JPH02122584A - 半導体レーザアレイ及び光ディスク装置 - Google Patents
半導体レーザアレイ及び光ディスク装置Info
- Publication number
- JPH02122584A JPH02122584A JP63276504A JP27650488A JPH02122584A JP H02122584 A JPH02122584 A JP H02122584A JP 63276504 A JP63276504 A JP 63276504A JP 27650488 A JP27650488 A JP 27650488A JP H02122584 A JPH02122584 A JP H02122584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- semiconductor laser
- laser array
- regions
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 22
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 52
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、動作時に均一な波長で発光する半導体レーザ
アレイと、この半導体レーザアレイを光源に用いた窩速
光ディスクに関する。
アレイと、この半導体レーザアレイを光源に用いた窩速
光ディスクに関する。
（従来の技術）
半導体レーザアレイを光源に用いて、その複数の出力を
同一トラック上に集光し、消去、記録、エラー検出のた
めの再生を分担して実行することにより記録速度の速い
光ディスク装置が実現できる。これまでに報告された独
立駆動型の半導体レーザアレイは、発振領域の構造・形
状が均一であった。第３図は、雑誌“Ａｐｐｌ、Ｐｈｙ
ｓ。
同一トラック上に集光し、消去、記録、エラー検出のた
めの再生を分担して実行することにより記録速度の速い
光ディスク装置が実現できる。これまでに報告された独
立駆動型の半導体レーザアレイは、発振領域の構造・形
状が均一であった。第３図は、雑誌“Ａｐｐｌ、Ｐｈｙ
ｓ。
Ｌｅｔｔ、 、１９８２年４１巻１０４０〜１０４
２頁に記載された半導体レーザアレイの構造を示す断面
図である。１はｎ型ＧａＡｓ基板、２と１２はｎ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層、１３はｎ型ＡｌＧａＡｓガイド層
、３はＡｌＧａＡｓ活性層、４はｐ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層、１４はｐ型ＧａＡｓキャップ層、６と７はｐｆ
ｆｌ電極とｎ（！Ｉ＠＆、１５は絶縁膜を示している。
２頁に記載された半導体レーザアレイの構造を示す断面
図である。１はｎ型ＧａＡｓ基板、２と１２はｎ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層、１３はｎ型ＡｌＧａＡｓガイド層
、３はＡｌＧａＡｓ活性層、４はｐ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層、１４はｐ型ＧａＡｓキャップ層、６と７はｐｆ
ｆｌ電極とｎ（！Ｉ＠＆、１５は絶縁膜を示している。
それぞれの発振領域の幅や各層の厚さは均一で、電流光
出力特性や発振波長はほぼ均−であった。
出力特性や発振波長はほぼ均−であった。
（発明が解決しようとする課題）
半導体レーザアレイを光源に用いた上記光ディスク装置
では、２０〜３０ｍＷのレーザ端面出力で消去と記録を
、２〜３ｍＷの出力でエラー検出再生を行う、ところが
、発振波長は光出力に依存して変化するのに、従来の半
導体レーザアレイでは、発振領域の構造や形状が単一の
半導体レーザと同様に均一であったから、高出力で使用
する消去と記録用レーザの発振波長が、低出力で使用す
るエラー検出再生用レーザの発振波長に比べて数１０人
長くなる。このように、発振波長に違いがあると、消去
ビームと記録ビームとがエラー検出再生ビームに対して
焦点位置ずれを起こし、Ｓ／Ｎ特性やトラック間のタロ
ストーク特性が低下する。かくの如く、従来の半導体レ
ーザアレイには解決すべき課題があった。
では、２０〜３０ｍＷのレーザ端面出力で消去と記録を
、２〜３ｍＷの出力でエラー検出再生を行う、ところが
、発振波長は光出力に依存して変化するのに、従来の半
導体レーザアレイでは、発振領域の構造や形状が単一の
半導体レーザと同様に均一であったから、高出力で使用
する消去と記録用レーザの発振波長が、低出力で使用す
るエラー検出再生用レーザの発振波長に比べて数１０人
長くなる。このように、発振波長に違いがあると、消去
ビームと記録ビームとがエラー検出再生ビームに対して
焦点位置ずれを起こし、Ｓ／Ｎ特性やトラック間のタロ
ストーク特性が低下する。かくの如く、従来の半導体レ
ーザアレイには解決すべき課題があった。
本発明の目的は、上記従来の課題を解決した半導体レー
ザアレイとそれを光源に用いた高速光ディスク装置を提
供することにある。
ザアレイとそれを光源に用いた高速光ディスク装置を提
供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体レーザアレイは、互いに独立に駆動され
る複数の発振領域を具備し、前記複数の発振領域には幅
か狭いものと幅が広いものとの少なくとも２つがあるこ
とを特徴とする。また本発明の光ディスク装置は、上記
半導体レーザアレイを光源とし、複数の出力ビームの同
一トラック上に並べて集光し、幅の狭い発振領域からの
光出力で消去または記録をし、幅の広い発振領域からの
光出力で再生をすることを特徴とする。
る複数の発振領域を具備し、前記複数の発振領域には幅
か狭いものと幅が広いものとの少なくとも２つがあるこ
とを特徴とする。また本発明の光ディスク装置は、上記
半導体レーザアレイを光源とし、複数の出力ビームの同
一トラック上に並べて集光し、幅の狭い発振領域からの
光出力で消去または記録をし、幅の広い発振領域からの
光出力で再生をすることを特徴とする。
（作用）
半導体レーザの発振波長は、レーザ構造に依存する９発
振光に対して大きな吸収係数を持つ吸収層を発振領域近
傍に設け、発振モードの一部が損失を受けることで活性
層に平行な方向に実効的な屈折率導波機構を形成した半
導体レーザ構造では、発振領域の幅により発振モードの
受ける損失が異なり、闇値ゲインが異なることから発振
波長が影響を受ける０幅の狭い発振領域は、閾値ゲイン
が高く、発振に高い注入キャリア密度を必要とする。
振光に対して大きな吸収係数を持つ吸収層を発振領域近
傍に設け、発振モードの一部が損失を受けることで活性
層に平行な方向に実効的な屈折率導波機構を形成した半
導体レーザ構造では、発振領域の幅により発振モードの
受ける損失が異なり、闇値ゲインが異なることから発振
波長が影響を受ける０幅の狭い発振領域は、閾値ゲイン
が高く、発振に高い注入キャリア密度を必要とする。
注入キャリア密度が高くなるほど最大ゲインが得られる
点は高エネルギー化し、発振波長は短波長化する。この
発振波長の発＠領域幅依存性を利用して、幅による波長
差が出力の差による波長差を補うように、消去と記録に
使用する発振領域の幅を狭く、再生に使用する発振領域
の幅を広く設けたｍｅの半導体レーザアレイを作製でき
る。この半導体レーザアレイは、各発振領域が所定の光
出力で動作しているときに波長の揃ったビームを出力す
る。
点は高エネルギー化し、発振波長は短波長化する。この
発振波長の発＠領域幅依存性を利用して、幅による波長
差が出力の差による波長差を補うように、消去と記録に
使用する発振領域の幅を狭く、再生に使用する発振領域
の幅を広く設けたｍｅの半導体レーザアレイを作製でき
る。この半導体レーザアレイは、各発振領域が所定の光
出力で動作しているときに波長の揃ったビームを出力す
る。
この半導体レーザアレイを光源に用いることにより、光
ディスク装置における消去ビームと記録ビームとのエラ
ー検出再生ビームに対する焦点付；りずれによるＳ／Ｎ
特性やトラック間クロストーク特性の低下を改善できる
。
ディスク装置における消去ビームと記録ビームとのエラ
ー検出再生ビームに対する焦点付；りずれによるＳ／Ｎ
特性やトラック間クロストーク特性の低下を改善できる
。
（実施例）
第１図は本発明の半導体レーザアレイの一実施例のＪ１
Ｍ造を示す断面図である。この図において１はｎ型Ｇａ
Ａｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、３はＡｌ
ＧａＡｓ活性層、４はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、５
はｎ型ＧａＡｓブロック層、６はｐ側電極、７はｎ１Ｆ
ｌ電極を示す。この半導体レーザアレイは、ｎ型ＧａＡ
ｓブロック層５で挾まれた直下の活性層を発振領域とす
る。３つの発振領域８，９．ＩＱは分離溝１１で互いに
分離されており、独立に駆動することができる。各発振
領域は、ｎ型ＧａＡｓブロック層５の幅Ｗで限定されて
おり、発振領域８と９は光出力３０ｍ Ｗで使用し幅４
μｍである６発振領域１０は光出力３ｍＷで使用し、幅
６μｍである。
Ｍ造を示す断面図である。この図において１はｎ型Ｇａ
Ａｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、３はＡｌ
ＧａＡｓ活性層、４はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、５
はｎ型ＧａＡｓブロック層、６はｐ側電極、７はｎ１Ｆ
ｌ電極を示す。この半導体レーザアレイは、ｎ型ＧａＡ
ｓブロック層５で挾まれた直下の活性層を発振領域とす
る。３つの発振領域８，９．ＩＱは分離溝１１で互いに
分離されており、独立に駆動することができる。各発振
領域は、ｎ型ＧａＡｓブロック層５の幅Ｗで限定されて
おり、発振領域８と９は光出力３０ｍ Ｗで使用し幅４
μｍである６発振領域１０は光出力３ｍＷで使用し、幅
６μｍである。
第２図は本実施例の半導体レーザ構造の’Ｍ振波長の発
振領域幅Ｗ依存性を示す、実線は光出力３ｍＷ、破線は
光出力３０ｍ Ｗのときの依存性を示す。
振領域幅Ｗ依存性を示す、実線は光出力３ｍＷ、破線は
光出力３０ｍ Ｗのときの依存性を示す。
光出力の相違によって波長は２０〜３０人変化する。
発振領域８と９の使用時光出力３０ｍ Ｗでの波長は７
７４０人で、発振領域１０の使用時光出力３ｍＷでの波
長とほぼ一致する。これにより本発明の半導体レーザア
レイで動作時に均一な波長が得られることがわかる。
７４０人で、発振領域１０の使用時光出力３ｍＷでの波
長とほぼ一致する。これにより本発明の半導体レーザア
レイで動作時に均一な波長が得られることがわかる。
本実施例は、発振領域が３つの半導体レーザアレイ素子
について説明したが、同一基板上に作製した発振領域が
２つ以上の半導体レーザアレイ素子に同様に適用できる
。
について説明したが、同一基板上に作製した発振領域が
２つ以上の半導体レーザアレイ素子に同様に適用できる
。
本発明は、Ａ Ｉ Ｇ ａ Ｉ ｎ ＰやＩ ｎＧａＡ
ｓ Ｐなどの他の半導体材料からなる半導体レーザ素子
に対しても適用でき、同様の効果を得ることができる （発明の効果） 以上に説明したように、本発明によれば、動作状態で発
振波長の揃った、異なる出力の複数のビームを出射する
半導体レーザアレイが得られる。
ｓ Ｐなどの他の半導体材料からなる半導体レーザ素子
に対しても適用でき、同様の効果を得ることができる （発明の効果） 以上に説明したように、本発明によれば、動作状態で発
振波長の揃った、異なる出力の複数のビームを出射する
半導体レーザアレイが得られる。
この半導体レーザアレイを光ディスク装置の光源に用い
れば、従来に比鮫してビームのトラック上への集光精度
が高まり、記録・再生の特性を向上することができる。
れば、従来に比鮫してビームのトラック上への集光精度
が高まり、記録・再生の特性を向上することができる。
第１図は本発明の半導体レーザアレイの一実施例の構造
を示す断面図、第２図は発振波長の発振領域幅依存性を
光出力が３ｍＷと３０ｍ Ｗについて示す図、第３図は
従来の半導体レーザアレイの一実施例の構造を示す断面
図である。 １−−− ｎ型ＧａＡｓ基板、２−ｎ型Ａｌ。 Ｇａ＋、Ａｓクラッド層、３ ”・Ａ ｌ ｙ Ｇ ａ
＋ −ｒＡｓ活性層、４−Ｐ型Ａｌ５Ｇａ＋−５Ａｓ
クラッド層、５・・・ｎ型ＧａＡｓブロック層、６・・
・ρｌＦＩ電極、７・・・ｎ側電極、８．９．１０・・
・発振領域、１１・・・分離溝、１２・・・ｎ型Ａ Ｉ
ｓ Ｇ ａ ｔ−ａ Ａ ｓクラッド層、１３・−・
ｎ型Ａｌ５Ｇａ＋−ｔＡｓガイド層、１４・ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層、１５・・・絶縁膜。
を示す断面図、第２図は発振波長の発振領域幅依存性を
光出力が３ｍＷと３０ｍ Ｗについて示す図、第３図は
従来の半導体レーザアレイの一実施例の構造を示す断面
図である。 １−−− ｎ型ＧａＡｓ基板、２−ｎ型Ａｌ。 Ｇａ＋、Ａｓクラッド層、３ ”・Ａ ｌ ｙ Ｇ ａ
＋ −ｒＡｓ活性層、４−Ｐ型Ａｌ５Ｇａ＋−５Ａｓ
クラッド層、５・・・ｎ型ＧａＡｓブロック層、６・・
・ρｌＦＩ電極、７・・・ｎ側電極、８．９．１０・・
・発振領域、１１・・・分離溝、１２・・・ｎ型Ａ Ｉ
ｓ Ｇ ａ ｔ−ａ Ａ ｓクラッド層、１３・−・
ｎ型Ａｌ５Ｇａ＋−ｔＡｓガイド層、１４・ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層、１５・・・絶縁膜。
Claims (2)
- （１）互いに独立に駆動される複数の発振領域を具備し
、前記複数の発振領域には幅が狭いものと幅が広いもの
との少なくとも２つがあることを特徴とする半導体レー
ザアレイ。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザアレイ
を光源とし、複数の出力ビームを同一トラック上に並べ
て集光し、幅の狭い発振領域からの光出力で消去または
記録をし、幅の広い発振領域からの光出力で再生をする
ことを特徴とする光ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276504A JPH02122584A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 半導体レーザアレイ及び光ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276504A JPH02122584A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 半導体レーザアレイ及び光ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122584A true JPH02122584A (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=17570384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63276504A Pending JPH02122584A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 半導体レーザアレイ及び光ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02122584A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0634823A1 (en) * | 1993-07-12 | 1995-01-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor laser array with reduced crosstalk and method of making the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107885A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS60107886A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS61184737A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-18 | Nec Corp | マルチビ−ム光ピツクアツプ装置 |
| JPS61287289A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Sharp Corp | 光メモリ用半導体レ−ザ装置 |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP63276504A patent/JPH02122584A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107885A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS60107886A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS61184737A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-18 | Nec Corp | マルチビ−ム光ピツクアツプ装置 |
| JPS61287289A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Sharp Corp | 光メモリ用半導体レ−ザ装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0634823A1 (en) * | 1993-07-12 | 1995-01-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor laser array with reduced crosstalk and method of making the same |
| BE1007282A3 (nl) * | 1993-07-12 | 1995-05-09 | Philips Electronics Nv | Opto-electronische halfgeleiderinrichting met een array van halfgeleiderdiodelasers en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| US5805630A (en) * | 1993-07-12 | 1998-09-08 | U.S. Philips Corporation | Optoelectronic semiconductor device with an array of semiconductor diode lasers and method of manufacturing such a device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5679947A (en) | Optical device having a light emitter and a photosensor on the same optical axis | |
| US6084848A (en) | Two-dimensional near field optical memory head | |
| US5734632A (en) | Optical head using evanescent light and optical data recording/reproducing apparatus and method of using the same | |
| US6185237B1 (en) | Semiconductor laser | |
| US6781944B1 (en) | Optical information processor with monolithically integrated light emitting device, light receiving devices and optics | |
| US20050258434A1 (en) | Semiconductor light emitting device and optical disc apparatus using the same | |
| JPH04155988A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH02122584A (ja) | 半導体レーザアレイ及び光ディスク装置 | |
| JPS61287289A (ja) | 光メモリ用半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0520817B2 (ja) | ||
| EP0860817B1 (en) | Multiple VSEL assembly for read/write and tracking applications in optical disks | |
| JP2663545B2 (ja) | 光カード記録再生装置 | |
| JPS61184735A (ja) | マルチビ−ム型光ピツクアツプ装置 | |
| JPH054288Y2 (ja) | ||
| US6107646A (en) | Variable light source and optical pickup apparatus for different-type optical disc using the same | |
| JP3533273B2 (ja) | 光学装置 | |
| JPH07153111A (ja) | 光ヘッド | |
| JP2661098B2 (ja) | 半導体レーザおよび光ディスク装置 | |
| Ichimura et al. | Optical disk recording using a GaN blue laser diode | |
| JPS61222040A (ja) | 光ピツクアツプ装置 | |
| JPS62275332A (ja) | 光ヘツド | |
| WO1997041625A1 (en) | Semiconductor laser and method for manufacturing the same | |
| JP3154726B2 (ja) | 半導体レーザ及びディクス装置 | |
| JPS61184737A (ja) | マルチビ−ム光ピツクアツプ装置 | |
| JP2957193B2 (ja) | 光ディスク装置 |