JPH0212870A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH0212870A JPH0212870A JP63163215A JP16321588A JPH0212870A JP H0212870 A JPH0212870 A JP H0212870A JP 63163215 A JP63163215 A JP 63163215A JP 16321588 A JP16321588 A JP 16321588A JP H0212870 A JPH0212870 A JP H0212870A
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- JP
- Japan
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- source
- layer
- aluminum
- light
- film
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に関し、特に強い光に対する信幀
性を確保した固体撮像装置に関する。
性を確保した固体撮像装置に関する。
従来、この種の固体撮像装置では、光電変換を行うフォ
トダイオード以外の部分への光入射を防止するために、
装置上面にアルミニウム等からなる光遮蔽膜を設けてい
る。通常、この光遮蔽膜は、装置に設けた周辺回路のＭ
ＯＳトランジスタやその他の素子を電気接続するための
アルミニウム配線の一部を利用して形成している。
トダイオード以外の部分への光入射を防止するために、
装置上面にアルミニウム等からなる光遮蔽膜を設けてい
る。通常、この光遮蔽膜は、装置に設けた周辺回路のＭ
ＯＳトランジスタやその他の素子を電気接続するための
アルミニウム配線の一部を利用して形成している。
・〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の固体撮像装置では、ＭＯＳ）ランリスタ
における短手ヤネル化、容量低減を図るためにソース・
ドレインの接合が浅くされる傾向にあるが、これらソー
ス・ドレインにアルミニウムを直接接続したときには、
４００〜５００°Ｃのシンクによりアルミニウムがシリ
コンと共晶化して接合を突き破る、アロイスパイクが生
じ易い。これを防止するため、通常はソース・ドレイン
とアルミニウムとの間に多結晶シリコン層を介在させ、
或いはアルミニウムに１〜２％程度のシリコンを含有さ
せることにより、接合破壊を防止する試みがなされてい
る。
における短手ヤネル化、容量低減を図るためにソース・
ドレインの接合が浅くされる傾向にあるが、これらソー
ス・ドレインにアルミニウムを直接接続したときには、
４００〜５００°Ｃのシンクによりアルミニウムがシリ
コンと共晶化して接合を突き破る、アロイスパイクが生
じ易い。これを防止するため、通常はソース・ドレイン
とアルミニウムとの間に多結晶シリコン層を介在させ、
或いはアルミニウムに１〜２％程度のシリコンを含有さ
せることにより、接合破壊を防止する試みがなされてい
る。
しかしながら、本発明者の検討によれば、このような２
層構造やシリコンを含有したアルミニウムには小さなピ
ンホールが多数存在していることが判明した。例えば、
多結晶シリコン５００人、アルミニウム１μｍの２層構
造の場合には、４５０°Ｃ９３０分のシンクで約３００
個／ｃｍ”のピンホールが確認された。また、１％のシ
リコンを含有したアルミニウム１μｍの場合は、同じシ
ンクで約７０００個／ｃｍ”のピンホールが確認された
。
層構造やシリコンを含有したアルミニウムには小さなピ
ンホールが多数存在していることが判明した。例えば、
多結晶シリコン５００人、アルミニウム１μｍの２層構
造の場合には、４５０°Ｃ９３０分のシンクで約３００
個／ｃｍ”のピンホールが確認された。また、１％のシ
リコンを含有したアルミニウム１μｍの場合は、同じシ
ンクで約７０００個／ｃｍ”のピンホールが確認された
。
したがって、このようなアルミニウムを上述した固体撮
像装置の光遮蔽膜に利用したときには、小さなピンホー
ルを通して光が透過してしまい、光遮蔽効果が低減され
る。特に、強い光が照射されたときには、ピンホールを
通った光がフォトダイオードを動作させ、電気信号を発
生させることになる。
像装置の光遮蔽膜に利用したときには、小さなピンホー
ルを通して光が透過してしまい、光遮蔽効果が低減され
る。特に、強い光が照射されたときには、ピンホールを
通った光がフォトダイオードを動作させ、電気信号を発
生させることになる。
本発明は光遮蔽膜による光遮蔽効果を高め、光電変換特
性の信頼性を向上させた固体撮像装置を提供することを
目的としている。
性の信頼性を向上させた固体撮像装置を提供することを
目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の固体撮像装置は、フォトダイオードからなる光
電変換部に設けた光遮蔽膜を純アルミニウムで構成し、
周辺回路としてのＭＯＳ）ランリスタのソース・ドレイ
ン領域に接続した配線をアルミニウムと多結晶シリコン
との２層構造又はシリコンを含有したアルミニウムで構
成している。
電変換部に設けた光遮蔽膜を純アルミニウムで構成し、
周辺回路としてのＭＯＳ）ランリスタのソース・ドレイ
ン領域に接続した配線をアルミニウムと多結晶シリコン
との２層構造又はシリコンを含有したアルミニウムで構
成している。
上述した構成では、ソース・ドレイン領域に接続される
アルミニウムは多結晶シリコンを介し、或いはシリコン
を含むことにより接合破壊を防止する。また、光電変換
部の光遮蔽膜は純アルミニウムであることからピンホー
ルが存在せず、光遮蔽効果を向上する。
アルミニウムは多結晶シリコンを介し、或いはシリコン
を含むことにより接合破壊を防止する。また、光電変換
部の光遮蔽膜は純アルミニウムであることからピンホー
ルが存在せず、光遮蔽効果を向上する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。図において
、１はＰ型半導体基板であり、その主面には２９層３か
らなるチャネルストッパにより区分されたＮ゛層２配列
形成して光電変換部としてのフォトダイオードを構成し
ている。また、光電変換部に隣接してＮ型ソース・ドレ
イン領域４を形成し、かつゲート絶縁膜５上に多結晶シ
リコンからなるゲート電極６を形成して周辺回路を構成
するＭＯＳトランジスタを構成している。
、１はＰ型半導体基板であり、その主面には２９層３か
らなるチャネルストッパにより区分されたＮ゛層２配列
形成して光電変換部としてのフォトダイオードを構成し
ている。また、光電変換部に隣接してＮ型ソース・ドレ
イン領域４を形成し、かつゲート絶縁膜５上に多結晶シ
リコンからなるゲート電極６を形成して周辺回路を構成
するＭＯＳトランジスタを構成している。
そして、前記フォトダイオードやＭＯＳ）ランジスタ上
に絶縁膜７を形成し、光電変換部ではフォトダイオード
以外の領域を覆う光遮蔽膜８を絶縁膜７上に形成してい
る。また、ＭＯＳ）ランリスタでは、絶縁膜７にコンタ
クト孔を開設し、ここにソース・ドレイン領域４に接続
される配線９を形成している。
に絶縁膜７を形成し、光電変換部ではフォトダイオード
以外の領域を覆う光遮蔽膜８を絶縁膜７上に形成してい
る。また、ＭＯＳ）ランリスタでは、絶縁膜７にコンタ
クト孔を開設し、ここにソース・ドレイン領域４に接続
される配線９を形成している。
ここで、前記光遮蔽膜８はシリコン等を含有しない純ア
ルミニウム膜で形成している。一方、配線９は下層の多
結晶シリコン膜１０と上層のアルミニウム膜１１とで２
層に構成している。
ルミニウム膜で形成している。一方、配線９は下層の多
結晶シリコン膜１０と上層のアルミニウム膜１１とで２
層に構成している。
この構成によれば、ＭＯＳ）ランリスタにおいては、ア
ルミニウム膜１１とソース・ドレイン領域４との間に多
結晶シリコン膜１０が介在されるため、シンクを施した
場合でもアルミニウムが半導体基板１のシリコンと共晶
化することはなく、ソース・ドレイン領域の接合の破壊
を生じることはない、一方、光電変換部では、光遮蔽膜
８は純アルミニウムで構成しているため、ピンホールは
全く存在せず、強い光が照射された場合でも光の透過を
確実に防止し、光特性の劣化を防止する。
ルミニウム膜１１とソース・ドレイン領域４との間に多
結晶シリコン膜１０が介在されるため、シンクを施した
場合でもアルミニウムが半導体基板１のシリコンと共晶
化することはなく、ソース・ドレイン領域の接合の破壊
を生じることはない、一方、光電変換部では、光遮蔽膜
８は純アルミニウムで構成しているため、ピンホールは
全く存在せず、強い光が照射された場合でも光の透過を
確実に防止し、光特性の劣化を防止する。
第２図は本発明の他の実施例の断面図であり、第１図と
同一部分には同一符号を付しである。
同一部分には同一符号を付しである。
この実施例では、光電変換部における光遮蔽膜８を純ア
ルミニウムで構成する点は前記実施例と同じであり、Ｍ
ＯＳ ’）ランリスタの配線９にシリコンを含有した
アルミニウム膜１１Ａを用いた点が異なっている。
ルミニウムで構成する点は前記実施例と同じであり、Ｍ
ＯＳ ’）ランリスタの配線９にシリコンを含有した
アルミニウム膜１１Ａを用いた点が異なっている。
この構成においては、ソース・ドレイン領域４に接続さ
れるアルミニウム膜１１Ａはシリコンを含有することに
より、シンクによってアルミニウムは含有したシリコン
と共晶化されるため、ソース・ドレイン領域の接合を破
壊することはない。
れるアルミニウム膜１１Ａはシリコンを含有することに
より、シンクによってアルミニウムは含有したシリコン
と共晶化されるため、ソース・ドレイン領域の接合を破
壊することはない。
また、光遮蔽膜８にはピンホールが存在しないため、光
遮蔽効果を高めて光特性の劣化を防止することができる
。
遮蔽効果を高めて光特性の劣化を防止することができる
。
以上説明したように本発明は、固体撮像装置の光電変換
部に設けた光遮蔽膜を純アルミニウムで構成しているの
で、光遮蔽膜にピンホールが存在せず、光遮蔽効果を向
上する。また、周辺回路としてのＭＯＳトランジスタの
ソース・ドレイン領域に接続した配線をアルミニウムと
多結晶シリコンとの２層構造又はシリコンを含有したア
ルミニウムで構成しているので、アルミニウムがソース
・ドレイン領域と共晶化されることはなく、ソース・ド
レイン領域の接合破壊を防止する。これにより、光特性
の劣化を防止するとともにＭＯＳトランジスタの特性劣
化を防止することができる。
部に設けた光遮蔽膜を純アルミニウムで構成しているの
で、光遮蔽膜にピンホールが存在せず、光遮蔽効果を向
上する。また、周辺回路としてのＭＯＳトランジスタの
ソース・ドレイン領域に接続した配線をアルミニウムと
多結晶シリコンとの２層構造又はシリコンを含有したア
ルミニウムで構成しているので、アルミニウムがソース
・ドレイン領域と共晶化されることはなく、ソース・ド
レイン領域の接合破壊を防止する。これにより、光特性
の劣化を防止するとともにＭＯＳトランジスタの特性劣
化を防止することができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
他の実施例の断面図である。 １・・・Ｐ型半導体基板、２・・・Ｎ″層（フォトダイ
オード）、３・・・Ｐ＋層（チャネルストッパ）、４・
・・ソース・ドレイン領域、５・・・ゲート絶縁膜、６
・・・ゲート電極、７・・・絶縁膜、８・・・光遮蔽膜
、９・・・配線、１０・・・多結晶シリコン膜、１１．
ＩＩＡ・・・アルミニウム膜。
他の実施例の断面図である。 １・・・Ｐ型半導体基板、２・・・Ｎ″層（フォトダイ
オード）、３・・・Ｐ＋層（チャネルストッパ）、４・
・・ソース・ドレイン領域、５・・・ゲート絶縁膜、６
・・・ゲート電極、７・・・絶縁膜、８・・・光遮蔽膜
、９・・・配線、１０・・・多結晶シリコン膜、１１．
ＩＩＡ・・・アルミニウム膜。
Claims (1)
- １、フォトダイオードで構成される光電変換部に設けた
光遮蔽膜と、周辺回路としてのＭＯＳトランジスタのソ
ース・ドレイン領域に接続した配線とを夫々アルミニウ
ムで構成してなる固体撮像装置において、前記光遮蔽膜
を純アルミニウムで形成し、前記配線をアルミニウムと
多結晶シリコンとの２層構造又はシリコンを含有したア
ルミニウムで形成したことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63163215A JPH0212870A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63163215A JPH0212870A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212870A true JPH0212870A (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=15769491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63163215A Pending JPH0212870A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0212870A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5291254A (en) * | 1991-04-18 | 1994-03-01 | Hitachi, Ltd. | Electrophotographic recording apparatus |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP63163215A patent/JPH0212870A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5291254A (en) * | 1991-04-18 | 1994-03-01 | Hitachi, Ltd. | Electrophotographic recording apparatus |
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