JPH0211773A - 選択めっき方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、防食剤で被覆された金属製基層を好ましく
は１回のレーザの照射で処理することにより、当該パル
ス状のレーザの作像がなされている領域において、前記
基層の表面上の余分な範囲にわたるそのような防食剤の
除去を行なう方法に関する。
は１回のレーザの照射で処理することにより、当該パル
ス状のレーザの作像がなされている領域において、前記
基層の表面上の余分な範囲にわたるそのような防食剤の
除去を行なう方法に関する。
（発明の概要）
本発明は、例えば電気接点のような金属製基層を選択的
にメッキする方法に関する。例えば貴金属でメッキする
ことにより、金属製基層を選択的にメッキすることは、
本発明では、前記基層を被覆しているメッキ用防食剤を
選択的に除去することにより達成される。そのような除
去は、レーザの波長を前記メッキ用防食剤および金属製
基層に整合、もしくは関連させることによって達成され
、そのようなレーザとして好ましいのは、エキシマ・レ
ーザのような、紫外線領域で作用するレーザである。
にメッキする方法に関する。例えば貴金属でメッキする
ことにより、金属製基層を選択的にメッキすることは、
本発明では、前記基層を被覆しているメッキ用防食剤を
選択的に除去することにより達成される。そのような除
去は、レーザの波長を前記メッキ用防食剤および金属製
基層に整合、もしくは関連させることによって達成され
、そのようなレーザとして好ましいのは、エキシマ・レ
ーザのような、紫外線領域で作用するレーザである。
この発明の好ましい実施例は、電気端子を選択的にメッ
キすることである。−射的に、そのような端子は、金属
製ストリップ（帯状薄板材）から打ち抜いて形成され、
且つそれらは担持ストリップへ取り付けられており、こ
の担持ストリップは、前記複数の端子を連続的な製造工
程へ連続帯状に供給するのに有用なものである。１つの
必要な製造工程は、前記ストリップで供給される端子の
電気的接触表面を、金もしくはそれの合金のような、貴
金属もしくは生貝金属でメッキすること、すなわち電気
メッキすることを含んでいる。そのような金属は、導電
性が良好であることと、当該導電性を低下させる酸化物
の形成がほとんど、もしくは全熱ないことを特徴として
いる。それゆえ、これらの金属は、メッキとして塗布さ
れたときに、前記端子の導電性を向上させることになる
。しかし、これらの金属は高価であることにより、前記
端子の接点表面上に精密にメッキを行ない、当該端子の
表面のうちのメッキの不要な個所にはメッキをしないこ
とが必要である。本発明は、従来技術において見い出さ
れず、且つ報告されていない方法により、この結果を達
成するものである。
キすることである。−射的に、そのような端子は、金属
製ストリップ（帯状薄板材）から打ち抜いて形成され、
且つそれらは担持ストリップへ取り付けられており、こ
の担持ストリップは、前記複数の端子を連続的な製造工
程へ連続帯状に供給するのに有用なものである。１つの
必要な製造工程は、前記ストリップで供給される端子の
電気的接触表面を、金もしくはそれの合金のような、貴
金属もしくは生貝金属でメッキすること、すなわち電気
メッキすることを含んでいる。そのような金属は、導電
性が良好であることと、当該導電性を低下させる酸化物
の形成がほとんど、もしくは全熱ないことを特徴として
いる。それゆえ、これらの金属は、メッキとして塗布さ
れたときに、前記端子の導電性を向上させることになる
。しかし、これらの金属は高価であることにより、前記
端子の接点表面上に精密にメッキを行ない、当該端子の
表面のうちのメッキの不要な個所にはメッキをしないこ
とが必要である。本発明は、従来技術において見い出さ
れず、且つ報告されていない方法により、この結果を達
成するものである。
（従来の技術）
従来の選択的メッキ技術の例が、米国特許第４．５５５
．３２１号、および第４，４７３，４４５号において見
られ、これらの特許は、電気端子の表面を連続的にメッ
キする装置を開示している。当該装置は、前記端子をメ
ッキ溶液へ案内するために、回転する心金を備えている
。
．３２１号、および第４，４７３，４４５号において見
られ、これらの特許は、電気端子の表面を連続的にメッ
キする装置を開示している。当該装置は、前記端子をメ
ッキ溶液へ案内するために、回転する心金を備えている
。
以後のメッキ作業のために、金属製基層の表面を改善す
るよう、レーザ・ビームが採用される段階まで、技術は
進歩している。共に係属中の出願であって、本件の譲受
人により所有されている米国特許出願連続ＮＯ，１３３
，７９９においては、ニッケルでメッキされる基層の有
効率をレーザ・ビームにより大幅に減少させ、それによ
り、良好な接点表面を形成するために、そのようなニッ
ケル上で必要とされる貴金属メッキのレベルを減少させ
ることを可能にする技術か教示されている。
るよう、レーザ・ビームが採用される段階まで、技術は
進歩している。共に係属中の出願であって、本件の譲受
人により所有されている米国特許出願連続ＮＯ，１３３
，７９９においては、ニッケルでメッキされる基層の有
効率をレーザ・ビームにより大幅に減少させ、それによ
り、良好な接点表面を形成するために、そのようなニッ
ケル上で必要とされる貴金属メッキのレベルを減少させ
ることを可能にする技術か教示されている。
米国特許第４，３４８，２６３号は、基層の表面をメッ
キ作業の前に溶解させる方法を目的とし、且つ次のよう
な工程により電気接点を作る方法を教示している。すな
わち、基層へ第１保護層を塗布する工程と、メッキ工程
の前に、前記保護層、および前記基層の一部を、電子ビ
ームまたはレーザにより溶解させる工程である。タイト
ルが“１ａｓｅｒ ５ｕｒｆａｃｅ Ａｌｌｏｙｉｎｇ
ｏｆ Ｇｏｌｄ” となっているＧｏｌｄ Ｂｕｅｔ
ｉｎ 、 １９８８．１９内のＤｒａｐｅｒ氏による著
作物は、焦点を絞られたレーザのパルスを使用すること
により、レーザで表面を合金化する機構を図解した内容
を含んでいる。
キ作業の前に溶解させる方法を目的とし、且つ次のよう
な工程により電気接点を作る方法を教示している。すな
わち、基層へ第１保護層を塗布する工程と、メッキ工程
の前に、前記保護層、および前記基層の一部を、電子ビ
ームまたはレーザにより溶解させる工程である。タイト
ルが“１ａｓｅｒ ５ｕｒｆａｃｅ Ａｌｌｏｙｉｎｇ
ｏｆ Ｇｏｌｄ” となっているＧｏｌｄ Ｂｕｅｔ
ｉｎ 、 １９８８．１９内のＤｒａｐｅｒ氏による著
作物は、焦点を絞られたレーザのパルスを使用すること
により、レーザで表面を合金化する機構を図解した内容
を含んでいる。
金属上のポリマーのコーティングをレーザで融除する企
て、および非金属上のポリマーのコーティングを多数回
の照射で除去する方法に関しての報告が、文献において
見られる。例えば、５ｒｉｎｉｖａｓａｎ氏等によるＪ
ＡＦ （日本出願） ５９．３８８１ （１９８６）お
よびＪＶＳＴ、 Ｂｌ、 ９２３（１９８３）は、前
記ポリマーそれ自体内に直接強く吸収されるエキシマ・
レーザの波長を使用し、それにより、化学的接着を破壊
し、あるいは気化させるように加熱し、あるいはその両
方を行なうことによって、ポリマーの除去を達成するこ
とを説明している。しかし、著者は、レーザ光が、ポリ
マー表面の最初の約０゜２ミクロンまたはそれ以下の範
囲内で吸収されるときに、ポリマー表面の融除が生じる
ことを見出していた。したがって、前記ポリマー材料は
、その吸収特性を有する深さを有する範囲でのみ除去さ
れた。殆どの電気メッキの要件において必要とされるよ
うに、より厚いポリマーのフィルムを除去するためには
、多数回のレーザの照射が必要となるであろう。多数回
の照射を行なうことは、単一の照射で除去する場合より
も、かなり望ましいことではない。レーザ光が直接ポリ
マー内に吸収される５ｒｊｎｉｖａｓａｎ氏等の方法に
関係する１つの問題は、そのポリマー内に過度に強く吸
収されるレザの波長を選択するので、必然的に、吸収深
さが浅くなり、且つ除去される厚さが薄くなることを暗
示していることにある。他方、ポリマ内に過度に弱く吸
収される波長を選択すると、融除を行なうためにポリマ
ーの単位体積当たりに充分な工ネルギが蓄枦されるのを
排除する。これらの極端な側聞の妥協的な値は、１パル
ス当たり約０．３ ミクロン以下の厚さが除去されるの
が、最良のケスであると判定している。Ｍａｔ、Ｒｅｓ
、Ｓｏｃ、Ｓｙｍｐ、Ｐｒ。
て、および非金属上のポリマーのコーティングを多数回
の照射で除去する方法に関しての報告が、文献において
見られる。例えば、５ｒｉｎｉｖａｓａｎ氏等によるＪ
ＡＦ （日本出願） ５９．３８８１ （１９８６）お
よびＪＶＳＴ、 Ｂｌ、 ９２３（１９８３）は、前
記ポリマーそれ自体内に直接強く吸収されるエキシマ・
レーザの波長を使用し、それにより、化学的接着を破壊
し、あるいは気化させるように加熱し、あるいはその両
方を行なうことによって、ポリマーの除去を達成するこ
とを説明している。しかし、著者は、レーザ光が、ポリ
マー表面の最初の約０゜２ミクロンまたはそれ以下の範
囲内で吸収されるときに、ポリマー表面の融除が生じる
ことを見出していた。したがって、前記ポリマー材料は
、その吸収特性を有する深さを有する範囲でのみ除去さ
れた。殆どの電気メッキの要件において必要とされるよ
うに、より厚いポリマーのフィルムを除去するためには
、多数回のレーザの照射が必要となるであろう。多数回
の照射を行なうことは、単一の照射で除去する場合より
も、かなり望ましいことではない。レーザ光が直接ポリ
マー内に吸収される５ｒｊｎｉｖａｓａｎ氏等の方法に
関係する１つの問題は、そのポリマー内に過度に強く吸
収されるレザの波長を選択するので、必然的に、吸収深
さが浅くなり、且つ除去される厚さが薄くなることを暗
示していることにある。他方、ポリマ内に過度に弱く吸
収される波長を選択すると、融除を行なうためにポリマ
ーの単位体積当たりに充分な工ネルギが蓄枦されるのを
排除する。これらの極端な側聞の妥協的な値は、１パル
ス当たり約０．３ ミクロン以下の厚さが除去されるの
が、最良のケスであると判定している。Ｍａｔ、Ｒｅｓ
、Ｓｏｃ、Ｓｙｍｐ、Ｐｒ。
ｃ、７２，２４１（１９８Ｂ）において、Ｃｏｌｅ氏等
は、この発見に関して、５ｒｉｎｉｖａｓａｎ氏等と一
致している。上記のプロセスは、ポリマーをエキシマ・
レーザで融除する技術の現在の状況を示している。
は、この発見に関して、５ｒｉｎｉｖａｓａｎ氏等と一
致している。上記のプロセスは、ポリマーをエキシマ・
レーザで融除する技術の現在の状況を示している。
しかし、上記の説明は、金属製基層上に堆積されたフィ
ルムを除去することのみに当てはまる他の厳しい要因を
無視している。そのような問題は、５ｒｊｎｉｖａｓａ
ｎ氏等によるような、幾つかの著作には表れていない。
ルムを除去することのみに当てはまる他の厳しい要因を
無視している。そのような問題は、５ｒｊｎｉｖａｓａ
ｎ氏等によるような、幾つかの著作には表れていない。
なぜなら、それらは、半導体もしくは絶縁体上（もしく
は自立構造）のポリマー・フィルムに関係しており、ま
た、他のケースにおいては、著作者が、意図されたレー
ザでの融除後に残存する非常に薄い残余ポリマー層には
、気付いていなかったからである。しかし、そのような
残余層は、電気メッキに対して極めて有害である。
は自立構造）のポリマー・フィルムに関係しており、ま
た、他のケースにおいては、著作者が、意図されたレー
ザでの融除後に残存する非常に薄い残余ポリマー層には
、気付いていなかったからである。しかし、そのような
残余層は、電気メッキに対して極めて有害である。
Ｍｉｌｌｅｒ氏等の米国特許第４，６７１，８４８号に
おいては、焦点を合わされる高エネルギーの放射源によ
り、半導体から絶縁被覆を除去する方法が教示されてい
る。さらに詳説すると、当該方法においては、レーザ源
が前記被覆の上方の点に焦点に合わされ、その結果、プ
ラズマもしくはイオン化された領域が形成されるように
している。その結果として、前記被覆は、下側の導体上
の予め選択された領域内で除去される。換言すると、当
該レーザによる融除は、イオン化された空気もしくは他
のプラズマによりレーザ光が吸収されること、および前
記絶縁被覆へ伝達されることに依存している。
おいては、焦点を合わされる高エネルギーの放射源によ
り、半導体から絶縁被覆を除去する方法が教示されてい
る。さらに詳説すると、当該方法においては、レーザ源
が前記被覆の上方の点に焦点に合わされ、その結果、プ
ラズマもしくはイオン化された領域が形成されるように
している。その結果として、前記被覆は、下側の導体上
の予め選択された領域内で除去される。換言すると、当
該レーザによる融除は、イオン化された空気もしくは他
のプラズマによりレーザ光が吸収されること、および前
記絶縁被覆へ伝達されることに依存している。
この方法の困難な点は、空気の絶縁被覆の制御および調
節を行ない、それにより前記導体、すなわち下に重なっ
た基層に損傷がないように保証し、そして残余の層の除
去を行なう能力である。他の困難な点は、狭い焦点に対
応する小さい領域のみが、各照射毎に除去されることが
可能であると言うことである。Ｍｉｌｌｅｒ氏等は、そ
の他の領域は、被加工片またはレーザの焦点を移動させ
ながら、多数回の照射により除去すべきであると主張し
ている。
節を行ない、それにより前記導体、すなわち下に重なっ
た基層に損傷がないように保証し、そして残余の層の除
去を行なう能力である。他の困難な点は、狭い焦点に対
応する小さい領域のみが、各照射毎に除去されることが
可能であると言うことである。Ｍｉｌｌｅｒ氏等は、そ
の他の領域は、被加工片またはレーザの焦点を移動させ
ながら、多数回の照射により除去すべきであると主張し
ている。
上記したＭｉｌｌｅｒ氏の研究においては、前記残余の
層のための理由が、金属表面の外側の電磁波についての
基本的な臨海条件であると信じられている。そのような
条件の結果として知られることは、金属表面が接近する
際に、横断する電界が小さい値に減少され、それゆえ、
その金属に直接接合しているポリマーを直接加熱するこ
とが不充分になるように決定することである。この効果
は、前記ポリマーの下に重なっている常温金属製基層表
面の熱沈下効果により、さらに悪化される。補償を行な
うために、もしポリマーが、この効果と闘うべく高い波
長のレーザに対して非常に高い吸収率を有するように選
択されているとすると、光吸収深さに比較して薄い層の
みが、単一のレーザの照射で除去されることになる。し
たかって、多数回の照射が必要となる。
層のための理由が、金属表面の外側の電磁波についての
基本的な臨海条件であると信じられている。そのような
条件の結果として知られることは、金属表面が接近する
際に、横断する電界が小さい値に減少され、それゆえ、
その金属に直接接合しているポリマーを直接加熱するこ
とが不充分になるように決定することである。この効果
は、前記ポリマーの下に重なっている常温金属製基層表
面の熱沈下効果により、さらに悪化される。補償を行な
うために、もしポリマーが、この効果と闘うべく高い波
長のレーザに対して非常に高い吸収率を有するように選
択されているとすると、光吸収深さに比較して薄い層の
みが、単一のレーザの照射で除去されることになる。し
たかって、多数回の照射が必要となる。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、パラメータをユニークに選択すること、もし
くは整合させることにより、すなわち、エキシマ・レー
ザと、これの波長に適合し且つ両立し得るポリマーと基
層とを選択することにより、上記従来の困難性および他
の困難性を回避するものである。これらの特徴を統合す
るそのような選択は、添付図面を参照して明細書を読む
ことから明らかとなるであろう。
くは整合させることにより、すなわち、エキシマ・レー
ザと、これの波長に適合し且つ両立し得るポリマーと基
層とを選択することにより、上記従来の困難性および他
の困難性を回避するものである。これらの特徴を統合す
るそのような選択は、添付図面を参照して明細書を読む
ことから明らかとなるであろう。
（実 施 例）
この発明は、金属製の基層に選択的にメッキをする方法
に関し、当該基層上には、最初に薄いポリマー状のメッ
キ用防食剤が塗布され、次に、その防食剤を選択的に除
去することにより、前記基層のうちのメッキすべき部分
が露出され、そしてメッキが行なわれる。さらに詳説す
ると、本発明の方法は、前記金属の基層により強く吸収
される波長のレーザ、すなわち約７０％よりも小さい反
射性を有するレーザを選択する工程と、−射的には約２
４８〜３６０ｎｍ （ナノメータ）の間にあるレーザ
の波長に対して、低い光吸収率を有するポリマをベース
としたメッキ用防食剤を選択する工程と、この防食剤を
硬化させる工程と、好ましくは前記防食剤のうちの選択
された領域に、約２４８〜３６０ｎｍの間の波長を有す
る単一のエキシマ・レーザの照射を行ない、それにより
、前記基層のうちの選択された領域上で、前記金属製を
加熱するとともに、前記防食剤の融除を行なう工程と、
前記基層のうちの露出された部分に金属メッキを施す工
程とを備えている。この発明を実行することにより選択
的なメッキの施しを行なうことは、エキシマ・レーザの
１回の照射、もしくは選択により多数回の照射を前記防
食剤へ当てることにより、メッキ用防食剤の一部を除去
することによって達成される。レーザでの融除により、
前記防食剤のうちの選択された部分が除去されて、メッ
キに適した清潔な基層が露出される。
に関し、当該基層上には、最初に薄いポリマー状のメッ
キ用防食剤が塗布され、次に、その防食剤を選択的に除
去することにより、前記基層のうちのメッキすべき部分
が露出され、そしてメッキが行なわれる。さらに詳説す
ると、本発明の方法は、前記金属の基層により強く吸収
される波長のレーザ、すなわち約７０％よりも小さい反
射性を有するレーザを選択する工程と、−射的には約２
４８〜３６０ｎｍ （ナノメータ）の間にあるレーザ
の波長に対して、低い光吸収率を有するポリマをベース
としたメッキ用防食剤を選択する工程と、この防食剤を
硬化させる工程と、好ましくは前記防食剤のうちの選択
された領域に、約２４８〜３６０ｎｍの間の波長を有す
る単一のエキシマ・レーザの照射を行ない、それにより
、前記基層のうちの選択された領域上で、前記金属製を
加熱するとともに、前記防食剤の融除を行なう工程と、
前記基層のうちの露出された部分に金属メッキを施す工
程とを備えている。この発明を実行することにより選択
的なメッキの施しを行なうことは、エキシマ・レーザの
１回の照射、もしくは選択により多数回の照射を前記防
食剤へ当てることにより、メッキ用防食剤の一部を除去
することによって達成される。レーザでの融除により、
前記防食剤のうちの選択された部分が除去されて、メッ
キに適した清潔な基層が露出される。
レーザの利用分野においては、異なる複数の波長で作用
する幾つかの商業的な装置がある。例えば、エキシマ・
レーザは、パルスにされた複数の高圧ガス・レーザから
なるグループを形成し、当該ガス・レーザは、レーザ光
を発生する媒体に依存して、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、
３０８ｎ川、および３５１ｎｍのような種々な波長の紫
外線を放射する。そのスペクトルの反対側の端部におい
て、赤外線領域で作用するレーザは、そのレーザ源が、
炭素酸化物（Ｃ０２）、およびネオジムを添加されたイ
ツトリウム・アルミニウム・ガーネット（Ｎｄ ：ＹＡ
Ｇ）であるようなレーザである。例示および比較のため
に、以下のように、３つの商業的なレーザ装置に対して
典型的な波長を示す。
する幾つかの商業的な装置がある。例えば、エキシマ・
レーザは、パルスにされた複数の高圧ガス・レーザから
なるグループを形成し、当該ガス・レーザは、レーザ光
を発生する媒体に依存して、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、
３０８ｎ川、および３５１ｎｍのような種々な波長の紫
外線を放射する。そのスペクトルの反対側の端部におい
て、赤外線領域で作用するレーザは、そのレーザ源が、
炭素酸化物（Ｃ０２）、およびネオジムを添加されたイ
ツトリウム・アルミニウム・ガーネット（Ｎｄ ：ＹＡ
Ｇ）であるようなレーザである。例示および比較のため
に、以下のように、３つの商業的なレーザ装置に対して
典型的な波長を示す。
エキシマ １．９３ 、２４８ 、３０８ 、３５
１ｎ＋＋＋ （ナノメータ）ＣＯｚ １０，６
００ｎｍ ＮＤ ： ＹＡＧ １．ＯＧ４ｎｍ この発明が関係する精密な波長範囲の効力のために、適
切なレーザ装置を選択するための条件は、当該明細書を
さらに読むことによって、より明らかになるであろう。
１ｎ＋＋＋ （ナノメータ）ＣＯｚ １０，６
００ｎｍ ＮＤ ： ＹＡＧ １．ＯＧ４ｎｍ この発明が関係する精密な波長範囲の効力のために、適
切なレーザ装置を選択するための条件は、当該明細書を
さらに読むことによって、より明らかになるであろう。
本発明の方法に成功するために基本的に重要なことは、
適切なレーザと波長範囲とを組合わせるとともに、前記
金属製の基層、および当該金属製の基層上の前記メッキ
用防食剤、もしくは絶縁性コーティング（被覆）の両方
に、メッキを施すことである。レーザ・エネルギは、主
として前記金属製の基層で吸収される必要があるので、
この発明の実施のために選択されるメッキ用防食剤が、
低い光吸収率を持たねばならず、例えば、好ましくは３
ミクロンのフィルム厚に対して約１０００ ｃｍ以下の
吸収率を持つ必要がある。例えば約３００〜３６０ｎｍ
の間にあるレーザの波長で使用するのに適したメッキ用
防食剤は、ティーμ・エングダール（Ｔｈｉｅｌｅ−Ｅ
ｎｇｄａｈｌ）により製造され、且ッＷＳ３２３０と言
う表示で市販されているスチレン・アクリル系の共重合
体である。前記光吸収率は、以下の表Ｉのデータに示さ
れているように、波長に関係している。
適切なレーザと波長範囲とを組合わせるとともに、前記
金属製の基層、および当該金属製の基層上の前記メッキ
用防食剤、もしくは絶縁性コーティング（被覆）の両方
に、メッキを施すことである。レーザ・エネルギは、主
として前記金属製の基層で吸収される必要があるので、
この発明の実施のために選択されるメッキ用防食剤が、
低い光吸収率を持たねばならず、例えば、好ましくは３
ミクロンのフィルム厚に対して約１０００ ｃｍ以下の
吸収率を持つ必要がある。例えば約３００〜３６０ｎｍ
の間にあるレーザの波長で使用するのに適したメッキ用
防食剤は、ティーμ・エングダール（Ｔｈｉｅｌｅ−Ｅ
ｎｇｄａｈｌ）により製造され、且ッＷＳ３２３０と言
う表示で市販されているスチレン・アクリル系の共重合
体である。前記光吸収率は、以下の表Ｉのデータに示さ
れているように、波長に関係している。
表 ■
吸収率Ｃｃｍ’）
メッキ用防食剤の単位厚さ当り
波 長 平 均 ＊３５１ｒ＋ｎ
＋ ６６６．５ ３０８ｎｍ ７２５．１ ２４８ｎｍ ７５８０．１ ＊防食剤の厚さの平均は、７３および２０９μｉｎ（マ
イクロインチ）の間にある。
＋ ６６６．５ ３０８ｎｍ ７２５．１ ２４８ｎｍ ７５８０．１ ＊防食剤の厚さの平均は、７３および２０９μｉｎ（マ
イクロインチ）の間にある。
２４８ｎｒＩｌ以下の波長の紫外線領域においては、典
型的なポリマー状防食剤の光吸収率が極めて高い（表Ｉ
参照）。それゆえ、レーザ・ビームの全エネルギが、前
記防食剤の最外部の層、すなわち０．５ミクロンの厚さ
の範囲内で吸収される。もし、前記防食剤が約０．５
ミクロンよりも厚いとすると、多数回のレーザの照射が
必要となる。したがって、メッキ用防食剤を１回の照射
で有効に融除するためには、波長の窓（範囲）に関する
電界条件を達成しなければならない。
型的なポリマー状防食剤の光吸収率が極めて高い（表Ｉ
参照）。それゆえ、レーザ・ビームの全エネルギが、前
記防食剤の最外部の層、すなわち０．５ミクロンの厚さ
の範囲内で吸収される。もし、前記防食剤が約０．５
ミクロンよりも厚いとすると、多数回のレーザの照射が
必要となる。したがって、メッキ用防食剤を１回の照射
で有効に融除するためには、波長の窓（範囲）に関する
電界条件を達成しなければならない。
上記のことから、この発明が関係する限り、レザの波長
を前記防食剤に整合させることが必須要件である。ここ
で考慮されると同様に重要な他の要因は、前記金属製基
層の反射値、ないしその反射力である。反射力は、波長
に関係する。表Ｈのデータかその関係を示している。
を前記防食剤に整合させることが必須要件である。ここ
で考慮されると同様に重要な他の要因は、前記金属製基
層の反射値、ないしその反射力である。反射力は、波長
に関係する。表Ｈのデータかその関係を示している。
表 ■
基層の反射力（％）
波 長 Ａ Ｉ Ｃｕ
Ｎｉにクロン） 、２５
４７．５．２Ｂ
９２．２ ３５．５．３０
４１．５．３１５
９２．４ ３５．５３［ｉ
９２．５ ４１．５１．０
０ ９４．０ ９
８．５ ７４８．００
９Ｂ
１０．００ ！１Ｂ、７
９８．９表■からは、アルミニウムが、広い
範囲の波長にわたって反射力の大きい表面を有する金属
であることが明らかである。そのような大きい反射力を
有するので、アルミニウムにより吸収されるのは、限定
された量のエネルギのみであり、その量は、この発明に
従ってそのアルミニウムの上に塗布されたメッキ用防食
剤の融除を行なうのには不充分なものである。反対に、
銅およびニッケルの両方は、低い波長に対して、３５〜
５０％の範囲にある反射力の値を示し、これらの値は、
この発明の実施により適している。合理的な効率のため
には、前記金属製の基層が、約７０％以下の反射、すな
わち３０％の吸収を行なうべきである。そのような実施
の際、レーザ・ビームは、主として前記金属製の層によ
り吸収され、当該基層は、主として伝導により、エネル
ギを前記基層されているメッキ用防食剤へ伝達すること
が理解されるであろう。
Ｎｉにクロン） 、２５
４７．５．２Ｂ
９２．２ ３５．５．３０
４１．５．３１５
９２．４ ３５．５３［ｉ
９２．５ ４１．５１．０
０ ９４．０ ９
８．５ ７４８．００
９Ｂ
１０．００ ！１Ｂ、７
９８．９表■からは、アルミニウムが、広い
範囲の波長にわたって反射力の大きい表面を有する金属
であることが明らかである。そのような大きい反射力を
有するので、アルミニウムにより吸収されるのは、限定
された量のエネルギのみであり、その量は、この発明に
従ってそのアルミニウムの上に塗布されたメッキ用防食
剤の融除を行なうのには不充分なものである。反対に、
銅およびニッケルの両方は、低い波長に対して、３５〜
５０％の範囲にある反射力の値を示し、これらの値は、
この発明の実施により適している。合理的な効率のため
には、前記金属製の基層が、約７０％以下の反射、すな
わち３０％の吸収を行なうべきである。そのような実施
の際、レーザ・ビームは、主として前記金属製の層によ
り吸収され、当該基層は、主として伝導により、エネル
ギを前記基層されているメッキ用防食剤へ伝達すること
が理解されるであろう。
レーザ照射のエネルギ密度については、この時点で、何
も言われてきていない。エネルギ密度を適切に制御する
ことにより、前記メッキされた基層に関連するような、
他の利点を得ることもできることが発見された。そのよ
うな利点を立証するために、光学顕微鏡的検査法および
電子走査式顕微鏡検査法による試験を採用して、融除さ
れた基層の表面変化を研究して、前記融除された基層が
種々なエネルギ密度で研磨されたかどうかを決定した。
も言われてきていない。エネルギ密度を適切に制御する
ことにより、前記メッキされた基層に関連するような、
他の利点を得ることもできることが発見された。そのよ
うな利点を立証するために、光学顕微鏡的検査法および
電子走査式顕微鏡検査法による試験を採用して、融除さ
れた基層の表面変化を研究して、前記融除された基層が
種々なエネルギ密度で研磨されたかどうかを決定した。
防食剤で被覆された複数の基層が、０．６Ｊ／ｃ〃１か
ら３．ＯＪ／ｃｉの照射力を有するレーザにより融除さ
れた。その防食剤は、ｏ、９０Ｊ／Ｃｆｆ１よりも大き
いエネルギ密度に対応する１回のレーザ照射により、完
全に融除された。当該融除された基層は、後で論述する
ように、浸漬メッキ法または電気メッキ法でメッキする
ことに成功した。０．６Ｊ／ｃｍのエネルギ密度では、
融除作業後に、前記防食剤の小さい部分が残った。ｏ、
９０Ｊ／Ｃｆｆ１および２゜５Ｊ／ｃｍ２の間で融除さ
れたサンプルのＳＥＭ（電子走査顕微鏡）による顕微鏡
写真、ならびに光学顕微鏡写真は、対照標準サンプルか
らの大幅な表面変化を示さなかった。換言すると、これ
らのエネルギ密度では、研磨か観察されなかった。した
がって、単一のレーザ照射により融除を完了するために
は、大きい処理範囲対エネルギ密度か存在することにな
る。さらに、より高いエネルギ密度（３，ＯＪ／ｃｕｔ
）で、または多数回の照射で、二・ソケル製基層の研磨
が観察された。そして、そのような研磨が行なわれるこ
とにより、基層の有孔率が低減されて、メッキの良質性
が実現された。再考察すると、少なくとも約０．９０Ｊ
／ｃｎｆのレベルのエネルギ密度が、５．０μｉｎの厚
さを有するメッキ用防食剤の融除を単一の照射で行なう
ために必要とされる。しかし、メッキされた基層の表面
特性に影響を及ぼすためには、約２．５Ｊ／ｃｆｆｌま
たはそれ以上の程度の、より高いエネルギ密度が必要で
ある。
ら３．ＯＪ／ｃｉの照射力を有するレーザにより融除さ
れた。その防食剤は、ｏ、９０Ｊ／Ｃｆｆ１よりも大き
いエネルギ密度に対応する１回のレーザ照射により、完
全に融除された。当該融除された基層は、後で論述する
ように、浸漬メッキ法または電気メッキ法でメッキする
ことに成功した。０．６Ｊ／ｃｍのエネルギ密度では、
融除作業後に、前記防食剤の小さい部分が残った。ｏ、
９０Ｊ／Ｃｆｆ１および２゜５Ｊ／ｃｍ２の間で融除さ
れたサンプルのＳＥＭ（電子走査顕微鏡）による顕微鏡
写真、ならびに光学顕微鏡写真は、対照標準サンプルか
らの大幅な表面変化を示さなかった。換言すると、これ
らのエネルギ密度では、研磨か観察されなかった。した
がって、単一のレーザ照射により融除を完了するために
は、大きい処理範囲対エネルギ密度か存在することにな
る。さらに、より高いエネルギ密度（３，ＯＪ／ｃｕｔ
）で、または多数回の照射で、二・ソケル製基層の研磨
が観察された。そして、そのような研磨が行なわれるこ
とにより、基層の有孔率が低減されて、メッキの良質性
が実現された。再考察すると、少なくとも約０．９０Ｊ
／ｃｎｆのレベルのエネルギ密度が、５．０μｉｎの厚
さを有するメッキ用防食剤の融除を単一の照射で行なう
ために必要とされる。しかし、メッキされた基層の表面
特性に影響を及ぼすためには、約２．５Ｊ／ｃｆｆｌま
たはそれ以上の程度の、より高いエネルギ密度が必要で
ある。
最初は要因であると考えられたもの、すなわち防食剤フ
ィルムの厚さは、この発明のレーザによる融除処理にお
いて、要因でないことが判明した。
ィルムの厚さは、この発明のレーザによる融除処理にお
いて、要因でないことが判明した。
厚さか１２０マイクロインチから５１５マイクロインチ
範囲にわたるポリマーのサンプルが、０．９．１．８、
および３ Ｊ ／ ｃｎｉの各エネルギまでの全ての厚
さが、３つの各エネルギ密度にさらされた。１゜ＯＪ／
ｃ〃ｉを越える各エネルギ密度に対応する１３．１ミク
ロンまでの全ての厚さが、３つの各エネルギ密度の全て
において、１回の照射で除去された。
範囲にわたるポリマーのサンプルが、０．９．１．８、
および３ Ｊ ／ ｃｎｉの各エネルギまでの全ての厚
さが、３つの各エネルギ密度にさらされた。１゜ＯＪ／
ｃ〃ｉを越える各エネルギ密度に対応する１３．１ミク
ロンまでの全ての厚さが、３つの各エネルギ密度の全て
において、１回の照射で除去された。
その除去は、ある程度までは、厚いフィルムに対して良
好でさえあった。
好でさえあった。
したがって、この処理法は、先に５ｒｉｎｉｖａｓａｎ
およびＣｏｌｅ氏、ならびに彼らの共同作業者が説明し
たような、従来の融除法により除去される単位照射光た
りの最大厚さの、２０倍以上のフィルムを単一の照射で
除去することを達成する。
およびＣｏｌｅ氏、ならびに彼らの共同作業者が説明し
たような、従来の融除法により除去される単位照射光た
りの最大厚さの、２０倍以上のフィルムを単一の照射で
除去することを達成する。
全ての要因は、このように考慮され且つ統合されるので
、そこから展開される理論は１つである。
、そこから展開される理論は１つである。
この理論は、レーザでの防食剤の融除に対して広く適用
可能であると信じられるが、我々は、それにもかかわら
ず、現存する処理パラメータを算入するもので、当該パ
ラメータのためにこの理論が公式化された。
可能であると信じられるが、我々は、それにもかかわら
ず、現存する処理パラメータを算入するもので、当該パ
ラメータのためにこの理論が公式化された。
ａ）エキシマ・レーザ、３５Ｌｎｍの波長ｂ）ニッケル
でメッキされる基層 Ｃ）低吸収率を有するポリマー状防食剤はとんどのレー
ザ・エネルギが、前記ポリマー状防食剤を貫通して、前
記ニッケルでメッキされる基層へ達することが理論づけ
られる。その際、金属の大体３０ｎｍの厚さの範囲で、
５５％が吸収される。
でメッキされる基層 Ｃ）低吸収率を有するポリマー状防食剤はとんどのレー
ザ・エネルギが、前記ポリマー状防食剤を貫通して、前
記ニッケルでメッキされる基層へ達することが理論づけ
られる。その際、金属の大体３０ｎｍの厚さの範囲で、
５５％が吸収される。
エネルギ密度が約１．ＢＪ／ｃｎｉ以下である場合、ニ
ッケルは明らかにそれの融点（１４５５°Ｃ）以下にと
どまるが、それにもかかわらず、充分なエネルギをポリ
マーの薄い接合層へ伝達して、それを気化させる。これ
は、同時に前記ポリマー状防食剤を前記ニッケルに対し
て保持している前記接合層を破壊するとともに、残存し
ている固形のポリマーを表面から追放するために必要と
される。膨脹する蒸気を供給する。エネルギ密度かより
高い場合、前記接合層は同様に破壊される。しかし、ニ
ッケルの表面層は溶解して、当該ニッケルか再び前記基
層上へ流れる結果になる。簡単に説明すると、前記防食
剤の除去は、外部的と言うよりも、むしろ内部的に発生
する現象により生じる。第１Ａ〜ＩＤ図は、この発明に
よるレーザての防食剤の融除の連続工程を概略的に示し
ている。
ッケルは明らかにそれの融点（１４５５°Ｃ）以下にと
どまるが、それにもかかわらず、充分なエネルギをポリ
マーの薄い接合層へ伝達して、それを気化させる。これ
は、同時に前記ポリマー状防食剤を前記ニッケルに対し
て保持している前記接合層を破壊するとともに、残存し
ている固形のポリマーを表面から追放するために必要と
される。膨脹する蒸気を供給する。エネルギ密度かより
高い場合、前記接合層は同様に破壊される。しかし、ニ
ッケルの表面層は溶解して、当該ニッケルか再び前記基
層上へ流れる結果になる。簡単に説明すると、前記防食
剤の除去は、外部的と言うよりも、むしろ内部的に発生
する現象により生じる。第１Ａ〜ＩＤ図は、この発明に
よるレーザての防食剤の融除の連続工程を概略的に示し
ている。
それらの図を参照して説明すると、加熱された金属に隣
接する薄いポリマーの層が、気化するとともに膨脹しく
第１Ｂ図）、そしてポリマーの外側の層を気化させるこ
となく、それらを「吹き飛ばす」 （第１Ｃ図）。我々
の研究の進展過程において、我々は、そのように除去さ
れた固形のフィルムの破片を観察し、撮影し、収集した
。注意深い重量計測により、前記金属に最も近い層であ
る前記ポリマー・フィルムの約０．５％のみが、気化さ
れることが確認された。残りの９９．５％は、固形もし
くは溶解された形態で吹き飛ばされる。
接する薄いポリマーの層が、気化するとともに膨脹しく
第１Ｂ図）、そしてポリマーの外側の層を気化させるこ
となく、それらを「吹き飛ばす」 （第１Ｃ図）。我々
の研究の進展過程において、我々は、そのように除去さ
れた固形のフィルムの破片を観察し、撮影し、収集した
。注意深い重量計測により、前記金属に最も近い層であ
る前記ポリマー・フィルムの約０．５％のみが、気化さ
れることが確認された。残りの９９．５％は、固形もし
くは溶解された形態で吹き飛ばされる。
この方法は、先に説明した従来の問題を免れることが発
見された。この従来の問題とは、電磁的境界条件が、前
記金属に隣接したポリマー内に小さい電界を発生させ、
それゆえ残余の層を残すと言う問題である。この発明の
方法は、結局、前記ポリマー内でエネルギを吸収するた
めの、当該ポリマー内の電界に依存せず、それゆえ、前
記境界条件（依然として影響力があるが）は、有害な効
果を持たない。実際の観点からは、前記金属の反射力が
高くならないレーザの波長を選択することにより、前記
境界条件の厳格さが幾分低減されるであろう。
見された。この従来の問題とは、電磁的境界条件が、前
記金属に隣接したポリマー内に小さい電界を発生させ、
それゆえ残余の層を残すと言う問題である。この発明の
方法は、結局、前記ポリマー内でエネルギを吸収するた
めの、当該ポリマー内の電界に依存せず、それゆえ、前
記境界条件（依然として影響力があるが）は、有害な効
果を持たない。実際の観点からは、前記金属の反射力が
高くならないレーザの波長を選択することにより、前記
境界条件の厳格さが幾分低減されるであろう。
本発明の好ましい実施例においては、容易に検知し得る
前記金属の変化が何らない状態で、前記ポリマーを除去
し得ることが立証されている。もちろん、もし、例えば
有孔率を低減させるために、前記金属を溶解させること
が望まれれば、これは同一の照射で行なうことができる
。
前記金属の変化が何らない状態で、前記ポリマーを除去
し得ることが立証されている。もちろん、もし、例えば
有孔率を低減させるために、前記金属を溶解させること
が望まれれば、これは同一の照射で行なうことができる
。
ニッケルでメッキされる平坦な材料、および打ち抜かれ
た電気接点が、メッキ用防食剤（ＷＳ５２２９またはＷ
３５２３０）を静電気的に噴霧され、当該両方のメッ
キ用防食剤は同じ樹脂ベースと、アクリル・スチレン共
重合体とを有している。前記各サンプルは、赤外線オー
ブン内で、約２７５°Ｆで１分間乾燥された。これらの
乾燥されたサンプルは、１５０マイクロインチの公称厚
さを有していた。しかし、先に記載したように、防食剤
の被覆厚さは、処理法の重要な変数ではない。前記噴霧
され且つ乾燥された各サンプルは、第２図に示されてい
るように装備されたエキシマ・レーザ により、融除さ
れた。融除される領域は、開口およびレンズを介して設
定された。前記各部品（サンプル）を移動させて、当該
部品を連続的に融除するために、移送機構が使用された
。前記部品とレーザとの間の同期関係は、当該レーザの
繰り返し速度と、前記部品の移送スピードとを調節する
ことにより、あるいは光学的検知システムを使用するこ
とにより、得られた。
た電気接点が、メッキ用防食剤（ＷＳ５２２９またはＷ
３５２３０）を静電気的に噴霧され、当該両方のメッ
キ用防食剤は同じ樹脂ベースと、アクリル・スチレン共
重合体とを有している。前記各サンプルは、赤外線オー
ブン内で、約２７５°Ｆで１分間乾燥された。これらの
乾燥されたサンプルは、１５０マイクロインチの公称厚
さを有していた。しかし、先に記載したように、防食剤
の被覆厚さは、処理法の重要な変数ではない。前記噴霧
され且つ乾燥された各サンプルは、第２図に示されてい
るように装備されたエキシマ・レーザ により、融除さ
れた。融除される領域は、開口およびレンズを介して設
定された。前記各部品（サンプル）を移動させて、当該
部品を連続的に融除するために、移送機構が使用された
。前記部品とレーザとの間の同期関係は、当該レーザの
繰り返し速度と、前記部品の移送スピードとを調節する
ことにより、あるいは光学的検知システムを使用するこ
とにより、得られた。
＊レーザのパラメータ：
λ＝３５１ｎｍ （ナノメータ）
パルス幅−］０ｎｓｅｃ、 （ナノ秒）エネルギ密度
＝２Ｊ／ｃｄ 繰り返し速度−５０Ｈｚ ２つのメッキ技術、すなわち、浸漬メッキ法と、電解質
液メッキ法とが、金メッキを施された表面を用意するた
めに使用された。浸漬メッキ法は、表面に清潔度に非常
に敏感である。例えば、不完全な融除から生じることの
ある残余ポリマーのような薄い有機質のコーティングが
存在すると、金の電解液とニッケルの表面との間でのイ
オン交換が阻止され、メッキか生じないことになる。上
記の各パラメータにより融除された複数のサンプルが、
金メッキを施す前に表面酸化物を除去するＭ６２９電解
液内で、１５秒間活性化され、そして金メッキ用溶液で
あるＴｅｃｈｎｉｃ Ｏｒｏｍｅｒｓｅ″Ｎ”の中で、
９０秒間、約８０℃で浸漬メッキされた。全てのサンプ
ルがメッキされて、残余ポリマーがないことを示された
。これらの結果は、表面のＥＳＣＡ研究により確認され
た。
＝２Ｊ／ｃｄ 繰り返し速度−５０Ｈｚ ２つのメッキ技術、すなわち、浸漬メッキ法と、電解質
液メッキ法とが、金メッキを施された表面を用意するた
めに使用された。浸漬メッキ法は、表面に清潔度に非常
に敏感である。例えば、不完全な融除から生じることの
ある残余ポリマーのような薄い有機質のコーティングが
存在すると、金の電解液とニッケルの表面との間でのイ
オン交換が阻止され、メッキか生じないことになる。上
記の各パラメータにより融除された複数のサンプルが、
金メッキを施す前に表面酸化物を除去するＭ６２９電解
液内で、１５秒間活性化され、そして金メッキ用溶液で
あるＴｅｃｈｎｉｃ Ｏｒｏｍｅｒｓｅ″Ｎ”の中で、
９０秒間、約８０℃で浸漬メッキされた。全てのサンプ
ルがメッキされて、残余ポリマーがないことを示された
。これらの結果は、表面のＥＳＣＡ研究により確認され
た。
メッキ特性の評価を行なうために、電解質溶液メッキ法
を使用して、厚いニッケルで硬化された金メッキを得た
。表面を清潔にし且つ活性化するために、複数のメッキ
用基層が、最初に活性化浴（溶液）に浸けられた。この
後、それらの基層は、以下のパラメータを有する溶液内
で電気メッキを施された。
を使用して、厚いニッケルで硬化された金メッキを得た
。表面を清潔にし且つ活性化するために、複数のメッキ
用基層が、最初に活性化浴（溶液）に浸けられた。この
後、それらの基層は、以下のパラメータを有する溶液内
で電気メッキを施された。
＊金の濃度 ２ ｔｒ、ｏｚ、／ｇａｌ＊ニッ
ケル濃度 ２１００ｐｐｍ ＊ Ｐ Ｈ４，６〜４．８ 水温度 １２０°Ｆ ＊効率＠４０ＡＳＰ ４０〜５０％および１２０
°Ｆ このようなプロセスから、３０μの堆積厚さが、４５か
ら６０秒までの休止期間中に達成された。
ケル濃度 ２１００ｐｐｍ ＊ Ｐ Ｈ４，６〜４．８ 水温度 １２０°Ｆ ＊効率＠４０ＡＳＰ ４０〜５０％および１２０
°Ｆ このようなプロセスから、３０μの堆積厚さが、４５か
ら６０秒までの休止期間中に達成された。
第１Ａ図〜第１Ｄ図は、金属製基層上のポリマ状コーテ
ィングをレーザで融除する工程を概略的に示した断面図
である。 第２図は、この発明に従ってレーザで防食剤の融除を行
なうためのシステムの概略断面図である。
ィングをレーザで融除する工程を概略的に示した断面図
である。 第２図は、この発明に従ってレーザで防食剤の融除を行
なうためのシステムの概略断面図である。
Claims (13)
- （１）金属製基層上に初めに薄いポリマー状のメッキ用
防食剤を塗布し、その後で、前記基層に選択的にメッキ
を施す方法であって、前記基層のうちのメッキすべき部
分を露出させるために、前記防食剤をレーザで選択的に
融除することを特徴とした方法において、 ａ）前記レーザの作用パラメータおよび特性を、前記防
食剤および前記基層に相関させる工程と、 ｉ）通常の入射に対して約７０％以下の低い反射率を有
するメッキ用基層を選択する工程と、 ｉｉ）前記メッキすべき部分を含むがその部分に限定さ
れずに前記基層へ塗布されるとともに、低い光吸収率を
有するポリマーをベースとしたメッキ用防食剤を選択す
る工程と、ｉｉｉ）前記基層上の前記防食剤を硬化させ
る工程 ｉｖ）前記防食剤のうちの選択された領域に、約２４８
〜３６０ナノメータ間の波長を有するレーザの照射を当
て、その際、そのレーザのエネルギの一部が、前記基層
により吸収されるように、前記防食剤を通して伝達され
、その結果、前記金属製基層がその表面を加熱されるこ
とにより、前記防食剤のうちの隣接する層を加熱して気
化させ、当該気化された防食剤が、膨張することにより
、その上の固形状の防食剤を離昇させ、それにより、金
属メッキに適した清潔な金属製基層を露出させるように
する工程と、 ｂ）前記基層のうちの前記露出された部分にメッキを施
す工程と、 を具備していることを特徴とする金属製基層の選択的メ
ッキ法。 - （２）前記防食剤の選択的除去が、少なくとも０．６０
Ｊ／ｃｍ＾２のエネルギ密度を有する１回のレーザ照射
により達成されることを特徴とする請求項１記載の方法
。 - （３）前記エネルギ密度のレベルが、少なくとも０．９
０Ｊ／ｃｍ＾２であることを特徴とする請求項２記載の
方法。 - （４）前記エネルギ密度の範囲が、約０．９０〜２．５
Ｊ／ｃｍ＾２であることを特徴とする請求項３記載の方
法。 - （５）前記基層のうちの前記露出された部分の表面特性
を変化させるために、少なくとも最初の前記レーザ照射
が、２．５Ｊ／ｃｍ＾２よりも大きいエネルギ密度のレ
ベルにあることを特徴とする請求項１記載の方法。 - （６）前記表面の変化が、当該表面の細孔を閉じること
により、当該表面の粗さを減少させることからなること
を特徴とする請求項５記載の方法。 - （７）前記表面の変化が、当該表面を清掃することから
なることを特徴とする請求項５記載の方法。 - （８）前記表面の変化が、当該表面を研磨することから
なることを特徴とする請求項５記載の方法。 - （９）前記ポリマー状のコーティングが、スクリーニン
グ、噴霧、浸漬、印刷、および電気メッキからなるグル
ープより選択される方法によって、塗布されることを特
徴とする請求項１記載の方法。 - （１０）前記防食剤のための光の吸収率が、３ミクロン
のフィルムの厚さに対して約１０００ｃｍ＾−＾１以下
であることを特徴とする請求項１記載の方法。 - （１１）前記防食剤が、スチレン・アクリルの共重合体
であることを特徴とする請求項１０記載の方法。 - （１２）前記メッキ用基層が、ニッケル、ニッケル合金
、銅、および銅合金からなるグループより選択されるこ
とを特徴とする請求項１記載の方法。 - （１３）金属製基層のうちの選択された領域上にメッキ
をするために、当該金属製基層を用意し、前記金属製基
層上に初めに薄いポリマー状のメッキ用防食剤を塗布し
、その後で、前記基層のうちのメッキすべき領域を露出
させるために、前記防食剤をレーザにより選択的に融除
する方法において、前記レーザの作用パラメータおよび
特性を、前記防食剤および前記基層に相関させる工程と
、 ｉ）通常の入射に対して約７０％以下の低い反射率を有
するメッキ用基層を選択する工程と、 ｉｉ）前記メッキすべき部分を含むがその部分に限定さ
れずに前記基層へ塗布されるとともに、低い光吸収率を
有するポリマーをベースとしたメッキ用防食剤を選択す
る工程と、ｉｉｉ）前記基層上の前記防食剤を硬化させ
る工程と、 ｉｖ）前記防食剤のうちの選択された領域に、約２４８
〜３６０ナノメータ間の波長を有するエキシマ・レーザ
の照射を当て、その際、そのレーザのエネルギの一部が
、前記基層により吸収されるように、前記防食剤を通し
て伝達され、その結果、前記金属製基層がその表面を加
熱されることにより、前記防食剤のうちの隣接する層を
加熱して気化させ、当該気化された防食剤が、膨張する
ことにより、その上の固形状の防食剤を離昇させ、それ
により、金属メッキに適した清潔な金属製基層を露出さ
せるようにする工程と、 を具備していることを特徴とする金属製基層の選択的メ
ッキ法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/180,417 US4877644A (en) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | Selective plating by laser ablation |
| US180417 | 1988-04-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0211773A true JPH0211773A (ja) | 1990-01-16 |
| JP2683696B2 JP2683696B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=22660385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1092806A Expired - Lifetime JP2683696B2 (ja) | 1988-04-12 | 1989-04-12 | 金属製基層の選択的メッキ法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4877644A (ja) |
| EP (1) | EP0337658B1 (ja) |
| JP (1) | JP2683696B2 (ja) |
| DE (1) | DE68910864T2 (ja) |
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