JPH02120210A - 置換オキシベンゼン化合物を含む過酸化水素組成物 - Google Patents
置換オキシベンゼン化合物を含む過酸化水素組成物Info
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- JPH02120210A JPH02120210A JP1195396A JP19539689A JPH02120210A JP H02120210 A JPH02120210 A JP H02120210A JP 1195396 A JP1195396 A JP 1195396A JP 19539689 A JP19539689 A JP 19539689A JP H02120210 A JPH02120210 A JP H02120210A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、過酸化水素を含有する水性溶液に関する。本
発明の第一の側面は、有機安定剤によって安定化′され
た過酸化水素を含有する水性過酸化水素組成物にある。
発明の第一の側面は、有機安定剤によって安定化′され
た過酸化水素を含有する水性過酸化水素組成物にある。
本発明の第二の側面は、過酸化水素、有機安定剤および
強鉱酸を含有した、プリント配線基板の製造に有用な水
性過酸化水素含有化学エツチング液組成物にある。
強鉱酸を含有した、プリント配線基板の製造に有用な水
性過酸化水素含有化学エツチング液組成物にある。
過酸化水素（Ｒ２０）は、多くの工業的プロセスで用い
られる重要な化学品である。１９世紀の中頃から、過酸
化水素は広範囲に渡る濃度、典型的には１〜８０重量％
の濃度の水性溶液の形で商業的に入手可能であり、また
９６重量％に濃縮した形でも入手可能であった。過酸化
水素の主要な化学的性質および用途は、酸素−酸素（パ
ーオキシ酸素）の高エネルギー共有結合を含むその構造
に由来する。この高エネルギーのパーオキシ結合は、過
酸化水素を多くの化学プロセスにおいて有用ならしめる
化学的駆動力を提供する。特に、過酸化水素は種々の有
機反応および無機反応において用いられ、また他の種々
の有機または無機過酸化合物を製造するために用いられ
得る。過酸化水素の一つの重要な用途は、マスクされた
プリント配線基板から金属、典型的には銅を溶解して最
終的な配線パターンを形成することである。この水性過
酸化水素エツチング組成物は、典型的には水性溶液中に
活性量の過酸化水素、強鉱酸および有機安定剤を含有し
ている。
られる重要な化学品である。１９世紀の中頃から、過酸
化水素は広範囲に渡る濃度、典型的には１〜８０重量％
の濃度の水性溶液の形で商業的に入手可能であり、また
９６重量％に濃縮した形でも入手可能であった。過酸化
水素の主要な化学的性質および用途は、酸素−酸素（パ
ーオキシ酸素）の高エネルギー共有結合を含むその構造
に由来する。この高エネルギーのパーオキシ結合は、過
酸化水素を多くの化学プロセスにおいて有用ならしめる
化学的駆動力を提供する。特に、過酸化水素は種々の有
機反応および無機反応において用いられ、また他の種々
の有機または無機過酸化合物を製造するために用いられ
得る。過酸化水素の一つの重要な用途は、マスクされた
プリント配線基板から金属、典型的には銅を溶解して最
終的な配線パターンを形成することである。この水性過
酸化水素エツチング組成物は、典型的には水性溶液中に
活性量の過酸化水素、強鉱酸および有機安定剤を含有し
ている。
過酸化水素のパーオキシ高エネルギー結合は化学者に有
用な化学的駆動力を提供する。一方、この高エネルギー
結合は（１）水（Ｒ２０）および酸素ガス（０２）への
過酸化水素の分解傾向と、（２）過酸溶液中の有機化合
物を酸化する傾向とをもたらす。
用な化学的駆動力を提供する。一方、この高エネルギー
結合は（１）水（Ｒ２０）および酸素ガス（０２）への
過酸化水素の分解傾向と、（２）過酸溶液中の有機化合
物を酸化する傾向とをもたらす。
適切な不活性容器内における非常に純粋な過酸化水素は
比較的安定である。しかしながら、一般に入手可能な産
業グレードの過酸化水素は、製造、移送、保存および使
用の途中において化学的な不純物で典型的に汚染されて
いる。この不純物は、過酸化水素の分解を触媒すること
が可能であり、または少なくともそれを支援する。最も
ありふれた分解触媒には、２もしくは３価の金属イオン
が含まれる。不純物の影響を最小限にするための安定化
剤が開発されており、達成可能な最低レベルにまで過酸
化水素の分解を減少させるために、今では普通に使用さ
れている。公知の安定化剤の例としては、８−ヒドロキ
シキノリン、ピロリン酸ナトリウム、錫酸、スルホレン
、スルホラン、スルホキシド、スルホン、ジアルキルア
ミノチオキソメチル、チオアルキルスルホン酸、脂肪族
アミン、ベンゾトリアゾール、ニトロベンゼンスルホン
酸のようなニトロ置換有機化合物、チオスルフエイト等
がある。このような安定化剤は、幾つかの先行技術文献
において公知である。
比較的安定である。しかしながら、一般に入手可能な産
業グレードの過酸化水素は、製造、移送、保存および使
用の途中において化学的な不純物で典型的に汚染されて
いる。この不純物は、過酸化水素の分解を触媒すること
が可能であり、または少なくともそれを支援する。最も
ありふれた分解触媒には、２もしくは３価の金属イオン
が含まれる。不純物の影響を最小限にするための安定化
剤が開発されており、達成可能な最低レベルにまで過酸
化水素の分解を減少させるために、今では普通に使用さ
れている。公知の安定化剤の例としては、８−ヒドロキ
シキノリン、ピロリン酸ナトリウム、錫酸、スルホレン
、スルホラン、スルホキシド、スルホン、ジアルキルア
ミノチオキソメチル、チオアルキルスルホン酸、脂肪族
アミン、ベンゾトリアゾール、ニトロベンゼンスルホン
酸のようなニトロ置換有機化合物、チオスルフエイト等
がある。このような安定化剤は、幾つかの先行技術文献
において公知である。
Ｂａｎｕｓｈらの米国特許３，４０７．１４１号には、
フェニル尿素、ジフェニル尿素、安息香酸、ヒドロキシ
安息香酸、およびそれらの塩並びに混合物からなる群よ
り選ばれる添加物を含有した、酸−過酸化水素エッチン
グ溶液が開示されている。Ｂａｎｕｓｈらは、更にスル
ファチオアゾール（５ｕｌｆ’ｕｒｔｈｉｏａｚｏｌ）
のような添加物を少ｆｆｉ添加することによって、工ッ
チング速度および溶液の能力が改善されることを開示し
ている。
フェニル尿素、ジフェニル尿素、安息香酸、ヒドロキシ
安息香酸、およびそれらの塩並びに混合物からなる群よ
り選ばれる添加物を含有した、酸−過酸化水素エッチン
グ溶液が開示されている。Ｂａｎｕｓｈらは、更にスル
ファチオアゾール（５ｕｌｆ’ｕｒｔｈｉｏａｚｏｌ）
のような添加物を少ｆｆｉ添加することによって、工ッ
チング速度および溶液の能力が改善されることを開示し
ている。
５ｈｉｂａｓａｋｌ らの米国特許３，７７３．５７７
号には、ベンゾトリアゾールのような添加剤を含有する
硫酸、過酸化水素エツチング溶液が開示されている。
号には、ベンゾトリアゾールのような添加剤を含有する
硫酸、過酸化水素エツチング溶液が開示されている。
Ｖａｌａｙｉｌ らの米国特許４，２３３．ｌｌ１号に
は、触媒として十分な量の下記一般式で表わされるスル
ホプロピルジチオカルバメートナトリウム塩を含有させ
た硫酸、過酸化水素エツチング溶液が開示されている。
は、触媒として十分な量の下記一般式で表わされるスル
ホプロピルジチオカルバメートナトリウム塩を含有させ
た硫酸、過酸化水素エツチング溶液が開示されている。
（３）前記ＲはＣＩ””’ Ｃａのアルキル、フェニル
、０７〜ＣＩＯのアルカリール、または０７〜Ｃ１゜の
アラールキルである。
、０７〜ＣＩＯのアルカリール、または０７〜Ｃ１゜の
アラールキルである。
過酸化水素水溶液は比較的容易に扱うことができ、高い
活性を有し、且つ低コストであるため、プリント配線板
の製造のためのエツチング剤として魅力的である。しか
しながら、過酸化水素金属エツチング組成物には、多く
の問題と予期しない欠点形が存在する可能性がある。エ
ツチングの間に多くの金属イオンが発生し、この金属イ
オンは過酸化水素の速やかな分解を促進することが可能
であるため、プリント配線板回路からの金属の除去に直
接かつ経済的に使用されなければならない過酸化水素の
かなりの量が破壊されれしまう。便利で効果的なエッチ
ャントプロセス（ｅｔｃｈａｎｔ ｐｒｏｃｅｓｓ ）
には、保存および使用の間の実質的な分解に対して過酸
化゛水素を安定化することができるエツチング剤が望ま
しい。加えて、このエツチング剤組成物は、有機安定化
剤の損失に対しても安定化されているべきである。更に
、過酸化水素エツチング剤を用いたエツチングの速度は
、有機促進剤を使用することによって加速することがで
きる。
活性を有し、且つ低コストであるため、プリント配線板
の製造のためのエツチング剤として魅力的である。しか
しながら、過酸化水素金属エツチング組成物には、多く
の問題と予期しない欠点形が存在する可能性がある。エ
ツチングの間に多くの金属イオンが発生し、この金属イ
オンは過酸化水素の速やかな分解を促進することが可能
であるため、プリント配線板回路からの金属の除去に直
接かつ経済的に使用されなければならない過酸化水素の
かなりの量が破壊されれしまう。便利で効果的なエッチ
ャントプロセス（ｅｔｃｈａｎｔ ｐｒｏｃｅｓｓ ）
には、保存および使用の間の実質的な分解に対して過酸
化゛水素を安定化することができるエツチング剤が望ま
しい。加えて、このエツチング剤組成物は、有機安定化
剤の損失に対しても安定化されているべきである。更に
、過酸化水素エツチング剤を用いたエツチングの速度は
、有機促進剤を使用することによって加速することがで
きる。
大部分が過酸化水素であるバルク過酸化水素およびプリ
ント配線板のエツチングに使用されるような過酸化水素
の作動水溶液（ａｑｕｅｏｕｓ ｖｏｒｋｌｎｇｓｏｌ
ｕｔｉｏｎ）を含む、有用な過酸化水素溶液は、ジアル
コキシベンゼン化合物を含む有機安定化側添加物の有効
ユを溶液中に組み込むことにより安定化され、溶液中の
過酸化水素およびもし存在するならば追加の有機安定化
剤の活性濃度を保持することができる。そのような添加
化合物を含む溶液は、調製の後の拡張された期間にわた
って過酸化物または安定化剤の実質的な消耗のない例外
的な貯蔵寿命を示す。そのような添加物を含む溶液は銅
を含む金属を高速、高性能で効果的かつ能率的にエツチ
ングし、また長期、活性かつ有用なエツチング寿命を有
する。更に、過酸化物溶液中において有効量のジアルコ
キシベンゼン化合物と他の有機安定化側化合物とを組み
合わせることによって、過酸化物の分解に対する保護の
程度は更に増大されることが見出された。この発明の特
に好ましい溶液には、過酸化水素と、スルファニル酸に
組み合わされた１、３−ジメトキシベンゼン（ヒドロキ
ノンジメチルエーテルとしても公知）の有効な組み合わ
せとが含有される。
ント配線板のエツチングに使用されるような過酸化水素
の作動水溶液（ａｑｕｅｏｕｓ ｖｏｒｋｌｎｇｓｏｌ
ｕｔｉｏｎ）を含む、有用な過酸化水素溶液は、ジアル
コキシベンゼン化合物を含む有機安定化側添加物の有効
ユを溶液中に組み込むことにより安定化され、溶液中の
過酸化水素およびもし存在するならば追加の有機安定化
剤の活性濃度を保持することができる。そのような添加
化合物を含む溶液は、調製の後の拡張された期間にわた
って過酸化物または安定化剤の実質的な消耗のない例外
的な貯蔵寿命を示す。そのような添加物を含む溶液は銅
を含む金属を高速、高性能で効果的かつ能率的にエツチ
ングし、また長期、活性かつ有用なエツチング寿命を有
する。更に、過酸化物溶液中において有効量のジアルコ
キシベンゼン化合物と他の有機安定化側化合物とを組み
合わせることによって、過酸化物の分解に対する保護の
程度は更に増大されることが見出された。この発明の特
に好ましい溶液には、過酸化水素と、スルファニル酸に
組み合わされた１、３−ジメトキシベンゼン（ヒドロキ
ノンジメチルエーテルとしても公知）の有効な組み合わ
せとが含有される。
この発明は、下記一般式で表わされる過酸化水素に可溶
の置換オキシベンゼン化合物によって安定化された過酸
化水素溶液に向けられている。
の置換オキシベンゼン化合物によって安定化された過酸
化水素溶液に向けられている。
（３）前記Ｒ１およびＲ２は、夫々独立に、ｃ１〜Ｃ１
□の直鎖または分岐鎖のアルキル基である。
□の直鎖または分岐鎖のアルキル基である。
発明の第２の側面において、安定化した過酸化水素溶液
は、プリント配線板のような基板の表面のエツチングに
適した鉱酸を有する。
は、プリント配線板のような基板の表面のエツチングに
適した鉱酸を有する。
バルク貯蔵（ｂｕｌｋ ｓｔｏｒａｇｅ）における過酸
化水素溶液は、約３０ないし約９５重量％の範囲の濃度
の過酸化水素を含むことができる。そのようなバルり過
酸化水素溶液は、典型的には約０．Ｏ１〜約５重量％の
有効量の有機安定化剤を含有し、また残部は典型的には
水からなる。その典型的な使用において、過酸化水素溶
液は希釈される。過酸化物の作動組成物（ｗｏｒｋｉｎ
ｇ ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｃｏＩｌｐｏｓｉｔｉｏｎ）を
調整するために、水、溶媒および他の化学的組成物を過
酸化水素溶液に添加することができる。
化水素溶液は、約３０ないし約９５重量％の範囲の濃度
の過酸化水素を含むことができる。そのようなバルり過
酸化水素溶液は、典型的には約０．Ｏ１〜約５重量％の
有効量の有機安定化剤を含有し、また残部は典型的には
水からなる。その典型的な使用において、過酸化水素溶
液は希釈される。過酸化物の作動組成物（ｗｏｒｋｉｎ
ｇ ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｃｏＩｌｐｏｓｉｔｉｏｎ）を
調整するために、水、溶媒および他の化学的組成物を過
酸化水素溶液に添加することができる。
本発明において、有機安定化剤の少なくとも一部は、発
明の概要で述べた上記式Ｉの有機安定化剤で置換される
。この式■において、ＲＩおよびＲ２の好ましいアルキ
ル基は、夫々独立に、０１〜Ｃ１２のアルキル基であり
、より好ましくはＲ１およびＲ２は同一である。置換基
はメタ位よりもオルト位が望ましく、最も望ましいＲ２
基はパラ位である。使用されるこのアルキル基の例には
、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチ
ル、イソブチル、第三級ブチルシクロヘキシル、メチル
シクロヘキシル、２−エチル−ヘキシル、ｎ−デシル、
２．２．４−）リメチルペンチル、ｎ−ドデシル等が含
まれる。この有機安定化剛化合物の特別な例には、パラ
ジメトキシベンゼン、オルトジメトキシベンゼン、メタ
ジメトキシベンゼン、バラジェトキシベンゼン、メタ−
ｎ−ブトキシベンゼン、バラドデシルオキシベンゼン、
パラメトキシ−エトキシベンゼン、パラメトキシプロポ
キシベンゼン、メタメトキシプロポキシベンゼン、バラ
メチルメトキシシクロヘキソキシベンゼン等が含まれる
。
明の概要で述べた上記式Ｉの有機安定化剤で置換される
。この式■において、ＲＩおよびＲ２の好ましいアルキ
ル基は、夫々独立に、０１〜Ｃ１２のアルキル基であり
、より好ましくはＲ１およびＲ２は同一である。置換基
はメタ位よりもオルト位が望ましく、最も望ましいＲ２
基はパラ位である。使用されるこのアルキル基の例には
、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチ
ル、イソブチル、第三級ブチルシクロヘキシル、メチル
シクロヘキシル、２−エチル−ヘキシル、ｎ−デシル、
２．２．４−）リメチルペンチル、ｎ−ドデシル等が含
まれる。この有機安定化剛化合物の特別な例には、パラ
ジメトキシベンゼン、オルトジメトキシベンゼン、メタ
ジメトキシベンゼン、バラジェトキシベンゼン、メタ−
ｎ−ブトキシベンゼン、バラドデシルオキシベンゼン、
パラメトキシ−エトキシベンゼン、パラメトキシプロポ
キシベンゼン、メタメトキシプロポキシベンゼン、バラ
メチルメトキシシクロヘキソキシベンゼン等が含まれる
。
式Ｉの化合物は過酸化水素を安定化し、その分解速度を
減少させるように機能するので、この該添加物はその使
用濃度で過酸化水素に溶解しなければならない。式Ｉの
添加物の濃度は重要であると考えられるものではないが
、例示すれば、従来の安定化剤の範囲、例えば過酸化水
素、水および式Ｉの安定化剤を基準として０．Ｏｌない
し約５重量％である。コストの面では、従来公知の安定
化剤のようなより低コストの第二の安定化剤を導入する
ことが望ましい。好ましい第二の安定化剤の例としては
、下記一般式で表わされるスルファニル酸化合物が挙げ
られる。
減少させるように機能するので、この該添加物はその使
用濃度で過酸化水素に溶解しなければならない。式Ｉの
添加物の濃度は重要であると考えられるものではないが
、例示すれば、従来の安定化剤の範囲、例えば過酸化水
素、水および式Ｉの安定化剤を基準として０．Ｏｌない
し約５重量％である。コストの面では、従来公知の安定
化剤のようなより低コストの第二の安定化剤を導入する
ことが望ましい。好ましい第二の安定化剤の例としては
、下記一般式で表わされるスルファニル酸化合物が挙げ
られる。
但し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に水素またはＣｌ
−１０の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基、およびＭは
水素、′またはナトリウム、カリウム、カルシウム、銅
等の金属イオンである。
−１０の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基、およびＭは
水素、′またはナトリウム、カリウム、カルシウム、銅
等の金属イオンである。
各々のＲが水素であるスルファニル酸（アミノベンゼン
スルホン酸）は、好ましい共添加剤（ＣＯ−ａｄｄｌｔ
ｉｖｅ ）である。
スルホン酸）は、好ましい共添加剤（ＣＯ−ａｄｄｌｔ
ｉｖｅ ）である。
エツチング溶液は、大部分を占める水の中に、有効エツ
チング量の過酸化水素、硫酸等の強鉱酸およびこの発明
の有機安定化剤を含むことができる。
チング量の過酸化水素、硫酸等の強鉱酸およびこの発明
の有機安定化剤を含むことができる。
この発明のエツチング剤組成物において使用できる強鉱
酸には、硫酸、硝酸、塩酸、フッ化水素酸およびフッ化
硼素酸が含まれる。
酸には、硫酸、硝酸、塩酸、フッ化水素酸およびフッ化
硼素酸が含まれる。
これらの溶液は銅および銅合金の化学溶解またはエツチ
ングに特に有用であるが、他の金属および合金、例えば
鉄、ニッケル、亜鉛、鉛、または錫もまたこの溶液の化
学作用で溶解することができる。
ングに特に有用であるが、他の金属および合金、例えば
鉄、ニッケル、亜鉛、鉛、または錫もまたこの溶液の化
学作用で溶解することができる。
本発明のエツチング溶液は、本発明の過酸化水素バルク
溶液を、典型的には水性媒体中における適当な過酸化水
素濃度に希釈し、鉱酸等の他の必要なエツチング剤成分
を添加することにより調製することができる。
溶液を、典型的には水性媒体中における適当な過酸化水
素濃度に希釈し、鉱酸等の他の必要なエツチング剤成分
を添加することにより調製することができる。
本発明の有機安定剤を溶液中に保持するに有用な溶媒に
は、水に可溶で且つ本発明の有機安定化剤の溶解性を促
進する溶媒が含まれる。典型的には、本発明に有用な溶
媒には、酸素付加された溶媒および大きい双極子モーメ
ントを有する極性の高い他の溶媒が含まれる。有用な溶
媒の特別な例には、メタノール、エタノール、イソプロ
パツール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシド等が含まれる。
は、水に可溶で且つ本発明の有機安定化剤の溶解性を促
進する溶媒が含まれる。典型的には、本発明に有用な溶
媒には、酸素付加された溶媒および大きい双極子モーメ
ントを有する極性の高い他の溶媒が含まれる。有用な溶
媒の特別な例には、メタノール、エタノール、イソプロ
パツール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシド等が含まれる。
その使用において、この発明のエツチング溶液は、通常
のエツチング条件で金属（普通は銅）を溶解するように
処方される。本発明のエツチング剤は、化学的な金属除
去が有用である環境において使用することができる。ご
く一般には、そのようなエツチング工程は、プリント配
ａ（プリント回路）板の製造に使用される。
のエツチング条件で金属（普通は銅）を溶解するように
処方される。本発明のエツチング剤は、化学的な金属除
去が有用である環境において使用することができる。ご
く一般には、そのようなエツチング工程は、プリント配
ａ（プリント回路）板の製造に使用される。
そのようなプリント配線板の製造においては、金属被着
板または多層板用積層板に感光性レジストを塗布する。
板または多層板用積層板に感光性レジストを塗布する。
この板をマスクし、レジストを適切な波長の電磁波にさ
らす。マスクの使用によって、光の作用からあるレジス
ト領域が保護される。
らす。マスクの使用によって、光の作用からあるレジス
ト領域が保護される。
マスクによって保護されなかった領域においては、この
照射によって、典型的には感光性レジストが架橋または
重合され、レジストを化学的により不溶性にする。ポジ
型レジストもまた適当なマスクと共に使用することがで
きる。典型的には露光したレジストが板上に残り、未露
光のレジストは化学的にすすぐことによって容易に除去
することができる。除去の後、レジストは金属の望まれ
ない領域を化学エツチングにさらす。
照射によって、典型的には感光性レジストが架橋または
重合され、レジストを化学的により不溶性にする。ポジ
型レジストもまた適当なマスクと共に使用することがで
きる。典型的には露光したレジストが板上に残り、未露
光のレジストは化学的にすすぐことによって容易に除去
することができる。除去の後、レジストは金属の望まれ
ない領域を化学エツチングにさらす。
典型的には、金属は、約１０５〜約２００°Ｆ１好まし
くは操作を容易にするために１１０〜１４０°Ｆの範囲
の温度でエツチングされる。本発明の溶液は、浸漬また
は噴霧エツチング技法の何れにおける使用にも充分な活
性を有する。本発明の組成物を使用して得られたエツチ
ング速度は、毎分１平方フィート当り、制約１〜２オン
スの範囲であり得る。
くは操作を容易にするために１１０〜１４０°Ｆの範囲
の温度でエツチングされる。本発明の溶液は、浸漬また
は噴霧エツチング技法の何れにおける使用にも充分な活
性を有する。本発明の組成物を使用して得られたエツチ
ング速度は、毎分１平方フィート当り、制約１〜２オン
スの範囲であり得る。
エツチングの後、プリント回路板は典型的には水ですす
ぎ、フォトレジストを除去する。次いで、片面または両
面のプリント回路板は組み立てステーションに送られる
。
ぎ、フォトレジストを除去する。次いで、片面または両
面のプリント回路板は組み立てステーションに送られる
。
この発明をさらに説明するために、以下に実施例を示す
。
。
実施例
マグネチックスクーラーを備えた２ｇガラス製ビーカー
に、脱イオン水６０（ｌａｌｔを加えた。撹拌を開始し
て、１５重量％硫酸水溶液１５０−を脱イオン水に添加
した。この混合物を均一になるまで撹拌し、この撹拌し
た水溶液中に５０重量％活性過酸化水素水溶液５０−を
添加した。硫酸銅五水和物（ＣｕＳＯ４５Ｈ２０） ７
５ｇおよび以下に示すＩまたは■のうちの１種を、上記
の水性浴（ａｑｕｅｏｕｓ ｂａｔｈ）中に入れた。
に、脱イオン水６０（ｌａｌｔを加えた。撹拌を開始し
て、１５重量％硫酸水溶液１５０−を脱イオン水に添加
した。この混合物を均一になるまで撹拌し、この撹拌し
た水溶液中に５０重量％活性過酸化水素水溶液５０−を
添加した。硫酸銅五水和物（ＣｕＳＯ４５Ｈ２０） ７
５ｇおよび以下に示すＩまたは■のうちの１種を、上記
の水性浴（ａｑｕｅｏｕｓ ｂａｔｈ）中に入れた。
１ パラジメトキシベンゼン０．７５ｇ■ パラジメト
キシベンゼン０．２５ｇおよびスルファニル酸０．５ｇ 混合して均一になったときに、水を追加して全体積を
１．０００−とじた。
キシベンゼン０．２５ｇおよびスルファニル酸０．５ｇ 混合して均一になったときに、水を追加して全体積を
１．０００−とじた。
この実施例のエツチング浴１ｇを水槽ヒーター中で５０
℃に加熱した。この溶液をこの温度に４９時間維持し、
過酸化水素濃度および有機安定化側濃度を監視した。以
下に示す表は、過酸化物濃度の変化を示すものである。
℃に加熱した。この溶液をこの温度に４９時間維持し、
過酸化水素濃度および有機安定化側濃度を監視した。以
下に示す表は、過酸化物濃度の変化を示すものである。
加えて、４９時間後に安定化側濃度を測定し、安定化剤
の濃度が分解によって減少していないかどうかを決定し
た。
の濃度が分解によって減少していないかどうかを決定し
た。
安定化剤
■
Ｈ２Ｏ２の減少
Ｃｇ／ｆｌ）
３１．５ ４９．０
時間 時間
０．８４ ２．１５
パラジメトキシベンゼン
の変化 （ｍ Ｍ ）単位
４９．０時間
■
−−４，７
０，５７
・ｇ／ＩＩは、１リットル当りのグラム数を意味する。
・ｍＭは、ミリモルを意味する。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (6)
- （１）過酸化水素と、過酸化水素に可溶な次式で示され
る置換オキシベンゼン化合物とを含有する安定化過酸化
水素組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、式中のＲ＿１およびＲ＿２は、夫々独立に、Ｃ＿
１〜Ｃ＿１＿２の直鎖または分岐鎖のアルキル基である
。 - （２）前記Ｒ＿１およびＲ＿２が、夫々独立に、Ｃ＿１
〜Ｃ＿５のアルキル基である請求項１に記載の組成物。 - （３）前記Ｒ＿１およびＲ＿２が同一である請求項１に
記載の組成物。 - （４）スルファニル酸化合物を含む請求項１に記載の組
成物。 - （５）下記成分ａ）〜ｄ）を含有する水性化学エッチン
グ液組成物。 ａ）水 ｂ）過酸化水素 ｃ）鉱酸 ｄ）次式で示される化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、式中のＲ＿１およびＲ＿２は、夫々独立に、Ｃ＿
１〜Ｃ＿１＿２の直鎖または分岐鎖のアルキル基である
。 - （６）金属部分を有する表面を、下記成分ａ）〜ｄ）を
含有する水性化学エッチング液組成物でエッチングする
工程を具備したプリント配線基板を形成する方法。 ａ）水 ｂ）過酸化水素 ｃ）鉱酸 ｄ）次式で示される化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、式中のＲ＿１およびＲ＿２は、夫々独立に、Ｃ＿
１〜Ｃ＿１＿２の直鎖または分岐鎖のアルキル基である
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|---|---|---|---|
| US07/224,802 US4875972A (en) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | Hydrogen peroxide compositions containing a substituted oxybenzene compound |
| US224.802 | 1988-07-27 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02120210A true JPH02120210A (ja) | 1990-05-08 |
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| AU (1) | AU613218B2 (ja) |
| BR (1) | BR8903712A (ja) |
| DK (1) | DK368389A (ja) |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002219924A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-06 | Zexel Valeo Climate Control Corp | 車両用空調装置の通風路切換装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5364510A (en) * | 1993-02-12 | 1994-11-15 | Sematech, Inc. | Scheme for bath chemistry measurement and control for improved semiconductor wet processing |
| US5439569A (en) * | 1993-02-12 | 1995-08-08 | Sematech, Inc. | Concentration measurement and control of hydrogen peroxide and acid/base component in a semiconductor bath |
| US5630950A (en) * | 1993-07-09 | 1997-05-20 | Enthone-Omi, Inc. | Copper brightening process and bath |
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| US6068879A (en) * | 1997-08-26 | 2000-05-30 | Lsi Logic Corporation | Use of corrosion inhibiting compounds to inhibit corrosion of metal plugs in chemical-mechanical polishing |
| CN104170532B (zh) * | 2012-03-16 | 2017-02-22 | 住友电木株式会社 | 层压板及印刷电路板的制造方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5120972B1 (ja) * | 1971-05-13 | 1976-06-29 | ||
| US3974086A (en) * | 1972-05-04 | 1976-08-10 | American Cyanamid Company | Stabilization of hydrogen peroxide solutions |
| GB1435893A (en) * | 1972-07-05 | 1976-05-19 | Ici Ltd | Treatment of textile materials |
| US3945865A (en) * | 1974-07-22 | 1976-03-23 | Dart Environment And Services Company | Metal dissolution process |
| SE400581B (sv) * | 1974-12-13 | 1978-04-03 | Nordnero Ab | Bad for kemisk polering av koppar och dess legeringar |
| US4027008A (en) * | 1975-05-14 | 1977-05-31 | The Gillette Company | Hair bleaching composition containing water-soluble amino and quaternary ammonium polymers |
| GB1565349A (en) * | 1975-10-20 | 1980-04-16 | Albright & Wilson | Aluminium polishing compositions |
| US4141850A (en) * | 1977-11-08 | 1979-02-27 | Dart Industries Inc. | Dissolution of metals |
| US4233111A (en) * | 1979-06-25 | 1980-11-11 | Dart Industries Inc. | Dissolution of metals utilizing an aqueous H2 SO4 -H2 O2 -3-sulfopropyldithiocarbamate etchant |
| US4236957A (en) * | 1979-06-25 | 1980-12-02 | Dart Industries Inc. | Dissolution of metals utilizing an aqueous H2 SOY --H2 O.sub. -mercapto containing heterocyclic nitrogen etchant |
| US4233113A (en) * | 1979-06-25 | 1980-11-11 | Dart Industries Inc. | Dissolution of metals utilizing an aqueous H2 O2 -H2 SO4 -thioamide etchant |
| US4728497A (en) * | 1980-12-15 | 1988-03-01 | Betz Laboratories, Inc. | Use of aminophenol compounds as oxygen scavengers in an aqueous medium |
| US4437930A (en) * | 1983-08-22 | 1984-03-20 | Dart Industries Inc. | Dissolution of metals utilizing ε-caprolactam |
| US4437931A (en) * | 1983-08-22 | 1984-03-20 | Dart Industries Inc. | Dissolution of metals |
| US4462861A (en) * | 1983-11-14 | 1984-07-31 | Shipley Company Inc. | Etchant with increased etch rate |
| GB8415909D0 (en) * | 1984-06-21 | 1984-07-25 | Procter & Gamble Ltd | Peracid compounds |
| US4636282A (en) * | 1985-06-20 | 1987-01-13 | Great Lakes Chemical Corporation | Method for etching copper and composition useful therein |
| US4678594A (en) * | 1985-07-19 | 1987-07-07 | Colgate-Palmolive Company | Method of encapsulating a bleach and activator therefor in a binder |
| US4744968A (en) * | 1985-09-03 | 1988-05-17 | Technicon Instruments Corporation | Stabilized aqueous hydrogen peroxide solution |
| GB8522046D0 (en) * | 1985-09-05 | 1985-10-09 | Interox Chemicals Ltd | Stabilisation |
| US4778618A (en) * | 1986-11-06 | 1988-10-18 | The Clorox Company | Glycolate ester peracid precursors |
-
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-
1989
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- 1989-07-26 DK DK368389A patent/DK368389A/da not_active Application Discontinuation
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- 1989-07-26 PT PT91281A patent/PT91281A/pt not_active Application Discontinuation
- 1989-07-26 BR BR898903712A patent/BR8903712A/pt unknown
- 1989-07-27 EP EP89307686A patent/EP0353083A3/en not_active Withdrawn
- 1989-07-27 JP JP1195396A patent/JPH02120210A/ja active Pending
- 1989-07-27 ZA ZA895724A patent/ZA895724B/xx unknown
- 1989-07-27 AU AU38999/89A patent/AU613218B2/en not_active Ceased
- 1989-07-27 CN CN89107302A patent/CN1040183A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002219924A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-06 | Zexel Valeo Climate Control Corp | 車両用空調装置の通風路切換装置 |
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