JPH02128487A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02128487A JPH02128487A JP63281666A JP28166688A JPH02128487A JP H02128487 A JPH02128487 A JP H02128487A JP 63281666 A JP63281666 A JP 63281666A JP 28166688 A JP28166688 A JP 28166688A JP H02128487 A JPH02128487 A JP H02128487A
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- exposed
- positive photoresist
- film
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法、特に単一波長で発振する位相シ
フト分布帰還型レーザを製造する方法に関し、 導波路の段差をなくして、位相シフト分布帰還型レーザ
の性能向上を図ることを目的とし、半導体基板上にポジ
ティブホトレジスト膜を塗布し、露光手段により該ポジ
ティブホトレジスト膜よりなる周期的な縞状のパターン
を形成する工程と、ネガティブホトレジスト膜を塗布し
て、該周期的な縞状のパターンの間を埋める工程と、該
周期的な縞状のパターンにほぼ平行に、その一部を覆っ
て他の部分に露出するネガティブホトレジストとポジテ
ィブホトレジストを露光する工程と、該ネガティブホト
レジスト膜と該ポジティブホトレジスト膜とをそれぞれ
現像し、前記露光されたポジティブホトレジストを除去
し、前記露光されなかったネガティブホトレジストを除
去する工程と、該残存したポジティブおよびネガティブ
ホトレジスト膜をマスクとして前記半導体基板を蝕刻す
る工程とを含み構成する。
フト分布帰還型レーザを製造する方法に関し、 導波路の段差をなくして、位相シフト分布帰還型レーザ
の性能向上を図ることを目的とし、半導体基板上にポジ
ティブホトレジスト膜を塗布し、露光手段により該ポジ
ティブホトレジスト膜よりなる周期的な縞状のパターン
を形成する工程と、ネガティブホトレジスト膜を塗布し
て、該周期的な縞状のパターンの間を埋める工程と、該
周期的な縞状のパターンにほぼ平行に、その一部を覆っ
て他の部分に露出するネガティブホトレジストとポジテ
ィブホトレジストを露光する工程と、該ネガティブホト
レジスト膜と該ポジティブホトレジスト膜とをそれぞれ
現像し、前記露光されたポジティブホトレジストを除去
し、前記露光されなかったネガティブホトレジストを除
去する工程と、該残存したポジティブおよびネガティブ
ホトレジスト膜をマスクとして前記半導体基板を蝕刻す
る工程とを含み構成する。
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造方法、特に単一波長で発振
する位相シフト分布帰還型レーザを製造する方法に関す
る。
する位相シフト分布帰還型レーザを製造する方法に関す
る。
近時、光通信用あるいは光計測用などに、単一波長で安
定して発振させることが可能な分布帰還型（Ｄ Ｆ Ｂ
： Ｄ １ｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ＦｅｅｄＢａｃｋ）
レーザの要求が高まり、更に高性能なレーザ特性を示す
ものとして、位相（例えばλ／４）シフトＤＦＢレーザ
が開発されている。
定して発振させることが可能な分布帰還型（Ｄ Ｆ Ｂ
： Ｄ １ｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ＦｅｅｄＢａｃｋ）
レーザの要求が高まり、更に高性能なレーザ特性を示す
ものとして、位相（例えばλ／４）シフトＤＦＢレーザ
が開発されている。
λ／４シフトＤＦＢレーザは、従来のＦＰ（ファブリ・
ペロー）レーザと異なり、端面反射を利用せずに回折格
子の反射を利用してレーザ発振させることを特徴とし、
かつ単一波長のレーザをうるため、レーザを発する活性
層に隣接する導波路層と基板との界面の反射壁に、レー
ザの進行方向に平行に周期性をもち、かつデバイスのほ
ぼ中央で位相が反転するような、即ち普通のＤＦＢレー
ザの回折格子のほぼ中央で左右の位相が十Δ／４Δ／４
ずれた回折格子（Ａは回折格子の１周期の長さ）となる
ように形成したものである。
ペロー）レーザと異なり、端面反射を利用せずに回折格
子の反射を利用してレーザ発振させることを特徴とし、
かつ単一波長のレーザをうるため、レーザを発する活性
層に隣接する導波路層と基板との界面の反射壁に、レー
ザの進行方向に平行に周期性をもち、かつデバイスのほ
ぼ中央で位相が反転するような、即ち普通のＤＦＢレー
ザの回折格子のほぼ中央で左右の位相が十Δ／４Δ／４
ずれた回折格子（Ａは回折格子の１周期の長さ）となる
ように形成したものである。
こうすることによって、主モードであるブラッグ波長の
みの単一波長で、かつ最も低い闇値利得で安定して発振
するレーザ光が得られるようにするものである。
みの単一波長で、かつ最も低い闇値利得で安定して発振
するレーザ光が得られるようにするものである。
この技術を用いた回折格子を形成する際には、回折格子
の形状（周期・形状寸法等）を均一に形成することが極
めて重要である。
の形状（周期・形状寸法等）を均一に形成することが極
めて重要である。
〔従来の技術］
次に、図を参照しながら、従来の製造方法を説明する。
第３図（ａ）〜（ｈ）は、従来例に係るλ／４ＤＦＢレ
ーザの製造方法を説明する断面図である。
ーザの製造方法を説明する断面図である。
同図（ａ）において、ネガティブホトレジスト膜１０２
とポジティブホトレジスト膜１０３とをｎＩｎＰ１０１
Ｉｎ上に順次塗布・ベーキングして形成する。
とポジティブホトレジスト膜１０３とをｎＩｎＰ１０１
Ｉｎ上に順次塗布・ベーキングして形成する。
次に同図（ｂ）のように、ポジティブホトレジスト膜１
０３をパターニングして一部残す。
０３をパターニングして一部残す。
次に同図（ｃ）のように、ポジティブホトレジスト膜１
０３をマスクにして、ネガティブホトレジスト膜１０２
を、硫酸ＣＩＩ□ＳＯ４：ｌ／過酸化水素（Ｈ２０□〕
系の溶液で溶解し、パターニングする。
０３をマスクにして、ネガティブホトレジスト膜１０２
を、硫酸ＣＩＩ□ＳＯ４：ｌ／過酸化水素（Ｈ２０□〕
系の溶液で溶解し、パターニングする。
次に同図（ｄ）に示すように、ポジティブホトレジスト
膜１０３を除去した後、再び全面に新しいポジティブホ
トレジスト膜１０４を塗布・ベーキングして形成する。
膜１０３を除去した後、再び全面に新しいポジティブホ
トレジスト膜１０４を塗布・ベーキングして形成する。
次に同図（ｅ）に示すように、Ｈｅ−Ｃｄレーザ光（λ
、＝３２５０人）を用いた２光束干渉露光法により、明
・暗の周期が２０００〜２４００人の干渉縞をホトレジ
スト膜上に転写する。
、＝３２５０人）を用いた２光束干渉露光法により、明
・暗の周期が２０００〜２４００人の干渉縞をホトレジ
スト膜上に転写する。
しかる後、同図（ｆ）に示すように、先ずポジティブホ
トレジスト膜１０４を現像し、次にネガティブホトレジ
スト膜１０２を現像して、周期的な縞状のパターンを形
成する。
トレジスト膜１０４を現像し、次にネガティブホトレジ
スト膜１０２を現像して、周期的な縞状のパターンを形
成する。
この縞状のパターンは、ポジティブホトレジスト膜１０
４の部分（同図のＰで示す）とネガティブホトレジスト
膜１０２の部分（同図のＮで示す）との境界で、半周期
のずれをもつ。これは、お互いのホトレジスト膜が持つ
逆の光反応の性質、即ちポジティブホトレジスト膜１０
４は露光された部分が除去され、逆にネガティブホトレ
ジスト膜１０２は露光された部分が残存する性質を利用
している。
４の部分（同図のＰで示す）とネガティブホトレジスト
膜１０２の部分（同図のＮで示す）との境界で、半周期
のずれをもつ。これは、お互いのホトレジスト膜が持つ
逆の光反応の性質、即ちポジティブホトレジスト膜１０
４は露光された部分が除去され、逆にネガティブホトレ
ジスト膜１０２は露光された部分が残存する性質を利用
している。
なお、縞状のパターンは、紙面に垂直な方向に延在して
いる。
いる。
次に同図（ｇ）に示すように、ネガティブホトレジスト
膜１０２をマスクとして露出したｎ−ＩｎＰ基ｖｉ、１
０１を一定の深さエツチングする。このときエツチング
されて形成されたｎ−ＴｎＰ基板１０１の凹凸は、上述
の周期的な縞状のパターンと同一になる。
膜１０２をマスクとして露出したｎ−ＩｎＰ基ｖｉ、１
０１を一定の深さエツチングする。このときエツチング
されて形成されたｎ−ＴｎＰ基板１０１の凹凸は、上述
の周期的な縞状のパターンと同一になる。
次に同図（ｈ）に示すように、順次ｎ −１ｎＧａＡｓ
Ｐ層１０５（導波路層） 、 ＩｎＧａＡｓＰ層１０６
（活性層）ｐＪｎＰ層１０７（クラッド層）が堆積され
、所定のλ／４シフトＤＦＢレーザの主要部が形成され
る。
Ｐ層１０５（導波路層） 、 ＩｎＧａＡｓＰ層１０６
（活性層）ｐＪｎＰ層１０７（クラッド層）が堆積され
、所定のλ／４シフトＤＦＢレーザの主要部が形成され
る。
しかし上述の従来方法によると、下記のような問題が生
ずる。
ずる。
即ち、第３図（ｃ）に示すように、ネガティブホトレジ
スト膜１０３を除去するとき、完全に除去するように、
Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２０□系の溶液の浸漬時間を少し過剰に
行う。ところが、このようにするとネガティブホトレジ
スト膜１０２の直下のｎ−１ｎＰ基板１０１も、Ｈ２Ｓ
Ｏ４／Ｈ２Ｏ２系の溶液に曝されてエツチングされる。
スト膜１０３を除去するとき、完全に除去するように、
Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２０□系の溶液の浸漬時間を少し過剰に
行う。ところが、このようにするとネガティブホトレジ
スト膜１０２の直下のｎ−１ｎＰ基板１０１も、Ｈ２Ｓ
Ｏ４／Ｈ２Ｏ２系の溶液に曝されてエツチングされる。
その結果、同図（ｆ）に示すポジティブホトレジスト膜
（Ｐで示す）とネガティブホトレジスト膜（Ｎで示す）
との境界で基板上に段差（同図（ｃ）の破線で示す。）
が生じる。
（Ｐで示す）とネガティブホトレジスト膜（Ｎで示す）
との境界で基板上に段差（同図（ｃ）の破線で示す。）
が生じる。
この段差は、図示するｎｄｎＧａＡｓＰ層（導波路層）
１０５の形成後にも残る。
１０５の形成後にも残る。
導波路層１０５に上記のような段差があると、等価的に
はそこに半透明ミラーがあるのと同じで、不要な反射波
を生じ、各モードの発振波長およびこれに対応している
闇値利得とが変動して段差のない正常に作製されたとき
にとるべき値からずれてくる。このような状態になると
、第２図に示す黒丸で示すように闇値利得差が小さくな
り、レーザは２つの波長を含んだ状態で発振し、所定の
単一波長が得られなくなることがある。
はそこに半透明ミラーがあるのと同じで、不要な反射波
を生じ、各モードの発振波長およびこれに対応している
闇値利得とが変動して段差のない正常に作製されたとき
にとるべき値からずれてくる。このような状態になると
、第２図に示す黒丸で示すように闇値利得差が小さくな
り、レーザは２つの波長を含んだ状態で発振し、所定の
単一波長が得られなくなることがある。
そこで本発明は、かかる従来例の問題点に鑑みて創作さ
れたものであり、導波路層の段差を防止して位相シフト
ＤＦＢレーザの性能の向上を図ることを目的とするもの
である。
れたものであり、導波路層の段差を防止して位相シフト
ＤＦＢレーザの性能の向上を図ることを目的とするもの
である。
上記課題は、半導体基板上にポジティブホトレジスト膜
を塗布し、露光手段により該ポジティブホトレジスト膜
よりなる周期的な縞状のパターンを形成する工程と、ネ
ガティブホトレジスト膜を塗布して、該周期的な縞状の
パターンの間を埋める工程と、該周期的な縞状のパター
ンにほぼ平行に、その一部を覆って他の部分に露出する
ネガティブホトレジストとポジティブホトレジストとを
露光する工程と、該ネガティブホトレジスト膜と該ポジ
ティブホトレジスト膜とをそれぞれ現像し、前記露光さ
れたポジティブホトレジストを除去し、前記露光されな
かったネガティブホトレジストを除去する工程と、該残
存したポジティブおよびネガティブホトレジスト膜をマ
スクとして前記半導体基板を蝕刻する工程とを含むこと
を特徴とする半導体発光装置の製造方法によって達成さ
れる。
を塗布し、露光手段により該ポジティブホトレジスト膜
よりなる周期的な縞状のパターンを形成する工程と、ネ
ガティブホトレジスト膜を塗布して、該周期的な縞状の
パターンの間を埋める工程と、該周期的な縞状のパター
ンにほぼ平行に、その一部を覆って他の部分に露出する
ネガティブホトレジストとポジティブホトレジストとを
露光する工程と、該ネガティブホトレジスト膜と該ポジ
ティブホトレジスト膜とをそれぞれ現像し、前記露光さ
れたポジティブホトレジストを除去し、前記露光されな
かったネガティブホトレジストを除去する工程と、該残
存したポジティブおよびネガティブホトレジスト膜をマ
スクとして前記半導体基板を蝕刻する工程とを含むこと
を特徴とする半導体発光装置の製造方法によって達成さ
れる。
本発明によれば、基板表面の段差生成の原因となる硬化
ネガティブホトレジストをエツチングする工程を経ない
で、境界で一方に対し互いにＡｌ１ずつシフトした、ネ
ガティブホトレジスト膜からなる縞状パターンおよびポ
ジティブホトレジスト膜からなる縞状パターンを作成す
ることができる。
ネガティブホトレジストをエツチングする工程を経ない
で、境界で一方に対し互いにＡｌ１ずつシフトした、ネ
ガティブホトレジスト膜からなる縞状パターンおよびポ
ジティブホトレジスト膜からなる縞状パターンを作成す
ることができる。
従って、これらのレジストをマスクとしてエツチングす
れば、不要な反射の原因となる段差のない所定の形状の
回折格子を形成できる。
れば、不要な反射の原因となる段差のない所定の形状の
回折格子を形成できる。
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施例に係るλ／４
シフトＤＦＢレーザの製造方法を説明する断面図である
。
シフトＤＦＢレーザの製造方法を説明する断面図である
。
同図（ａ）に示すように、ｎ−１ｎＰ基板１上にポジテ
ィブホトレジスト膜２を塗布・ベーキングした後、Ｈｅ
−Ｃｄガスレーザ光（λ１＝３２５０人）を用いた２光
束干渉露光法により、明・暗の周期が２０００〜２４０
０人の干渉縞をポジティブホトレジスト膜２に転写する
。
ィブホトレジスト膜２を塗布・ベーキングした後、Ｈｅ
−Ｃｄガスレーザ光（λ１＝３２５０人）を用いた２光
束干渉露光法により、明・暗の周期が２０００〜２４０
０人の干渉縞をポジティブホトレジスト膜２に転写する
。
なお、上述の周期は、同一の光源から分離した２つのＨ
ｅ−Ｃｄガスレーザ光のｎ−ＴｎＰ基板１への入射角を
変えることにより可変である。
ｅ−Ｃｄガスレーザ光のｎ−ＴｎＰ基板１への入射角を
変えることにより可変である。
次に同図（ｂ）に示すように、ポジティブホトレジスト
膜２を現像して、周期への縞状のパタンを形成する。
膜２を現像して、周期への縞状のパタンを形成する。
しかる後、同図（Ｃ）に示すように、ネガティブホトレ
ジスト膜３を全面に塗布し、ポジティブホトレジスト膜
２の縞状のパターン間の凹部を埋める。
ジスト膜３を全面に塗布し、ポジティブホトレジスト膜
２の縞状のパターン間の凹部を埋める。
次に、マスク４で、ｎ−ＴｎＰ基板１上のポジティブお
よびネガティブホトレジスト膜２．３を露光する。この
とき、マスク４の端部はレジストパターンの縞の方向と
平行になるように配置する。
よびネガティブホトレジスト膜２．３を露光する。この
とき、マスク４の端部はレジストパターンの縞の方向と
平行になるように配置する。
次に同図（ｄ）に示すように、先ずネガティブホトレジ
スト膜３を現像する。これにより、非露光部のネガティ
ブホトレジスト膜３は除去される。
スト膜３を現像する。これにより、非露光部のネガティ
ブホトレジスト膜３は除去される。
次いで同図（ｅ）に示すように、ポジティブホトレジス
ト膜２を現像する。これにより露光部のポジティブホト
レジスト膜２が除去される。
ト膜２を現像する。これにより露光部のポジティブホト
レジスト膜２が除去される。
しかる後、同図（ｆ）に示すように、現像されて残存す
るネガティブレジスト膜３とポジティブレジストＪｌ！
２とをマスクとして、飽和臭素水系のエツチング液によ
りｎ−ＴｎＰ基板１をエツチングし、縞状のパターンを
形成する。縞状のパターンは、ポジティブホトレジスト
膜２側およびネガティブホトレジスト膜３側では、それ
ぞれ周期へをもち、かつ、それらの境界では一方にたい
して周期がΔ／２ずれている。
るネガティブレジスト膜３とポジティブレジストＪｌ！
２とをマスクとして、飽和臭素水系のエツチング液によ
りｎ−ＴｎＰ基板１をエツチングし、縞状のパターンを
形成する。縞状のパターンは、ポジティブホトレジスト
膜２側およびネガティブホトレジスト膜３側では、それ
ぞれ周期へをもち、かつ、それらの境界では一方にたい
して周期がΔ／２ずれている。
次に同図（ｇ）に示すように、組成波長１．２μｍ、厚
さ０．１〜Ｏ，１５μｍのｎ−ＴｎＧａＡｓＰ層５ （
導波路層）９組成波長１．５５μｍ、厚さ０．１〜０．
１５μｍのＩｎＧａＡｓＰ層６（活性層）およびｐ−１
ｎＰ層７（クラッド層）を液相エピタキシャル法により
順次形成する。
さ０．１〜Ｏ，１５μｍのｎ−ＴｎＧａＡｓＰ層５ （
導波路層）９組成波長１．５５μｍ、厚さ０．１〜０．
１５μｍのＩｎＧａＡｓＰ層６（活性層）およびｐ−１
ｎＰ層７（クラッド層）を液相エピタキシャル法により
順次形成する。
以上のようにして、λ／４シフトＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ
Ｐ系ＤＦＢレーザ用の化合物半導体ウェーハが完成する
。
Ｐ系ＤＦＢレーザ用の化合物半導体ウェーハが完成する
。
次に、本発明の実施例の製造方法によって作成されたレ
ーザと従来例の製造方法によって作成されたレーザのレ
ーザ特性を比較する。
ーザと従来例の製造方法によって作成されたレーザのレ
ーザ特性を比較する。
第２図は、本発明の実施例と従来例との闇値利得特性を
比較する図である。
比較する図である。
同図において、横軸は、規格化されたブラッグ波長から
のずれ、すなわち、 Ｃ・（λ１−λ）／（λ、・λ） （Ｃはデバイスの寸法および導波路層の屈折率によって
決まる定数、λ１は発振が起こる波長を表す変数を示す
。） を示し、縦軸は、闇値利得、すなわちレーザ光が発振す
るのに必要な最小利得を示す。
のずれ、すなわち、 Ｃ・（λ１−λ）／（λ、・λ） （Ｃはデバイスの寸法および導波路層の屈折率によって
決まる定数、λ１は発振が起こる波長を表す変数を示す
。） を示し、縦軸は、闇値利得、すなわちレーザ光が発振す
るのに必要な最小利得を示す。
また、図の実線で結ばれた白丸は、本発明のλ／４シフ
トＤＦＢレーザの特性を示し、λは基本モード発振のブ
ラッグ波長、λ８．およびλ８−は２次モードの発振波
長を表している。
トＤＦＢレーザの特性を示し、λは基本モード発振のブ
ラッグ波長、λ８．およびλ８−は２次モードの発振波
長を表している。
そして、点線で結ばれた黒丸は、導波路層に段差のある
従来例のλ／４シフトＤＦＢレーザの閾値利得を表し、
段差のため闇値利得が変動し、正常に作製されたときと
るべき値に対して左の方にずれている状態を示す。
従来例のλ／４シフトＤＦＢレーザの閾値利得を表し、
段差のため闇値利得が変動し、正常に作製されたときと
るべき値に対して左の方にずれている状態を示す。
なお、図ではレーザに流す電流の量は一定にしている。
同図に示すように、本発明のλ／４シフトＤＦＢレーザ
は、Δ／４シフトした回折格子の境界で段差が生成され
ず、不要な反射が生じないので、従来例のような闇値利
得の変動はない。よって、λとλ１およびλお−との間
の闇値利得差もかなり大きくとれ、ブラッグ波長λのみ
の単一波長で発振するレーザ光を安定して取り出すこと
ができる。
は、Δ／４シフトした回折格子の境界で段差が生成され
ず、不要な反射が生じないので、従来例のような闇値利
得の変動はない。よって、λとλ１およびλお−との間
の闇値利得差もかなり大きくとれ、ブラッグ波長λのみ
の単一波長で発振するレーザ光を安定して取り出すこと
ができる。
なお、実施例ではλ／４シフトＤＦＢレーザについて説
明したが、その他の位相シフトＤＦＢレーザにも適用で
きることは勿論である。
明したが、その他の位相シフトＤＦＢレーザにも適用で
きることは勿論である。
以上のように、本発明の製造方法によれば、不要な反射
の原因となる段差が生成されないので、所定の適正な形
状の回折格子を有する位相シフトＤＦＢレーザを作成す
ることができる。
の原因となる段差が生成されないので、所定の適正な形
状の回折格子を有する位相シフトＤＦＢレーザを作成す
ることができる。
これにより、位相シフトＤＦＢレーザの特徴である単一
波長の発振モードを安定して取り出すことができ、半導
体発光装置の性能・歩留りの向上が図れる。
波長の発振モードを安定して取り出すことができ、半導
体発光装置の性能・歩留りの向上が図れる。
第１図（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施例に係るλ／４
シフトＤＦＢレーザの製造方法を説明する断面図、 第２図は、本発明の実施例と従来例との闇値利得特性を
比較する図、 第３図（ａ）〜（ｈ）は、従来例に係るλ／４シフ）Ｄ
ＦＢレーザの製造方法を説明する断面図である。 〔符号の説明〕 １ 、 １０１− ｎ −１ｎＰ基牟反、２、１０２
．１０４・・・ポジティブホトレジスト膜、３．１０３
・・・ネガティブホトレジスト膜、４・・・マスク、 ５ 、１０５− ｎ−１ｎＧａＡｓＰ層（導波路層）、
６、１０６−１ｎＧａＡｓＰ層（活性層）、７ 、１０
７・＝ ｐ−１ｎＰ層（クラッド層）、１１１・・・オ
ーバエツチング領域、 Ｎ・・・ポジティブホトレジスト部、 Ｐ・・・ネガティブホトレジスト部。
シフトＤＦＢレーザの製造方法を説明する断面図、 第２図は、本発明の実施例と従来例との闇値利得特性を
比較する図、 第３図（ａ）〜（ｈ）は、従来例に係るλ／４シフ）Ｄ
ＦＢレーザの製造方法を説明する断面図である。 〔符号の説明〕 １ 、 １０１− ｎ −１ｎＰ基牟反、２、１０２
．１０４・・・ポジティブホトレジスト膜、３．１０３
・・・ネガティブホトレジスト膜、４・・・マスク、 ５ 、１０５− ｎ−１ｎＧａＡｓＰ層（導波路層）、
６、１０６−１ｎＧａＡｓＰ層（活性層）、７ 、１０
７・＝ ｐ−１ｎＰ層（クラッド層）、１１１・・・オ
ーバエツチング領域、 Ｎ・・・ポジティブホトレジスト部、 Ｐ・・・ネガティブホトレジスト部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上にポジティブホトレジスト膜を塗布し、露
光手段により該ポジティブホトレジスト膜よりなる周期
的な縞状のパターンを形成する工程と、 ネガティブホトレジスト膜を塗布して、該周期的な縞状
のパターンの間を埋める工程と、 該周期的な縞状のパターンにほぼ平行に、その一部を覆
って他の部分に露出するネガティブホトレジストとポジ
ティブホトレジストを露光する工程と、 該ネガティブホトレジスト膜と該ポジティブホトレジス
ト膜とをそれぞれ現像し、前記露光されたポジティブホ
トレジストを除去し、前記露光されなかったネガティブ
ホトレジストを除去する工程と、 該現像されて残存したポジティブおよびネガティブホト
レジスト膜をマスクとして前記半導体基板を蝕刻する工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281666A JPH02128487A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281666A JPH02128487A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02128487A true JPH02128487A (ja) | 1990-05-16 |
Family
ID=17642284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63281666A Pending JPH02128487A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02128487A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04177201A (ja) * | 1990-11-10 | 1992-06-24 | Canon Inc | 回折格子の作成方法 |
-
1988
- 1988-11-08 JP JP63281666A patent/JPH02128487A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04177201A (ja) * | 1990-11-10 | 1992-06-24 | Canon Inc | 回折格子の作成方法 |
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