JPH02117720U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02117720U JPH02117720U JP2603289U JP2603289U JPH02117720U JP H02117720 U JPH02117720 U JP H02117720U JP 2603289 U JP2603289 U JP 2603289U JP 2603289 U JP2603289 U JP 2603289U JP H02117720 U JPH02117720 U JP H02117720U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- knife edge
- receiving surfaces
- light
- semiconductor laser
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
第１図は本考案に係る光ピツクアツプのフオー
カスエラー検出装置の説明図、第２図は受光器と
これに接続される誤差増幅器を示す説明図、第３
図は光軸Ｏ−Ｏ′に対する受光器２０の位置関係
を示す説明図、第４Ａ図は受光器２０がＰ０に位
置するときに形成されるスポツトを示す説明図、
第４Ｂ図は受光器２０がＰ１にずれている場合に
形成されるスポツトを示す説明図、第４Ｃ図は受
光器２０がＰ２にずれているときに形成されるス
ポツトを示す説明図、第４Ｄ図はナイフエツジと
受光器との相対位置がずれているときに形成され
るスポツトを示す説明図、第５図はコンパクトデ
イスクプレーヤなどに装備される光ピツクアツプ
のフオーカスエラー検出装置の説明図、第６Ａ図
は光軸Ｏ−Ｏ′に対する受光器の位置を示す説明
図、第６Ｂ図はナイフエツジと受光器の相対位置
を示す説明図、第７Ａ図から第７Ｄ図は受光器に
形成されるスポツトを示す説明図であり、第７Ａ
図は受光器がＰ０に位置する場合、第７Ｂ図はＰ
１に位置する場合、第７Ｃ図はＰ２に位置する場
合、第７Ｄ図はナイフエツジと受光器との相対位
置がずれている場合を示すものであり、第８Ａ図
は第７Ａ図に示すようなスポツトが形成されて位
置決めされた場合のＳ字特性を示すグラフであり
、第８Ｂ図は第７Ｄ図に示すようなスポツトが形
成されて位置決めされた場合のＳ字特性を示すグ
ラフである。 １……半導体レーザ、４……対物レンズ、５…
…ナイフエツジ、２０……受光器、２０ａ〜２０
ｄ……受光面、２１，２２……加算器、２３，２
４……誤差増幅器、Ｄ……デイスク。
カスエラー検出装置の説明図、第２図は受光器と
これに接続される誤差増幅器を示す説明図、第３
図は光軸Ｏ−Ｏ′に対する受光器２０の位置関係
を示す説明図、第４Ａ図は受光器２０がＰ０に位
置するときに形成されるスポツトを示す説明図、
第４Ｂ図は受光器２０がＰ１にずれている場合に
形成されるスポツトを示す説明図、第４Ｃ図は受
光器２０がＰ２にずれているときに形成されるス
ポツトを示す説明図、第４Ｄ図はナイフエツジと
受光器との相対位置がずれているときに形成され
るスポツトを示す説明図、第５図はコンパクトデ
イスクプレーヤなどに装備される光ピツクアツプ
のフオーカスエラー検出装置の説明図、第６Ａ図
は光軸Ｏ−Ｏ′に対する受光器の位置を示す説明
図、第６Ｂ図はナイフエツジと受光器の相対位置
を示す説明図、第７Ａ図から第７Ｄ図は受光器に
形成されるスポツトを示す説明図であり、第７Ａ
図は受光器がＰ０に位置する場合、第７Ｂ図はＰ
１に位置する場合、第７Ｃ図はＰ２に位置する場
合、第７Ｄ図はナイフエツジと受光器との相対位
置がずれている場合を示すものであり、第８Ａ図
は第７Ａ図に示すようなスポツトが形成されて位
置決めされた場合のＳ字特性を示すグラフであり
、第８Ｂ図は第７Ｄ図に示すようなスポツトが形
成されて位置決めされた場合のＳ字特性を示すグ
ラフである。 １……半導体レーザ、４……対物レンズ、５…
…ナイフエツジ、２０……受光器、２０ａ〜２０
ｄ……受光面、２１，２２……加算器、２３，２
４……誤差増幅器、Ｄ……デイスク。
Claims (1)
- 半導体レーザと、この半導体レーザから発せら
れるレーザビームを光デイスクの記録面に集光さ
せる対物レンズと、半導体レーザから対物レンズ
までの光路上に配置される光学系と、光デイスク
の記録面から反射した反射光の一部を遮断するナ
イフエツジと、このナイフエツジのエツジの長手
方向に平行な第１の分割線によつて分割された第
１及び第２の受光面が形成されて前記ナイフエツ
ジの後段に配置された受光器とが設けられている
光ピツクアツプのフオーカスエラー検出装置にお
いて、前記第１及び第２の受光面のそれぞれには
、さらにナイフエツジの長手方向に平行な第２の
分割線によつて分割された複数の受光面が形成さ
れており且つ、互いに離れた位置にある一対の受
光面による光の検知量を比較する手段が設けられ
ていることを特徴とする光ピツクアツプのフオー
カスエラー検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2603289U JPH02117720U (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2603289U JPH02117720U (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02117720U true JPH02117720U (ja) | 1990-09-20 |
Family
ID=31247287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2603289U Pending JPH02117720U (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02117720U (ja) |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP2603289U patent/JPH02117720U/ja active Pending
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