JPH02129092A - ２−６族化合物半導体結晶成長装置 - Google Patents
２−６族化合物半導体結晶成長装置Info
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- JPH02129092A JPH02129092A JP28047988A JP28047988A JPH02129092A JP H02129092 A JPH02129092 A JP H02129092A JP 28047988 A JP28047988 A JP 28047988A JP 28047988 A JP28047988 A JP 28047988A JP H02129092 A JPH02129092 A JP H02129092A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、結晶成長装置に関し、特にＩ［−ＶＩ族［従
来の技術〕 従来、ハロゲンガスを用いなｎ−ｖｒ族化合物半導体の
気相結晶成長が知られている。この例を第２図（Ａ＞、
（Ｂ）に示す。
来の技術〕 従来、ハロゲンガスを用いなｎ−ｖｒ族化合物半導体の
気相結晶成長が知られている。この例を第２図（Ａ＞、
（Ｂ）に示す。
第２図（Ａ＞に示すように、石英アンプル２１の下部に
ソース結晶粉末２３と輸送媒体としてのヨウ素等のハロ
ゲン２５を入れ、アンプル上部にテーパ（θ＝６０〜７
０℃）を付け、その上にシート結晶２７、石英棒２９を
配し、真空封入した。
ソース結晶粉末２３と輸送媒体としてのヨウ素等のハロ
ゲン２５を入れ、アンプル上部にテーパ（θ＝６０〜７
０℃）を付け、その上にシート結晶２７、石英棒２９を
配し、真空封入した。
この成長アングルを所定の温度分布を有する縦型炉中に
垂直に配置し、第２図（Ｂ）に示すような温度分布を設
定する。温度差により対流拡散が起こり、高温部、低温
部で以下の反応が起こる。
垂直に配置し、第２図（Ｂ）に示すような温度分布を設
定する。温度差により対流拡散が起こり、高温部、低温
部で以下の反応が起こる。
高温： ＲＩＩＲｖｔ ＋ Ｘ ２→Ｒｎ Ｘ ２モ１
／２ ＲＶＩ ２低温；ＲＩＩＲ■＋Ｘ２−ＲＩＩＸ２
＋１／２Ｒ■２Ｒ・・■族原子 ■ Ｒ・・■族原子 ■ Ｘ・・・ハロゲン原子 この反応により高温部ではソース材料のハロゲン化が起
こり、低温部では再びソース材料を析出してハロゲンガ
スが生じる。このようにしてソース材料の輸送が行われ
、シート結晶上に結晶成長させる。
／２ ＲＶＩ ２低温；ＲＩＩＲ■＋Ｘ２−ＲＩＩＸ２
＋１／２Ｒ■２Ｒ・・■族原子 ■ Ｒ・・■族原子 ■ Ｘ・・・ハロゲン原子 この反応により高温部ではソース材料のハロゲン化が起
こり、低温部では再びソース材料を析出してハロゲンガ
スが生じる。このようにしてソース材料の輸送が行われ
、シート結晶上に結晶成長させる。
［発明が解決しようとする課題］
以上のような従来技術によれば：
（１）、輸送媒体としてヨウ素等のハロゲンを使うので
それが結晶成長中に高濃度に取り込まれるため、高純度
な結晶が成長できない、 （２）、また、輸送媒体としてのガスは一般に蒸気圧が
高い。高い蒸気圧を持つハロゲンを輸送媒体としてアン
プル内に大量に入れるため、成長時の成長容器内の蒸気
圧が高くアンプル爆発の危険性がある、 （３）、また、構成元素の蒸気圧を制御できないため、
化学量論的組成からのずれが大きく、高品位な結晶の成
長ができない。
それが結晶成長中に高濃度に取り込まれるため、高純度
な結晶が成長できない、 （２）、また、輸送媒体としてのガスは一般に蒸気圧が
高い。高い蒸気圧を持つハロゲンを輸送媒体としてアン
プル内に大量に入れるため、成長時の成長容器内の蒸気
圧が高くアンプル爆発の危険性がある、 （３）、また、構成元素の蒸気圧を制御できないため、
化学量論的組成からのずれが大きく、高品位な結晶の成
長ができない。
本発明の目的は、輸送用ハロゲンを用いず、高純度、高
品位のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を気相成長できる
結晶成長装置を提供することである。
品位のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を気相成長できる
結晶成長装置を提供することである。
本発明の他の目的は、ｆｆ−ＶＩ族化合物半導体の構成
元素の蒸気圧を制御しつつ、高純度、高品位のＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体結晶を気相成長できる結晶成長装置を
提供することである。
元素の蒸気圧を制御しつつ、高純度、高品位のＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体結晶を気相成長できる結晶成長装置を
提供することである。
［課題を解決するための手段］
実効的に断面積の小さな領域を介して接続された高温室
および低温室を有し、該高温室に■−■族化合物半導体
のソース結晶を、かつ該低温室にヒートシンクとその上
にｎ−ＶＩ族化合物半導体のシート結晶を配置し真空に
封じた■−■族化合物半導体結晶成長装置。
および低温室を有し、該高温室に■−■族化合物半導体
のソース結晶を、かつ該低温室にヒートシンクとその上
にｎ−ＶＩ族化合物半導体のシート結晶を配置し真空に
封じた■−■族化合物半導体結晶成長装置。
さらに実効的に断面積の小さな管で該高温室に接続され
、■−■族化合物半導体の構成元素を含む蒸気圧源を収
めた蒸気圧制御室を有するＨ−■族化合物半導体結晶成
長装置。
、■−■族化合物半導体の構成元素を含む蒸気圧源を収
めた蒸気圧制御室を有するＨ−■族化合物半導体結晶成
長装置。
［作用コ
ハロゲンガスを用いずにｎ−ＶＩ族化合物半導体を真空
に封じているため、ハロゲン化物を取り込むことなくＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体の結晶が成長する。
に封じているため、ハロゲン化物を取り込むことなくＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体の結晶が成長する。
結晶成長時のアンプル内圧力を低減することができる。
温度勾配による濃度拡散によってシート結晶上に結晶成
長する。また気相で供給されたソース原子がシート結晶
上を泳動することにより、エピタキシャル結晶が成長す
る。
長する。また気相で供給されたソース原子がシート結晶
上を泳動することにより、エピタキシャル結晶が成長す
る。
また、断面積の小さな管で蒸気圧制御室をソース結晶室
に接続して構成元素の蒸気圧を印加することによりソー
ス結晶室内でのガスの構成元素比を直接制＃ｔ、シート
結晶室内で成長する結晶の化学量論的組成からのずれを
制御できる。
に接続して構成元素の蒸気圧を印加することによりソー
ス結晶室内でのガスの構成元素比を直接制＃ｔ、シート
結晶室内で成長する結晶の化学量論的組成からのずれを
制御できる。
［実線例コ
第１図（Ａ）、（Ｂ）に本発明の結晶成長装置の概略図
を示す、第１図（Ａ＞において、結晶成長装置１はｎ−
ｖｙ族化合物半導体のソース結晶２が配されているソー
ス結晶室３、シート（種）結晶４が配されているシート
結晶室５、ｆｆ−ＶＩ族化合物半導体の構成元素ないし
その化合物の蒸気圧源６を配した蒸気圧制御室７を有し
、かつソース結晶室（高温室）３とシート結晶室（低温
室）５が、中間に石英の無垢棒９を挿入することにより
実効的に小さな断面積を有する空間１１で接続されてい
る。
を示す、第１図（Ａ＞において、結晶成長装置１はｎ−
ｖｙ族化合物半導体のソース結晶２が配されているソー
ス結晶室３、シート（種）結晶４が配されているシート
結晶室５、ｆｆ−ＶＩ族化合物半導体の構成元素ないし
その化合物の蒸気圧源６を配した蒸気圧制御室７を有し
、かつソース結晶室（高温室）３とシート結晶室（低温
室）５が、中間に石英の無垢棒９を挿入することにより
実効的に小さな断面積を有する空間１１で接続されてい
る。
シート結晶室５下部に、カーボン、ＰＢＮ、石英等の熱
伝導率の高い材質をヒートシンク１３として配置し、そ
の上にシート結晶４を配置する。
伝導率の高い材質をヒートシンク１３として配置し、そ
の上にシート結晶４を配置する。
シート結晶４の上部にシート結晶止め１７として円筒状
の石英管を配置してシート結晶４がヒートシンク１３上
に確実に密着するようにする。
の石英管を配置してシート結晶４がヒートシンク１３上
に確実に密着するようにする。
さらに、ソース結晶室（高温室）３の上部側面に実効的
に断面積の小さな管８を介して蒸気圧制御室７を接続す
る。
に断面積の小さな管８を介して蒸気圧制御室７を接続す
る。
この結晶装置ｌに第１図（Ｂ）に示すような温度分布を
設定する。ソース結晶２はソース温度Ｔ１に保たれ、一
定の原料蒸気圧を発生する。
設定する。ソース結晶２はソース温度Ｔ１に保たれ、一
定の原料蒸気圧を発生する。
構成元素ないしその化合物６は蒸気圧源温度Ｔ２に保た
れ、構成元素の蒸気圧をソース結晶室３に供給する。こ
こではＴＩ ＞７２である。蒸気圧制御室７の温度を調
整することでソース結晶室３内の構成元素の蒸気圧を制
御できる。
れ、構成元素の蒸気圧をソース結晶室３に供給する。こ
こではＴＩ ＞７２である。蒸気圧制御室７の温度を調
整することでソース結晶室３内の構成元素の蒸気圧を制
御できる。
シート結晶４は、ＴＩ ＞Ｔ３である結晶成長温度Ｔ３
に保たれる。なお、蒸気圧制御室７の温度Ｔ２はＴ１と
Ｔ３の中間にある場合を図示したが、これに限定される
ものではなく、Ｔ１よりも高温（Ｔ２ ＞ＴＩ ＞７３
＞であっても、Ｔ３よりも低温（ＴＩ ＞Ｔ３ ＞７
２ ＞であってもよい、ソース結晶室３から輸送されて
きた気相材料がシート結晶４上にエピタキシャルに成長
する。
に保たれる。なお、蒸気圧制御室７の温度Ｔ２はＴ１と
Ｔ３の中間にある場合を図示したが、これに限定される
ものではなく、Ｔ１よりも高温（Ｔ２ ＞ＴＩ ＞７３
＞であっても、Ｔ３よりも低温（ＴＩ ＞Ｔ３ ＞７
２ ＞であってもよい、ソース結晶室３から輸送されて
きた気相材料がシート結晶４上にエピタキシャルに成長
する。
蒸気圧制御室７を細い管８によってソース結晶室３に接
続し、ソース結晶室３内の構成元素の蒸気圧の割合を直
接制御可能にすることにより、シート結晶室（低温室）
５に輸送されるガス自体の組成を変化させて結晶を成長
させ、成長結晶の化学量論的組成を制御可能にした。
続し、ソース結晶室３内の構成元素の蒸気圧の割合を直
接制御可能にすることにより、シート結晶室（低温室）
５に輸送されるガス自体の組成を変化させて結晶を成長
させ、成長結晶の化学量論的組成を制御可能にした。
Ｉｔ−ＶＩ族化合物半導体の代表例としてｚｎ ｓｅを
例にとり、この装置による結晶成長を説明する。
例にとり、この装置による結晶成長を説明する。
第１図（Ａ）に示した構造を有する石英アンプル底部の
し−トシンク１３上に、シート結晶４としてスライシン
グ、ラッピング、ポリシングおよびケミカルエチングを
行なった（Ｉｌ＋）面Ｚｎ５ｅ単結晶を配し、円筒状の
石英管１７でシート結晶４を固定する。
し−トシンク１３上に、シート結晶４としてスライシン
グ、ラッピング、ポリシングおよびケミカルエチングを
行なった（Ｉｌ＋）面Ｚｎ５ｅ単結晶を配し、円筒状の
石英管１７でシート結晶４を固定する。
また蒸気圧源６として、Ｚｎ５ｅの構成元素であるＺｎ
あるいはＳｅを蒸気圧制御室７に入れる。
あるいはＳｅを蒸気圧制御室７に入れる。
アンプル本体のシート結晶室５上にスペーサ９を支持す
るためのくぼみ１８を形成し、スペーサつとして石英の
無垢棒を挿入し、その周囲に実効的に小さな断面積の領
域１１を作る。スペーサ９の上にソース結晶２として成
長温度より低温で合成されたＺｎ５ｅ多結晶、例えばＣ
ＶＤ多結晶インゴットを配し、例えば１０ ’Ｔｏｒｒ
以上の高真空で真空封入した。
るためのくぼみ１８を形成し、スペーサつとして石英の
無垢棒を挿入し、その周囲に実効的に小さな断面積の領
域１１を作る。スペーサ９の上にソース結晶２として成
長温度より低温で合成されたＺｎ５ｅ多結晶、例えばＣ
ＶＤ多結晶インゴットを配し、例えば１０ ’Ｔｏｒｒ
以上の高真空で真空封入した。
この成長アングルを第１図（Ｂ）に示すような所定の温
度分布を有する縦型炉中に垂直に設置する。アングルの
各部が所定温度になると、蒸気圧制御室７からは制御さ
れた蒸気圧がソース結晶室３に供給され、ソース結晶室
３内でソース結晶２から蒸発した蒸気と混合して所望の
組成の原料ガスを構成する。
度分布を有する縦型炉中に垂直に設置する。アングルの
各部が所定温度になると、蒸気圧制御室７からは制御さ
れた蒸気圧がソース結晶室３に供給され、ソース結晶室
３内でソース結晶２から蒸発した蒸気と混合して所望の
組成の原料ガスを構成する。
シート結晶４は、このような原料ガスが温度差により輸
送されるようにソース結晶２より低い温度に設定されて
おり、狭い空間１１を通って供給された原料ガスをうけ
てエピタキシャル成長を生じさせる。
送されるようにソース結晶２より低い温度に設定されて
おり、狭い空間１１を通って供給された原料ガスをうけ
てエピタキシャル成長を生じさせる。
このように蒸気圧制御下で温度差により高温室（ソース
結晶室）３から低温室（シート結晶室）５に実効的に断
面積の小さな領域１１を介してソース材料が気相の状態
で輸送される。シート結晶４はヒートシンク１３により
熱的冷却をうけ、その上に結晶が成長する。
結晶室）３から低温室（シート結晶室）５に実効的に断
面積の小さな領域１１を介してソース材料が気相の状態
で輸送される。シート結晶４はヒートシンク１３により
熱的冷却をうけ、その上に結晶が成長する。
成長速度は、成長温度Ｔ３、温度差ΔＴ＝ＴＩ−７３に
依存するが、例えば成長温度９５０℃、温度差５０℃に
おいて約１０μｍ／ｈｒ程度の成長速度が得られる。
依存するが、例えば成長温度９５０℃、温度差５０℃に
おいて約１０μｍ／ｈｒ程度の成長速度が得られる。
第３図に他の実施例による結晶成長装置を示す。
原理的には第１図の結晶成長装置と同様であるが構成要
素としてスペーサを上下２つ使用している点、蒸気圧制
御室をシート結晶室よりも低温側に設けている点等が異
なる。
素としてスペーサを上下２つ使用している点、蒸気圧制
御室をシート結晶室よりも低温側に設けている点等が異
なる。
すなわち、結晶成長装置１は、上部にソース結晶２を収
容するソース結晶室３を形成し、アンプルの径を絞った
後、スペーサ９を介してヒートシンク１３上にシート結
晶４を設置するシート結晶室５に接続している。スペー
サ９によってソース結晶室３とシート結晶室４との間の
接続部は断面積を小さくしている。
容するソース結晶室３を形成し、アンプルの径を絞った
後、スペーサ９を介してヒートシンク１３上にシート結
晶４を設置するシート結晶室５に接続している。スペー
サ９によってソース結晶室３とシート結晶室４との間の
接続部は断面積を小さくしている。
ソース結晶室３の上方に他のスペーサ１９を設けてソー
ス結晶室３の土壁を画定し、スペーサ１９によって断面
積の小さくされた部分に断面積の小さな管８を介して蒸
気圧源６を収容する蒸気圧制御室７が接続されている。
ス結晶室３の土壁を画定し、スペーサ１９によって断面
積の小さくされた部分に断面積の小さな管８を介して蒸
気圧源６を収容する蒸気圧制御室７が接続されている。
蒸気圧制御室７はシート結晶室４の下方（ヒートシンク
１３よりさらに下方）に配置されている。
１３よりさらに下方）に配置されている。
例えば、結晶成長を行なわせる主アンプルの高さｈｌは
２５０〜２６０ｍｎとし、カーボン製ヒートシンクの高
さｈ２を約１００１１ｒａ、下部スペーサ９の上面すな
わちソース結晶室３底面までの高さｈ３を約２００ｕと
した。下部スペーサ９の厚さｄｌは４０〜５０ｕｍ、上
部スペーサ１９の厚さｄ２は１５〜２０１１１とした。
２５０〜２６０ｍｎとし、カーボン製ヒートシンクの高
さｈ２を約１００１１ｒａ、下部スペーサ９の上面すな
わちソース結晶室３底面までの高さｈ３を約２００ｕと
した。下部スペーサ９の厚さｄｌは４０〜５０ｕｍ、上
部スペーサ１９の厚さｄ２は１５〜２０１１１とした。
主アンプルの幅広部は径１２■１φ、幅狭部は径８１ｆ
ｆｉφとしな、蒸気圧制御室７の部分は径５１１φとし
、断面積の小さな管８は径３．５１１ｆｆｉφとし、接
続部から蒸気圧制御室７の底面までの高さｈ４は制御圧
力によって変化させた。
ｆｉφとしな、蒸気圧制御室７の部分は径５１１φとし
、断面積の小さな管８は径３．５１１ｆｆｉφとし、接
続部から蒸気圧制御室７の底面までの高さｈ４は制御圧
力によって変化させた。
この様な結晶成長装置に、１〜６ｇのソース結晶４を装
填し、径８１１φ、厚さ１０〜１５ｕの成長結晶を得た
。
填し、径８１１φ、厚さ１０〜１５ｕの成長結晶を得た
。
ここでソース結晶温度Ｔ１は１０００〜１２００℃、成
長温度Ｔ３は９００〜１０００°Ｃ１蒸気圧源の温度Ｔ
２は４５０〜６００℃であった。
長温度Ｔ３は９００〜１０００°Ｃ１蒸気圧源の温度Ｔ
２は４５０〜６００℃であった。
第４図（Ａ）、（Ｂ）に不純物を同時にドープする場合
の結晶成長装置の構成を示す。
の結晶成長装置の構成を示す。
第４図（Ａ）は、Ｇａ、 ＡＩ、Ｉｎ等蒸気圧の低い元
素をドープするのに適した構成を示す、主アングルの高
温部（上部スペーサ１９の部分）に実効的に断面積の小
さな管１４を介してドーパント１５を収容するドーパン
ト室１６を接続する。ドーパント室１６の温度は蒸気圧
制御室７の温度より高く設定する。
素をドープするのに適した構成を示す、主アングルの高
温部（上部スペーサ１９の部分）に実効的に断面積の小
さな管１４を介してドーパント１５を収容するドーパン
ト室１６を接続する。ドーパント室１６の温度は蒸気圧
制御室７の温度より高く設定する。
第４図（Ｂ）はＩ 、Ｂｒ、 ＣＩ等薫蒸気圧高い元素
をドー１するのに的した構成を示す、この場合は蒸気圧
制御室７に蒸気圧制御元素６と共にドーパント１２を入
れる。
をドー１するのに的した構成を示す、この場合は蒸気圧
制御室７に蒸気圧制御元素６と共にドーパント１２を入
れる。
１ｎｓｅの場合、ドーパントの添加量は、ヨウ素輸送法
の場合の５ ｕ／ ｃｎ”に競べ、０ 、 Ｉ Ｉｇ
／ＣＩ３以下という極めて少ない量でよい。Ｉｎ蒸気圧
制御下で不純物を添加することにより、低抵抗ｎ型結晶
の成長が可能である。
の場合の５ ｕ／ ｃｎ”に競べ、０ 、 Ｉ Ｉｇ
／ＣＩ３以下という極めて少ない量でよい。Ｉｎ蒸気圧
制御下で不純物を添加することにより、低抵抗ｎ型結晶
の成長が可能である。
上述の実施例で成長したＺｎ５ｅ結晶の結晶性評価のた
め、ヨウ素輸送法で得られた結晶と比較して、低ａ（２
１Ｋ）でのホトルミネッセンススペクトルを測定した０
本実施例による成長はＴ１＝１０５０℃、Ｔ３＝９５０
’Ｃ１蒸気圧制御なしで行つた。
め、ヨウ素輸送法で得られた結晶と比較して、低ａ（２
１Ｋ）でのホトルミネッセンススペクトルを測定した０
本実施例による成長はＴ１＝１０５０℃、Ｔ３＝９５０
’Ｃ１蒸気圧制御なしで行つた。
第５図（Ａ）、（Ｂ）が測定結果を示す、（Ａ）が本実
施例による結晶のホトルミネッセンススペクトル、（Ｂ
）がヨウ素輸送法による結晶のホトルミネッセンスであ
る。実施例による第５図（Ａ）のスペクトルは約４４０
〜４６０ｎｎの領域に鋭い数本のピーク（１１ｄおよび
そのフォノ・ンレプリカ）が表れ他“の波長での発光は
ほとんどない、欠陥、不純物等の少ない極めて純度、結
晶性の良い結晶であることが判る。
施例による結晶のホトルミネッセンススペクトル、（Ｂ
）がヨウ素輸送法による結晶のホトルミネッセンスであ
る。実施例による第５図（Ａ）のスペクトルは約４４０
〜４６０ｎｎの領域に鋭い数本のピーク（１１ｄおよび
そのフォノ・ンレプリカ）が表れ他“の波長での発光は
ほとんどない、欠陥、不純物等の少ない極めて純度、結
晶性の良い結晶であることが判る。
ヨウ素輸送法による第５図（Ｂ）のスペクトルは１、約
４４０〜４６０ｎＩ１１の本来の発光が極め、て低いレ
ベルに落ち、より低いエネルギの極めて広い波長範囲で
ある約５２０ｎｉから７００ｎｍを越・す領域にブロー
ドな発光が見られる。欠陥、不純物等によりエネルギギ
ャップ内に幅広く数多くのレベルが発生しているものと
思われる。
４４０〜４６０ｎＩ１１の本来の発光が極め、て低いレ
ベルに落ち、より低いエネルギの極めて広い波長範囲で
ある約５２０ｎｉから７００ｎｍを越・す領域にブロー
ドな発光が見られる。欠陥、不純物等によりエネルギギ
ャップ内に幅広く数多くのレベルが発生しているものと
思われる。
以上、Ｚｎ５ｅを例にとり説明してきたが、本装置が他
のＩ［−ＶＩ族化合物半導体についても応用できること
は言うまでもない。
のＩ［−ＶＩ族化合物半導体についても応用できること
は言うまでもない。
すなわち、１ｎｓｅと同様の性質を有する２ｎＳ 、
ＣｄＳ 、 ２ｎＴｅ、 ＣｄＳｅ等において同一の成
長原理で結晶成長することが可能である。なお、蒸気圧
制御元素としては、所望の電気伝導形に的するように、
いずれの構成元素を用いることらできる。
ＣｄＳ 、 ２ｎＴｅ、 ＣｄＳｅ等において同一の成
長原理で結晶成長することが可能である。なお、蒸気圧
制御元素としては、所望の電気伝導形に的するように、
いずれの構成元素を用いることらできる。
なお、縦型炉を用いた成長を示したが横型炉でもよい、
すなわち水平方向に温度分布を有する炉を構成し、この
中に横方向に長いアンプルを挿入する。アンプル内で、
高温室であるソース結晶室、低温室であるシート結晶室
を狭い連結部を介して横方向に並べて接続し、ソース結
晶室に細い管を介して蒸気圧制御室を接続する点は上述
の実施例同様である。
すなわち水平方向に温度分布を有する炉を構成し、この
中に横方向に長いアンプルを挿入する。アンプル内で、
高温室であるソース結晶室、低温室であるシート結晶室
を狭い連結部を介して横方向に並べて接続し、ソース結
晶室に細い管を介して蒸気圧制御室を接続する点は上述
の実施例同様である。
上述の実施例においては、蒸気圧制御室をソース結晶室
の接続箇所より低温側に配置しているが、高温側に配置
する場合もある。またアングルは炉内に設定後、結晶成
長中は移動しない。
の接続箇所より低温側に配置しているが、高温側に配置
する場合もある。またアングルは炉内に設定後、結晶成
長中は移動しない。
［発明の効果］
ソース材料がシート結晶まで輸送される雰囲気が真空で
あり、ハロゲン等の輸送媒体を含んでいないので高純度
な高品位結晶が得られる。
あり、ハロゲン等の輸送媒体を含んでいないので高純度
な高品位結晶が得られる。
また、成長時の圧力は低く、アンプル爆発の危険性は少
ない。
ない。
高温室と低温室が実効的に小さな断面積を有する接続部
により接続され、熱的には分離しているので、結晶成長
の際、ソース材料の組成元素−の組成を容易に制御でき
る。
により接続され、熱的には分離しているので、結晶成長
の際、ソース材料の組成元素−の組成を容易に制御でき
る。
第１図（Ａ＞、（Ｂ）は本発明の実施例による１ｌ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体の結晶成長袋！を示し、（Ａ）は概略
断面図、（Ｂ）は温度分布図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は
従来例による■−■族化合物半導体の結晶成長装置を示
し、（Ａ＞は概略断面図、（Ｂ）は温度分布図、 第３図は本発明の他の実施例によるＩｔ−ＶＩ族化合物
半導体の結晶成長装置の断面図、 第４図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の実施例による不純物ド
ーグの場合のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の結晶成長装置
の断面図、 第５′図＜Ａ＞、（Ｂ）は本発明の実施例による結晶と
従来例による結晶とのホトルミネッセンススペクトルを
示すグラフである。 結晶成長装置 ソース結晶 ソース結晶室 シート結晶 シート結晶室 蒸気圧源 蒸気圧制御室 断面積の小さな管 スペーサ 小さな断面積を有する空間 ヒートシンク スペーサ
Ｉ族化合物半導体の結晶成長袋！を示し、（Ａ）は概略
断面図、（Ｂ）は温度分布図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は
従来例による■−■族化合物半導体の結晶成長装置を示
し、（Ａ＞は概略断面図、（Ｂ）は温度分布図、 第３図は本発明の他の実施例によるＩｔ−ＶＩ族化合物
半導体の結晶成長装置の断面図、 第４図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の実施例による不純物ド
ーグの場合のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の結晶成長装置
の断面図、 第５′図＜Ａ＞、（Ｂ）は本発明の実施例による結晶と
従来例による結晶とのホトルミネッセンススペクトルを
示すグラフである。 結晶成長装置 ソース結晶 ソース結晶室 シート結晶 シート結晶室 蒸気圧源 蒸気圧制御室 断面積の小さな管 スペーサ 小さな断面積を有する空間 ヒートシンク スペーサ
Claims (2)
- （１）、実効的に断面積の小さな領域を介して接続され
た高温室および低温室を有し、該高温室にII−VI族化合
物半導体のソース結晶を配置し、かつ該低温室にヒート
シンクとその上にII−VI族化合物半導体のシート結晶を
配置し、真空に封じたことを特徴とするII−VI族化合物
半導体結晶成長装置。 - （２）、さらに実効的に断面積の小さな管で該高温室に
接続され、II−VI族化合物半導体の構成元素を含む蒸気
圧源を収めた蒸気圧制御室を有することを特徴とする請
求項１記載のII−VI族化合物半導体結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28047988A JPH02129092A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | ２−６族化合物半導体結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28047988A JPH02129092A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | ２−６族化合物半導体結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129092A true JPH02129092A (ja) | 1990-05-17 |
Family
ID=17625652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28047988A Pending JPH02129092A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | ２−６族化合物半導体結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02129092A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116657245A (zh) * | 2023-05-25 | 2023-08-29 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种超临界流体状态下生长晶体的装置及方法 |
-
1988
- 1988-11-08 JP JP28047988A patent/JPH02129092A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116657245A (zh) * | 2023-05-25 | 2023-08-29 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种超临界流体状态下生长晶体的装置及方法 |
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