JPH0212546A - メモリ保持システム - Google Patents
メモリ保持システムInfo
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- JPH0212546A JPH0212546A JP1112357A JP11235789A JPH0212546A JP H0212546 A JPH0212546 A JP H0212546A JP 1112357 A JP1112357 A JP 1112357A JP 11235789 A JP11235789 A JP 11235789A JP H0212546 A JPH0212546 A JP H0212546A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/143—Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
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- Power Engineering (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Sources (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、一般に揮発性メモリを有する電子装置のため
のメモリ保持システムに関し、特に、共通の発振器によ
りクロック制御される少なくとも2つの論理装置を有す
る電子装置のためのメモリ保持システムに関する。
のメモリ保持システムに関し、特に、共通の発振器によ
りクロック制御される少なくとも2つの論理装置を有す
る電子装置のためのメモリ保持システムに関する。
発明の背景
多くの種類の電子装置がマイクロプロセッサ、マイクロ
コンビエータおよびカスタム(custom)論理集積
回路のような論理装置を含んでおり、これらはデータを
貯え、装置の種々の制御機能を実行するために使われる
。製造コストを最小にしようと努力する結果、論理装置
はしばしば共通の発振器によりクロック制御される。多
くの論理装置の蓄漬手段は揮発性メモリである。当該技
術分野の当業者に知られているように、揮発性メモリの
論理装置を含んでいる電子装置が電源から切り離される
と1.論理装置中に貯えられたデータは完全に無くなる
。このため、この種の論理装置が、バイアス電圧の供給
停止、あるいは相当な減少により種々の論理装置におい
て急速なメモリ損失が生じないように論理装置のバイア
ス電圧を保持する手段を含んでいることか望ましい。
コンビエータおよびカスタム(custom)論理集積
回路のような論理装置を含んでおり、これらはデータを
貯え、装置の種々の制御機能を実行するために使われる
。製造コストを最小にしようと努力する結果、論理装置
はしばしば共通の発振器によりクロック制御される。多
くの論理装置の蓄漬手段は揮発性メモリである。当該技
術分野の当業者に知られているように、揮発性メモリの
論理装置を含んでいる電子装置が電源から切り離される
と1.論理装置中に貯えられたデータは完全に無くなる
。このため、この種の論理装置が、バイアス電圧の供給
停止、あるいは相当な減少により種々の論理装置におい
て急速なメモリ損失が生じないように論理装置のバイア
ス電圧を保持する手段を含んでいることか望ましい。
幾つかの論理装置を含んでおり、その中の少なくとも1
つが揮発性メモリを有する装置の一例は、手で保持され
る赤外線(IR)遠隔制御装置により遠隔制御されるテ
レビ−)ljン受像機である。この糧のテレビジョン受
像機は、通常、遠隔制御装置から受け増られる指令を解
読し保持するカスタム論理集積回路(IC)を含んでい
る。また、この種の受像機は、マイクロプロセッサまた
はマイクロコンキユータ、ランダム・アクセス・メモリ
(RAM)を含んでおり、カスタム論理ICから受け取
られるデータを貯え、カスタムICにより必要とされる
任意のデータ操作を行ない、受像機の種々の動作機能を
実現させる。通常、論理装置の中の少なくとも1つ、し
ばしば2つが揮発性メモリを含んでおり、従って、論理
装置にバイアス電圧の供給が行なわれないときメモリ損
失を受け易い。受像機がターン・オフされるとき、論理
装置へのバイアス電圧の遮断は生じないことを理解され
たい。・々イアスミ圧の遮断は、テレビ・ジョン受像機
が交流(AC)電圧源からプラグが抜かれるとき、もし
くはAC供給線の故障の際に発生する。
つが揮発性メモリを有する装置の一例は、手で保持され
る赤外線(IR)遠隔制御装置により遠隔制御されるテ
レビ−)ljン受像機である。この糧のテレビジョン受
像機は、通常、遠隔制御装置から受け増られる指令を解
読し保持するカスタム論理集積回路(IC)を含んでい
る。また、この種の受像機は、マイクロプロセッサまた
はマイクロコンキユータ、ランダム・アクセス・メモリ
(RAM)を含んでおり、カスタム論理ICから受け取
られるデータを貯え、カスタムICにより必要とされる
任意のデータ操作を行ない、受像機の種々の動作機能を
実現させる。通常、論理装置の中の少なくとも1つ、し
ばしば2つが揮発性メモリを含んでおり、従って、論理
装置にバイアス電圧の供給が行なわれないときメモリ損
失を受け易い。受像機がターン・オフされるとき、論理
装置へのバイアス電圧の遮断は生じないことを理解され
たい。・々イアスミ圧の遮断は、テレビ・ジョン受像機
が交流(AC)電圧源からプラグが抜かれるとき、もし
くはAC供給線の故障の際に発生する。
カスタム論理集積回路は遠隔制御装置から受け取られる
制御情報を貯える8ビットのレゾスターを含んでいる。
制御情報を貯える8ビットのレゾスターを含んでいる。
例えば、テレビジョンの視聴者が受像機の音量を変えた
いものと仮定する。視聴者は手で保持される遠隔制御装
置の音量キーを押す。
いものと仮定する。視聴者は手で保持される遠隔制御装
置の音量キーを押す。
これにより、論理ICは所望の音1変化を示すデータ・
ストリームを受け取る。このICは所望の指令を8ピツ
トの値として解読し貯える。マイクロプロセッサは周期
的に論理ICに問合せを行い、手持ちの制御装置から受
け堰られた指令であるかどうか決定する。所望の音量変
更は、変更を実行するのに必要な任意のデータ操作を行
ない、新しく操作されたデータをカスタムICに入力シ
テ変更を実行させるマイクロプロセッサによす示すれる
。マイクロプロセッサはアナログのインターフェース装
置AIUに入力されたデータも貯える。遠隔制御装置か
らの変更の受け堰りとその指令の実行の間の遅れは数ミ
リセカンドの程度であり、視聴者は1ましくない遅れに
気づかない。
ストリームを受け取る。このICは所望の指令を8ピツ
トの値として解読し貯える。マイクロプロセッサは周期
的に論理ICに問合せを行い、手持ちの制御装置から受
け堰られた指令であるかどうか決定する。所望の音量変
更は、変更を実行するのに必要な任意のデータ操作を行
ない、新しく操作されたデータをカスタムICに入力シ
テ変更を実行させるマイクロプロセッサによす示すれる
。マイクロプロセッサはアナログのインターフェース装
置AIUに入力されたデータも貯える。遠隔制御装置か
らの変更の受け堰りとその指令の実行の間の遅れは数ミ
リセカンドの程度であり、視聴者は1ましくない遅れに
気づかない。
先に述べた型式の受像機か最初に視聴者の家庭に据え付
けられるとき、受像機は視聴者の家庭で利用可能な標準
の11(1”ルトのAC電源により作動される。視聴者
には局地チャンネルあるいはケーブルで利用可能なチャ
ンネルを走査するためのチューナのプログラム方法に関
する命令が書いである説明書が与えられる。また、視聴
者は、受像機に含まれているクロックの設定のような他
の機能をプログラムによりICメモリに入力するように
指示される。論理装置が揮発性メモリ装置であるとき、
受像機への電源が瞬間的に遮断されると、貯えられた全
てのデータが消えてしまい、視聴者は受像機を完全に再
度プログラムし直さなければならない。従来技術におい
て、電源が遮断された後の一定時間の間、メモリへの電
圧を保持するために論理装置のバイアス端子にコンデン
サを設けてメモリの保持を行っている。
けられるとき、受像機は視聴者の家庭で利用可能な標準
の11(1”ルトのAC電源により作動される。視聴者
には局地チャンネルあるいはケーブルで利用可能なチャ
ンネルを走査するためのチューナのプログラム方法に関
する命令が書いである説明書が与えられる。また、視聴
者は、受像機に含まれているクロックの設定のような他
の機能をプログラムによりICメモリに入力するように
指示される。論理装置が揮発性メモリ装置であるとき、
受像機への電源が瞬間的に遮断されると、貯えられた全
てのデータが消えてしまい、視聴者は受像機を完全に再
度プログラムし直さなければならない。従来技術におい
て、電源が遮断された後の一定時間の間、メモリへの電
圧を保持するために論理装置のバイアス端子にコンデン
サを設けてメモリの保持を行っている。
この論理装置はクロック用発振器を必要とするものであ
り、受像機の製造コストを最小にするために受像機中の
全ての論理装置について同じ発振器を使用することが通
常の方法である。しかしながら、電源の遮断の間、発振
器はメモリへのバイアス電圧を保持するように意図され
たコンデンサの両端間に発生する電圧により作動され、
以ってコンデンサの電荷が急速に減少し、メモリ保持の
ために利用することのできる時間が実質的((減少する
。このような理由から、供給電圧が許容レベル以下に下
がる時間の間、電子装償中の揮発性メモリ論理装置に貯
えられたデータが消えないようにし、このような低電圧
期間の間、クロック発振器をターン・オフするシステム
の必要性が存在する。本発明はこれらの必要性を実現す
るものである。
り、受像機の製造コストを最小にするために受像機中の
全ての論理装置について同じ発振器を使用することが通
常の方法である。しかしながら、電源の遮断の間、発振
器はメモリへのバイアス電圧を保持するように意図され
たコンデンサの両端間に発生する電圧により作動され、
以ってコンデンサの電荷が急速に減少し、メモリ保持の
ために利用することのできる時間が実質的((減少する
。このような理由から、供給電圧が許容レベル以下に下
がる時間の間、電子装償中の揮発性メモリ論理装置に貯
えられたデータが消えないようにし、このような低電圧
期間の間、クロック発振器をターン・オフするシステム
の必要性が存在する。本発明はこれらの必要性を実現す
るものである。
本発明の概要
共通の発振器によって駆動される少なくとも2つの論理
装置を有する電子装置のためのメモリ保持システムは、
論理装置の少なくとも1つに電圧を保持するための手段
と電源故障の開発振器を停止させるための手段とを含ん
でいる。
装置を有する電子装置のためのメモリ保持システムは、
論理装置の少なくとも1つに電圧を保持するための手段
と電源故障の開発振器を停止させるための手段とを含ん
でいる。
実施例
第1図において、マイクロプロセッサ11すなわちマイ
クロコンピュータ(これらの用語は本明細書において交
換可能なものとして使用される)は、発振器入力(O2
0IN)端子12と発振器出力(O200UT)端子1
3を含んでいる。発振器の周波数を決める水晶14は、
端子12と13との間に設ケラれ、マイクロプロセッサ
11の内部構成要素と共に発振器を形成する。発振器は
マイクロプロセッサ11中の回路により使用されるクロ
ック・ノJ?ルスを供給する。■+のバイアス源がマイ
クロプロセッサ11の/々イアス端子16に結合される
。
クロコンピュータ(これらの用語は本明細書において交
換可能なものとして使用される)は、発振器入力(O2
0IN)端子12と発振器出力(O200UT)端子1
3を含んでいる。発振器の周波数を決める水晶14は、
端子12と13との間に設ケラれ、マイクロプロセッサ
11の内部構成要素と共に発振器を形成する。発振器は
マイクロプロセッサ11中の回路により使用されるクロ
ック・ノJ?ルスを供給する。■+のバイアス源がマイ
クロプロセッサ11の/々イアス端子16に結合される
。
電荷蓄積装置17、好ましくはコンデンサがバイアス端
子16と大地との間に設けられる。マイクロプロセッサ
11としては、モトローラ(Motorola )社製
のモデル番号68HCO5なるマイクロプロセッサが望
ましい。
子16と大地との間に設けられる。マイクロプロセッサ
11としては、モトローラ(Motorola )社製
のモデル番号68HCO5なるマイクロプロセッサが望
ましい。
アナログのインターフェース装置(AIU) 1 Bは
カスタム論理集積回路、望ましくはアールシーニー(R
CA)社製のモデル番号1421874−2集積回路で
あり、+Vawの電圧により電圧バイアスが与えられる
。インターフェース装置18は発振器入力(O20IN
)端子19を含んでいる。端子19は、電流制限抵抗2
1を介してマイクロプロセッサ11の発振器入力端子1
2と同様に発振器14の同じ側に接続される。両方向性
のデータ・パス22がマイクロプロセッサ11とインタ
ーフェース装置18との間に設けられる。この両方向性
のパスにより2つの論理装置11および18間の通信が
行なわれ、マイクロプロセッサ11はインターフェース
装置18の状態を問い合せ、操作データをインターフェ
ース装置18に供給することができる。
カスタム論理集積回路、望ましくはアールシーニー(R
CA)社製のモデル番号1421874−2集積回路で
あり、+Vawの電圧により電圧バイアスが与えられる
。インターフェース装置18は発振器入力(O20IN
)端子19を含んでいる。端子19は、電流制限抵抗2
1を介してマイクロプロセッサ11の発振器入力端子1
2と同様に発振器14の同じ側に接続される。両方向性
のデータ・パス22がマイクロプロセッサ11とインタ
ーフェース装置18との間に設けられる。この両方向性
のパスにより2つの論理装置11および18間の通信が
行なわれ、マイクロプロセッサ11はインターフェース
装置18の状態を問い合せ、操作データをインターフェ
ース装置18に供給することができる。
マイクロプロセッサ11およびインターフェース装置1
8の発振器入力端子12と19は、供給バイアス電圧が
装置に存在する時それぞれ高インピーダンスを示す。バ
イアス電圧が許容レベル以下に下がるか、あるいは存在
しなく′なると、端子12と19は低インピーダンスを
示す。低い電圧状態の間、アナログのインターフェース
装置18の端子19は、低くなる+Vsw電圧に応答し
て低インピーダンスを示す。発振器入力端子12は端子
19における低インピーダンスが負荷となり停止される
。従って、コンデン7す17に得られる実質上すべての
電荷はマイクロプロセッサ11のメモリを保持するため
に使用される。というのは、非作動化された発振器の場
合、コンデンサ17は発振器の動作によりほとんどある
いは全く電荷を失わない。コンデンサ17による電圧は
、コンデンサ17のキャノぐシタンスおよびマイクロプ
ロセッサ11の内部インピーダンスに依存して30分も
しくはそれ以上保持され、この目的のためのコンデンサ
の選択は当該技術分野の当業者の設計的事項の範囲内で
ある。アナログのインターフェース装置18が揮発性の
メモリ装置であるならば、バイアス電圧が無くなるとメ
モリ装置中のデータも無くなる。しかしながら、インタ
ーフェース装置18中の全てのデータはマイクロプロセ
ッサ11により供給され、マイクロプロセッサ11によ
り貯えられるから、貯えられたデータは永久に無くなる
ものではない。適当なバイアス電圧がシステムに再び供
給されると、停電前にインターフェース装置18中に存
在した状態はデータ・パス22を介してマイクロプロセ
ッサ11によリインターフエース装置18中に回復され
る。
8の発振器入力端子12と19は、供給バイアス電圧が
装置に存在する時それぞれ高インピーダンスを示す。バ
イアス電圧が許容レベル以下に下がるか、あるいは存在
しなく′なると、端子12と19は低インピーダンスを
示す。低い電圧状態の間、アナログのインターフェース
装置18の端子19は、低くなる+Vsw電圧に応答し
て低インピーダンスを示す。発振器入力端子12は端子
19における低インピーダンスが負荷となり停止される
。従って、コンデン7す17に得られる実質上すべての
電荷はマイクロプロセッサ11のメモリを保持するため
に使用される。というのは、非作動化された発振器の場
合、コンデンサ17は発振器の動作によりほとんどある
いは全く電荷を失わない。コンデンサ17による電圧は
、コンデンサ17のキャノぐシタンスおよびマイクロプ
ロセッサ11の内部インピーダンスに依存して30分も
しくはそれ以上保持され、この目的のためのコンデンサ
の選択は当該技術分野の当業者の設計的事項の範囲内で
ある。アナログのインターフェース装置18が揮発性の
メモリ装置であるならば、バイアス電圧が無くなるとメ
モリ装置中のデータも無くなる。しかしながら、インタ
ーフェース装置18中の全てのデータはマイクロプロセ
ッサ11により供給され、マイクロプロセッサ11によ
り貯えられるから、貯えられたデータは永久に無くなる
ものではない。適当なバイアス電圧がシステムに再び供
給されると、停電前にインターフェース装置18中に存
在した状態はデータ・パス22を介してマイクロプロセ
ッサ11によリインターフエース装置18中に回復され
る。
従来技術と比較したときの第1図の実施例の利点は、従
来技術の方法で第1図の回路を再接続することにより理
解することができる。従来技術においては、マイクロプ
ロセッサの発振器出力端子13が、破線23で示される
ように、アナログのインターフェース装置18の発振器
入力端子19に接続される。また、抵抗21およびそれ
を端子19に接続する線は無い。このような接続の場合
、バイアス電圧が許容レベル以下に下がり、+V8Wが
オフとなるとき、低インピーダンス経路はインターフェ
ース装置19からコンデンサ17に存在する。従って、
コンデンサ17は低インピーダンス経路により速やかに
放電され、以ってコンデンサ17がマイクロプロセッサ
11の揮発性メモリ中のデータを保持することのできる
時間は減少する。従来技術による結線23を使用しなが
らコンデンサ17の電荷保持時間を改善する従来技術に
よる1つの試みは、結線23中に小さいブロッキング拳
コンデンサヲ設ケ、マイクロプロセッサ11の端子13
からインターフェース装置の端子19への低入力インピ
ーダンスに回避することである。しかしながら、静電放
電からの高周波遷移は直列経路を自由に通過し、マイク
ロプロセッサ11はこの種の遷移に因る故障を受け易い
。
来技術の方法で第1図の回路を再接続することにより理
解することができる。従来技術においては、マイクロプ
ロセッサの発振器出力端子13が、破線23で示される
ように、アナログのインターフェース装置18の発振器
入力端子19に接続される。また、抵抗21およびそれ
を端子19に接続する線は無い。このような接続の場合
、バイアス電圧が許容レベル以下に下がり、+V8Wが
オフとなるとき、低インピーダンス経路はインターフェ
ース装置19からコンデンサ17に存在する。従って、
コンデンサ17は低インピーダンス経路により速やかに
放電され、以ってコンデンサ17がマイクロプロセッサ
11の揮発性メモリ中のデータを保持することのできる
時間は減少する。従来技術による結線23を使用しなが
らコンデンサ17の電荷保持時間を改善する従来技術に
よる1つの試みは、結線23中に小さいブロッキング拳
コンデンサヲ設ケ、マイクロプロセッサ11の端子13
からインターフェース装置の端子19への低入力インピ
ーダンスに回避することである。しかしながら、静電放
電からの高周波遷移は直列経路を自由に通過し、マイク
ロプロセッサ11はこの種の遷移に因る故障を受け易い
。
第2図は本発明のもう1つの好ましい実施例である。第
2図の実施例において、第1図の部分と同様な部分には
同じ参照番号が付しである。マイクロプロセッサ11は
、ダイオード27を介して電源損失検出回路26に結合
されるリセット端子(R8T) 24を含んでいる。電
圧応答スイッチ、望ましくはトランジスタ28がダイオ
ード27、電源損失検出回路26および大地間に設けら
れる。
2図の実施例において、第1図の部分と同様な部分には
同じ参照番号が付しである。マイクロプロセッサ11は
、ダイオード27を介して電源損失検出回路26に結合
されるリセット端子(R8T) 24を含んでいる。電
圧応答スイッチ、望ましくはトランジスタ28がダイオ
ード27、電源損失検出回路26および大地間に設けら
れる。
トランジスタ28がターン・オフになるとき、ダイオー
ド27は電源損失検出回路26からリセット端子24を
分離する。アナログのインターフェース装置18は、う
・fンを介して電源損失検出回路26からバイアス電圧
−トV3wを端子Vddに受け堰る。
ド27は電源損失検出回路26からリセット端子24を
分離する。アナログのインターフェース装置18は、う
・fンを介して電源損失検出回路26からバイアス電圧
−トV3wを端子Vddに受け堰る。
抵抗31とコンデンサ32がマイクロプロセッサ11の
リセット端子24に結合される。抵抗31とコンデンサ
32によシ、電源が再供給されるときリセット電圧がV
十電圧より遅れ、以−りてリセット後マイクロプロセッ
サ11が動作を開始する少し前に発振器14は発振を開
始することができる。コンデンサ33がバイアス線29
と大地間に接続される。コンデンサ33は好ましい実施
例として選択された例示的マイクロプロセッサ11のた
めに必要である。このマイクロプロセッサは、リセット
機能を完了するためにリセット・ビンが低くなった後発
振器の6サイクルを必要とする。リセット線が低くなる
と同時に発振器を停止させると適当なリセットが生じな
い。従って、コンデンサ33は発振器の停止を少し遅れ
させるために使用され、以って必要とされる6つのクロ
ック・サイクルを発生させリセット機能を完了させる。
リセット端子24に結合される。抵抗31とコンデンサ
32によシ、電源が再供給されるときリセット電圧がV
十電圧より遅れ、以−りてリセット後マイクロプロセッ
サ11が動作を開始する少し前に発振器14は発振を開
始することができる。コンデンサ33がバイアス線29
と大地間に接続される。コンデンサ33は好ましい実施
例として選択された例示的マイクロプロセッサ11のた
めに必要である。このマイクロプロセッサは、リセット
機能を完了するためにリセット・ビンが低くなった後発
振器の6サイクルを必要とする。リセット線が低くなる
と同時に発振器を停止させると適当なリセットが生じな
い。従って、コンデンサ33は発振器の停止を少し遅れ
させるために使用され、以って必要とされる6つのクロ
ック・サイクルを発生させリセット機能を完了させる。
動作において、適当なバイアス電圧がマイクロプロセッ
サ11と電源損失検出回路26の両方に存在するときは
、トランジスタ28は非導通状態であり、ライン29は
高い状態にありバイアス電圧−トVawをアナログのイ
ンターフェース装置18に供給する。電源損失検出回路
26がバイアス電圧Vinの損失を検出すると、トラン
ジスタ28は導通状態になり、マイクロプロセッサ11
のリセット端子24を低くシ、且つインターフェース族
@18に+Vswのバイアス電圧を供給しなくなる。
サ11と電源損失検出回路26の両方に存在するときは
、トランジスタ28は非導通状態であり、ライン29は
高い状態にありバイアス電圧−トVawをアナログのイ
ンターフェース装置18に供給する。電源損失検出回路
26がバイアス電圧Vinの損失を検出すると、トラン
ジスタ28は導通状態になり、マイクロプロセッサ11
のリセット端子24を低くシ、且つインターフェース族
@18に+Vswのバイアス電圧を供給しなくなる。
コンデンサ33が放電してインターフニス装置18の端
子19が低インピーダンスになると、マイクロプロセッ
サ11の発振器入力端子12に負荷がかかり、マイクロ
プロセッサ11の発振器が停止される。次いで、コンデ
ンサ17の電荷はマイクロプロセッサ11の揮発性メモ
リ中に貯えられたデータを保持する目的のためだけに利
用される。
子19が低インピーダンスになると、マイクロプロセッ
サ11の発振器入力端子12に負荷がかかり、マイクロ
プロセッサ11の発振器が停止される。次いで、コンデ
ンサ17の電荷はマイクロプロセッサ11の揮発性メモ
リ中に貯えられたデータを保持する目的のためだけに利
用される。
バイアス電圧がシステムに回復されると、トランジスタ
28はターン・オフとなり、インターフェース装置18
への+Vsw電圧が回復される。入力電圧Vinが回復
すると、インターフェース装面チッf18の端子19は
高インピーダンス状態に戻り、マイクロプロセッサ11
の発振器は動作し始める。
28はターン・オフとなり、インターフェース装置18
への+Vsw電圧が回復される。入力電圧Vinが回復
すると、インターフェース装面チッf18の端子19は
高インピーダンス状態に戻り、マイクロプロセッサ11
の発振器は動作し始める。
第1図は、本発明の最も簡単で、最も安価々好ましい実
施例である。 第2図は、本発明の第2の好ましい実施例である。 11・・・マイクロプロセッサ、14・・・発振器、1
7・・・コンデンサ、18・・・アナログのインターフ
ェース装置(AIU)、21・・・抵抗、22・・・デ
ータ・パス、26・・・電源損失検出回路。
施例である。 第2図は、本発明の第2の好ましい実施例である。 11・・・マイクロプロセッサ、14・・・発振器、1
7・・・コンデンサ、18・・・アナログのインターフ
ェース装置(AIU)、21・・・抵抗、22・・・デ
ータ・パス、26・・・電源損失検出回路。
Claims (1)
- (1)第1および第2の論理装置を含む電子装置用のメ
モリ保持システムであって、前記第1および第2の論理
装置は該論理装置の中の一方と複合的に関連づけられる
共通の発振器によりクロック制御され、前記論理装置の
各々はバイアス電圧を受け取るとき第1のインピーダン
スを示し、前記バイアス電圧が許容レベル以下に下がる
と第2のインピーダンスを示す発振器入力端子を含んで
おり、また前記論理装置の各々はメモリを含んでおり、
前記第1の論理装置のメモリは前記バイアス電圧が許容
レベル以下に下がると、貯えられたデータが失われる揮
発性であり、 前記バイアス電圧に応答し、前記揮発性メモリを含んで
いる前記第1の論理装置に関連づけられ、前記バイアス
電圧が前記許容レベル以下に下がった後予め定められる
時間の間前記揮発性メモリへの電圧を保持する電荷蓄積
手段と、 前記第1および第2の論理装置の前記発振器入力端子を
結合し、前記バイアス電圧が前記許容レベル以下に下が
るとき前記発振器を停止させる手段とを含む、前記メモ
リ保持システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/190,437 US4943961A (en) | 1988-05-05 | 1988-05-05 | Memory retention system for volatile memory devices |
| US190437 | 1994-02-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212546A true JPH0212546A (ja) | 1990-01-17 |
| JPH0754486B2 JPH0754486B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=22701354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1112357A Expired - Fee Related JPH0754486B2 (ja) | 1988-05-05 | 1989-05-02 | メモリ保持システム |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4943961A (ja) |
| JP (1) | JPH0754486B2 (ja) |
| KR (1) | KR0138768B1 (ja) |
| CN (1) | CN1019159B (ja) |
| CA (1) | CA1321833C (ja) |
| MY (1) | MY103849A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000055503A (ko) * | 1999-02-06 | 2000-09-05 | 밍 루 | 가스 스프링의 피스톤 조립체 |
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-
1988
- 1988-05-05 US US07/190,437 patent/US4943961A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-03-15 MY MYPI89000325A patent/MY103849A/en unknown
- 1989-03-23 CA CA000594595A patent/CA1321833C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-02 KR KR1019890005889A patent/KR0138768B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-02 CN CN89103023A patent/CN1019159B/zh not_active Expired
- 1989-05-02 JP JP1112357A patent/JPH0754486B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0138768B1 (ko) | 1998-06-01 |
| US4943961A (en) | 1990-07-24 |
| CN1037611A (zh) | 1989-11-29 |
| JPH0754486B2 (ja) | 1995-06-07 |
| MY103849A (en) | 1993-09-30 |
| CA1321833C (en) | 1993-08-31 |
| CN1019159B (zh) | 1992-11-18 |
| KR890017708A (ko) | 1989-12-16 |
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|---|---|---|---|
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