JPH02122606A - トランス素子 - Google Patents

トランス素子

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JPH02122606A
JPH02122606A JP27710188A JP27710188A JPH02122606A JP H02122606 A JPH02122606 A JP H02122606A JP 27710188 A JP27710188 A JP 27710188A JP 27710188 A JP27710188 A JP 27710188A JP H02122606 A JPH02122606 A JP H02122606A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はトランス素子、特にDC電源、インバータその
他の電気、電子回路に好適な小型で軽いトランス素子に
関する。
[従来の技術] 今日、トランスは各種分野において、たとえば電圧の変
換、回路間の絶縁、インピーダンス変換等を行うために
幅広く利用されている。
特に、エレクトロニクス技術の進歩に伴い、産業用機械
から家庭用品、玩具にいたるまで幅広くエレクトロニク
ス回路が用いられ、このようなエレクトロニクス回路は
近年著しく小型化している。
したがって、このような各種エレクトロニクス回路に用
いられるトランスに対しても、小型化、軽量化が求めら
れており、このトランスを、他の電気・電子部品、例え
ばICチップ、抵抗素子等と同じ感覚で用いることがで
きる程度に小型で軽量のトランス素子として形成するこ
とができれば、その取扱が極めて便利になり、しかもト
ランス素子を用いたエレクトロニクス回路を小型で軽量
のものとすることができる。
[発明が解決しようとする問題点] しかし、エレクトロニクス回路に用いられる従来のトラ
ンスは、ボビンに一次コイル用の線材および二次コイル
用の線材を実際に巻いて形成されているため、その小型
化には限界があった。
特に、磁芯を用いたトランスでは、磁芯の周りに一次コ
イル、二次コイル用の線材を実際に巻き回して形成され
ているため、空芯型のトランスに比べより大きなものと
なってしまう。
したがって、従来のトランスはエレクトロニクス回路用
の他の電気、電子部品に比べ著しく大きく重いものとな
ってしまい、このようなトランスを用いてエレクトロニ
クス回路を形成すると、トランス部分の占有面積が極め
て大きくなってしまうという問題があった。
[発明の目的] 本発明は、このような従来の課題に鑑みなされたもので
あり、その目的は、前述した従来の問題を解決し、各種
エレクトロニクス回路に用いられる各種の電気、電子部
品と同様な感覚で使用することができる小型でしかも軽
量なトランス素子を実現することにある。
[問題点の解決手段] 前記目的を達成するため、本発明は、少なくとも1枚の
磁芯箔膜と、少なくとも2枚の導電箔膜とを絶縁体を介
して一体に重ね合せた状態で巻き込んで形成され、少な
くとも2枚の導電箔膜のうちいずれか一方を一次側コイ
ル、他方を二次側コイル、磁芯箔膜をトランスコアとし
たことを特徴とする。
[作用] このように、本発明のトランス素子は、磁芯箔膜および
導電箔膜を絶縁体を介して重ね合せ、これを一体に巻き
込んで形成されている。
したがって、従来のように磁芯に対し一次側コイル、二
次側コイル用の線材を実際に巻き回して形成されたトラ
ンスに比べ、トランス自体を小型でしかも軽量なものと
することができる。
特に、本発明によれば、前述したように巻き込んで形成
された箔膜全体をエポキシ等の樹脂でモールドすること
により、トランスをワンチップトランス素子として形成
することができる。
したがって、このようにして形成されたトランス素子を
、各種エレクトロニクス回路に対し通常の電気、電子部
品と同様な感覚で用いることができ、トランスを必要と
する各種エレクトロニクス回路を小型でしかも軽量なも
のとすることができる。
[実施例] 次に本発明の好適な実施例を図面に基づき説明する。
第2図には本発明に係るトランス素子の好適な一例が示
されている。
実施例のトランスは、−枚の磁芯箔膜10と、2枚の導
電箔膜20,22と、絶縁シート等の帯状絶縁体30,
32,34.36とを有する。
そして、前記一方の導電箔膜20の両端にはリード電極
20a、20bが設けられ、他方の導電箔膜20の両端
には同様にリード電極22a。
22bが設けられている。
そして、第1図に示すように、前記磁性箔膜10の両側
に、帯状絶縁体32.34、導電箔膜20.22)帯状
絶縁体30.36を順番に重ね合せ、これを一体内にチ
ューブラ型に巻き込み、その後偏平に押し潰して形成さ
れている。
そして、このようにチューブラ型に巻き込まれた箔膜全
体を、エポキシ等の樹脂でモールドすることにより、第
3図に示すようなトランス素子が形成される。
第4図には、このようにして形成されたトランス素子の
等価回路図が示されている。
前述したように、磁芯箔膜10と導電箔膜20゜22を
積層してチューブラ型に巻き込むと、両導電箔膜20,
22は一次コイルW1、二次コイルW2として機能し、
両コイルW、 、W2は磁気的に結合されたトランスと
して機能することとなる。
このとき、両導電箔膜20,22の間に積層された磁性
箔膜10はトランスのコアCとして機能し、このコアC
を介して一次コイルW、と二次コイルW2との間に磁気
回路が形成される。
このようにして、本実施例によれば、−枚の磁芯箔膜1
0と、2枚の導電箔膜20,22を互いに積層してチュ
ーブラ型に巻き込み、これら各箔膜10,20.22の
周囲をエポキシ等の樹脂でモールドすることにより、第
3図に示すような小型でしかも軽量なトランス素子を形
成することができる。
次に、前述したトランス素子の具体的な製法の一例を説
明する。
まず、実施例の導電箔膜20,22は、厚さ50μm1
幅約10順、長さ1,650mmのアルミニウム箔を用
いて形成されている。なお、本発明において、導電箔膜
20,22は、このようなアルミニウム箔のみでなく、
必要に応じて他の導電材料を用いて形成することもでき
る。
そして、このようにして形成された各導電箔膜20.2
2の両端に、適当な大きさおよび長さの錫メツキ等を施
した鉄線や銅線を用いてリード電極20a、20b、2
2a、22bが固定される。
実施例において、この取付けには、たとえば電気溶接等
の周知技術が用いられる。なお、この溶接に先たち、リ
ード線の溶接部はプレス等により平坦加工を施すことが
好ましい。
また、磁芯箔膜10は、磁性材料または良導電材料のい
ずれの材料を用いて形成することもでき、実施例におい
てその寸法は、前記導電箔膜20゜22と同様に形成さ
れている。
また、帯状絶縁体30,32,34.36はポリエチレ
ン、マイラー等の高誘電率で、しかも高絶縁耐圧を有す
る材料、たとえばマイラープラスチックフィルム等を用
いて形成されている。
そして、実施例の帯状絶縁体30.32を構成するマイ
ラープラスチックフィルムは、厚さ12μm、幅15關
、長さ約1650 mの寸法に形成されている。また、
その幅は前記各箔膜10゜20.22より広くし、両導
電箔膜20,22の絶縁体耐圧を高めるよう形成するの
が好ましい。
そして、前記磁芯箔膜10の両側に、帯状絶縁体32,
34、導電箔膜20,22)絶縁体30゜36の順に重
ね合せ、これを巻き線機械等を用いてチューブラ型に巻
き込む。
本発明では、このようにして形成されたトランスをその
まま使用しても良いが、実施例においては、これに適当
な圧力を加えて偏平に押し潰し、電極20a、20b、
22a、22bを除いた全体を、たとえばエポキシ等の
樹脂でコーティングして、吸湿等による特性劣化を防止
している。
このようにすることにより、本実施例によれば、第3図
に示すようなトランス素子を、各種エレクトロニクス回
路に用いられる他の電気・電子部品と同じ感覚で用いる
ことができる程度に小型で軽量化することができる。
なお、実施例においては両導電箔膜20,22の長さを
等しく設定する場合を例にとり説明したが、本発明はこ
れに限らず必要に応じて両導電箔膜20,22の長さを
異なる値に設定することもできる。このようにすれば、
両導電箔膜の巻数を異なる値に設定し、所望変圧比のト
ランスを得ることができる。
また、本実施例においては、磁芯箔膜10を、導電箔膜
20,22と同じ長さに形成している。
このため、磁芯箔膜10を用いて形成された磁気回路は
オーブンループとなる。
たが、必要に応じて磁芯箔膜10の長さを導電箔膜20
,22)帯状導電帯30.32により少なくとも−巻き
分長く形成しても良い。このようにすることにより、第
6図に示すように、磁芯箔膜10は、一端側において−
巻き分の閉ループを形成し、トランス素子の特性をより
良好なものとすることができる。
また、本発明においては、第7図に示すように、帯状絶
縁体30,32,34.36を介して磁芯箔膜10と導
電箔膜20.22とを一体に重ね合せたとき、この磁芯
箔膜10の少なくとも幅方向−側が、帯状絶縁体30,
32,34.36及び導電箔膜20,22により外部に
はみだすよう形成してもよい。
このようにすれば、磁芯箔膜10.導電箔膜20.22
及び帯状絶縁体30.32,34゜36を一体的に重ね
て巻込んだ後、磁芯箔膜10のはみだし部10aを、互
いに接触するよう矢印の方向から押潰すことにより、磁
芯箔膜10は各ターン毎に他のターン部分との間で磁気
回路を形成することになる。従って、トランス素子自体
の磁気抵抗を大幅に少なくし、その特性をより良好なも
のとすることができる。
また、本発明においては、第8図に示すように、帯状絶
縁体30,32,34.36を介して磁芯箔膜10と導
電箔膜20,22とを一体に重ね合せたとき、この磁芯
箔膜10の幅方向両側が、帯状絶縁体30,32,34
.36及び導電箔膜20.22により外部にはみだすよ
う形成してもよい。
このようにすれば、磁芯箔膜10.導電箔膜20.22
および帯状絶縁体30.32,34゜36を一体的に重
ねて巻込んだ後、磁芯箔膜10のはみだし部10a、1
0bを、互いに接触するよう矢印の方向から押潰すこと
により、また他の方法により磁気的に導通させることに
より、第9図に示すように磁芯箔膜10は各ターン毎に
他のターン部分との間で閉ループの磁気回路を形成する
ことになる。従って、トランス素子自体の磁気抵抗がさ
らに少なくなり、より良好な特性を持ったトランス素子
を得ることができる。なお、この場合には、はみだし部
10bと各リード20a。
20b、22a、22bが電気的に導通することがない
よう、各リード20a、20b、22a。
22bの必要箇所に絶縁部40を形成すればよい。
他の実施例 なお、前記実施例においては、磁芯箔膜10を一対の導
電箔膜20,22を用いてサンドイッチ状に挾み込むよ
う重ね合せて形成したトランス素子を例にとり説明した
。しかし、磁芯箔膜10と導電箔膜20,22の重ね合
せ順序はこれに限るものではなく、たとえば導電箔膜2
0,22を帯状絶縁帯32を介して重ね合せ、次に導電
箔膜22と磁芯箔膜10を帯状導電帯34を介して重ね
合せてトランス素子を形成することもできる。
このように、本発明においては、必要に応じてこれら各
箔膜10,20.22の重ね合せ順序を任意に設定する
ことができる。
また、本実施例においては2枚の導電箔膜20゜22を
用いた場合を例にとり説明したが、本発明はこれに限ら
ず、3枚以上の導電箔膜を巻き込んでトランス素子を形
成することもできる。たとえば、第5図に示すように、
導電箔膜20をその幅方向に2つの箔20−1.20−
2に分割し、その一方の導電箔膜20−1を一次巻き線
として用い、他方の導電箔膜20−2を三次巻き線とし
て用いても良い。
また、本実施例においては磁芯箔膜10を一枚用いる場
合を例にとり説明したが、本発明はこれに限らず必要に
応じ複数枚の磁芯箔膜を用いることもでき、このように
することにより、各巻き線間の磁気抵抗を所望の値に設
定し、各種特性のトランス素子を得ることができる。
また、前記実施例においては、磁芯箔膜、導電箔膜をそ
れぞれ独立に設ける場合を例にとり説明したが、本発明
はこれに限らず必要に応じてこれら箔膜を絶縁シートの
片面または両面に無電解メツキ、蒸着またはスパッタリ
ング等の手法を用いて被覆形成することもできる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、磁芯入すのトラ
ンスを、小型でしかも軽量のトランス素子として形成す
ることができ、この結果、トランスを必要とする各種回
路、特にエレクトロニクス回路を大巾に小型、軽量化す
ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るトランス素子の好適な一例を示す
説明図、 第2図は第1図に示すトランス素子の接続状態の一例を
示す説明図、 第3図は第1図に示すトランス素子の外観斜視図、 第4図は第1図に示すトランス素子の等価回路図、 第5図は磁芯箔膜の一端側において閉ループを形成する
場合の説明図、 第6図は3枚の導電箔膜を用いて形成されたトランス素
子の説明図、 第7図〜第9図は本発明の他の実施例を示す説明図であ
る。 10・・・磁芯箔膜 10a、10b・・・はみだし部 20.22・・・導電箔膜 20a、20b、22a、22b−−−リード電極30
.32,34.36・・・帯状絶縁体。 代理人 弁理士 布 施 行 夫(他2名)第 薯 図 第 図 第 図 第 図 第 因 第 図 第 図

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも1枚の磁芯箔膜と、少なくとも2枚の
    導電箔膜とを絶縁体を介して一体に重ね合せた状態で巻
    き込んで形成され、前記導電箔膜のうちいずれか一方を
    一次側コイル、他方を二次側コイル、磁芯箔膜をトラン
    スコアとしたことを特徴とするトランス素子。
  2. (2)特許請求の範囲(1)記載のトランス素子におい
    て、 1枚の磁芯箔膜の両側に絶縁体を介して2枚の導電箔膜
    を重ね合せ、これら合計3枚の箔膜を一体に巻き込んで
    形成されたことを特徴とするトランス素子。
  3. (3)特許請求の範囲(1)、(2)のいずれかに記載
    のトランス素子において、 前記導電箔膜として帯状のアルミニウム箔または銅箔を
    使用し、前記絶縁体として高誘電率の帯状のプラスチッ
    クフィルムを使用したことを特徴とするトランス素子。
  4. (4)特許請求の範囲(1)〜(3)のいずれかに記載
    のトランス素子において、 前記磁芯箔膜として磁性材料または良導電材料からなる
    帯状箔膜を使用したことを特徴とするトランス素子。
  5. (5)特許請求の範囲(1)〜(4)のいずれかに記載
    のトランス素子において、 巻き込んだ箔膜全体を樹脂でモールドしたことを特徴と
    するトランス素子。
  6. (6)特許請求の範囲(1)〜(5)のいずれかに記載
    のトランス素子において、 前記磁芯箔膜は、絶縁体を介して導電箔膜と一体に重ね
    合せた状態で、少なくともその幅方向一端側にはみだす
    よう形成され、 前記はみだし部は、磁芯箔膜を絶縁体を介して導電箔膜
    と一体に重ね合せて巻き込んだ後、互いに接触するよう
    押潰し形成されることを特徴とするトランス素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020021903A (ja) * 2018-08-03 2020-02-06 日本ケミコン株式会社 コイルおよびその製造方法

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