JPH0211789A - 金属インジウム基体上への金属メッキ方法 - Google Patents
金属インジウム基体上への金属メッキ方法Info
- Publication number
- JPH0211789A JPH0211789A JP16233588A JP16233588A JPH0211789A JP H0211789 A JPH0211789 A JP H0211789A JP 16233588 A JP16233588 A JP 16233588A JP 16233588 A JP16233588 A JP 16233588A JP H0211789 A JPH0211789 A JP H0211789A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- metal
- indium
- strike
- base body
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- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、電子部品などの基体として用いられる金属イ
ンジウム上へのメッキ方法に関するものである。
ンジウム上へのメッキ方法に関するものである。
[発明の概要]
基体として用いる金属インジウム上に、アルカリメッキ
浴もしくは中性メッキ浴からなるストライクメッキと称
する下地メッキを施すことにより、ニッケル等の金属の
メッキを可能にしたものである。
浴もしくは中性メッキ浴からなるストライクメッキと称
する下地メッキを施すことにより、ニッケル等の金属の
メッキを可能にしたものである。
[従来の技術]
従来、基体として用いる金属インジウムは、単独で使用
されており、インジウム基体上への金属のメッキは、な
されていなかった。
されており、インジウム基体上への金属のメッキは、な
されていなかった。
[発明が解決しようとする課題]
金属インジウムは、化学的に活性な金属であり、耐酸性
に劣るため、ニッケルメッキ等の酸性メッキ浴を用いて
、インジウム基体上に金属を電着させることはできなか
った。
に劣るため、ニッケルメッキ等の酸性メッキ浴を用いて
、インジウム基体上に金属を電着させることはできなか
った。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決するために、本発明は、金属インジウム
基体上に、アルカリメッキ浴もしくは中性メッキ浴から
なるストライクメッキを施すことで、ニッケル等の金属
の電着を実現したものである。
基体上に、アルカリメッキ浴もしくは中性メッキ浴から
なるストライクメッキを施すことで、ニッケル等の金属
の電着を実現したものである。
[イ乍用1
金属インジウムは、耐アルカリ性に非常にすぐれている
ことから、アルカリメッキ浴もしくは中性メッキ浴から
なるストライクメッキを施こし、様な下地メッキ層をイ
ンジウム基体上に形成することにより、さらに該下地メ
ッキ層上に金属メッキを施こし、インジウム基体上に密
着性良好なる金属メッキを可能とするものである。
ことから、アルカリメッキ浴もしくは中性メッキ浴から
なるストライクメッキを施こし、様な下地メッキ層をイ
ンジウム基体上に形成することにより、さらに該下地メ
ッキ層上に金属メッキを施こし、インジウム基体上に密
着性良好なる金属メッキを可能とするものである。
〔実施例1
以下に、本発明による複数の実施例について説明する。
[実施例1]
幅20mm、長さ100mm、厚さ0.5mmのインジ
ウム板を、通常のアルカリ脱脂洗浄を行なった後、次に
示すメッキ浴組成及び電着条件にて、ストライク銅メッ
キを施した。
ウム板を、通常のアルカリ脱脂洗浄を行なった後、次に
示すメッキ浴組成及び電着条件にて、ストライク銅メッ
キを施した。
ストライク銅メッキ浴組成
シアン化銅 40 g/f2゜シアン化
ナトリウム 60 g / 12・水酸化ナトリ
ウム 15g/、e電着条件 ・電流密度 L A / d m’浴
温度 70度C ・電着時間 1分間 次いで、水洗の後、次に示すメッキ浴組成及び電着条件
にてニッケルメッキを施した。
ナトリウム 60 g / 12・水酸化ナトリ
ウム 15g/、e電着条件 ・電流密度 L A / d m’浴
温度 70度C ・電着時間 1分間 次いで、水洗の後、次に示すメッキ浴組成及び電着条件
にてニッケルメッキを施した。
ニッケルメッキ浴組成
・硫酸ニッケル 300 g/ρ塩化ニッケ
ル 50 g / I2・ホウ酸
40 g/It電着条件 ・電流密度 3 A / d m”・
浴温度 60度C・電着時間
10分間以上の様にしてニッケルメッキを
施したインジウム板について、90度折り曲げ試験を行
なったところ、メッキハクリ等見られず、実用上、何ら
問題がなかった。
ル 50 g / I2・ホウ酸
40 g/It電着条件 ・電流密度 3 A / d m”・
浴温度 60度C・電着時間
10分間以上の様にしてニッケルメッキを
施したインジウム板について、90度折り曲げ試験を行
なったところ、メッキハクリ等見られず、実用上、何ら
問題がなかった。
〔実施例2〕
実施例1と同様のインジウム板について、ストライク銅
メッキを施した後、次に示すメッキ浴組成及び電着条件
にて、銅メッキを施した。
メッキを施した後、次に示すメッキ浴組成及び電着条件
にて、銅メッキを施した。
銅メッキ浴組成
・硫酸銅 210g/42硫酸
53g/β電着条件 ・電流密度 2 A / d rn”
・浴温度 25度C・電着時間
15分間以上の様にして銅メッキを施し
たインジウム板について、90度折り曲げ試験を行なっ
たところ、メッキハクリ等見られず、実用上何ら問題が
なかった。
53g/β電着条件 ・電流密度 2 A / d rn”
・浴温度 25度C・電着時間
15分間以上の様にして銅メッキを施し
たインジウム板について、90度折り曲げ試験を行なっ
たところ、メッキハクリ等見られず、実用上何ら問題が
なかった。
尚、実施例に於いて、ストライクメッキとしてアルカリ
メッキ浴のストライク銅メッキを用いているが、他にス
トライク金メッキ・ストライクパラジウムメッキ等のア
ルカリメッキ浴もしくは中性メッキ浴を用いても、本発
明には何ら支障がないことは言うまでもないことである
。
メッキ浴のストライク銅メッキを用いているが、他にス
トライク金メッキ・ストライクパラジウムメッキ等のア
ルカリメッキ浴もしくは中性メッキ浴を用いても、本発
明には何ら支障がないことは言うまでもないことである
。
[発明の効果1
以上述べてきたように、本発明によるメッキ方法によれ
ば、基体として用いる金属インジウム上に、密着性良好
なる金属メッキ皮膜を簡便に達成することが可能となる
。
ば、基体として用いる金属インジウム上に、密着性良好
なる金属メッキ皮膜を簡便に達成することが可能となる
。
更に、本発明によれば、これまで困難とされていたイン
ジウム基体上への酸性メッキ浴による金属メッキが、簡
便に達成されるものであり、工業上極めて有用な発明で
ある。
ジウム基体上への酸性メッキ浴による金属メッキが、簡
便に達成されるものであり、工業上極めて有用な発明で
ある。
以上
出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- 金属インジウム基体上に、アルカリメッキ浴もしくは中
性メッキ浴からなるストライクメッキを施こし、前記金
属インジウム基体上に下地メッキ層を形成した後、金属
メッキを施こすことを特徴とする金属インジウム基体上
への金属メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16233588A JPH0211789A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 金属インジウム基体上への金属メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16233588A JPH0211789A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 金属インジウム基体上への金属メッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0211789A true JPH0211789A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15752594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16233588A Pending JPH0211789A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 金属インジウム基体上への金属メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0211789A (ja) |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP16233588A patent/JPH0211789A/ja active Pending
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