JPH02121502A - 厚膜マイクロ波カップラ - Google Patents
厚膜マイクロ波カップラInfo
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- JPH02121502A JPH02121502A JP1250400A JP25040089A JPH02121502A JP H02121502 A JPH02121502 A JP H02121502A JP 1250400 A JP1250400 A JP 1250400A JP 25040089 A JP25040089 A JP 25040089A JP H02121502 A JPH02121502 A JP H02121502A
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- strips
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- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/18—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
- H01P5/184—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers the guides being strip lines or microstrips
- H01P5/185—Edge coupled lines
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
プラに関し、特に厚膜と低温加熱処理を含むゆるい許容
誤差を有する方法によって形成されることができるマイ
クロ波カップラ構造に関する。
導くために利用される4ポートのマイクロ波集積回路素
子である。非常に基本的な形態において、マイクロスト
リップカップラは、共通の接地面を有する緊密な間隔で
エツジとエツジが平行な2個のマイクロストリップ伝送
ラインを含む。
び直接ボートを構成し、他方のものの両端部は入射ポー
トに隣接する結合されるボートと絶縁ボートを構成する
。理想的には、入射ポートに供給されるマイクロ波の電
力は、直接ボートおよび結合ボートのみに導かれるが、
しかし実際にはある電力は絶縁ボートに接続される。結
合ボートで利用できる電力の相対量は、結合ボート挿入
損失によって特徴付けられ、数値的により大きなdB平
均値である少ない電力が結合ボートに結合され、それは
マイクロストリップ間の間隔がより大きくなることによ
って達成される。したがって、結合の10dBによるカ
ップラの特徴は、マイクロストリップ間の結合の3db
を有するカップラより大きい分離を有し、そして10d
Bカツプラは3dBカツプラよりも少ない電力を結合ボ
ートに結合する。
異なる結合ボートの損失を有するように設計される。重
要なカップラは、半分は直接ボートで利用され半分は結
合ボートで利用されるように入射電力を分割する3dB
カツプラである。
マイクロ波1回路素子は小さく、したがって集積回路製
造技術に適している。しかしながら平行なマイクロスト
リップカップラに関して、接近した間隔および緊密な結
合のために要求される厳しい許容誤差は、フォトリング
ラフ技術によって容易に達成されない。その他のより複
雑な構造は、フォトリングラフ技術によって構成される
ために考え出された。それは、ワイヤボンドまたは導電
性ブリッジによって隣接しないラインがそれらの各々の
端部で、そしてしばしば付加的にラインの中心で並列に
結合されるところの、3個以上の並列の伝送ラインを有
しインターデジタルなカップラ(創始者の名にちなんで
名付けられたランジカツブラ(Langc coupl
er ) )を含む。
柄は、複雑な製造方法、低い生産性、ワイヤボンドの労
力および寸法を含む。さらにそれは、実質的に低い費用
でその他のマイクロ波回路を製造するのに利用されるこ
とができる厚膜処理技術の許容誤差を減少するのに適さ
ない。
れるマイクロ波結合構造を提供することは有効なことで
ある。
る方法によって信頼性があり一定に製造されるマイクロ
波結合構造を提供することである。
を有する第1の伝送ラインと、結合されるストリップ部
分の関係される対を形成するように各々第1の伝送ライ
ンの部分に対応して関係される1以上のストリップ部分
を有する第2の伝送ラインとを含むマイクロ波結合構造
により、本発明において与えられる。関係されるストリ
ップ部分は、実質的に均一に互いから分離され同一平面
にない。誘電性材料は、第1および第2の伝送ラインの
関係されるストリップ部分を誘電的に分離する。
の参照番号で示されている。
イクロ波カップラIOは、誘電層13によって支持され
る上部の細長いほぼ長方形の導電性ストリップ11を含
む。上部の導電性ストリップ11は、金または銀のよう
な適当な高導電性金属から成ることができ、長さLそし
て幅Vである。
上部の導電性ストリップ11と分離される下部の細長い
、はぼ長方形の導電性ストリップ15を含む。下部の導
電性ストリップ15は、上部の導電性ストリップ11と
同様の金属から成ることができ、同様に長さしそして幅
Vである。下部の導電性ストリップ15は、上部の導電
性ストリップ11に対して平行に並べられ、それ故導電
性ストリップ11゜15は、それらの長さに沿って均一
に分離される。
に隣接され、そして横に並べられる。
数における伝播波長の4分の1または伝播波長の4分の
1の奇数倍である。幅Vは、反射される信号を最小にす
るよう選ばれる。
GaAs)から成る誘電体の基体17上に支持され、ま
たマイクロ波集積回路(旧C)またはモノリシックマイ
クロ波集積回路(M旧C)のその他の素子を支持するこ
とが可能である。適当な導電性接地面(図示せず)は、
例えば支持基体17の下部に沿って配置される。
つの端部は、それらの4つのポートを形成し、それぞれ
マイクロストリップライン18.19に結合される。特
に、細長い導電性ストリップ11の端部は、誘電層13
上および支持基体17上に配置されているマイクロスト
リップライン1Bによって結合される。一方、細長い導
電性ストリップ15の端部は、支持基体17上に配置さ
れ誘電層13の下に延在するマイクロストリップライン
19に結合している。
ップ11.15の間の横の分離は、重ならないように、
または部分的に重なるようにすることができる。横の分
離の量的な寸法Sを与えるために、Sは隣接したエツジ
が垂直に並ぶときゼロであり、そして重ならないエツジ
の間の実際の横の分離距離の負の値に等しい。エツジを
重ねる場合には、横の分離距離Sは重なる量に等しい。
数字であり、重なる配置に対しては正の数字である。導
電性ストリップが互いに近付くにつれて結合量が増加す
るので、与えられる結合は横の分離路MSの量が増加す
るにしたがって増加する。
゜0.0.5マイルの公称の横の分離距離Sのための既
知の厚膜技術によって製造される16個の異なったカッ
プラの、結合されるポートの挿入の損失の値対様の分離
距離Sの関係をプロットしたものである。
リップ11.15は同一平面にはない。さらに導電性ス
トリップ11.15は、第3図に示すように完全には平
面ではなく、上部の導電性ストリップ11は下部の導電
性ストリップ15と重なり、下部の導電性ストリップ上
の誘電層13の持ち上げられる部分に適合する。導電性
ストリップllが一般に横の分離距離Sのすべての値で
平面である場合において、誘電層13が一般に平面の上
部部分を有することが可能であることを正しく判断しな
ければならない。
た幅の細長いストリップを有することによって補償され
るかもしれない異なった誘電特性を有する事ができるこ
とは注意しなければならない。
ップラの変形であり、対称的な誘電特性を有するポート
を与える。
線形部分2Llaと誘電体層213の下部の第2の線形
部分211bを有する細長い導電性ストリップ211を
含むカップラ200を示している。導電性ストリップ2
11の第1および第2の部分は、電気的にショートされ
るのに十分に小さい(つまり伝送ラインとしての機能を
果たさない)厚さを有する接続部211eによって接続
される。部分211a、 211bは、中心周波数にお
いて長さの合計が一般に伝播波長の4分の1または伝播
波長の4分の1の奇数倍であるように選択された長さに
等しい。
1の線形部分215aと誘電体層213の上部の第2の
線形部分215bを有しそれらが接続部215cによっ
て接続されている細長い導電性ストリップ215を含む
。部分215a、 215bの長さは実質的には部分2
11a。
は電気的にショートする(つまり伝送ラインとして働か
ない)ように十分小さい。
る第1の部分211a、 215aが平行でおよび同一
平面ではないように配置される。同様に、結合される第
2の部分211b、 215bもまた、平行でありそし
゛て同一平面ではない。
カップラの実施例を概要的に示している。
ップtttcによって接続されている第1および第2の
部分111a、 1llbを有する長さしの上部導電性
ストリップ111を含む。対称のために、第2の部分1
llbは、長手軸Aおよび長手軸へに直角の横軸Bにお
ける第1の部分111aの鏡像である。第1および第2
の部分111a、 1llbは、一般に幅νおよびL/
2に近い等しい長さの長方形の導電性ストリップであり
、そして平行でそれらの長さの方向において互いにずれ
ている。
は中心周波数において伝播波長の4分の1または伝播波
長の4分の1の奇数倍に等しいことは、当業者によって
認識されなければならない。
った長さは、本質的に電気的に短いように伝播波長の1
/10より小さい。
l15cによって接続されている第1および第2の部分
115a、 115bを有する長さLの下部の細長い導
電性ストリップ115を含む。下部の導電性ストリップ
115の配置は、横軸Bを中心にし上部の細長い導電性
ストリップ111を180度回転することによって得ら
れる。
115a、 115bはまた、一般に幅Vで等しい長さ
の長方形の導電性ストリップであり、そして平行でそれ
らの長さの方向において互いにずれている。さらに、上
部および下部の導電性ストリップ111 、115は、
縦に隣接し横に並べられる。それぞれの第1の部分11
1a、 115aは、平行であり横に均一に分離され、
同一平面にはない。同様に、第2の部分111b、 1
15bは、平行であり横に均一に分離されそして同一平
面にはない。
長さは、本質的に電気的に短いように伝播波長のl/1
0より小さい。さらに中間にある導電性ストリップ1l
lc、 115eは、それらの間の結合を減少するため
に互いに直角であることが好ましい。
1 、115の対応する第1および第2の部分の間の横
の分離は、負(重ならない)、ゼロ(隣接したエツジが
垂直に並べられる)、または正(隣接するエツジの部分
が重なる)であることができる横の分離距離Sとして量
的に特定できる。導電性ストリップ111 、115が
互いに近付くにつれて結合が増加するので、与えられる
結合は横の分離距離Sの量が増加するにしたがって増加
する。
As)から成る誘電体の基体117上に支持され、その
基体117またマイクロ波集積回路(MIC)またはモ
ノリシックマイクロ波集積回路(月利C)のその他の素
子を支持することが可能である。適当な導電性接地面(
図示せず)は、例えば支持基体117の下部に沿って配
置される。
、それぞれマイクロストリップラインによって結合され
る。特に、細長い導電性ストリップ111の端部は、誘
電層113上および支持基体117上に配置されている
マイクロストリップライン118によって結合される。
117上に配置され誘電層113の・下に延在するマイ
クロストリ、ツブ119によって結合している。
図乃至第3図のカップラ10と同様の方法において機能
するが、しかし直接結合される同側上の出力ポートを有
することの利点を付加的に与える。したがって、例えば
第5図に示されるような下部の左のポートが入射ポート
として利用される場合に、直接の出力ポートは上部の右
にあり、力結合される出力ポートは下部の右にある。そ
のような出力ポートの配置は、例えば平衡したフィルタ
、平衡した増幅器、平衡した位相変換器、および平衡し
た減衰器を含む平衡した構造として知られている回路群
中で特に重要である。
1以上のストリップ部分を有する第1のおよび第2の伝
送ラインを利用する。第1および第2の伝送ラインの対
応する結合部分は、均一に分離されそして同一平面には
ない。第1のおよび第2の伝送ラインの部分が線形とは
異なり、例えば湾曲させることもできることを認識すべ
きである。
て、開発されたマイクロ波カップラ構造は、過度に厳し
い許容誤差を要求せず、厚膜低温加熱を伴う方法、例え
ば3dBカツプラのようなカップラを緊密に結合するこ
とを含む低費用で一定で確実に製造されるカップラを含
むゆるい許容誤差である有効に製造され利用する方法で
ある。例えばカップラを構成する導電性ストリップは、
導電性ペーストのシルクスクリーンパターンに従って形
成され、続いて加熱される。厚膜技術を使用できること
は、カップラ、その他の伝送ラインおよび受動的素子(
例えば抵抗またはキャパシタ)が厚膜処理によって形成
されて、マイクロ波集積回路の低費用の製造を有効に促
進する。米国特許m 4,645.552号明細書は、
開示されたマイクロ波結合構造を製造するために適当に
利用され得る厚膜処理技術を開示している。
けれども、特許請求の範囲によって限定されるように本
発明の技術的範囲を逸脱すること無くそれらの多種の修
正および変化は、当業者によって成される。
マイクロ波カップラの上部の概略図である。 第2図は、緩い結合に配置される第1図のマイクロ波カ
ップラの断面図である。 第3図は、緊密な結合に配置される第1図のマイクロ波
カップラの断面図である。 第4図は、本発明にしたがって製造されたあるカップラ
の結合されるポートの挿入の損失の値対横の分離をプロ
ットしたものである。 第5図は、第1図のカップラの変形である本発明に従っ
た別のマイクロ波カップラの上部の概略図である。 第6図は、伝送ラインを結合することと共に本発明に従
ったさらに別のマイクロ波カップラの上部の概略図であ
る。 第7図は、第6図のマイクロ波カップラの断面図である
。 lO・・・マイクロ波カップラ、11・・・上部の導電
性ストリップ、13・・・誘電層、15・・・下部の導
電性ストリップ、17・・・基体、is、 19・・・
マイクロストリップライン。 FIG、1 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 FIG、2 FIG、3 FIG、4 FIG、5 手続補正書 平成元年1月2q日 特許庁長官 吉 1)文 毅 殿 1、事件の表示 特願平1−250400号 2、発明の名称 厚膜マイクロ波カップラ 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 ヒユーズ・エアクラフト・カンパニ4、代理人 東京都千代田区霞が関3丁目7番2号 6、補正の対象 明細書 2、特許請求の範囲 (1)1以上のストリップ部分を有する第1の導電性伝
送ラインと、 前記第1の伝送ラインの部分に各々関係する1以上のス
トリップ部分を有し、関連するストリップ部分が実質的
に均一に互いに分離され同一平面になく結合されている
第2の導電性伝送ラインと、前記第1および第2の導電
性伝送ラインの関連するストリップ部分を誘電的に分離
するための誘電性手段とを含むマイクロ波カップラ。 (2)前記第1および第2の導電性伝送ラインが、隣接
したエツジに沿って均一に分離される第1および第2の
平行な線形導電性ストリップを含む請求項1記載のマイ
クロ波カップラ。 (3)第1および第2の線形導電性ストリップの隣接す
るエツジの分離が、要求される結合に応じて重なりまた
は重ならない請求項2記載のマイクロ波カップラ。 (4)前記第1および第2の導電性伝送ラインが、隣接
したエツジに沿って均一に分離される平行な線形ストリ
ップを含み、前記第1および第2の導電性伝送ラインの
前記第2のストリップが隣接したエツジに沿って均一に
分離される平行な線形ストリップを含む請求項1記載の
マイクロ波カップラ。 (5)前記第1のストリップ間の分離距離が実質的に前
記第2のストリップ間の分離距離と等しい請求項4記載
のマイクロ波カップラ。 (6)第1および第2の部分に対応する隣接したエツジ
の間の分離が、要求される結合に応じて重なりまたは重
ならない請求項5記載のマイクロ波カップラ。 (7)第1の細長いコンダクタと、 前記第1の細長いコンダクタから誘電的に分離され縦に
隣接し、前記第1の細長いコンダクタの端部と整列した
端部を有し、前記第1の細長いコンダクタと同一平面に
ない第2の細長いコンダクタと、 前記第1および第2の細長いコンダクタを電磁気結合す
るために、前記第1および第2のの細長いコンダクタ間
に置かれる誘電層とを含むマイクロ波カップラ。 (旦)前記第1および第2の細長いコンダクタが、要求
される結合に応じて部分的に重なりまたは重ならない請
求項二記載のマイクロ波カップラ。 (2)第1および第2の導電性ストリップを有する第1
の伝送ラインと、 前記第1の伝送ラインの前記第1および第2の導電性ス
トリップに各々関係され、それらと互いに均一に分離さ
れ同一平面にない第1および第2の導電性ストリップを
有する第2の伝送ラインと、前記第1の導電性ストリッ
プを誘電的に分離するためのおよび前記第2の導電性ス
トリップを誘電的に分離するための誘電性手段とを含み
、にあり、 前記第1の伝送ラインの前記第2の導電性スト(10)
前記第1の導電性ストリップが線形で平行であり、前記
第2の導電性ストリップが線形で平行である請求項9記
載のマイクロ波カップラ。
Claims (14)
- (1)1以上のストリップ部分を有する第1の導電性伝
送ラインと、 前記第1の伝送ラインの部分に各々関係する1以上のス
トリップ部分を有し、関連するストリップ部分が実質的
に均一に互いに分離され同一平面になく結合されている
第2の導電性伝送ラインと、前記第1および第2の導電
性伝送ラインの関連するストリップ部分を誘電的に分離
するための誘電性手段とを含むマイクロ波カップラ。 - (2)前記第1および第2の導電性伝送ラインが、隣接
したエッジに沿って均一に分離される第1および第2の
平行な線形導電性ストリップを含む請求項1記載のマイ
クロ波カップラ。 - (3)第1および第2の線形導電性ストリップの隣接す
るエッジの分離が、要求される結合に応じて重なりまた
は重ならない請求項2記載のマイクロ波カップラ。 - (4)前記誘電性手段が第1および第2の側面を有する
誘電層を含み、 前記第1の導電性伝送ラインが、前記誘電層の第1の側
面上の第1のストリップと前記誘電層の第2の側面上の
第2のストリップとを含み、前記第2の導電性伝送ライ
ンが、(a)前記誘電層の第1の側面の前記第1のスト
リップから均一に分離される前記誘電層の第2の側面上
の第1のストリップと、(b)前記第1の導電性ライン
の前記第2のストリップから均一に分離される誘電層の
第1の側面上の第2のストリップとを含む請求項1記載
のマイクロ波カップラ。 - (5)前記第1および第2の導電性伝送ラインが、隣接
したエッジに沿って均一に分離される平行な線形ストリ
ップを含み、前記第1および第2の導電性伝送ラインの
前記第2のストリップが隣接したエッジに沿って均一に
分離される平行な線形ストリップを含む請求項4記載の
マイクロ波カップラ。 - (6)前記第1のストリップ間の分離距離が実質的に前
記第2のストリップ間の分離距離と等しい請求項5記載
のマイクロ波カップラ。 - (7)第1および第2の部分に対応する隣接したエッジ
の間の分離が、要求される結合に応じて重なりまたは重
ならない請求項6記載のマイクロ波カップラ。 - (8)第1の細長いコンダクタと、 前記第1の細長いコンダクタから誘電的に分離され縦に
隣接し、前記第1の細長いコンダクタの端部と整列した
端部を有し、前記第1の細長いコンダクタと同一平面に
ない第2の細長いコンダクタと、 前記第1および第2の細長いコンダクタを電磁気結合す
るために、前記第1および第2のの細長いコンダクタ間
に置かれる誘電層とを含むマイクロ波カップラ。 - (9)前記第1および第2の細長いコンダクタが、要求
される結合に応じて部分的に重なりまたは重ならない請
求項8記載のマイクロ波カップラ。 - (10)第1および第2の導電性ストリップを有する第
1の伝送ラインと、 前記第1の伝送ラインの前記第1および第2の導電性ス
トリップに各々関係され、それらと互いに均一に分離さ
れ同一平面にない第1および第2の導電性ストリップを
有する第2の伝送ラインと、前記第1の導電性ストリッ
プを誘電的に分離するためのおよび前記第2の導電性ス
トリップを誘電的に分離するための誘電性手段とを含む
マイクロ波カップラ。 - (11)前記誘電性手段が第1および第2の側面を有す
る誘電層を含み、 前記第1の導電性伝送ラインの前記第1および第2の導
電性ストリップが、前記誘電層の第1の側面上にあり、 前記第2の導電性伝送ラインの前記第1および第2の導
電性ストリップが、前記誘電層の第2の側面上にある請
求項10記載のマイクロ波カップラ。 - (12)前記第1の導電性ストリップが線形で平行であ
り、前記第2の導電性ストリップが線形で平行である請
求項11記載のマイクロ波カップラ。 - (13)前記誘電性手段が第1および第2の側面を有す
る誘電層を含み、 前記第1および第2の伝送ラインの前記第1の導電性ス
トリップが、前記誘電層の第1の側面上にあり、 前記第1および第2の伝送ラインの前記第2の導電性ス
トリップが、前記誘電層の第2の側面上にある請求項1
0記載のマイクロ波カップラ。 - (14)前記第1の導電性ストリップが線形で平行であ
り、前記第2の導電性ストリップが線形で平行である請
求項13記載のマイクロ波カップラ。
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