JPH021276B2 - - Google Patents
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- JPH021276B2 JPH021276B2 JP56018016A JP1801681A JPH021276B2 JP H021276 B2 JPH021276 B2 JP H021276B2 JP 56018016 A JP56018016 A JP 56018016A JP 1801681 A JP1801681 A JP 1801681A JP H021276 B2 JPH021276 B2 JP H021276B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
Landscapes
- Monitoring And Testing Of Nuclear Reactors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は加圧水型原子炉（PWR）の負荷追
従運転方法に関するもので、特にほう素濃度変化
幅及び排出水量を小とする負荷追従運転方法に関
するものである。
従運転方法に関するもので、特にほう素濃度変化
幅及び排出水量を小とする負荷追従運転方法に関
するものである。
従来、加圧水型原子炉の反応度制御は制御棒の
挿入、引抜き及びほう素濃度変化によつて行つて
いる。制御棒による制御は速い反応度変化ができ
るが、炉心上部から制御棒を挿入するので、挿入
に従がい軸方向出力分布が歪んでくるという問題
がある。一方ほう素濃度変化系は１次冷却材中の
ほう素濃度を増減させるもので、軸方向出力分布
の問題はないが、大量の水を取扱わなければなら
ないので、反応度変化が遅いという問題点があ
る。
挿入、引抜き及びほう素濃度変化によつて行つて
いる。制御棒による制御は速い反応度変化ができ
るが、炉心上部から制御棒を挿入するので、挿入
に従がい軸方向出力分布が歪んでくるという問題
がある。一方ほう素濃度変化系は１次冷却材中の
ほう素濃度を増減させるもので、軸方向出力分布
の問題はないが、大量の水を取扱わなければなら
ないので、反応度変化が遅いという問題点があ
る。
負荷追従運転のように、炉心の出力変動がある
場合の反応度変化について見ると、第１Ａ図に線
１で示すような出力レベル変化があつた場合、反
応度変化は出力レベル変化に伴なう第１Ｂ図の実
線２で示すような反応度変化（これを出力欠損分
という）及び点線３で示すようなキセノン（Xe）
変化による反応度変化の２つから成立つている。
そして出力欠損は第２図に典型例を示しているよ
うに、燃料温度変化によるドツプラー効果の出力
欠損すなわち図に１点鎖線４で示すものと、１次
冷却材の炉心平均温度変化による図中点線５で示
す出力欠損分との合計、図中実線６で示すように
なる。
場合の反応度変化について見ると、第１Ａ図に線
１で示すような出力レベル変化があつた場合、反
応度変化は出力レベル変化に伴なう第１Ｂ図の実
線２で示すような反応度変化（これを出力欠損分
という）及び点線３で示すようなキセノン（Xe）
変化による反応度変化の２つから成立つている。
そして出力欠損は第２図に典型例を示しているよ
うに、燃料温度変化によるドツプラー効果の出力
欠損すなわち図に１点鎖線４で示すものと、１次
冷却材の炉心平均温度変化による図中点線５で示
す出力欠損分との合計、図中実線６で示すように
なる。
ドツプラー効果の出力欠損の方は炉心の寿命中
余り変化しないが、温度変化の出力欠損の方は寿
命末期になるに従つて大きくなるので、全体の出
力欠損は第３図に実線７で典型例を示すように、
寿命末期で大きくなつてくる。
余り変化しないが、温度変化の出力欠損の方は寿
命末期になるに従つて大きくなるので、全体の出
力欠損は第３図に実線７で典型例を示すように、
寿命末期で大きくなつてくる。
出力変動中の反応度変化のうち、出力欠損分は
制御棒の挿入、引抜で補償すれば、早い出力変化
にも対応でき、Xe変化分はゆつくりした変化で
あるので、ほう素濃度変化で対応すればよいこと
になる。
制御棒の挿入、引抜で補償すれば、早い出力変化
にも対応でき、Xe変化分はゆつくりした変化で
あるので、ほう素濃度変化で対応すればよいこと
になる。
しかし、100％から50％出力への変化では、出
力欠損は約0.7％△ρ程度であり、一方制御に通
常使われている制御棒バンクＤは全挿入で約1.0
〜1.4％△ρ程度の制御棒ワースがあるので、制
御棒だけで出力欠損分を補償しようとすると、制
御棒を炉心の中央より下へ深く挿入する必要があ
る。制御棒を深く挿入すると、軸方向出力分布が
大きく歪んで来ることは先にも記載した通りで、
その後Xeによる出力分布振動等も起つて来て問
題となる。このような軸方向出力分布の歪みを避
けるために、最近では、制御棒を余り深く挿入し
ないで出力変動を行うことが、標準的運転方法と
なつている。
力欠損は約0.7％△ρ程度であり、一方制御に通
常使われている制御棒バンクＤは全挿入で約1.0
〜1.4％△ρ程度の制御棒ワースがあるので、制
御棒だけで出力欠損分を補償しようとすると、制
御棒を炉心の中央より下へ深く挿入する必要があ
る。制御棒を深く挿入すると、軸方向出力分布が
大きく歪んで来ることは先にも記載した通りで、
その後Xeによる出力分布振動等も起つて来て問
題となる。このような軸方向出力分布の歪みを避
けるために、最近では、制御棒を余り深く挿入し
ないで出力変動を行うことが、標準的運転方法と
なつている。
標準的な負荷追従運転中の出力レベル変化を第
４Ａ図に、制御棒挿入度を第４Ｂ図に、ほう素濃
度変化を第４Ｃ図にそれぞれ示し、図中線１で示
す出力変化がある場合、制御棒は第４Ｂ図の線８
で示すようにその挿入度が変化し、これに伴な
い、第４Ｃ図に曲線９で示すほう素濃度変化は出
力欠損分とXe分が混在した形で、複雑な曲線と
なる。また、この例ではほう素濃度変化幅は約
90PPm程度もあり、毎日このような負荷追従運
転を行なうとすると、１日当り約90PPmのほう
素希釈が必要となる。ほう素は１次冷却材全量中
に混入されているので、ほう素希釈を行なうため
には１次冷却材水を排出し、代わりに純水を注入
することが必要となる。運転中のほう素濃度は、
寿命初期の約1000PPmから寿命末期の約100PPm
まで炉心の燃焼と共に単調に減少する。このた
め、寿命末期に近くなり、ほう素濃度が小さくな
ると、ほう素希釈のためには大量の排出水を外に
出して処理することが必要となる。すなわち排出
水及び排出放射能物質が増大するという問題が生
ずる。従つて、実際の負荷追従運転では、この排
出水の処理能力の点から、寿命末期近くでの運転
が制約されることになる。また寿命末期近くでは
当然単位時間当りのほう素濃度希釈速度にも制約
が生じてくるので、この点からも、第４Ｃ図の曲
線９で示すような急激なほう素濃度変化はできな
いようになる。
４Ａ図に、制御棒挿入度を第４Ｂ図に、ほう素濃
度変化を第４Ｃ図にそれぞれ示し、図中線１で示
す出力変化がある場合、制御棒は第４Ｂ図の線８
で示すようにその挿入度が変化し、これに伴な
い、第４Ｃ図に曲線９で示すほう素濃度変化は出
力欠損分とXe分が混在した形で、複雑な曲線と
なる。また、この例ではほう素濃度変化幅は約
90PPm程度もあり、毎日このような負荷追従運
転を行なうとすると、１日当り約90PPmのほう
素希釈が必要となる。ほう素は１次冷却材全量中
に混入されているので、ほう素希釈を行なうため
には１次冷却材水を排出し、代わりに純水を注入
することが必要となる。運転中のほう素濃度は、
寿命初期の約1000PPmから寿命末期の約100PPm
まで炉心の燃焼と共に単調に減少する。このた
め、寿命末期に近くなり、ほう素濃度が小さくな
ると、ほう素希釈のためには大量の排出水を外に
出して処理することが必要となる。すなわち排出
水及び排出放射能物質が増大するという問題が生
ずる。従つて、実際の負荷追従運転では、この排
出水の処理能力の点から、寿命末期近くでの運転
が制約されることになる。また寿命末期近くでは
当然単位時間当りのほう素濃度希釈速度にも制約
が生じてくるので、この点からも、第４Ｃ図の曲
線９で示すような急激なほう素濃度変化はできな
いようになる。
ほう素濃度変化における以上のような問題点を
解決するために、負荷追従運転中のほう素濃度変
化を極力小さいものにし、排出水量を少なくする
運転方法を提供することがこの発明の目的であ
る。この目的を達成するために、この発明による
負荷追従運転方法は、ほう素濃度変化を減らした
分の反応度変化は制御棒で補償するが、制御棒で
反応度変化を補償するためには、正の反応度が添
加されると制御棒を炉心中に挿入し、負の反応度
が添加されると制御棒を炉心から引き抜く。即
ち、主として制御棒で反応度補償をすると、炉心
中での制御棒の挿入及び引き抜きによる移動が多
くなる。また、制御棒が炉心中に深く挿入される
と軸方向出力分布は炉心下部に歪み、制御棒を炉
心より引き抜くと平坦な軸方向出力分布に戻つて
くる。制御棒が従来の方法よりも多く移動するこ
とになると、軸方向出力分布制御が困難となるの
で、出力上昇前の制御棒の位置を調整し、かつ段
階的に全出力まで出力上昇することによつて、軸
方向出力分布制御を大きな歪なしに行なうことを
特徴としている。
解決するために、負荷追従運転中のほう素濃度変
化を極力小さいものにし、排出水量を少なくする
運転方法を提供することがこの発明の目的であ
る。この目的を達成するために、この発明による
負荷追従運転方法は、ほう素濃度変化を減らした
分の反応度変化は制御棒で補償するが、制御棒で
反応度変化を補償するためには、正の反応度が添
加されると制御棒を炉心中に挿入し、負の反応度
が添加されると制御棒を炉心から引き抜く。即
ち、主として制御棒で反応度補償をすると、炉心
中での制御棒の挿入及び引き抜きによる移動が多
くなる。また、制御棒が炉心中に深く挿入される
と軸方向出力分布は炉心下部に歪み、制御棒を炉
心より引き抜くと平坦な軸方向出力分布に戻つて
くる。制御棒が従来の方法よりも多く移動するこ
とになると、軸方向出力分布制御が困難となるの
で、出力上昇前の制御棒の位置を調整し、かつ段
階的に全出力まで出力上昇することによつて、軸
方向出力分布制御を大きな歪なしに行なうことを
特徴としている。
従来の運転方法では、ほう素濃度変化幅を縮小
しようとすると、制御棒挿入及び引抜が多くな
り、軸方向出力分布制御が難しくなる。この発明
においては、出力低下時及びその後数時間内の
Xe増加時にも反応度補償は全て制御棒自動制御
で行ない、ほう素濃度変化をさせない。さらに制
御棒が引抜かれて、約20％〜25％挿入度になり、
アキシヤル・オフセツト（A.φ.）が全出力での
定常値−（５％〜10％）程度に近付いて来たら、
必要に応じてほう素希釈をして、制御棒をその位
置に保持する。ここで、炉心の軸方向出力分布歪
みの指標であるアキシヤル・オフセツト（A.φ.）
は、qT、qBをそれぞれ炉心上半部及び下半部の出
力とすると、 A.φ.＝qT−qB／qT＋qB×100（％） で定義される。出力上昇にはまず制御棒を全引抜
にして可能なところまで出力上昇させ、この出力
レベルで数時間保ち、この間のXe減少による反
応度補償は制御棒を挿入して行なう。再び制御棒
を全引抜にして出力上昇し、この出力レベルで数
時間保ち、制御棒挿入でXe分を補償する。この
手順を繰返して全出力まで達する。通常は約３〜
４時間で全出力に復帰できる。このようなやり方
で全出力に復帰した後の軸方向出力分布は、大き
な振動も起こらず容易に制御できる。
しようとすると、制御棒挿入及び引抜が多くな
り、軸方向出力分布制御が難しくなる。この発明
においては、出力低下時及びその後数時間内の
Xe増加時にも反応度補償は全て制御棒自動制御
で行ない、ほう素濃度変化をさせない。さらに制
御棒が引抜かれて、約20％〜25％挿入度になり、
アキシヤル・オフセツト（A.φ.）が全出力での
定常値−（５％〜10％）程度に近付いて来たら、
必要に応じてほう素希釈をして、制御棒をその位
置に保持する。ここで、炉心の軸方向出力分布歪
みの指標であるアキシヤル・オフセツト（A.φ.）
は、qT、qBをそれぞれ炉心上半部及び下半部の出
力とすると、 A.φ.＝qT−qB／qT＋qB×100（％） で定義される。出力上昇にはまず制御棒を全引抜
にして可能なところまで出力上昇させ、この出力
レベルで数時間保ち、この間のXe減少による反
応度補償は制御棒を挿入して行なう。再び制御棒
を全引抜にして出力上昇し、この出力レベルで数
時間保ち、制御棒挿入でXe分を補償する。この
手順を繰返して全出力まで達する。通常は約３〜
４時間で全出力に復帰できる。このようなやり方
で全出力に復帰した後の軸方向出力分布は、大き
な振動も起こらず容易に制御できる。
第５Ａ〜５Ｃ図はこの発明による運転方法の場
合を例示したもので、出力レベル変化を第５Ａ図
の線１０で、制御棒挿入度を第５Ｂ図の線１１
で、ほう素濃度変化を第５Ｃ図の曲線１２でそれ
ぞれ時間に対して示している。第５Ｂ図の線１１
で示すように、制御棒移動が多く、第５Ｃ図の曲
線１２が示すように、ほう素濃度変化幅は従来方
法による点線９で示すもの（第４Ｃ図の曲線９と
同じ）に比べて、約半分以下に小さくなつてお
り、排出水量もこれに比例して減少することが理
解されるであろう。
合を例示したもので、出力レベル変化を第５Ａ図
の線１０で、制御棒挿入度を第５Ｂ図の線１１
で、ほう素濃度変化を第５Ｃ図の曲線１２でそれ
ぞれ時間に対して示している。第５Ｂ図の線１１
で示すように、制御棒移動が多く、第５Ｃ図の曲
線１２が示すように、ほう素濃度変化幅は従来方
法による点線９で示すもの（第４Ｃ図の曲線９と
同じ）に比べて、約半分以下に小さくなつてお
り、排出水量もこれに比例して減少することが理
解されるであろう。
また、第５Ａ図の線１０に示すように、出力低
下時には、制御棒でステツプ状に出力低下ができ
るので、低出力で６時間維持するパターンで、従
来のものよりも全出力復帰までの時間を短かくで
きる。出力上昇のところは段階的に出力上昇して
行くので、線出力上昇からの燃料棒健全性が悪化
されることもない。また制御棒自動制御運転だけ
で行なえる運転範囲が広くなりほう素濃度変更操
作も減少してくるので、運転操作が容易になる。
下時には、制御棒でステツプ状に出力低下ができ
るので、低出力で６時間維持するパターンで、従
来のものよりも全出力復帰までの時間を短かくで
きる。出力上昇のところは段階的に出力上昇して
行くので、線出力上昇からの燃料棒健全性が悪化
されることもない。また制御棒自動制御運転だけ
で行なえる運転範囲が広くなりほう素濃度変更操
作も減少してくるので、運転操作が容易になる。
第３図の線７に見られるように、寿命末期にな
ると出力欠損が大きくなつてくるため、出力低下
時に挿入される制御棒も深くなり、これを引抜い
てその後のXe増加に全て対応することが可能と
なる。この関係は第６図に例示するように、出力
低下時に挿入される制御棒反応度、即ち出力変化
に相当する出力欠損と出力低下後のキセノン増加
による反応度変化とをほう素濃度変化に換算して
示している。第６図中の実線１３，１４は夫々寿
命初期及び末期における出力低下後６時間目まで
のキセノン反応度変化に相当するほう素濃度変化
を表わし、また、点線１５，１６は夫々寿命初期
および末期において制御棒挿入により得られる出
力欠損相当のほう素濃度変化に換算して表わして
いる。即ち点線１５，１６は寿命初期および末期
において制御棒を引抜くことにより得られる正の
反応度を表わしているので、実線が点線より下側
にある出力変化巾領域では、出力低下時およびそ
の後の低出力レベルでのキセノン反応度変化はほ
う素濃度変化によらず全て制御棒引抜で対応でき
ることを示している。寿命初期においては実線１
３が点線１５より下側にある範囲Ａ、又寿命末期
においては実線１４がほぼ全出力変化巾にわたつ
て点線１６より下側にある範囲で制御棒操作によ
りキセノン反応度を補償できることを示してい
る。
ると出力欠損が大きくなつてくるため、出力低下
時に挿入される制御棒も深くなり、これを引抜い
てその後のXe増加に全て対応することが可能と
なる。この関係は第６図に例示するように、出力
低下時に挿入される制御棒反応度、即ち出力変化
に相当する出力欠損と出力低下後のキセノン増加
による反応度変化とをほう素濃度変化に換算して
示している。第６図中の実線１３，１４は夫々寿
命初期及び末期における出力低下後６時間目まで
のキセノン反応度変化に相当するほう素濃度変化
を表わし、また、点線１５，１６は夫々寿命初期
および末期において制御棒挿入により得られる出
力欠損相当のほう素濃度変化に換算して表わして
いる。即ち点線１５，１６は寿命初期および末期
において制御棒を引抜くことにより得られる正の
反応度を表わしているので、実線が点線より下側
にある出力変化巾領域では、出力低下時およびそ
の後の低出力レベルでのキセノン反応度変化はほ
う素濃度変化によらず全て制御棒引抜で対応でき
ることを示している。寿命初期においては実線１
３が点線１５より下側にある範囲Ａ、又寿命末期
においては実線１４がほぼ全出力変化巾にわたつ
て点線１６より下側にある範囲で制御棒操作によ
りキセノン反応度を補償できることを示してい
る。
従つて、寿命末期近くでは出力低下、その後の
低出力レベル及び出力上昇時ではほぼ制御棒自動
制御運転だけでカバーでき、ほう素濃度変化は不
要となる。この場合はほう素濃度変化が必要なの
は、出力上昇後のXeオーバーシユートによる僅
かな部分のみであるため、寿命末期まで、負荷追
従運転を続けることが可能となる。
低出力レベル及び出力上昇時ではほぼ制御棒自動
制御運転だけでカバーでき、ほう素濃度変化は不
要となる。この場合はほう素濃度変化が必要なの
は、出力上昇後のXeオーバーシユートによる僅
かな部分のみであるため、寿命末期まで、負荷追
従運転を続けることが可能となる。
この発明の運転方法によれば、ほう素濃度変化
をあまり大きくせず、全出力での軸方向出力分布
も歪ませずに負荷追従運転が可能である。１例と
して、第１サイクル寿命初期及び寿命末期におい
て、100％出力から50％出力にステツプ状に出力
低下し、50％出力で６時間保つた後、段階的に全
出力に復帰する負荷追従運転について、電子計算
機を使用して１次元拡散コードで計算した例を、
寿命初期の例を第７Ａ〜７Ｄ図、寿命末期を第８
Ａ−８Ｄ図に示す。計算上の簡略化のために、制
御棒移動は連続的に行わず、30分間隔程度にまと
めているため、第７Ｃ及び８Ｃ図の線１９，２４
で示すＡ・φ・及び第７Ｄ及び８Ｄ図に線２１，
２６で示すほう素濃度変化の曲線がぎざぎざにな
つているが、実際にはこれらの曲線の平均値をと
おることになる。なお、図中線１７，２２が出力
レベル、線１８，２３が制御棒挿入度、線２０，
２５が全出力での定常値を示している。第７Ｃ及
び第８Ｃ図の線１９，２４に示すＡ・φ・は全出
力復帰後、定常的な値に戻り、Xe振動などは起
らないこと、及び第７Ｄ及び８Ｄ図の曲線２１，
２６で示すように、ほう素濃度変化幅は従来のも
の（第４Ｃ図線９）より、約半分以下に縮小され
ていることがわかる。制御棒の動き方も寿命初
期、末期も似たようなものであり、出力低下後２
〜３時間で約25％挿入に保持すればよい。
をあまり大きくせず、全出力での軸方向出力分布
も歪ませずに負荷追従運転が可能である。１例と
して、第１サイクル寿命初期及び寿命末期におい
て、100％出力から50％出力にステツプ状に出力
低下し、50％出力で６時間保つた後、段階的に全
出力に復帰する負荷追従運転について、電子計算
機を使用して１次元拡散コードで計算した例を、
寿命初期の例を第７Ａ〜７Ｄ図、寿命末期を第８
Ａ−８Ｄ図に示す。計算上の簡略化のために、制
御棒移動は連続的に行わず、30分間隔程度にまと
めているため、第７Ｃ及び８Ｃ図の線１９，２４
で示すＡ・φ・及び第７Ｄ及び８Ｄ図に線２１，
２６で示すほう素濃度変化の曲線がぎざぎざにな
つているが、実際にはこれらの曲線の平均値をと
おることになる。なお、図中線１７，２２が出力
レベル、線１８，２３が制御棒挿入度、線２０，
２５が全出力での定常値を示している。第７Ｃ及
び第８Ｃ図の線１９，２４に示すＡ・φ・は全出
力復帰後、定常的な値に戻り、Xe振動などは起
らないこと、及び第７Ｄ及び８Ｄ図の曲線２１，
２６で示すように、ほう素濃度変化幅は従来のも
の（第４Ｃ図線９）より、約半分以下に縮小され
ていることがわかる。制御棒の動き方も寿命初
期、末期も似たようなものであり、出力低下後２
〜３時間で約25％挿入に保持すればよい。
以上のように、この発明の負荷追従運転方法に
よれば、従来の方法の欠点であつた寿命末期での
負荷追従運転制約を解消することができ、ほう素
濃度変化幅が従来のものより大幅に縮小されるの
で、１次冷却材からの排水量を大幅に低下させる
ことができ、排出水の処理操作を減らし、かつ制
御棒自動運転範囲を拡大して、負荷追従運転中の
運転性を大幅に向上させることができる。
よれば、従来の方法の欠点であつた寿命末期での
負荷追従運転制約を解消することができ、ほう素
濃度変化幅が従来のものより大幅に縮小されるの
で、１次冷却材からの排水量を大幅に低下させる
ことができ、排出水の処理操作を減らし、かつ制
御棒自動運転範囲を拡大して、負荷追従運転中の
運転性を大幅に向上させることができる。
第１Ａ図は負荷追従運転における出力レベルの
時間に伴なう変化の１例を示す線図、第１Ｂ図は
第１Ａ図の出力レベル変化に伴なう反応度変化を
示す線図、第２図は出力レベルに対する出力欠損
を示す線図、第３図は炉心寿命に対する出力欠損
を示す線図、第４Ａ図は標準的な負荷追従運転中
の時間対出力レベル変化を示す線図、第４Ｂ図は
制御棒挿入度、第４Ｃ図はほう素濃度変化を示す
線図、第５Ａ図はこの発明による運転方法の場合
の出力レベル変化、第５Ｂ図は制御棒挿入度、第
５Ｃ図はほう素濃度変化をそれぞれ示す線図、第
６図はほう素濃度変化と出力欠損との関係を示す
線図、第７Ａ図及び第８Ａ図はそれぞれ寿命初期
及び末期のこの発明による負荷追従運転の計算例
を示す出力レベルの線図、第７Ｂ、図第８Ｂ図は
制御棒挿入度を第７Ｃ及び８Ｃ図はアキシヤルオ
フセツト（Ａ・φ・）を第７Ｄ及び８Ｄ図はほう
素濃度変化をそれぞれ示す線図である。 図中、１，１０，１７，２２……出力レベルを
示す線、２……出力欠損分、３……Xe変化分、
４，５，６……出力欠損、７……炉心寿命に対す
る出力欠損、８……制御棒挿入後を示す実線、９
……ほう素濃度変化を示す曲線、１１……この発
明による制御棒挿入度を示す線、１２……この発
明によるほう素濃度変化を示す曲線。
時間に伴なう変化の１例を示す線図、第１Ｂ図は
第１Ａ図の出力レベル変化に伴なう反応度変化を
示す線図、第２図は出力レベルに対する出力欠損
を示す線図、第３図は炉心寿命に対する出力欠損
を示す線図、第４Ａ図は標準的な負荷追従運転中
の時間対出力レベル変化を示す線図、第４Ｂ図は
制御棒挿入度、第４Ｃ図はほう素濃度変化を示す
線図、第５Ａ図はこの発明による運転方法の場合
の出力レベル変化、第５Ｂ図は制御棒挿入度、第
５Ｃ図はほう素濃度変化をそれぞれ示す線図、第
６図はほう素濃度変化と出力欠損との関係を示す
線図、第７Ａ図及び第８Ａ図はそれぞれ寿命初期
及び末期のこの発明による負荷追従運転の計算例
を示す出力レベルの線図、第７Ｂ、図第８Ｂ図は
制御棒挿入度を第７Ｃ及び８Ｃ図はアキシヤルオ
フセツト（Ａ・φ・）を第７Ｄ及び８Ｄ図はほう
素濃度変化をそれぞれ示す線図である。 図中、１，１０，１７，２２……出力レベルを
示す線、２……出力欠損分、３……Xe変化分、
４，５，６……出力欠損、７……炉心寿命に対す
る出力欠損、８……制御棒挿入後を示す実線、９
……ほう素濃度変化を示す曲線、１１……この発
明による制御棒挿入度を示す線、１２……この発
明によるほう素濃度変化を示す曲線。
Claims (1)
- １ 炉心への制御棒挿入により出力低下を急速に
行ないその後のキセノン増加による反応度減少は
制御棒を引抜いて補償し、制御棒が約20〜25％挿
入程度に達しアキシヤルオフセツトが全出力の定
常値より約５〜10％程度負側に達した後は、ほう
素濃度変化による制御で制御棒はその位置に保持
し、その後の出力上昇にあたつては制御棒引抜に
よりステツプ状に出力上昇させ、出力上昇後のキ
セノン減少による反応度増加を制御棒の再挿入に
より補償し、数時間経過後再び制御棒を引抜いて
ステツプ状に出力上昇し、全出力に達するまでこ
れを繰返すことを特徴とする負荷追従運転方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56018016A JPS57133395A (en) | 1981-02-12 | 1981-02-12 | Following-up operation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56018016A JPS57133395A (en) | 1981-02-12 | 1981-02-12 | Following-up operation method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57133395A JPS57133395A (en) | 1982-08-18 |
| JPH021276B2 true JPH021276B2 (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=11959866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56018016A Granted JPS57133395A (en) | 1981-02-12 | 1981-02-12 | Following-up operation method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57133395A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12191044B2 (en) * | 2019-12-12 | 2025-01-07 | Framatome Gmbh | Using xenon concentration in controlling a nuclear power plant |
-
1981
- 1981-02-12 JP JP56018016A patent/JPS57133395A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57133395A (en) | 1982-08-18 |
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