JPH0212032B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0212032B2 JPH0212032B2 JP55181463A JP18146380A JPH0212032B2 JP H0212032 B2 JPH0212032 B2 JP H0212032B2 JP 55181463 A JP55181463 A JP 55181463A JP 18146380 A JP18146380 A JP 18146380A JP H0212032 B2 JPH0212032 B2 JP H0212032B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conversion device
- light
- photoelectric conversion
- electrode
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
- H02S40/40—Thermal components
- H02S40/44—Means to utilise heat energy, e.g. hybrid systems producing warm water and electricity at the same time
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/60—Thermal-PV hybrids
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光電変換装置において、太陽光の如き
連続光において短波長側の光を利用して光起電力
を発生せしめるとともに、この装置に対し昇温に
より特性劣化用にしか作用しない赤外光の如き光
エネルギをこの光電変換装置内で熱に変換せしめ
ることなく透過させてしまうことを目的としてい
る。
連続光において短波長側の光を利用して光起電力
を発生せしめるとともに、この装置に対し昇温に
より特性劣化用にしか作用しない赤外光の如き光
エネルギをこの光電変換装置内で熱に変換せしめ
ることなく透過させてしまうことを目的としてい
る。
本発明はこのため従来より行われている光照射
面側の電極を透光性にするに加えて、半導体の裏
面に設けられている電極をも金属の面電極とする
のではなく透光性電極とせしめることを特徴とし
ている。
面側の電極を透光性にするに加えて、半導体の裏
面に設けられている電極をも金属の面電極とする
のではなく透光性電極とせしめることを特徴とし
ている。
さらに本発明は光電変換装置を透過してきた赤
外線を利用してその裏面に設けられた冷却部に熱
エネルギを与え、結果として変換装置の昇温を防
ぐとともに、ヒートパイプ系による光電変換装置
としての水を暖めることをそれぞれ個別にするの
ではなく一体化して、光照射面積を増やすことな
く実施し、ないしは太陽光を一部電気に変換し、
一部を暖水に用いることにより総合利用効率を40
％以上にすることを特徴としている。
外線を利用してその裏面に設けられた冷却部に熱
エネルギを与え、結果として変換装置の昇温を防
ぐとともに、ヒートパイプ系による光電変換装置
としての水を暖めることをそれぞれ個別にするの
ではなく一体化して、光照射面積を増やすことな
く実施し、ないしは太陽光を一部電気に変換し、
一部を暖水に用いることにより総合利用効率を40
％以上にすることを特徴としている。
従来光電変換装置は第１図にその縦断面図の一
例が示されているが、照射光１０に対し半導体１
の上面に光照射側の表面電極として透光性電極
３、さらにその抵抗を保証するための櫛型電極お
よび外部引き出し電極４が設けられ、下面の裏面
電極２として金属例えばアルミニユームが裏面で
のシート抵抗を減少させるため全面に設けられて
いた。
例が示されているが、照射光１０に対し半導体１
の上面に光照射側の表面電極として透光性電極
３、さらにその抵抗を保証するための櫛型電極お
よび外部引き出し電極４が設けられ、下面の裏面
電極２として金属例えばアルミニユームが裏面で
のシート抵抗を減少させるため全面に設けられて
いた。
しかしこの裏面の金属電極はこの面にて光を再
び表面側に反射してその光路を二倍またはそれ以
上にする効果を有しているため、半導体の厚さを
100〜200μｍと約1/2にすることができ、光吸収
係数の低い単結晶シリコンのような材料において
は意味を持つている。しかしアモルフアスまたは
セミアモルフアス10〜100Åの径を有すマイクロ
クリスタル構造の半結晶性半導体膜）の如き非単
結晶半導体においては、その半導体の厚さが0.5
〜2μｍと薄くてもよく、さらにその光吸収係数
も単結晶半導体の10倍も大きいためまつたく無価
値である。
び表面側に反射してその光路を二倍またはそれ以
上にする効果を有しているため、半導体の厚さを
100〜200μｍと約1/2にすることができ、光吸収
係数の低い単結晶シリコンのような材料において
は意味を持つている。しかしアモルフアスまたは
セミアモルフアス10〜100Åの径を有すマイクロ
クリスタル構造の半結晶性半導体膜）の如き非単
結晶半導体においては、その半導体の厚さが0.5
〜2μｍと薄くてもよく、さらにその光吸収係数
も単結晶半導体の10倍も大きいためまつたく無価
値である。
この非単結晶半導体（NSCSと以下いう）にお
いても単結晶半導体（以下SCSという）と同様に
裏面電極が設けられており、その効果は光照射側
の光（例えば赤外線）に対し遮蔽効果（半導体を
昇温させる効果）しか有さず、きわめて都合の悪
いものであつた。
いても単結晶半導体（以下SCSという）と同様に
裏面電極が設けられており、その効果は光照射側
の光（例えば赤外線）に対し遮蔽効果（半導体を
昇温させる効果）しか有さず、きわめて都合の悪
いものであつた。
本発明はかかる欠点を防止するため、この光電
変換装置の裏面に対しても光照射面と同様の透光
性電極としたことを特徴としている。
変換装置の裏面に対しても光照射面と同様の透光
性電極としたことを特徴としている。
かかる透光性電極とすることにより、結晶粒径
の小さい多結晶半導体（2.5μｍ以下特に10〜100
Åの粒径を有するもの）または結晶体と非結晶体
との混合体または非結晶体よりなるNSCSに対し
特に有効であることが判明した。
の小さい多結晶半導体（2.5μｍ以下特に10〜100
Åの粒径を有するもの）または結晶体と非結晶体
との混合体または非結晶体よりなるNSCSに対し
特に有効であることが判明した。
第２図は横軸に反射された光の波長を示し、縦
軸は表面および裏面に透光性電極を設けた構造に
おける透過率を示す。
軸は表面および裏面に透光性電極を設けた構造に
おける透過率を示す。
図面より明らかな如く、NSCSを用いた本発明
においては曲線５に示す如く、半導体の厚さが
0.3〜3μｍときわめて薄くてもよいため、そのエ
ネルギバンド巾（Egという）に対応する700nｍ
（Eg≦1.6eV）よりも長波長側においては90％以
上のほとんどの光が半導体およびその表面および
裏面の透光性電極を経て反対側にまで透過してい
ることがわかる。しかしSCSを用いた構造におい
ては、半導体の厚さが200〜300μｍもあるため、
透過率が赤外領域においてもあまり大きくなく、
透過できなかつた光は半導体内にて熱に蓄積さ
れ、半導体のキヤリア移動度を下げるための昇温
にしか作用しなくなつている。
においては曲線５に示す如く、半導体の厚さが
0.3〜3μｍときわめて薄くてもよいため、そのエ
ネルギバンド巾（Egという）に対応する700nｍ
（Eg≦1.6eV）よりも長波長側においては90％以
上のほとんどの光が半導体およびその表面および
裏面の透光性電極を経て反対側にまで透過してい
ることがわかる。しかしSCSを用いた構造におい
ては、半導体の厚さが200〜300μｍもあるため、
透過率が赤外領域においてもあまり大きくなく、
透過できなかつた光は半導体内にて熱に蓄積さ
れ、半導体のキヤリア移動度を下げるための昇温
にしか作用しなくなつている。
このことにより、NSCSにおいては本発明の表
面裏面ともに透光性であることがきわめて効果が
大きく、さらにそのNSCSのエネルギバンド巾も
単結晶珪素の1.1eVよりも大きな1.4〜2eVと赤外
線に対し透光性を有することが光電変換効率を高
めるのみではなく、半導体の昇温おも防ぐことが
できるためきわめて好ましいものであつた。
面裏面ともに透光性であることがきわめて効果が
大きく、さらにそのNSCSのエネルギバンド巾も
単結晶珪素の1.1eVよりも大きな1.4〜2eVと赤外
線に対し透光性を有することが光電変換効率を高
めるのみではなく、半導体の昇温おも防ぐことが
できるためきわめて好ましいものであつた。
第３図はSCSとNSCSの光吸収効率（α）と波
長との関係を示す。即ち、太陽光のスペクトル７
に対しその光を吸収できる程度を示す吸収係数
（α）は太陽光が最も強い500nｍ付近にてNSCS
においては曲線８とSCSの曲線９に比べて１桁以
上も大きい。このことよりSCSにおいてはEgよ
りも大きなエネルギの短波長側でもそのエネルギ
の大部分を熱に換えてしまう可能性があり、また
低い吸収係数のため厚さの厚い半導体基板を必要
としている。この厚さが厚いことは長波長側にお
いても同様に光を熱に変換してしまうため、SCS
においては裏面を透光性基板にすることはあまり
大きな効果を有していない。
長との関係を示す。即ち、太陽光のスペクトル７
に対しその光を吸収できる程度を示す吸収係数
（α）は太陽光が最も強い500nｍ付近にてNSCS
においては曲線８とSCSの曲線９に比べて１桁以
上も大きい。このことよりSCSにおいてはEgよ
りも大きなエネルギの短波長側でもそのエネルギ
の大部分を熱に換えてしまう可能性があり、また
低い吸収係数のため厚さの厚い半導体基板を必要
としている。この厚さが厚いことは長波長側にお
いても同様に光を熱に変換してしまうため、SCS
においては裏面を透光性基板にすることはあまり
大きな効果を有していない。
第４図はＡ，Ｃに本発明を実施するための基本
構造を示したものである。
構造を示したものである。
即ちガラス等の透光性基板１５を通して光１０
が照射され、ガラス上にスズ（Sn）、インジユー
ム（In）、アンチモン（Sb）の酸化物により導電
性でありかつ透光性の被膜１６，１９が設けられ
ている。被膜１６は表面電極であり、１９は裏面
電極である。半導体１と２つの電極との間には絶
縁性または半絶縁性のトンネル電流を許容する被
膜１７，１８が窒化珪素またはInSiOxにより設
けられている。
が照射され、ガラス上にスズ（Sn）、インジユー
ム（In）、アンチモン（Sb）の酸化物により導電
性でありかつ透光性の被膜１６，１９が設けられ
ている。被膜１６は表面電極であり、１９は裏面
電極である。半導体１と２つの電極との間には絶
縁性または半絶縁性のトンネル電流を許容する被
膜１７，１８が窒化珪素またはInSiOxにより設
けられている。
かかる構造のエネルギバンド巾をその番号を対
応させて第４図Ｂに示している。この図面より明
らかな如く、この光電変換装置はMIS型（電極−
絶縁膜−半導体）構造を表面および裏面に有する
ダブルMIS構造の例である。
応させて第４図Ｂに示している。この図面より明
らかな如く、この光電変換装置はMIS型（電極−
絶縁膜−半導体）構造を表面および裏面に有する
ダブルMIS構造の例である。
そのため図面では透明電極１６は負の電荷を
1012cm-2の密度に含有する酸化スズまたは酸化ア
ンチモンを主成分とした電極として用い、裏面の
透明電極は正の電荷を１〜３×1012cm-2の密度に
含有する酸化インジユームを主成分とした電極を
用いた。
1012cm-2の密度に含有する酸化スズまたは酸化ア
ンチモンを主成分とした電極として用い、裏面の
透明電極は正の電荷を１〜３×1012cm-2の密度に
含有する酸化インジユームを主成分とした電極を
用いた。
その結果、照射光は半導体のEgより大きなEg
を有する光を光電変換し、小さな光特に赤外光を
１０として裏面電極より外部に放出せしめた。か
くすることにより半導体の反対の温度が上昇する
ことを防ぎ、結果として光電変換効率の低下を防
ぐことができた。
を有する光を光電変換し、小さな光特に赤外光を
１０として裏面電極より外部に放出せしめた。か
くすることにより半導体の反対の温度が上昇する
ことを防ぎ、結果として光電変換効率の低下を防
ぐことができた。
第４図Ｃは半導体装置にPIN型（Ｐ型半導体２
２−実質的に真性の半導体１−Ｎ型の半導体２３
を設け、２２，２３に対しその表面裏面に密接し
て透明電極を第４図Ａと同様に形成したものであ
る。
２−実質的に真性の半導体１−Ｎ型の半導体２３
を設け、２２，２３に対しその表面裏面に密接し
て透明電極を第４図Ａと同様に形成したものであ
る。
図面では基板は半導体側の裏面側に１５として
透明ガラスにより設けられている。
透明ガラスにより設けられている。
第４図ＤはＣの光電変換装置１のエネルギバン
ドダイヤグラムをその番号を対応して示してい
る。
ドダイヤグラムをその番号を対応して示してい
る。
これらはダブルMIS型、PIN型であるが、その
変換装置としての構造は任意に組合わせられるべ
きであり、本発明はその表面、裏面の電極を透光
性として赤外線等による装置の昇温を防ぐことを
目的としている。
変換装置としての構造は任意に組合わせられるべ
きであり、本発明はその表面、裏面の電極を透光
性として赤外線等による装置の昇温を防ぐことを
目的としている。
その結果、室温雰囲気において従来の変換効率
（ηという）が５〜８％しか出なかつたものが、
30〜40％向上させ７〜10％の変換効率を得ること
ができるようになつた。
（ηという）が５〜８％しか出なかつたものが、
30〜40％向上させ７〜10％の変換効率を得ること
ができるようになつた。
第４図Ａ，Ｂの装置において透光性電極とは櫛
型電極とし、櫛の間のみを透光性としてもまた
金、アルミニユームを20〜50Åの極薄膜にて形成
させた半透明であつても、本発明と同一技術思想
である、しかしかかる構造においては透過率が十
分でない、製造が微妙である等の欠点を有し、大
面積には必ずしも適していない。
型電極とし、櫛の間のみを透光性としてもまた
金、アルミニユームを20〜50Åの極薄膜にて形成
させた半透明であつても、本発明と同一技術思想
である、しかしかかる構造においては透過率が十
分でない、製造が微妙である等の欠点を有し、大
面積には必ずしも適していない。
本発明においては光照射時における雰囲気が10
〜30℃の室温においては透光性にするのみでその
効果が大きい。
〜30℃の室温においては透光性にするのみでその
効果が大きい。
しかしさらにその雰囲気が40〜100℃と高温に
おいてはその熱エネルギが変換効率の低下を促し
てしまう。このためこの半導体の裏面電極下に冷
却機構を有する光電変換装置をヒートパイプ等を
利用して設けることも本発明の他の特徴である。
おいてはその熱エネルギが変換効率の低下を促し
てしまう。このためこの半導体の裏面電極下に冷
却機構を有する光電変換装置をヒートパイプ等を
利用して設けることも本発明の他の特徴である。
ヒートパイプは一般に低温部より熱エネルギを
とり高温部にこの熱エネルギを与える系であり、
その一例はUSP3875926（太陽熱エネルギ集合シ
ステム）に示されている。
とり高温部にこの熱エネルギを与える系であり、
その一例はUSP3875926（太陽熱エネルギ集合シ
ステム）に示されている。
本発明はかくの如き光熱変換装置を本発明の裏
面の透明電極に隣接してその下側に設けたもので
ある。
面の透明電極に隣接してその下側に設けたもので
ある。
かくすることにより太陽光に対して直列にEg
より大きな光エネルギを有する短波長光をまず光
電変換装置により電気エネルギを取り出し、さら
にEgより小さな光エネルギを有する長波長の光
例えば赤外線に対してはこの光電変換装置を透過
してその下側の光電変換装置により熱エネルギを
取り出すようにしたものである。
より大きな光エネルギを有する短波長光をまず光
電変換装置により電気エネルギを取り出し、さら
にEgより小さな光エネルギを有する長波長の光
例えば赤外線に対してはこの光電変換装置を透過
してその下側の光電変換装置により熱エネルギを
取り出すようにしたものである。
第５図は本発明の光電変換装置１と光熱変換装
置３０とを直列に一体化せしめたものである。
置３０とを直列に一体化せしめたものである。
即ち、二対の透光性電極１６，１９およびその
間に介在して設けられた光照射による電子、ホー
ル対発生の半導体１さらに電極３４，３５、外部
引き出しリード３６よりなる。
間に介在して設けられた光照射による電子、ホー
ル対発生の半導体１さらに電極３４，３５、外部
引き出しリード３６よりなる。
さらにその下側の光熱変換装置は集光板４０、
反射板４２、ヒートパイプ４１よりなる系３０で
ある。かくすることによりこの系全体をより低温
にするため光電変換装置の変換効率もヒートパイ
プのより低温側より熱エネルギを高温側に移動す
ることができ、この系１，３４を昇温させること
なく温水をとることができるようになつた。その
結果これまでこれらふたつの変換装置はまつたく
独立（並列）に設けられていたが、本発明のよう
に光に対し直角にすることにより光エネルギの総
合変換効率をそれぞれ８〜13％、55〜70％であつ
たものが従来の形式に比べて直列式として面積を
約1/2にした上、70〜85％にまで高めることがで
き、きわめて優れた太陽光の変換装置を作ること
ができた。
反射板４２、ヒートパイプ４１よりなる系３０で
ある。かくすることによりこの系全体をより低温
にするため光電変換装置の変換効率もヒートパイ
プのより低温側より熱エネルギを高温側に移動す
ることができ、この系１，３４を昇温させること
なく温水をとることができるようになつた。その
結果これまでこれらふたつの変換装置はまつたく
独立（並列）に設けられていたが、本発明のよう
に光に対し直角にすることにより光エネルギの総
合変換効率をそれぞれ８〜13％、55〜70％であつ
たものが従来の形式に比べて直列式として面積を
約1/2にした上、70〜85％にまで高めることがで
き、きわめて優れた太陽光の変換装置を作ること
ができた。
特に単なる伝導熱のみならず裏面をも透光性と
したため、太陽光のうちの赤外光をコレクターに
よりヒートパイプに集中させて与えることがで
き、さらに効果を高めることができた。
したため、太陽光のうちの赤外光をコレクターに
よりヒートパイプに集中させて与えることがで
き、さらに効果を高めることができた。
第６図は本発明の複合体の太陽光電変換装置の
一例を示す斜視図である。
一例を示す斜視図である。
符号は第５図に対応している。
冷却水は３２よりヒートパイプ３０を経て３３
に放出される。図面ではヒートパイプを三段並列
に設けてある。しかしこれを直列に接続してもよ
く、またこの温水３３により再度他のヒートパイ
プを経て変換効率の向上を図つてもよい。この場
合、一般にはアルコール、フロリーナート等の液
を用い、次段にて熱容量の大きな水を用いる光熱
変換装置とするとその効率を高めることができ
た。
に放出される。図面ではヒートパイプを三段並列
に設けてある。しかしこれを直列に接続してもよ
く、またこの温水３３により再度他のヒートパイ
プを経て変換効率の向上を図つてもよい。この場
合、一般にはアルコール、フロリーナート等の液
を用い、次段にて熱容量の大きな水を用いる光熱
変換装置とするとその効率を高めることができ
た。
第５図、第６図において集光板、反射板を必ず
しも設けることなく伝導熱のみを利用してもよ
い。
しも設けることなく伝導熱のみを利用してもよ
い。
以上の説明より明らかな如く、本発明は光電変
換装置であつて、光照射表面側の電極のみならず
裏面に対しても透光性電極とし、特に1.4eV未満
のエネルギを有する光特に赤外光に対しこの光電
変換装置自体の昇温を防ぎ、この赤外光を含む熱
エネルギをこの裏面電極側に接して設けられた冷
却用の熱電変換装置を光に対して直列接続せしめ
たことにある。その結果同一照射面側にて光−
電、光−熱変換により総合変換効率を79〜80％に
まで高めることができた。
換装置であつて、光照射表面側の電極のみならず
裏面に対しても透光性電極とし、特に1.4eV未満
のエネルギを有する光特に赤外光に対しこの光電
変換装置自体の昇温を防ぎ、この赤外光を含む熱
エネルギをこの裏面電極側に接して設けられた冷
却用の熱電変換装置を光に対して直列接続せしめ
たことにある。その結果同一照射面側にて光−
電、光−熱変換により総合変換効率を79〜80％に
まで高めることができた。
本発明は珪素のアモルフアスまたはセミアモル
フアス半導体を利用した光電変換装置をヒートパ
イプを用いた光−熱変換装置とを一体化したこと
を特徴としている。その結果それぞれの効果を波
長の短い光により発電を、また長い波長により発
熱を起こすため、この装置部での昇温を防止し、
ひいては光電変換効率を高め、また光熱変換にお
いて無駄になつていた光を発熱に利用した相剰効
果を利用したものである。
フアス半導体を利用した光電変換装置をヒートパ
イプを用いた光−熱変換装置とを一体化したこと
を特徴としている。その結果それぞれの効果を波
長の短い光により発電を、また長い波長により発
熱を起こすため、この装置部での昇温を防止し、
ひいては光電変換効率を高め、また光熱変換にお
いて無駄になつていた光を発熱に利用した相剰効
果を利用したものである。
その結果、一般家庭の限られた面積の屋根を利
用した太陽光の一部を発電にまた他の一部を湯沸
かしに利用したきわめて効果の高い太陽エネルギ
の変換装置を作ることができた。
用した太陽光の一部を発電にまた他の一部を湯沸
かしに利用したきわめて効果の高い太陽エネルギ
の変換装置を作ることができた。
第１図は従来の光電変換装置の縦断面図を示
す。第２図は本発明の光電変換装置にて得られた
波長に対する透過光の特性を示す。第３図は本発
明の光電変換装置を用いた半導体の光吸収係数と
波長との関係および太陽光のスペクトルを示す。
第４図Ａ，Ｃは本発明の光電変換装置を示し、
Ｂ，ＤはそれぞれＡ，Ｃに対応するエネルギバン
ド図を示している。第５図、第６図は本発明の光
電変換装置と光熱変換装置とを一体化した光電変
換装置の実施例を示す。 １……半導体、２……裏面電極、３……透光性
電極、４……外部引き出し電極。
す。第２図は本発明の光電変換装置にて得られた
波長に対する透過光の特性を示す。第３図は本発
明の光電変換装置を用いた半導体の光吸収係数と
波長との関係および太陽光のスペクトルを示す。
第４図Ａ，Ｃは本発明の光電変換装置を示し、
Ｂ，ＤはそれぞれＡ，Ｃに対応するエネルギバン
ド図を示している。第５図、第６図は本発明の光
電変換装置と光熱変換装置とを一体化した光電変
換装置の実施例を示す。 １……半導体、２……裏面電極、３……透光性
電極、４……外部引き出し電極。
Claims (1)
- １ 光照射表面及び裏面に透光性電極を有するエ
ネルギバンド巾が1.4eV以上であるアモルフアス
半導体あるいはセミアモルフアス半導体よりなる
光電変換装置において上記光電変換装置によつて
電気エネルギーに変換されることなく上記光電変
換装置を透過した光を熱エネルギーに変換するた
めに上記光電変換装置の下部に一段または多段の
ヒートパイプからなる光熱変換装置を設けたこと
を特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55181463A JPS57104277A (en) | 1980-12-22 | 1980-12-22 | Photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55181463A JPS57104277A (en) | 1980-12-22 | 1980-12-22 | Photoelectric conversion device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61217385A Division JPS6263480A (ja) | 1986-09-13 | 1986-09-13 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57104277A JPS57104277A (en) | 1982-06-29 |
| JPH0212032B2 true JPH0212032B2 (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=16101191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55181463A Granted JPS57104277A (en) | 1980-12-22 | 1980-12-22 | Photoelectric conversion device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57104277A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07218001A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Masaya Nagasawa | 発電温水器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5210099Y2 (ja) * | 1974-03-18 | 1977-03-04 | ||
| JPS5651331Y2 (ja) * | 1975-04-23 | 1981-12-01 |
-
1980
- 1980-12-22 JP JP55181463A patent/JPS57104277A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57104277A (en) | 1982-06-29 |
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