り法によって、大レベル方向のピ
ーク値PE、PF、PG、PHが求められる。 そして、その各ピークレベル値PE、 PF、 PG、
 PHによって、位置ずれ量が演算手段33で求められ
る。 この場合、第3図で、セラミック製方形状基板10の中
心位置Ogの、サブチャック12の中心位置O5からの
FH力方向ずれ量をX、EG力方向ずれ量をYとすると
、ピークレベル値PFとPHとのレベル差がずれ量Xに
対応し、ピークレベル値PEとPGとのレベル差がずれ
量Yに対応している。受光素子19は一定の長さを有し
ており、受光出力レベルは入射光が受光素子19を照射
する長さ分に対応しているので、全長さに入射したとき
の受光出力レベルを基準にすれば、受光出力レベルを長
さに換算することができる。ずれ量演算手段33では、
こうして長さに換算されたずれ量X及びYが求められる
。また、tanθ=Y/Xであることから、ずれ角θが
求められる。また、O5と08間の距[DもX及びYか
ら求められる。 これら角θ及び距離りの情報は、駆動信号形成手段34
において、サブチャック12の回転駆動情報及びピンセ
ットX方向駆動情報に変換され、これら駆動情報が、そ
れぞれサブチャック駆動手段14及びピンセットX方向
駆動手段16に供給される。 そして、第3図において、セラミック製方形状基板10
が左回転方向に角度θだけ回転させられて、セラミック
製方形状基板10の中心Ogが直線FH上にくるように
される0次に、サブチャック12が2軸方向駆動手Pi
13により下方に下げられて、セラミック製方形状基板
10がピンセット15上に載せられ、その後、ピンセッ
ト15か距離りだけ右方向に移動する。この位置は、中
心O5とOgとが一致する位置である。この状態で、サ
ブチャック12が再び上方に上昇し、サブチャック12
上にセラミック製方形状基板10が載せられる。そして
、サブチャック12が、今度は右回転方向に角度θだけ
回転させられる6以上により、正しい位置にセラミック
製方形状基板10が位置合わせされる。 4点E、F、G、Hでのピークレベル値を用いて位置ず
れの補正を行う方法は、以上の例に限られるものではな
い0例えば、ピンセットがX、Yの置方向に移動可能に
なされるものであれば、ずれの角θを求める必要はない
。 尚、以上は方形状体がセラミック製方形状基板の場合で
あるが、この発明はその@種々の不透明方形状基板の位
置合わせに適用することができる。 【発明の効果] この発明によれば、方形状体を回転させたときに、発光
源からこの方形状体に遮られずに透過してくる光を受け
る受光素子の受光出力に現れる1回転内での4個のピー
クレベル値を検出し、その検出した4個のピークレベル
値を用いて位置ずれ量を演算することができる。したが
って、方形状体の位置合わせを比較的短時間で行うこと
ができる。 しかも、図の例においては、方形状体を回転させたとき
の受光出力レベルは小レベルと大レベルとが交互に現れ
ることに着目すると共に、小レベルピークは検出する際
のスレッショールド値の設定が容易であることに着目し
、先ず、小レベルピークを見付けた後、大レベル方向の
ピークレベル値を検出するようにしたので、大レベル方
向の4個のピークレベル値を確実に検出することができ
る。
An embodiment of the rectangular object positioning apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Of the light from the light emitting source, the light corresponding to the area blocked by the rectangular substrate is received by the light receiving element. When the rectangular substrate is rotated, the irradiation position of the light from the light emitting source will draw a circular trajectory on the rectangular substrate.In other words, it will draw an inscribed circle on the rectangular substrate as shown in Figure 2. It can be seen that the light receiving output is maximum at that contact position. From this, if the detection means detects the four points at which the received light output is maximum, the position of the rectangular glass substrate on the substrate mounting table can be determined and alignment can be performed. By the way, when finding the four points where the received light level is maximum, it is difficult to set the threshold value due to variations in light intensity if you try to find the positions where the received light output exceeds a certain value. Therefore, in this example, conversely, the position where the received light level is low is first detected, and the peak value of the received light level is detected based on this. This is because a position where the received light level is at its peak always exists next to a position where the received light level is low. This is because the variation when the light reception level is low is small, and the threshold value can be easily set. In FIG. 1, 10 is a rectangular ceramic substrate as shown in FIG. 2, for example. 12 is a sub-chuck on which the ceramic rectangular substrate 10 is placed. This sub-chuck 12 can be driven in the vertical direction by a sub-chuck Z-axis direction driving means 13. Further, the ceramic rectangular substrate 10 that is attracted to the sub-chuck 12 is rotated in the direction of the plate surface by the sub-chuck rotation driving means 14. Further, 15 is a moving table called tweezers. The tweezers 15 act as a robot to pull out the ceramic rectangular substrate from the cassette and bring the ceramic rectangular substrate onto the sub-chuck 12. Therefore, the tweezers 15 are moved in the left and right directions indicated by arrows in the figure by the tweezers X-direction driving means 16, and
It is adapted to be moved by an axial drive means 17 in a direction perpendicular to the plane of the paper. The ceramic rectangular substrate 10 brought onto the sub-chuck by the tweezers 15 is
The sub-chuck 12 is lifted upward by the Z-axis driving means 13, and thereby transferred from the tweezers 15 onto the sub-chuck 12, resulting in the state shown in the figure. For example, a light emitting diode 18 as a light source is provided in a portion located below the peripheral portion of the ceramic rectangular substrate 10 . At a position facing the light emitting diode 18 above the periphery of the ceramic rectangular substrate 10,
A light receiving element 19 is provided. Therefore, the light emitting diode 18 and the light receiving element 19 are mounted on the ceramic rectangular substrate 1.
It is provided so as to sandwich 0. In this case, as shown in FIG. 2, an inscribed circle is drawn on the ceramic rectangular substrate 10, and the contact points are A and B. C and D, when the ceramic rectangular substrate 10 is rotated assuming that the center position of the ceramic rectangular substrate 10 (center of gravity) and the center position of the sub-chuck 12 match, the above contact point A , B, C, and D, the installation positions of the light emitting diode 18 and the light receiving element 19 are such that a part of the luminous flux 24 from the light emitting diode 18 is supplied to the light receiving element 19 via the ceramic rectangular substrate 10. is determined. Note that in order to cope with changes in the size of the ceramic rectangular substrate 10 that is the object to be inspected, light emitting diodes 20 and 21 are installed in the radial extension direction of the sub chuck 12 in the pond of the light emitting diode 18. It is provided. The output of the light receiving element 19 is supplied to the light receiving level detection means 22. In this case, the light receiving element 19 receives the transmitted light after subtracting the irradiation area of the light from the light emitting diode 18 on the ceramic rectangular substrate 10. A level output signal is obtained. The output signal of the level detection means 22 is supplied to an A-D converter 23 and digitized. and,
Digital data of q is supplied to the CPU 30. This C
The PU 30 includes a comparison means 31 for detecting a point where the signal SD is below a threshold value, a detection means 32 for detecting four peak level values based on the output of the comparison means 31, and a position deviation calculation means. 33 and each driving means 13,1
Reference numeral 40 is a key power board which has the function of the drive signal forming means 34 for 4° 16. One realignment of a rectangular ceramic substrate using this alignment device will be described below. In the following explanation, for simplicity, the ceramic rectangular substrate 1
It is assumed that the reference plane direction of 0 is predetermined by the operator. The ceramic rectangular substrate 10 adsorbed onto the sub-chuck 12 is rotated by the sub-chuck rotation driving means 14 rotating the re-sub chuck 12 . Then, the detection output SD from the received light level detection means 22 is
As shown in FIG. 3, the intersection points E, F, and GH when perpendicular lines are drawn from the rotation center Os (offset from the center Og of the ceramic rectangular substrate 10) to each side of the ceramic rectangular substrate 10 It reaches a peak at the rotational angular position of each 90 degree angular interval where the light is irradiated, and reaches a minimum level at each corner of the rectangular substrate 10. Therefore, as shown in FIG. 4, the detection output SD from the received light level detection means 22 has four peaks each in the direction of the large level and four peaks in the direction of the small level during one rotation. If the position of the ceramic rectangular substrate 10 on the sub-chuck 12 is significantly deviated, the ceramic rectangular substrate 10 is placed on the sub-chuck 12 again.For example, if the locus of the light irradiation position is Rectangular shaped substrate 10
On the other hand, when the dotted line 50 in FIG.
By moving 0, four small level peaks can appear. When the received light output reaches a state where four peaks are obtained, the digital value of the output SD from the A-D converter 23 and the small level threshold ff1TH as shown in FIG. Comparing means 31 compares the peak existence positions SE, SF, SG, SH in the direction of the small level.
is detected first. Next, the detected peak value fsE in the direction of the small level, SF
, SG, SH, the peak value in the direction of the large level that appears after this! The digital values of the output SD are searched until the peak values PE, PF, PG, and PH in the direction of the large level are determined by the so-called hill-climbing method. Then, each peak level value PE, PF, PG,
The amount of positional deviation is determined by the calculation means 33 based on the PH. In this case, in FIG. 3, if the amount of deviation of the center position Og of the ceramic rectangular substrate 10 from the center position O5 of the sub-chuck 12 in the FH force direction is X, and the amount of deviation in the EG force direction is Y, then the peak level value The level difference between PF and PH corresponds to the amount of deviation X, and the level difference between the peak level values PE and PG corresponds to the amount of deviation Y. The light receiving element 19 has a certain length, and the light receiving output level corresponds to the length of the incident light irradiating the light receiving element 19, so the light receiving output level when the incident light is incident on the entire length is used as a reference. Then, the received light output level can be converted into length. In the deviation amount calculating means 33,
In this way, the deviation amounts X and Y converted into lengths are determined. Furthermore, since tanθ=Y/X, the deviation angle θ can be determined. Furthermore, the distance [D] between O5 and 08 can also be found from X and Y. These angle θ and distance information are transmitted to the drive signal forming means 34
, the information is converted into rotational drive information for the sub-chuck 12 and tweezers X-direction drive information, and these drive information are supplied to the sub-chuck drive means 14 and the tweezers X-direction drive means 16, respectively. In FIG. 3, a ceramic rectangular substrate 10
is rotated by an angle θ in the counterclockwise rotation direction so that the center Og of the ceramic rectangular substrate 10 is on the straight line FH.
13, the ceramic rectangular substrate 10 is placed on the tweezers 15, and then the tweezers 15 are moved to the right by a distance. This position is a position where the centers O5 and Og coincide. In this state, the sub chuck 12 rises upward again, and the sub chuck 12
A ceramic rectangular substrate 10 is placed thereon. Then, the sub-chuck 12 is now rotated by an angle θ in the clockwise rotation direction, thereby aligning the ceramic rectangular substrate 10 to the correct position. The method of correcting positional deviation using the peak level values at the four points E, F, G, and H is not limited to the above example. For example, the tweezers can be moved in the X and Y directions. If it is possible, there is no need to find the angle of deviation θ. Although the above description is for the case where the rectangular body is a ceramic rectangular substrate, the present invention can be applied to alignment of various opaque rectangular substrates. [Effects of the Invention] According to the present invention, when the rectangular body is rotated, the light that appears in the light receiving output of the light receiving element that receives the light transmitted from the light emitting source without being blocked by the rectangular body within one rotation. It is possible to detect the four peak level values of , and calculate the amount of positional deviation using the detected four peak level values. Therefore, alignment of the rectangular bodies can be performed in a relatively short time. Moreover, in the example shown in the figure, it is important to note that when the rectangular body is rotated, the received light output level appears alternately at a small level and a large level, and the small level peak is determined by the threshold value for detection. Focusing on the ease of setting, we first found the small level peak and then detected the peak level value in the direction of the large level, so we can reliably detect the four peak level values in the direction of the large level. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明の一例の構成を示す図、第2図は、
セラミック製方形状基板の一例を示す図、第3図は、セ
ラミック製方形状基板の中心とサブチャックの中心との
位置ずれを説明するための図、第4図は、受光出力の一
例を示す図、第5図は、位置ずれの量の演算を説明する
ための図、第6図及び第7図は、半導体ウェーハの位置
合わせを説明するための図である。 10;セラミック製方形状基板 12;サブチャック 14;サブチャック回転駆動手段 16;ピンセットX方向駆動手段 18;発光ダイオード 19:受光素子 22;受光レベル検出手段 31;小レベルピーク検出手段 33;ずれ量演算手段 特許出願人  東京エレクトロン株式会社代理人 弁理
士 佐 藤 正 美 憂を出力SO−二反り 第4図 イを置f逼1十箪イ列 第 巳 方−V戊番不反の例 第2図 IrfLlずtL l ’Ft 7rX4図第3図 半導体ウェーハ 第6図 半11作トウニーAn位置イトリヒ醍置。 第7図
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an example of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the configuration of an example of the present invention.
A diagram showing an example of a ceramic rectangular substrate, FIG. 3 is a diagram for explaining the positional deviation between the center of the ceramic rectangular substrate and the center of the sub-chuck, and FIG. 4 is an example of the received light output. 5 are diagrams for explaining the calculation of the amount of positional deviation, and FIGS. 6 and 7 are diagrams for explaining the alignment of the semiconductor wafer. 10; Ceramic rectangular substrate 12; Sub chuck 14; Sub chuck rotation drive means 16; Tweezers X direction drive means 18; Light emitting diode 19: Light receiving element 22; Received light level detection means 31; Small level peak detection means 33; Amount of deviation Calculating means patent applicant Tokyo Electron Co., Ltd. agent Patent attorney Tadashi Sato Miyu Output SO-2 warp Figure 4 Place A IrfLlzutL l 'Ft 7rX4 Figure 3 Semiconductor wafer Figure 6 and a half 11 production tawny An position Ytlich installation. Figure 7

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 方形状位置合わせ体を回転させたときの軌跡と予め定め
られた基準点との交点から位置ずれ量を検出し、この位
置ずれ量が零となるように上記被位置合わせ体の位置を
修正する手段を具備することを特徴とする方形状体位置
合わせ装置。
The amount of positional deviation is detected from the intersection of the trajectory of the rectangular alignment body when it is rotated and a predetermined reference point, and the position of the object to be aligned is corrected so that the amount of positional deviation becomes zero. A rectangular object positioning device comprising: means.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002151575A (en) * 2000-11-13 2002-05-24 Daihen Corp Wafer aligner equipment

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