JPH02129373A - ドライプロセス装置における高周波印加電極の加熱装置 - Google Patents
ドライプロセス装置における高周波印加電極の加熱装置Info
- Publication number
- JPH02129373A JPH02129373A JP63281783A JP28178388A JPH02129373A JP H02129373 A JPH02129373 A JP H02129373A JP 63281783 A JP63281783 A JP 63281783A JP 28178388 A JP28178388 A JP 28178388A JP H02129373 A JPH02129373 A JP H02129373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- high frequency
- electrode
- application electrode
- frequency application
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 29
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体デバイス等の微細構造物の製作工程中
に存するプラズマＣＶＤあるいはプラズマエツチング等
の処理を行うドライプロセス装置において、半導体ウェ
ーハ等の被処理物をプラズマ励起用高周波印加電極上に
載置し、この電極をヒータにより加熱し、被処理物を加
熱してドライプロセス処理を行うための高周波印加電極
のヒータ加熱装置に関する。
に存するプラズマＣＶＤあるいはプラズマエツチング等
の処理を行うドライプロセス装置において、半導体ウェ
ーハ等の被処理物をプラズマ励起用高周波印加電極上に
載置し、この電極をヒータにより加熱し、被処理物を加
熱してドライプロセス処理を行うための高周波印加電極
のヒータ加熱装置に関する。
第１図を参照して従来装置の一例を説明すると、従来装
置は反応室３内に接地電極２と高周波印加電極５を対向
して配設し、反応ガスの流通下で、高周波印加電極５を
ヒータ７により加熱しながら接地電極２に対し高周波印
加電極５に高周波電源１７により高周波電力を印加する
ことにより高周波印加電極５上のウェーハ４をプロセス
処理する構成になっている。
置は反応室３内に接地電極２と高周波印加電極５を対向
して配設し、反応ガスの流通下で、高周波印加電極５を
ヒータ７により加熱しながら接地電極２に対し高周波印
加電極５に高周波電源１７により高周波電力を印加する
ことにより高周波印加電極５上のウェーハ４をプロセス
処理する構成になっている。
しかしながら、上記従来装置にあっては、接地電極２に
対し高周波印加電極５に高周波電力を印加して画電極２
，５の間でプラズマ放電している時にヒータ７により高
周波印加電極５の加熱を行うと、高周波ノイズがヒータ
回路に流れる電流に重畳し、高周波ノイズによりヒータ
７あるいはヒータ電源２６が破壊するおそれがあると共
に高周波ノイズが外部装置に悪影響を及ぼすおそれがあ
るばかりでなく、高周波印加電極５を効率よく加熱する
ことが困難であるという課題があった。
対し高周波印加電極５に高周波電力を印加して画電極２
，５の間でプラズマ放電している時にヒータ７により高
周波印加電極５の加熱を行うと、高周波ノイズがヒータ
回路に流れる電流に重畳し、高周波ノイズによりヒータ
７あるいはヒータ電源２６が破壊するおそれがあると共
に高周波ノイズが外部装置に悪影響を及ぼすおそれがあ
るばかりでなく、高周波印加電極５を効率よく加熱する
ことが困難であるという課題があった。
また、高周波印加電極５に高周波電力を印加した状態で
、ヒータ７により高周波印加電極５の加熱を行う場合、
高周波ノイズによるヒータ７またはヒータ電源２６の破
壊のおそれがあること、高周波印加電極５の加熱温度を
熱電対９により高精度に測定することが高周波ノイズの
混入により難しいこと、高周波ノイズにより熱電対９が
破損するおそれがあることから高周波ノイズの混入によ
りヒータ温度制御部２２による高周波印加電極５の加熱
温度の自動制御が困難になるという課題もあった。
、ヒータ７により高周波印加電極５の加熱を行う場合、
高周波ノイズによるヒータ７またはヒータ電源２６の破
壊のおそれがあること、高周波印加電極５の加熱温度を
熱電対９により高精度に測定することが高周波ノイズの
混入により難しいこと、高周波ノイズにより熱電対９が
破損するおそれがあることから高周波ノイズの混入によ
りヒータ温度制御部２２による高周波印加電極５の加熱
温度の自動制御が困難になるという課題もあった。
本発明の第１装置は上記の課題を解決するため、第１図
示のように反応室３内に接地電極２と高周波印加電極５
を対抗して配設し、反応ガスの流通下で、高周波印加電
極５をヒータ７により加熱しながら接地電極２に対し高
周波印加電極５に高周波電力を印加することにより、高
周波印加電極５上の被処理物４をプロセス処゛理するド
ライプロセス装置において、高周波印加電極５中に、と
−タ７を埋設したヒータシース６を挿設し、このヒータ
７に通電するヒータ燃線１１をトロイダルコア１２に巻
回してインダクタンス１８を形成せしめ、このインダク
タンス１８にフィルタエ９を接続してノイズ除去回路２
３を構成すると共に、このノイズ除去回路２３をシール
ドケース２４に収めてなる構成としたものである。
示のように反応室３内に接地電極２と高周波印加電極５
を対抗して配設し、反応ガスの流通下で、高周波印加電
極５をヒータ７により加熱しながら接地電極２に対し高
周波印加電極５に高周波電力を印加することにより、高
周波印加電極５上の被処理物４をプロセス処゛理するド
ライプロセス装置において、高周波印加電極５中に、と
−タ７を埋設したヒータシース６を挿設し、このヒータ
７に通電するヒータ燃線１１をトロイダルコア１２に巻
回してインダクタンス１８を形成せしめ、このインダク
タンス１８にフィルタエ９を接続してノイズ除去回路２
３を構成すると共に、このノイズ除去回路２３をシール
ドケース２４に収めてなる構成としたものである。
本発明の第２装置は上記の課題を解決するため、第１装
置において高周波印加電極５中に、感温素子９を埋設し
た感温素子シース８を挿設し、この感温素子９に接続し
たノイズ対策用感温素子引出部１３をシールドケース２
４に収め、このノイズ対策用惑星素子引出部１３より得
られる電極温度検出信号をヒータ温度制御部２２に入力
してヒータ７への通電量を調整し、高周波印加電極５の
加熱温度を自動制御するように構成したものである。
置において高周波印加電極５中に、感温素子９を埋設し
た感温素子シース８を挿設し、この感温素子９に接続し
たノイズ対策用感温素子引出部１３をシールドケース２
４に収め、このノイズ対策用惑星素子引出部１３より得
られる電極温度検出信号をヒータ温度制御部２２に入力
してヒータ７への通電量を調整し、高周波印加電極５の
加熱温度を自動制御するように構成したものである。
第１装置において反応ガスの流通下で、高周波印加電極
５をヒータ７により加熱しながら接地電極２に対し高周
波印加電極５に高周波電力を印加すると、画電極２．５
間にプラズマ放電が発生し、このプラズマ放電により高
周波印加電極５上の被処理物４がプロセス処理される。
５をヒータ７により加熱しながら接地電極２に対し高周
波印加電極５に高周波電力を印加すると、画電極２．５
間にプラズマ放電が発生し、このプラズマ放電により高
周波印加電極５上の被処理物４がプロセス処理される。
この場合、高周波印加電極５中に、ヒータ７を埋設した
ヒータシース６が挿設されているので、ヒータ７はヒー
タシース６を介して高周波印加電極５に接しており、こ
の電極５と当該電極５上の被処理物４の加熱は効率よく
行えることになる。
ヒータシース６が挿設されているので、ヒータ７はヒー
タシース６を介して高周波印加電極５に接しており、こ
の電極５と当該電極５上の被処理物４の加熱は効率よく
行えることになる。
また、高周波電源１７により発生する高周波ノイズはヒ
ータ回路中のインダクタンス１８と、フィルタ１９によ
るノイズ除去回路２３により除去されることになり、ヒ
ータ７またはヒータ電源２６が高周波ノイズによって破
壊されることがないばかりでなく、ノイズ除去回路２３
はシールドケース２４に収められているので、高周波ノ
イズが外部装置に悪影響を及ぼすこともない。
ータ回路中のインダクタンス１８と、フィルタ１９によ
るノイズ除去回路２３により除去されることになり、ヒ
ータ７またはヒータ電源２６が高周波ノイズによって破
壊されることがないばかりでなく、ノイズ除去回路２３
はシールドケース２４に収められているので、高周波ノ
イズが外部装置に悪影響を及ぼすこともない。
第２装置においては上記第１装置と同様の作用効果を奏
するだけでなく、高周波印加電極５中に、感温素子９を
埋設した感温素子シース８が埋設されているので、感温
素子９は感温素子シース８を介して高周波印加電極５に
接しており、この電極５及び当該電極５上の被処理物４
の加熱温度は比較的高精度で検出できる。
するだけでなく、高周波印加電極５中に、感温素子９を
埋設した感温素子シース８が埋設されているので、感温
素子９は感温素子シース８を介して高周波印加電極５に
接しており、この電極５及び当該電極５上の被処理物４
の加熱温度は比較的高精度で検出できる。
また高周波ノイズによるヒータまたはヒータ電源２６の
破壊のおそれがないこと、高周波ノイズが感温素子９の
電極温度検出信号に混入しないため、感温素子９が破損
することはなく、高周波印加電極５の加熱温度を感温素
子９により高精度に測定することができることがらヒー
タ温度制御部２２による高周波印加電極５の加熱温度の
自動制御が容易になるものである。
破壊のおそれがないこと、高周波ノイズが感温素子９の
電極温度検出信号に混入しないため、感温素子９が破損
することはなく、高周波印加電極５の加熱温度を感温素
子９により高精度に測定することができることがらヒー
タ温度制御部２２による高周波印加電極５の加熱温度の
自動制御が容易になるものである。
以下図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明装置の一実施例の構成を示す簡略断面図
、第２図は本発明におけるインダクタンスの一例を示す
斜視図である。
、第２図は本発明におけるインダクタンスの一例を示す
斜視図である。
第１図において３は反応室（真空容器）で、ガス導入口
２７と排気口２８を有する。２，５はそれぞれ反応室３
内に対向して配設した接地電極（上部電極）と高周波印
加電極（下部電極）である。反応室３と接地電極２はア
ース１に接続されている。
２７と排気口２８を有する。２，５はそれぞれ反応室３
内に対向して配設した接地電極（上部電極）と高周波印
加電極（下部電極）である。反応室３と接地電極２はア
ース１に接続されている。
高周波印加電極５上にはウェーハ４がセットされており
、当該電極５中にはヒータ７を埋設したヒータシース６
が挿設されている。
、当該電極５中にはヒータ７を埋設したヒータシース６
が挿設されている。
高周波印加電極５はフィーダ１０により高周波マツチン
グユニット部１５に接続され、このユニット部１５に同
軸ケーブル１６により高周波電源１７が接続されており
、高周波電源１７はアース１に接続されている。従って
高周波印加電極５には接地電極２に対し高周波電源１７
により高周波電力が高周波マツチングユニット部１５を
介して印加される構成となっている。
グユニット部１５に接続され、このユニット部１５に同
軸ケーブル１６により高周波電源１７が接続されており
、高周波電源１７はアース１に接続されている。従って
高周波印加電極５には接地電極２に対し高周波電源１７
により高周波電力が高周波マツチングユニット部１５を
介して印加される構成となっている。
ヒータ７に接続した２本のテトラフルオロエチレン被覆
線等のヒータ線を撚り合せたヒータ燃線１１をトロイダ
ルコア１２に巻回してインダクタンス１８が形成されて
いる。例えば第２図示のように２個のトロイダルコア１
２を合わせ、これにヒータ燃線１１を約２０回巻きして
なる。このインダクタンス１８に貫通形フィルタ１９
（Ｃ、Ｌのπ型で構成される）を接続してノイズ除去回
路２３が構成され、フィーダ１０の部分及びこのノイズ
除去回路２３がシールドケース２４に収められている。
線等のヒータ線を撚り合せたヒータ燃線１１をトロイダ
ルコア１２に巻回してインダクタンス１８が形成されて
いる。例えば第２図示のように２個のトロイダルコア１
２を合わせ、これにヒータ燃線１１を約２０回巻きして
なる。このインダクタンス１８に貫通形フィルタ１９
（Ｃ、Ｌのπ型で構成される）を接続してノイズ除去回
路２３が構成され、フィーダ１０の部分及びこのノイズ
除去回路２３がシールドケース２４に収められている。
シールドケース２４の外面には高周波マツチングユニッ
ト部１５が取付けられており、貫通形フィルタ１９はシ
ールドケース２４に貫通状態で取付けられている。
ト部１５が取付けられており、貫通形フィルタ１９はシ
ールドケース２４に貫通状態で取付けられている。
高周波印加電極５中には熱電対９を埋設した熱電対シー
ス８が挿設され、この熱電対９は熱電対素線１４により
ノイズ対策用熱電対引出部１３に接続されている。この
ノイズ対策用熱電対引出部１３はシールドケース２４に
収められ、貫通した状態で取付けられている。この引出
部１３に接続した熱電対素線２０とフィルタ１９に接続
したヒータケーブル２１はヒータ温度制御部２２に接続
され、このヒータ温度制御部２２にヒータ電源２６が接
続されている。
ス８が挿設され、この熱電対９は熱電対素線１４により
ノイズ対策用熱電対引出部１３に接続されている。この
ノイズ対策用熱電対引出部１３はシールドケース２４に
収められ、貫通した状態で取付けられている。この引出
部１３に接続した熱電対素線２０とフィルタ１９に接続
したヒータケーブル２１はヒータ温度制御部２２に接続
され、このヒータ温度制御部２２にヒータ電源２６が接
続されている。
ヒータ温度制御部２２は、熱電対９により高周波印加電
極５の加熱温度を検出し、この電極温度検出信号をノイ
ズ対策用熱電対引出部１３を通して入力し、当該電極温
度検出信号に応じてヒータケーブル２１．ノイズ除去回
路２３を介してヒータ７に通電される通電量を調整し、
高周波印加電極５の加熱温度を自動制御するものである
。
極５の加熱温度を検出し、この電極温度検出信号をノイ
ズ対策用熱電対引出部１３を通して入力し、当該電極温
度検出信号に応じてヒータケーブル２１．ノイズ除去回
路２３を介してヒータ７に通電される通電量を調整し、
高周波印加電極５の加熱温度を自動制御するものである
。
２５はフィーダ１０．ヒータシース６及び熱電対シース
８の反応室３より引出部に設けられた電気的絶縁兼真空
シール保持部である。
８の反応室３より引出部に設けられた電気的絶縁兼真空
シール保持部である。
上記の構成においてガス導入口２７より反応室３内に反
応ガスを導入し、排気口２８より排気する。
応ガスを導入し、排気口２８より排気する。
この反応ガスの流通下で、ヒータ電源２６によりヒータ
温度制御部２２．ヒータケーブル２１及びノイズ除去回
路２３を通してヒータ７に通電し、高周波印加電極５を
加熱する。この場合、高周波印加電極５中に、ヒータ７
を埋設したヒータシース６が挿設されているので、ヒー
タ７はヒータシース６を介して高周波印加電極５に接し
ており、この電極５と当該電極５上のウェーハ４の加熱
は効率よく行えることになる。
温度制御部２２．ヒータケーブル２１及びノイズ除去回
路２３を通してヒータ７に通電し、高周波印加電極５を
加熱する。この場合、高周波印加電極５中に、ヒータ７
を埋設したヒータシース６が挿設されているので、ヒー
タ７はヒータシース６を介して高周波印加電極５に接し
ており、この電極５と当該電極５上のウェーハ４の加熱
は効率よく行えることになる。
高周波印加電極５の加熱温度は熱電対９により検出され
る。高周波印加電極５中に、熱電対９を埋設した熱電対
シース８が挿設されているので、熱電対９は熱電対シー
ス８を介して高周波印加電極５に接しており、この電極
５及び当該電極５上のウェーハ４の加熱温度は比較的高
精度で検出できる。この電極温度検出信号は熱電対素線
１４．ノイズ対策熱電対引出部１３及び熱電対案ｖＡ２
０を通してヒータ温度制御部２２に入力され、この電極
温度検出信号に応じてヒータケーブル２１．ノイズ除去
回路２３を通してヒータ７に通電される通電量が調整さ
れ、高周波印加電極５及び当該電極５上のつ工−ハ４の
加熱温度が自動制御されることになる。
る。高周波印加電極５中に、熱電対９を埋設した熱電対
シース８が挿設されているので、熱電対９は熱電対シー
ス８を介して高周波印加電極５に接しており、この電極
５及び当該電極５上のウェーハ４の加熱温度は比較的高
精度で検出できる。この電極温度検出信号は熱電対素線
１４．ノイズ対策熱電対引出部１３及び熱電対案ｖＡ２
０を通してヒータ温度制御部２２に入力され、この電極
温度検出信号に応じてヒータケーブル２１．ノイズ除去
回路２３を通してヒータ７に通電される通電量が調整さ
れ、高周波印加電極５及び当該電極５上のつ工−ハ４の
加熱温度が自動制御されることになる。
このように高周波印加電極５及びウェーハ４が自動温度
制御されている場合に接地電極２に対し高周波印加電極
５に高周波電源１７により同軸ケーブル１６．高周波マ
ツチングユニット部１５及びフィーダ１０を通して高周
波電力を印加すると、画電極２．５間にプラズマ放電が
発生し、このプラズマ放電により高周波印加電極５上の
ウェーハ４がプロセス処理されることになる。かくして
プラズマ放電と高周波印加電極５の加熱制御を同時に行
うことができる。
制御されている場合に接地電極２に対し高周波印加電極
５に高周波電源１７により同軸ケーブル１６．高周波マ
ツチングユニット部１５及びフィーダ１０を通して高周
波電力を印加すると、画電極２．５間にプラズマ放電が
発生し、このプラズマ放電により高周波印加電極５上の
ウェーハ４がプロセス処理されることになる。かくして
プラズマ放電と高周波印加電極５の加熱制御を同時に行
うことができる。
放電中に温度制御を行う際に問題となるのが高周波電源
１７により発生する高周波ノイズである。
１７により発生する高周波ノイズである。
この高周波電源１７により発生する高周波ノイズはヒー
タ回路中のインダクタンス１８と、フィルタ１９による
ノイズ除去回路２３により除去されることになり、ヒー
タ７またはヒータ電源２６が高周波ノイズによって破壊
されることがないばかりでなく、ノイズ除去回路２３は
シールドケース２４に収められているので、高周波ノイ
ズが外部装置に悪影響を及ぼすこともない。
タ回路中のインダクタンス１８と、フィルタ１９による
ノイズ除去回路２３により除去されることになり、ヒー
タ７またはヒータ電源２６が高周波ノイズによって破壊
されることがないばかりでなく、ノイズ除去回路２３は
シールドケース２４に収められているので、高周波ノイ
ズが外部装置に悪影響を及ぼすこともない。
また、熱電対回路にはノイズ対策用熱電対引出部１３が
設けられているので、高周波ノイズが熱電対９の電極温
度検出信号に混入しないため、熱電対９が高周波ノイズ
により破損されることはなく、高周波印加電極５の加熱
温度を熱電対９により高精度に測定することができるこ
と、高周波ノイズによる熱電対９またはヒータ７あるい
はヒータ電源２６の破壊のおそれがないことがらヒータ
温度制御部２２による高周波印加電極５の加熱温度の自
動制御が容易になるものである。
設けられているので、高周波ノイズが熱電対９の電極温
度検出信号に混入しないため、熱電対９が高周波ノイズ
により破損されることはなく、高周波印加電極５の加熱
温度を熱電対９により高精度に測定することができるこ
と、高周波ノイズによる熱電対９またはヒータ７あるい
はヒータ電源２６の破壊のおそれがないことがらヒータ
温度制御部２２による高周波印加電極５の加熱温度の自
動制御が容易になるものである。
ヒータ電流が流れるヒータ線を撚り合せ、このヒータ燃
線１１をトロイダルコア１２に巻き付けてインダクタン
スＩ８を形成することによりヒータ電流（数アンペア）
によるトロイダルコア１２の磁気飽和が防止できると共
にヒータ回路に重畳する高周波ノイズをｌＬ滅すること
ができる。インダクタンス１８とフィルタ１９によりロ
ーパスフィルタを構成しているので、高周波電源１７に
より発生した高周波ノイズが除去され、シールドケース
２４でシールドしているため、外部に漏れることはない
。
線１１をトロイダルコア１２に巻き付けてインダクタン
スＩ８を形成することによりヒータ電流（数アンペア）
によるトロイダルコア１２の磁気飽和が防止できると共
にヒータ回路に重畳する高周波ノイズをｌＬ滅すること
ができる。インダクタンス１８とフィルタ１９によりロ
ーパスフィルタを構成しているので、高周波電源１７に
より発生した高周波ノイズが除去され、シールドケース
２４でシールドしているため、外部に漏れることはない
。
トロイダルコア１２を用いることによりインダクタンス
１Ｂを小形にでき、このインダクタンス１８とフィルタ
１９により形成されるノイズ除去回路２３も小形にでき
る。
１Ｂを小形にでき、このインダクタンス１８とフィルタ
１９により形成されるノイズ除去回路２３も小形にでき
る。
本実施例においては、ヒータパワーは少なくともｓｏｏ
ｗまで安定して供給できる。ヒータ７はヒータシース
６を介して高周波印加電極５に接触しているので熱伝導
がよく、約４００℃まで昇温できる。
ｗまで安定して供給できる。ヒータ７はヒータシース
６を介して高周波印加電極５に接触しているので熱伝導
がよく、約４００℃まで昇温できる。
上述のように本発明の第１装置は、反応室３内に接地電
極２と高周波印加電極５を対抗して配設し、反応ガスの
流通下で、高周波印加電極５をヒータ７により加熱しな
がら接地電極２に対し高周波印加電極５に高周波電力を
印加することにより、高周波印加電極５上の被処理物４
をプロセス処理するドライプロセス装置において、高周
波印加電極５中に、ヒータ７を埋設したヒータシース６
を挿設し、このヒータ７に通電するヒータ燃線１１をト
ロイダルコア１２に巻回してインダクタンス１８を形成
せしめ、このインダクタンス１８にフィルタ１９を接続
してノイズ除去回路２３を構成すると共に、このノイズ
除去回路２３をシールドケース２４に収めてなるので、
ヒータ７はヒータシース６を介して高周波印加電極５に
接しており、熱伝導が良好となるため、高周波印加電極
５と当該電極５上の被処理物４の加熱を効率よく行うこ
とができる。また、高周波電源１７により発生する高周
波ノイズはヒータ回路中のインダクタンス１８とフィル
タ１９によるノイズ除去回路２３により除去されるので
、ヒータ７またはヒータ電源２６を高周波ノイズにより
破壊するおそれがないばかりでなく、ノイズ除去回路２
３はシールドケース２４に収められているので、高周波
ノイズが外部装置に悪影響を及ぼすことはない。
極２と高周波印加電極５を対抗して配設し、反応ガスの
流通下で、高周波印加電極５をヒータ７により加熱しな
がら接地電極２に対し高周波印加電極５に高周波電力を
印加することにより、高周波印加電極５上の被処理物４
をプロセス処理するドライプロセス装置において、高周
波印加電極５中に、ヒータ７を埋設したヒータシース６
を挿設し、このヒータ７に通電するヒータ燃線１１をト
ロイダルコア１２に巻回してインダクタンス１８を形成
せしめ、このインダクタンス１８にフィルタ１９を接続
してノイズ除去回路２３を構成すると共に、このノイズ
除去回路２３をシールドケース２４に収めてなるので、
ヒータ７はヒータシース６を介して高周波印加電極５に
接しており、熱伝導が良好となるため、高周波印加電極
５と当該電極５上の被処理物４の加熱を効率よく行うこ
とができる。また、高周波電源１７により発生する高周
波ノイズはヒータ回路中のインダクタンス１８とフィル
タ１９によるノイズ除去回路２３により除去されるので
、ヒータ７またはヒータ電源２６を高周波ノイズにより
破壊するおそれがないばかりでなく、ノイズ除去回路２
３はシールドケース２４に収められているので、高周波
ノイズが外部装置に悪影響を及ぼすことはない。
トロイダルコア１２にヒータ燃線１１を巻回して形成さ
れる小形のインダクタンス１８と、小形のフィルタ１９
を用いることによりノイズ除去回路２３を小形にでき、
部品点数も少なく、安価に実施できる。
れる小形のインダクタンス１８と、小形のフィルタ１９
を用いることによりノイズ除去回路２３を小形にでき、
部品点数も少なく、安価に実施できる。
また第２装置は第１装置において高周波印加電極５中に
、感温素子９を埋設した感温素子シース８を挿設し、こ
の感温素子９に接続したノイズ対策用感温素子引出部１
３をシールドケース２４に収め、このノイズ対策用感温
素子引出部１３より得られる電極温度検出信号をヒータ
温度制御部２２に入力してヒータ７への通電量を調整し
、高周波印加電極５の加熱温度を自動制御するように構
成したので、第１装置と同様の作用効果を奏するだけで
なく、感温素子９は感温素子シース８を介して高周波印
加電極５に接しており、熱伝導が良好となるため、高周
波印加電極５及び当該電極５上の被処理物４の加熱温度
を比較的高精度で検出できる。
、感温素子９を埋設した感温素子シース８を挿設し、こ
の感温素子９に接続したノイズ対策用感温素子引出部１
３をシールドケース２４に収め、このノイズ対策用感温
素子引出部１３より得られる電極温度検出信号をヒータ
温度制御部２２に入力してヒータ７への通電量を調整し
、高周波印加電極５の加熱温度を自動制御するように構
成したので、第１装置と同様の作用効果を奏するだけで
なく、感温素子９は感温素子シース８を介して高周波印
加電極５に接しており、熱伝導が良好となるため、高周
波印加電極５及び当該電極５上の被処理物４の加熱温度
を比較的高精度で検出できる。
また高周波ノイズによるヒータまたはヒータ電源２６の
破壊のおそれがないこと、高周波ノイズが感温素子９の
電極温度検出信号に混入しないため、感温素子９が破損
することはなく、高周波印加電極５の加熱温度を感温素
子９により高精度に測定することができることがらヒー
タ温度制御部２２による高周波印加電極５の加熱温度の
自動制御が容易になるという効果を奏する。
破壊のおそれがないこと、高周波ノイズが感温素子９の
電極温度検出信号に混入しないため、感温素子９が破損
することはなく、高周波印加電極５の加熱温度を感温素
子９により高精度に測定することができることがらヒー
タ温度制御部２２による高周波印加電極５の加熱温度の
自動制御が容易になるという効果を奏する。
第１図は本発明装置の一実施例の構成を示す筒路断面図
、第２図は本発明におけるインダクタンスの一例を示す
斜視図である。 ２・・・・・・接地電極、３・・・・・・反応室、４・
・・・・・被処理物（ウェーハ）、５・・・・・・高周
波印加電極、６・・・・・・ヒータシース、７・・・・
・・ヒータ、８・・・・・・感温素子（熱電対）シース
、９・・・・・・感温素子（熱電対）、１０・・・・・
・フィーダ、１１・・・・・・ヒータ燃線、１２・・・
・・・トロイダルコア、１３・・・・・・ノイズ対策用
感温素子（熱電対）引出部、１４・・・・・・感温素子
（熱電対）素線、１５・・・・・・高周波マツチングユ
ニット部、１６・・・・・・同軸ケーブル、１７・・・
・・・高周波電源、１８・旧・・インダクタンス、１９
・・・・・・（１通形）フィルタ、２０・・・・・・感
温素子（熱電対）素線、２１・・・・・・ヒータケーブ
ル、２２・・・・・・ヒータ温度制御部、２３・・・・
・・ノイズ除去回路、２４・・・・・・シールドケース
、２６・・・・・・ヒータｔＲ１２７・・・−・・ガス
導入口、２８・・・・・・排気口。
、第２図は本発明におけるインダクタンスの一例を示す
斜視図である。 ２・・・・・・接地電極、３・・・・・・反応室、４・
・・・・・被処理物（ウェーハ）、５・・・・・・高周
波印加電極、６・・・・・・ヒータシース、７・・・・
・・ヒータ、８・・・・・・感温素子（熱電対）シース
、９・・・・・・感温素子（熱電対）、１０・・・・・
・フィーダ、１１・・・・・・ヒータ燃線、１２・・・
・・・トロイダルコア、１３・・・・・・ノイズ対策用
感温素子（熱電対）引出部、１４・・・・・・感温素子
（熱電対）素線、１５・・・・・・高周波マツチングユ
ニット部、１６・・・・・・同軸ケーブル、１７・・・
・・・高周波電源、１８・旧・・インダクタンス、１９
・・・・・・（１通形）フィルタ、２０・・・・・・感
温素子（熱電対）素線、２１・・・・・・ヒータケーブ
ル、２２・・・・・・ヒータ温度制御部、２３・・・・
・・ノイズ除去回路、２４・・・・・・シールドケース
、２６・・・・・・ヒータｔＲ１２７・・・−・・ガス
導入口、２８・・・・・・排気口。
Claims (2)
- （１）反応室３内に接地電極２と高周波印加電極５を対
抗して配設し、反応ガスの流通下で、高周波印加電極５
をヒータ７により加熱しながら接地電極２に対し高周波
印加電極５に高周波電力を印加することにより、高周波
印加電極５上の被処理物４をプロセス処理するドライプ
ロセス装置において、高周波印加電極５中に、ヒータ７
を埋設したヒータシース６を挿設し、このヒータ７に通
電するヒータ燃線１１をトロイダルコア１２に巻回して
インダクタンス１８を形成せしめ、このインダクタンス
１８にフィルタ１９を接続してノイズ除去回路２３を構
成すると共に、このノイズ除去回路２３をシールドケー
ス２４に収めてなるドライプロセス装置における高周波
印加電極の加熱装置。 - （２）高周波印加電極５中に、感温素子９を埋設した感
温素子シース８を挿設し、この感温素子９に接続したノ
イズ対策用感温素子引出部１３をシールドケース２４に
収め、このノイズ対策用感温素子引出部１３より得られ
る電極温度検出信号をヒータ温度制御部２２に入力して
ヒータ７への通電量を調整し、高周波印加電極５の加熱
温度を自動制御するように構成した特許請求の範囲第１
項記載のドライプロセス装置における高周波印加電極の
加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281783A JP2656326B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | ドライプロセス装置における高周波印加電極の加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281783A JP2656326B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | ドライプロセス装置における高周波印加電極の加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129373A true JPH02129373A (ja) | 1990-05-17 |
| JP2656326B2 JP2656326B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=17643913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63281783A Expired - Fee Related JP2656326B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | ドライプロセス装置における高周波印加電極の加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2656326B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034812A (ja) * | 2006-06-13 | 2008-02-14 | Applied Materials Inc | プラズマリアクタの加熱静電チャックのための高ａｃ電流、高ｒｆ電力なａｃ−ｒｆ分離フィルタ |
| JP2008198902A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2013543252A (ja) * | 2010-08-06 | 2013-11-28 | ラム リサーチ コーポレーション | 高周波（ｒｆ）パワーフィルタ及びｒｆパワーフィルタを備えるプラズマ処理システム |
| JP2013243135A (ja) * | 2013-06-20 | 2013-12-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| WO2014041792A1 (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
| WO2015060185A1 (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御機構、温度制御方法及び基板処理装置 |
| CN108376635A (zh) * | 2017-01-30 | 2018-08-07 | 日本碍子株式会社 | 晶圆支承台 |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP63281783A patent/JP2656326B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034812A (ja) * | 2006-06-13 | 2008-02-14 | Applied Materials Inc | プラズマリアクタの加熱静電チャックのための高ａｃ電流、高ｒｆ電力なａｃ−ｒｆ分離フィルタ |
| JP2008198902A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2013543252A (ja) * | 2010-08-06 | 2013-11-28 | ラム リサーチ コーポレーション | 高周波（ｒｆ）パワーフィルタ及びｒｆパワーフィルタを備えるプラズマ処理システム |
| KR20150054767A (ko) * | 2012-09-12 | 2015-05-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 필터 유닛 |
| US10074519B2 (en) | 2012-09-12 | 2018-09-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and filter unit |
| JP2014056706A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
| WO2014041792A1 (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
| JP2013243135A (ja) * | 2013-06-20 | 2013-12-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| WO2015060185A1 (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御機構、温度制御方法及び基板処理装置 |
| JP2015084350A (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御機構、温度制御方法及び基板処理装置 |
| US10199246B2 (en) | 2013-10-25 | 2019-02-05 | Tokyo Electron Limited | Temperature control mechanism, temperature control method and substrate processing apparatus |
| JP2018123348A (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-09 | 日本碍子株式会社 | ウエハ支持台 |
| CN108376635A (zh) * | 2017-01-30 | 2018-08-07 | 日本碍子株式会社 | 晶圆支承台 |
| KR20200067241A (ko) * | 2017-01-30 | 2020-06-12 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 웨이퍼 지지대 |
| US10861680B2 (en) | 2017-01-30 | 2020-12-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer support |
| CN108376635B (zh) * | 2017-01-30 | 2021-09-03 | 日本碍子株式会社 | 晶圆支承台 |
| TWI749161B (zh) * | 2017-01-30 | 2021-12-11 | 日商日本碍子股份有限公司 | 晶圓支撐台 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2656326B2 (ja) | 1997-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5806980A (en) | Methods and apparatus for measuring temperatures at high potential | |
| US6297165B1 (en) | Etching and cleaning methods | |
| JP7108623B2 (ja) | 高温環境において高周波電力を測定するための電圧－電流プローブ、及び電圧－電流プローブを較正する方法 | |
| KR100779444B1 (ko) | 플라즈마 리액터에서의 무선주파수 전력 변동율에 대한 전압제어 센서 및 제어 인터페이스 | |
| US20090178764A1 (en) | Plasma processing apparatus including electrostatic chuck with built-in heater | |
| EP0467391B1 (en) | Plasma apparatus, and method and system for extracting electrical signal of member to which high-frequency-wave is applied | |
| CN115803845B (zh) | 处理基板的方法和装置 | |
| KR20140104380A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
| JP2004047696A (ja) | プラズマドーピング方法及び装置、整合回路 | |
| CN101371341B (zh) | 等离子处理装置 | |
| US20240030014A1 (en) | Seasoning method and plasma processing apparatus | |
| JPH02129373A (ja) | ドライプロセス装置における高周波印加電極の加熱装置 | |
| KR102175086B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| US6528949B2 (en) | Apparatus for elimination of plasma lighting inside a gas line in a strong RF field | |
| JP3959318B2 (ja) | プラズマリーク監視方法，プラズマ処理装置，プラズマ処理方法，およびコンピュータプログラム | |
| TW201526134A (zh) | 半導體處理裝置 | |
| JPH06112167A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH07302696A (ja) | アースラインのモニター方法およびそれを用いたプラズマ処理装置 | |
| JP3517400B2 (ja) | エッチング処理装置の温度測定装置 | |
| JPH02213482A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2000003903A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH03158472A (ja) | 気相反応装置 | |
| JPH11307514A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
| JP2000208485A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| KR20070020981A (ko) | 플라즈마 처리설비 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |