JPH02122585A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH02122585A JPH02122585A JP27650588A JP27650588A JPH02122585A JP H02122585 A JPH02122585 A JP H02122585A JP 27650588 A JP27650588 A JP 27650588A JP 27650588 A JP27650588 A JP 27650588A JP H02122585 A JPH02122585 A JP H02122585A
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- semiconductor laser
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
光ディスクのピックアップ用、衛星間光通信用、ＹＡＧ
レーザの励起用、その他の用途に、高信頼かつ１００ｍ
Ｗ以上の大出力の半導体レーザが望まれている０本発明
は、このような用途に用いられる大出力半導体レーザの
製造方法に関する。
レーザの励起用、その他の用途に、高信頼かつ１００ｍ
Ｗ以上の大出力の半導体レーザが望まれている０本発明
は、このような用途に用いられる大出力半導体レーザの
製造方法に関する。
（従来の技術）
第４図は、従来技術により得られる半導体レーザの構造
を示す断面図、第５図は、その製法の一例を示す（例え
ば、Ａ、 Ｙｏ ｓ ｈ ｉ ｋ ａｗａｅｔ ａｌ
ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｕａｎｔｕ
ｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＱＥ−２３Ｎｏ、６
ＰＰ７２５−７２９（１９８７））、まず、第５図
を参照してこの半導体レーザの製造方法を説明する。ｎ
型ＧａＡｓ基板１６上に（０１１＞方向にウェットエツ
チングによりメサ２６を形成しく第５図（ａ））、次に
有機金属気相成長法（Ｍｅｔａｌ−ＯｒｇａｎｉｃＶａ
ｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ（以下ＭＯＶ
ＰＥ法と略記する））を用いてｎ型Ａ１ｏ、 ａｓＧ
ａ ｏ ｓ ｓＡ Ｓ ＪｔＥＩ １７、Ａ １ ｏ、
ｒ ｓＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ ｓ活性層１８、ｐ型Ａ
１ ｏ、 ａＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ ８層１９を順
次成長する（第５図（ｂ））、この時、ｎ型ＧａＡｓ基
板１６におけるメサ２６上の成長層と平坦面上の成長層
はとぎれて成長してメサ２７が形成される。これに続い
てｎ型Ａ １ ｏ、 ａｓＧ ａ ｏ、 ５ｓＡｓ層２
０、ｐ型Ａ １０．４５Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ ５層２
１、Ｐ型ＧａＡｓ層２２を順次成長しく第５図（ｃ））
、メサ２７に到達するＺｎ拡散層２３、ｐ電極２４、ｎ
電極２５を形成して第４図の半導体レーザは完成する。
を示す断面図、第５図は、その製法の一例を示す（例え
ば、Ａ、 Ｙｏ ｓ ｈ ｉ ｋ ａｗａｅｔ ａｌ
ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｕａｎｔｕ
ｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＱＥ−２３Ｎｏ、６
ＰＰ７２５−７２９（１９８７））、まず、第５図
を参照してこの半導体レーザの製造方法を説明する。ｎ
型ＧａＡｓ基板１６上に（０１１＞方向にウェットエツ
チングによりメサ２６を形成しく第５図（ａ））、次に
有機金属気相成長法（Ｍｅｔａｌ−ＯｒｇａｎｉｃＶａ
ｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ（以下ＭＯＶ
ＰＥ法と略記する））を用いてｎ型Ａ１ｏ、 ａｓＧ
ａ ｏ ｓ ｓＡ Ｓ ＪｔＥＩ １７、Ａ １ ｏ、
ｒ ｓＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ ｓ活性層１８、ｐ型Ａ
１ ｏ、 ａＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ ８層１９を順
次成長する（第５図（ｂ））、この時、ｎ型ＧａＡｓ基
板１６におけるメサ２６上の成長層と平坦面上の成長層
はとぎれて成長してメサ２７が形成される。これに続い
てｎ型Ａ １ ｏ、 ａｓＧ ａ ｏ、 ５ｓＡｓ層２
０、ｐ型Ａ １０．４５Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ ５層２
１、Ｐ型ＧａＡｓ層２２を順次成長しく第５図（ｃ））
、メサ２７に到達するＺｎ拡散層２３、ｐ電極２４、ｎ
電極２５を形成して第４図の半導体レーザは完成する。
この半導体レーザのｒＪＩＩ遣方法では、結晶成長にＭ
ＯＶＰＥ法を用いているから、活性層がメサ２７上とそ
れ以外の部分でとぎれて成長する。そこで、第４図の半
導体レーザにおいては、レーザ光がメサ２７における活
性層１８に閉じ込められて導波される。従って安定な基
本横モード発振が得られる。また、注入された電流は、
ｎ型Ａ１゜４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ ８層２０が電流
ブロック層となりＺｎ拡散層２３からメサ２７上のｐ型
Ａ１゜、ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ ８層１９に狭窄され
る。したがって、第４図の半導体レーザの発振しきい値
は低い、さらに、上述の従来の製造方法では１回の結晶
成長でレーザ結晶が形成されるから、工程が簡単である
。
ＯＶＰＥ法を用いているから、活性層がメサ２７上とそ
れ以外の部分でとぎれて成長する。そこで、第４図の半
導体レーザにおいては、レーザ光がメサ２７における活
性層１８に閉じ込められて導波される。従って安定な基
本横モード発振が得られる。また、注入された電流は、
ｎ型Ａ１゜４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ ８層２０が電流
ブロック層となりＺｎ拡散層２３からメサ２７上のｐ型
Ａ１゜、ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ ８層１９に狭窄され
る。したがって、第４図の半導体レーザの発振しきい値
は低い、さらに、上述の従来の製造方法では１回の結晶
成長でレーザ結晶が形成されるから、工程が簡単である
。
（発明が解決しようとする課題）
この半導体レーザでは、活性層にそった方向の、レーザ
光に対する透過屈折率差が１０−２〜Ｉ稈度となるから
、基本横モードを保つためには活性層１８の幅が２〜３
μｍ以下である必要がある。半導体レーザの最高出力は
、レーザ共振器端面におけるレーザ光による端面破壊で
決まる。この端面破壊は、レーザ共振器端面の活性層に
おいて活性層の表面準位等によりレーザ光が吸収され、
吸収された光エネルギーが熱エネルギーに変わって活性
層を溶かずことに起因している。このようなタイプのレ
ーザでは光出力の限界は３０〜５０ｍＷ程度となる。し
たがって１００ｍＷを超える出力が必要とされる用途に
は用いることができない。
光に対する透過屈折率差が１０−２〜Ｉ稈度となるから
、基本横モードを保つためには活性層１８の幅が２〜３
μｍ以下である必要がある。半導体レーザの最高出力は
、レーザ共振器端面におけるレーザ光による端面破壊で
決まる。この端面破壊は、レーザ共振器端面の活性層に
おいて活性層の表面準位等によりレーザ光が吸収され、
吸収された光エネルギーが熱エネルギーに変わって活性
層を溶かずことに起因している。このようなタイプのレ
ーザでは光出力の限界は３０〜５０ｍＷ程度となる。し
たがって１００ｍＷを超える出力が必要とされる用途に
は用いることができない。
また、半導体レーザの信頼性は端面破壊光出力よりも低
い出力で用いるほどよくなるから、信頼性をｉｊ慮する
と使用できる光出力は３０ｍＷ程度以下となってしまう
。
い出力で用いるほどよくなるから、信頼性をｉｊ慮する
と使用できる光出力は３０ｍＷ程度以下となってしまう
。
本発明の目的は、レーザ光による端面破壊が起りにくい
高信頼の半導体レーザを得ることのできる製造方法を提
供することにある。
高信頼の半導体レーザを得ることのできる製造方法を提
供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体レーザの製造方法は、第１導電型の半導
体基板上に、活性層を含むダブルヘテロ４１造の半導体
多層膜を形成してなる半導体レーザを製造する製造方法
において、前記半導体基板にストライプ状のメサを形成
する工程と、該メサを形成した前記半導体基板上に有機
金属気相成長法を用いて、第１導電型のクラッド層、第
１導電型の光ガイド層および活性層を順次に含むダブル
ヘテロ構造の半導体多層膜を形成する工程とを含み、前
記メサが＜０１１＞方向であり、該メサの幅が、前記半
導体レーザの共振器端面に相当する部分において３μｍ
以下であり、かつ前記半導体レーザの光増幅領域におい
ては３μｍ以上であり、これらの異なる幅のメサがテー
バ状に接続していることを特徴とする。
体基板上に、活性層を含むダブルヘテロ４１造の半導体
多層膜を形成してなる半導体レーザを製造する製造方法
において、前記半導体基板にストライプ状のメサを形成
する工程と、該メサを形成した前記半導体基板上に有機
金属気相成長法を用いて、第１導電型のクラッド層、第
１導電型の光ガイド層および活性層を順次に含むダブル
ヘテロ構造の半導体多層膜を形成する工程とを含み、前
記メサが＜０１１＞方向であり、該メサの幅が、前記半
導体レーザの共振器端面に相当する部分において３μｍ
以下であり、かつ前記半導体レーザの光増幅領域におい
ては３μｍ以上であり、これらの異なる幅のメサがテー
バ状に接続していることを特徴とする。
（作用）
本発明の実施により得られる半導体レーザは、レーザ光
増幅領域においては従来技術による半導体レーザと同様
であるが、共振器端面においては基板に形成されたメサ
の幅が３μｍ以下であり、光ガイド層を成長する間にメ
サ上には光ガイド層が三角形状に形成され、その後のし
ばらくの間この上に成長が起こらない、したがって、光
ガイド層に続いて成長する活性層は、この部分において
は形成されず、活性層の後に成長するクラッド層が光ガ
イド層の上に被さるように成長する。この結果、半導体
レーザの共振器端面において活性層がなく、それよりも
バンドギャップの大きい、すなわちレーザ光に対して透
明な半導体層が露出することになる。したがって本発明
の方法により、共振器端面における光吸収がきわめて小
さい、すなわち端面破壊が起こりに＜＜、高い光出力ま
でレーザ動作を行なうことができる半導体レーザが得ら
れる。
増幅領域においては従来技術による半導体レーザと同様
であるが、共振器端面においては基板に形成されたメサ
の幅が３μｍ以下であり、光ガイド層を成長する間にメ
サ上には光ガイド層が三角形状に形成され、その後のし
ばらくの間この上に成長が起こらない、したがって、光
ガイド層に続いて成長する活性層は、この部分において
は形成されず、活性層の後に成長するクラッド層が光ガ
イド層の上に被さるように成長する。この結果、半導体
レーザの共振器端面において活性層がなく、それよりも
バンドギャップの大きい、すなわちレーザ光に対して透
明な半導体層が露出することになる。したがって本発明
の方法により、共振器端面における光吸収がきわめて小
さい、すなわち端面破壊が起こりに＜＜、高い光出力ま
でレーザ動作を行なうことができる半導体レーザが得ら
れる。
（実施例）
第１図は、本発明の一実施の方法により得られる半導体
レーザの構造の一例のレーザ共振器方向を含む面内の断
面図、第２図（ａ）、（ｂ）はレーザ共振器方向に垂直
な面内における第１図の半導体レーザの断面図、第３図
（ａ）〜（ｅ）はその製法の一例を示す工程図である。
レーザの構造の一例のレーザ共振器方向を含む面内の断
面図、第２図（ａ）、（ｂ）はレーザ共振器方向に垂直
な面内における第１図の半導体レーザの断面図、第３図
（ａ）〜（ｅ）はその製法の一例を示す工程図である。
なお、第２図＜ａ）は第１図のＡ−Ａ−線矢視断面図、
第２図（ｂ）は第１図のＢ−Ｂ−線矢視断面図である。
第２図（ｂ）は第１図のＢ−Ｂ−線矢視断面図である。
この半導体レーザの製法についてまず説明する。
第３図において、ｎ型ＧａＡｓ基板１に＜ｏｉｉ＞方向
にアンモニア、過酸化水素のエッチャントによりメサ１
２，１４を形成する（第３図（ａ））。
にアンモニア、過酸化水素のエッチャントによりメサ１
２，１４を形成する（第３図（ａ））。
この時、メサの頂上の幅はレーザ共振器端面に相当する
部分１４で３μｍ、レーザ増幅領１１１１１２において
６μｍとし、これら２つの領域の中間ではメサ幅がテー
パ状に変化することとする１次にＭＯＶＰＥを用いてｎ
型Ａ １ ｏ、ｓ ＧａｏｓＡｓ層２、ｎ型Ａ １１４
Ｇ ａ （１，４Ａ Ｓ光ガイド層３、Ａｌｏ、 ＋
ｓＧ ａ ｏ、 ａｓＡ Ｓ活性層４、Ｐ型Ａ １
ｏ、ｓ Ｇ ａ。、ｓＡｓ層５を順次に成長する。この
時、ｎ型ＧａＡｓ基板１におけるメサ頂上の幅が３μｍ
以下の領域では（第３図（ｂ））、メサ１４上には三角
形状のメサ１５が形成され、メサ１５上にはしばらく成
長が起こらない、したがってｎ型Ａ１（１，ｇＧａｏｓ
Ａ８層２、ｎ型Ａ １０．４Ｇ ａｏ、ｉ Ａ Ｓ光ガ
イド層３の合計層厚を三角形のメサが形成される成長層
厚よりも０．２μｍ程度厚くしておけば、活性層４はメ
サ１５上ではとぎれる。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１に形
成されたメサ頂上幅が６μｍの領域では従来実施例と同
様に活性層４が形成される（第３図（ｃ））、この後、
さらにＭＯＶＰＥ法によって、ｎ型Ａ １ ｏ、 ５
Ｇ ａ −＋ ｓＡｓ層６、ｐ型Ａ １ ｏ、ｓ Ｇａ
ｏ、ｓ Ａ ｓ１７、ｐ型ＧａＡｓ層８を順次に成長し
く第３図（ｄ）。
部分１４で３μｍ、レーザ増幅領１１１１１２において
６μｍとし、これら２つの領域の中間ではメサ幅がテー
パ状に変化することとする１次にＭＯＶＰＥを用いてｎ
型Ａ １ ｏ、ｓ ＧａｏｓＡｓ層２、ｎ型Ａ １１４
Ｇ ａ （１，４Ａ Ｓ光ガイド層３、Ａｌｏ、 ＋
ｓＧ ａ ｏ、 ａｓＡ Ｓ活性層４、Ｐ型Ａ １
ｏ、ｓ Ｇ ａ。、ｓＡｓ層５を順次に成長する。この
時、ｎ型ＧａＡｓ基板１におけるメサ頂上の幅が３μｍ
以下の領域では（第３図（ｂ））、メサ１４上には三角
形状のメサ１５が形成され、メサ１５上にはしばらく成
長が起こらない、したがってｎ型Ａ１（１，ｇＧａｏｓ
Ａ８層２、ｎ型Ａ １０．４Ｇ ａｏ、ｉ Ａ Ｓ光ガ
イド層３の合計層厚を三角形のメサが形成される成長層
厚よりも０．２μｍ程度厚くしておけば、活性層４はメ
サ１５上ではとぎれる。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１に形
成されたメサ頂上幅が６μｍの領域では従来実施例と同
様に活性層４が形成される（第３図（ｃ））、この後、
さらにＭＯＶＰＥ法によって、ｎ型Ａ １ ｏ、 ５
Ｇ ａ −＋ ｓＡｓ層６、ｐ型Ａ １ ｏ、ｓ Ｇａ
ｏ、ｓ Ａ ｓ１７、ｐ型ＧａＡｓ層８を順次に成長し
く第３図（ｄ）。
（ｅ））、メサ１３に到達するＺｎ拡散層９、ｐ ｇ
、ｈ １０、ｎな＆ｔｔを形成して第１図、第２図に示
す断面構造の半導体レーザは完成する（なお、第３図（
ｂ）及び（ｄ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ−面における断面
図、第３図（ｃ）及び（ｅ）は同図（ａ）のＡ−Ａ−面
における断面図である）。
、ｈ １０、ｎな＆ｔｔを形成して第１図、第２図に示
す断面構造の半導体レーザは完成する（なお、第３図（
ｂ）及び（ｄ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ−面における断面
図、第３図（ｃ）及び（ｅ）は同図（ａ）のＡ−Ａ−面
における断面図である）。
（発明の効果）
本発明の実施により得られる半導体レーザは、第１図に
示すように、レーザ共振器端面に相当する部分において
、活性層がとぎれており、それに接する光ガイド層が露
出している。レーザ光は、活性層において増幅された後
、光ガイド層に導波されてレーザ共振器端面に達し、レ
ーザ共振器端面により反射されて再び活性層内で増幅を
受ける。
示すように、レーザ共振器端面に相当する部分において
、活性層がとぎれており、それに接する光ガイド層が露
出している。レーザ光は、活性層において増幅された後
、光ガイド層に導波されてレーザ共振器端面に達し、レ
ーザ共振器端面により反射されて再び活性層内で増幅を
受ける。
この半導体レーザでは、活性層が端面で露出せず、レー
ザ光に対して透明な光ガイド層を通ってレーザ光が出射
されるから、大光出力動作を行なってもレーザ端面が破
壊されることがない、さらに、レーザ増幅領域からレー
ザ端面部分へは光ガイド層を通して滑らかにレーザ光が
導波されるので、レーザ光の導波損失による発振しきい
値の上昇は小さくなる。これらの結果、この半導体レー
ザは、高い光出力まで端面破壊を起こすこと無く動作す
ることができる。なお、安定な基本横モード発振が得ら
れること、注入された電流はｎ型Ａ １１．５Ｇａｏ、
ｓＡｓ層２０が電流ブロック層となりＺｎ拡散層２３か
らメサ２７上のＰ型Ａ １ ｏ、％Ｇａｏ、ｓＡｓ層１
９に狭窄されるから、発振しきい値が低いこと、さらに
１回の結晶成長でレーザ結晶が形成されるので製法が簡
単であることは従来例と同様であることは言うまでもな
い。
ザ光に対して透明な光ガイド層を通ってレーザ光が出射
されるから、大光出力動作を行なってもレーザ端面が破
壊されることがない、さらに、レーザ増幅領域からレー
ザ端面部分へは光ガイド層を通して滑らかにレーザ光が
導波されるので、レーザ光の導波損失による発振しきい
値の上昇は小さくなる。これらの結果、この半導体レー
ザは、高い光出力まで端面破壊を起こすこと無く動作す
ることができる。なお、安定な基本横モード発振が得ら
れること、注入された電流はｎ型Ａ １１．５Ｇａｏ、
ｓＡｓ層２０が電流ブロック層となりＺｎ拡散層２３か
らメサ２７上のＰ型Ａ １ ｏ、％Ｇａｏ、ｓＡｓ層１
９に狭窄されるから、発振しきい値が低いこと、さらに
１回の結晶成長でレーザ結晶が形成されるので製法が簡
単であることは従来例と同様であることは言うまでもな
い。
第１図は本発明の一実施例の方法により得られる半導体
レーザの構造の一例のレーザ共振器方向を含む面内の断
面図、第２図（ａ）、（ｂ）はレーザ共振器方向に垂直
な面内における第１図の半導体レーザの断面図、第３図
（ａ）〜（ｅ）はその本発明の一実施例の方法を示ず工
程図、第４図は従来の製造方法により得られる半導体レ
ーザの構造を示す断面図、第５図は！４図の半導体レー
ザを製造する方法を示す工程図である。 １．１６・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２．６−ｎ型Ａ １
ｏ、 ｓ Ｇ ａ ｏｓＡ ８層、３− ｎ型Ａ１ａ
、ｎＧａｏ、ａＡｓ光ガイド層、４ 、 １８ ・＝
Ａ １ ｏ、 ＋ ９Ｇ ａｏ、ａｓＡｓ活性層、５．
７・ ｐ型Ａ ｌ ｏ、 ｓ Ｇ ａｏ、ｓＡｓ層、８
．２２・ｐ型ＧａＡｓ層、９゜２３−−・ｎ拡散層、１
０．２４−ｐ電極１１．２５・・・ｎ電極、１２，１３
，１４，１５，２６．２７・・・メサ、１７．２０・−
ｎ型Ａ １ ｏ、 ４ｓＧ ａ ａｓｓ Ａ ８層、１
９．２１・ｐ型Ａ １０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ
８層。
レーザの構造の一例のレーザ共振器方向を含む面内の断
面図、第２図（ａ）、（ｂ）はレーザ共振器方向に垂直
な面内における第１図の半導体レーザの断面図、第３図
（ａ）〜（ｅ）はその本発明の一実施例の方法を示ず工
程図、第４図は従来の製造方法により得られる半導体レ
ーザの構造を示す断面図、第５図は！４図の半導体レー
ザを製造する方法を示す工程図である。 １．１６・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２．６−ｎ型Ａ １
ｏ、 ｓ Ｇ ａ ｏｓＡ ８層、３− ｎ型Ａ１ａ
、ｎＧａｏ、ａＡｓ光ガイド層、４ 、 １８ ・＝
Ａ １ ｏ、 ＋ ９Ｇ ａｏ、ａｓＡｓ活性層、５．
７・ ｐ型Ａ ｌ ｏ、 ｓ Ｇ ａｏ、ｓＡｓ層、８
．２２・ｐ型ＧａＡｓ層、９゜２３−−・ｎ拡散層、１
０．２４−ｐ電極１１．２５・・・ｎ電極、１２，１３
，１４，１５，２６．２７・・・メサ、１７．２０・−
ｎ型Ａ １ ｏ、 ４ｓＧ ａ ａｓｓ Ａ ８層、１
９．２１・ｐ型Ａ １０．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ
８層。
Claims (1)
- 第１導電型の半導体基板上に、活性層を含むダブルヘテ
ロ構造の半導体多層膜を形成してなる半導体レーザを製
造する製造方法において、前記半導体基板にストライプ
状のメサを形成する工程と、該メサを形成した前記半導
体基板上に有機金属気相成長法を用いて、第１導電型の
クラッド層、第１導電型の光ガイド層および活性層を順
次に含むダブルヘテロ構造の半導体多層膜を形成する工
程とを含み、前記メサが＜０１１＞方向であり、該メサ
の幅が、前記半導体レーザの共振器端面に相当する部分
において３μｍ以下であり、かつ前記半導体レーザの光
増幅領域においては３μｍ以上であり、これらの異なる
幅のメサがテーパ状に接続していることを特徴とする半
導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27650588A JPH02122585A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27650588A JPH02122585A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122585A true JPH02122585A (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=17570399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27650588A Pending JPH02122585A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02122585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009071172A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Sony Corp | 半導体発光素子及びその製造方法、並びに、下地層の形成方法 |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP27650588A patent/JPH02122585A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009071172A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Sony Corp | 半導体発光素子及びその製造方法、並びに、下地層の形成方法 |
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