JPH0212A - 液晶表示装置の画素および液晶表示装置における画素のグレースケールを実現する方法 - Google Patents

液晶表示装置の画素および液晶表示装置における画素のグレースケールを実現する方法

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JPH0212A
JPH0212A JP63285928A JP28592888A JPH0212A JP H0212 A JPH0212 A JP H0212A JP 63285928 A JP63285928 A JP 63285928A JP 28592888 A JP28592888 A JP 28592888A JP H0212 A JPH0212 A JP H0212A
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Anthony J Bernot
アンソニイ・ジエイ・バーノツト
Michael J Johnson
マイケル・ジエイ・ジヨンソン
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は全体としてデータおよび映像を光学的に表示す
る装置に関するものであシ、更に詳しくいえば液晶表示
装置Ｋ関するものである。
〔従来の技術〕
一般Ｋ液晶と呼ばれているある種の物質は、適切な大き
さの電圧を印加すると、液晶媒体を透過する光Ｋ対する
特性が変化する点で電気−光学的な物質である。液晶媒
体を透過する光Ｋ対する光学的４１）桂のその変化は光
学的表示装置の基礎として広く受け容れられている。こ
の電気−光学的な挙動は、マトリックス表示装置の各画
素における液晶コンデンザＫ電圧を伝えるために（フィ
ルムトランジスタまたｔｉフィルムダイオードのような
）高インピーダンスの固体スイッチが用いられる能動マ
トリックス表示装置−にとくに適する。また、液晶表示
装置は消費電力が小さい。電力は液晶分子の初めの向き
を変えるためＫ、のみ用いられる。
鏡が液晶表示装置の背後Ｋ置かれた時Ｋ液晶表示装置は
周囲光の下で動作でき、反射光を制御するために物【の
光学的な性質が利用される。周囲光の利用Ｋは、光源Ｋ
対する液晶表示装置の向きを慎重Ｋ定める必要がある。
向きを定める問題を軽くシ、周囲光の必要性を減するた
めＫ１液晶表示装置パネルを背後から照明できる。最後
に、液晶表示装置パネルは平らＫ１かつ比較的薄く製造
できる。最近の技術では、関連する回路を希望する任意
の形で比較的狭いスペースを占めるように製作できる。
しかし、現在まで社、液晶表示装置は満足できるグレー
スケールを表示できなかった。従来は、液晶表示装置に
おいてグレースケールを出す試みは、各表示点（以後、
画素と呼ぶ）を複数のそれよ）小さい表示点すなわち副
画素Ｋ分割する直接的表や夛方を用いていた。起動させ
られる副画素の数はグレースケールの階調を定める。任
意の有効な数の副画素Ｋ対して、アドレス線の密度が極
めて大きく増加するから製造が困難となる。また、各画
素に対して複数の副画素を同時Ｋ起動せねばならないか
ら、アドレッシングもますます困難になる。グレースケ
ールを出すために試みられた別の技術は、しきい値電圧
より高いが、光学的Ｋ飽和させるような電圧よりは低い
電圧を画素に印加するととＫより、液晶物質の分子の向
きを部分的Ｋ変えることである。ねじれネマチック液晶
表示装置の場合には、そのような電圧レベルは液晶結晶
分子を部分的Ｋ変形させる。しかし、その部分的な変形
Ｋより、液晶表示装置に垂直な軸を中心とする視角の関
数であるグレースケールが得られることになるから、あ
まシ満足できないことが判明している。ここで、いくつ
かの印加電圧Ｋ対するねじれネマチック液晶を透過する
光の角度依存性が示されている第１図を参照する。印加
電圧は電源電圧Ｖとしきい値電圧Ｖ・の比がＶ／Ｖ＠　
＝３（第１Ａ図）、＝２（第１８図）、＝１５（第１Ｃ
図）、＝０（第１０図）の場合Ｋついて説明することＫ
する。視角（すなわち、表示装置の軸からの拡が〕）は
４５度であり、角度φは軸の周囲の角度である（それら
の角度が第１０図に示されている）。透過の大きさは図
の中央（軸）からの距離Ｋよ）与えられる。明らかなよ
うに、ねじれネマチック液晶を含むセルにおいて印加電
圧を使用しようとしても、光の透過の角度依存性のため
に満足できるものではない。
したがって、従来の液晶表示装置グレースケール技術Ｋ
おける角度依存性の問題のない、液晶表示装置において
グレースケールを生ずる技術の必要性が感じられてきた
。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明の目的紘改良した表示装置を得ることである。
本発明の別の目的は、改良した液晶表示装置を得ること
である。
本発明の別の目的は、グレースケールを生ずることがで
きる液晶表示装置を得ることである。
本発明の別の目的は、各画素が複数の副画素を含んでい
るような液晶表示装置を得ることである。
本発明の別の目的は、画素Ｋ印加される電圧が起動させ
られる副画素の数を制御できるような液晶表示装置を得
ることである。
本発明の別の目的は、視角とは独立のグレースケールを
生ずる液晶表示装置を得ることである。
本発明の別の目的は、アナログ入力信号Ｋ応答する改善
された液晶表示装置を得ることである。
本発明の更Ｋ別の目的は、付加アドレス線また社付加能
動素子を用いずＫ液晶表示装置Ｋグレースケールを生じ
させることである。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的およびその他の目的は、本発明Ｋ従って、表示
装置の各画素Ｋ関連する複数の副画素を設けることＫよ
り達成される。各副画素ごとに実効コンデンサに制御コ
ンデンサが直列Ｋ接続されて、実効液晶コンデンサの端
子間電圧を制御する分圧回路を構成する。実効コンデン
サの極板の間Ｋ液晶物質が含まれる。光学的Ｋ飽和させ
る副画素の数を画素Ｋ印加される電圧によシ決定できる
ようＫするためＫ制御コンデンサの値が選択される。副
画素のための制御コンデンサのパラメータを制御する技
術Ｋついて説明する。電圧で制御される副画素を使用す
るとグレースケールを生ずることができる液晶表示装置
が得られる。各副画素Ｋ関連する液晶は印加電圧Ｋより
影響を受けず、あるいは飽和させられるから、伝えられ
る放射の角度の一様性が大幅に改善される。アナログ信
号へ伝えられる放射の角度の一様性も改善される。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明する。
第１図Ｋついては従来技術の説明において述べた。
まず、液晶表示マトリックスのブロック図が示されてい
る第２図を参照する。液晶表示装置１０は多数の（ＭＸ
Ｎ）画素を有する。各画素はＭ列導体の１つと、Ｎ行導
体の１つとによプアドレスされる。Ｍ列導体は、アドレ
ス信号１ＦＷｘ　Ｋ応答するＸ軸列バス駆動器１１Ｋよ
り選択され、Ｎ行導体は、ｙ行バス駆動器１２Ｋよシ選
択される。起動された列導体と起動された行導体の交点
は関連する画素を起動する。
次Ｋ１画素への列導体と行導体の結合が示されている第
３Ｃ図を参照する。液晶物質の容器の１つの表面を形成
する基板２９Ｋ行導体と列導体が付着される。行導体と
列導体社絶級パッド２１Ｋより（電気的に）分離される
。列導体−と行導体（社）の交点Ｋ薄膜トランジスタ２
０が近接して形成される。この薄膜トランジスタ２０の
ソース端子線列導体（ｍ）へ結合され、ゲート端子は行
導体ωへ結合され、ドレイン端子は、基板２９（好適な
実施例ではガラス製）の内面Ｋ設けられている導体２５
へ結合される。液晶画素（ｎ、ｍ）Ｋ加えられる電界は
、導体２５へ加えられた電圧と、液晶物質を含んでいる
第２の基板３２（第４図）に形成されている共通端子の
電圧との電位差の結果である。この実施例では、基板３
２はガラスで製作され、それの内面Ｋ共通端子が付着さ
れる。画素の等価電気回路が第３８図に示されている。
薄膜トランジスタ２５のソース端子が列導体（ｍ）へ接
続され、ゲート端子が行導体へ結合され、ドレイン端子
がコンデンサ５へ結合される。コンデンサ５は導電体２
５により形成される。この場合、液晶物質が誘電体とし
て作用し、アース端子は液晶表示装置の第２の板の上に
設けられる。
次に、カラ一液晶表示装置が示されている第４図を参照
する。ガラス基板２９の外面に偏光器３１が設けられ、
基板２９の内面には電極３０（すなわち、第３図の薄膜
トランジスタ２０と導体２５および列導体と行導体）が
付着される。第２の基板３２の外面Ｋ偏光器３１が設け
られる。その外面Ｋは色フィルタも設けられる。共通電
極として機能する導体３４がガラス基板３２の内面Ｋ設
けられ、導体３４の上Ｋフィルタ３３が設けられる。
第１の基板および第２の基板と物質の間Ｋ液晶が置かれ
、スペーサ３６が基板間距離を保ち、液晶を含む。
次Ｋ１ねじれネマチック液晶表示装置を用いる第４図の
液晶表示装置の透過光に対する動作モードが示されてい
る第５図を参照する。ねじれネマチック液晶においては
分子４０は全体として長円形である。第５Ｃ図において
、基板３２．２９Ｋ設けられている偏光器３１は整列さ
せられ、電極−３０と３４０間Ｋ電圧が印加されないと
、ねじれネマチック液晶物質の分子は、拘束表面Ｋ平行
Ｋ１長軸Ｋ沿って全体的Ｋ向けられる。しかし、拘束表
面に垂直な軸Ｋ沿う最も近い分子に対して分子は少し回
転させられる。この分子構成においては、基板３１に設
けられている偏光器２１によ〕偏光されて、２つの拘束
表面に垂直な軸Ｋ沿って進む光は、基板３２に設けられ
ている偏光器３１Ｋよシ伝えられること社々い。第５８
図において、電極３４と３０の間に十分大きい電圧が加
えられると、分子４０は電界Ｋ！ＩＥ列させられ、光を
表示装置を透過させることができる。第５Ｃ図において
、中間の電界Ｋ対しては、分子４ｏ＃′ｉ、電界が加え
られない時に物質中Ｋ見られる回転の向きを保持し、表
示装置の内側の分子の電界Ｋ対する部分的な整列が起る
。しかし、第１図Ｋ示すようＫ１中間の電界Ｋ対しては
透過光は軸対称ではない。
次に、３ｘ３画素マトリックスの領域を選択的Ｋ起動す
るととＫより、１０階調のグレースケールを得る技術が
示されている第６図を参照する。
この技術は半調技術として知られており、副画素（また
は副領域）の分解を阻止するためＫ、画素が十分Ｋ離れ
ているか、十分Ｋ小さいかの少くとも一方である場合Ｋ
は、眼Ｋよる積分Ｋ依存する。
グレースケールレベルＡＩＫシいては、画素のどの部分
も照明されない（すなわち、光の透過によ））。グレー
スケールレベルＡ２では、１つの画素副領域を光が透過
する。引き続く各グレースケールのｌＩｊｌｌｌにおい
てハ、クレースケールレベル１１０まで、光が透過する
副領域の数が増し、グレースケールレベル４１０におい
ては全ての画素を光が透過する。
次Ｋ１選択された数の副画素を起動させる技術が示され
ている第７図を参照する。起動される副画素の数は画素
に印加される電圧Ｋよ〕決定される。複数の副画素８６
〜ＳＱは実効コンデンサＣ（ＬＣ）　ｏ−Ｃ（Ｌ　Ｃ）
　ｃｓをそれぞれ有する。それらの実効コンデンサの極
板の間Ｋ液晶物質が含まれる。その液晶物Ｊ［Ｋは、実
効コンデンサの極板上の電荷Ｋより発生される電界を受
ける。各実効コンデンサＣ（ＬＣ）ｅ＝　Ｃ（ＬＣ）＠
に制御コンデンサＣ・〜Ｃ，が直列に接続される。トラ
ンジスタ２◎が導通状態にされると、直列結合されてい
る各コンデンサ対に電圧ｖＡが印加される。各副画素の
ために液晶Ｋ加えられる電圧はＶ（ｔ、Ｃ）ｑ＝ｖＡ−
■、／〔Ｃｑ＋Ｃ（ＬＣ）ｇ〕である。したがって、画
１１Ｋ加えられる与えられた電圧Ｋ対して、各画素の液
晶物質Ｋ印加される電圧を制御コンデンサＣｑは決定で
きる。
次に、実効副画素コンデンサＫ直列接続され、複数の容
量値を有する制御コンデンサを製造する３種類の技術が
示されている第８Ｃ図、第８８図および第８Ｃ図を参照
する。それらの技術は平行板コンデンサの弐Ｃ＝Ｋｅ　
＠　Ａ／ｄ　ＦＩＣ関連して最も良〈理解される。その
式で、Ｋは媒体の比誘電率、・・は自由空間の誘電率、
ムはコンデンサの極板間の距離である。第８Ｃ図におい
て、比誘電率Ｋを変えるととにより制御コンデンサの容
量が制御される。したがって、副画素ｇｏの制御コンデ
ンサの比誘電率社Ｋ・で６９、副画素Ｓ１の制御コンデ
ンサの比誘電率ａｌｃｔ　、等である。その結果として
、制御コンデノサの容量を各副画素ごとに変えることが
できる。第８８図において、液晶物質を横切って副画素
の制御コンデンサへ直列接続されている制御コンデンサ
の容量社、コンデｙすの少くとも１つ極板の面積を変え
ることＫより制御される。副画素Ｋｆｍ達する制御コン
デ／すの一方の極板の面積ｔｉＡ・、副画素ＳＩＫ関連
する制御コンデンサの一方の極板の面積はＡｌＮ等であ
る。このようにして、副画素制御コンデンサの容量を変
えることができる。第８Ｃ図Ｋ＆いて、副画素中の誘電
体と液晶物質の相対的表厚さを変え（それＫより、各副
画素Ｋ関連する液晶Ｋ加えられる電界を可制御的Ｋ変え
）ることＫよシ、制御コンデ／すの容量は制御される。
副画素ｓ＠Ｋ関連する誘電体の厚さはｄ・、副画素Ｓ１
Ｋ関連する誘電体の厚さはｄ１１等である。したがって
、各副画素に関連する誘電体の厚さで、関連する副画素
の液晶Ｋ加えられる電界の相対的な強さを制御できる。
制御コンデンサパラメータの調整の仁の技術においては
、液晶の実効コンデンサの容量は誘電体の厚さとｋよ〉
決定され、誘電体は制御コンデンサとして作用する。
次に、制御コンデ／４ｊの容量を決定する極板可変面積
技術の実現の分解斜視図が示されている第９図を参照す
る。基板（図示せず）Ｋ結合されている共通電極３４が
液晶３５のための１つの境界を形成する。液晶の反対側
は共通の副画素電極８２Ｋより限られる。共通の副画素
電極８２は、実効一液晶コ／デンサと制御コンデンサに
共通の電極である。共通の副画素電極８２は表示装置の
残９０部分へ導電素子によシ結合されること社ない。共
通のａ画雰電極は誘電体層８１の上に位置させられる。
誘電体層８１の第２０儒Ｋは副画素電極２５が設けられ
る。電極２５を調べると明らかなように、関連する各共
通副画素Ｍ極から見た電極２５０面請け、共通のを副画
素電極ととＫ異なる値を有する。電１７ｋ２５はガラス
板２９（第３図）の上に置かれる。
次に、実効液晶副Ｗｉ素コンデンサの端子間電圧を決定
するためＫ１可変誘電体厚さを用いる技術が斜視図で示
されている第１０図を参照する。共通の画素電極が画素
の液晶物質３５の１つの境界を形成する。第２の電極２
５が画素セルの第２の境界を形成する。電極２５Ｋ複数
の誘電体領域９１〜９４が組合わされる。各誘電体領域
の厚さはそれぞれｄｏ＝ｄｓである。誘電体領域９１〜
９４の１番上と電極３４０間の電圧（したがって、それ
Ｋよシ発生される電界）社関連する誘電体領域の厚さＫ
より決定される。
次Ｋ１グレースケールを生ずるための副画素パラメータ
を決定する手順がグラブで示されている第１１図を参照
する。このグラフの縦軸は実効副画素コンデンサの端子
間電圧Ｖ（ＬＣ）を示す。横軸は画素セルに印加されろ
電圧ｖＡである。差は制御コンデンサの端子間電圧であ
る。カープＶ（ＬＣ）ｏ　、Ｖ（ＬＣ）１　．Ｖ（ＬＣ
）２　．Ｖ（ＬＣ）３は、印加電圧の関数としての実効
副画素コンデンサの端子間電圧である。電圧レベルＶ＆
は光学的な活動を開始する電圧を示し、Ｖｕは光学的活
動の飽和が起る電圧レベルを示す。したがって、電圧ｖ
Ｌ以下では副画素は完全Ｋ不透明であシ、電圧Ｖｕ以上
では副画素は完全Ｋ透明である。とこで、副画素Ｓ・の
実効液晶コンデンサの端子間電圧を表すＶ（ＬＣ）ｏカ
ーブを参照して、電圧ｖＡ＝ｖ・が加えられると、関連
する副画素は透明である。
ｖ（ＬＣ）ｓ　カーブでは、副画素８１の実効液晶コン
デンサの端子間電圧は、Ｖム＝ｖｏ　の時Ｋたかだか、
ｖＴ、にすべきである。第９図を参照して、この関係は
副画素Ｓ＠Ｋ関連する電極２５０面積と、副画素ＳＩＩ
ｃ関連する電極２５０面積との比を定める。同様に、画
素電圧ＶＡ＝Ｖ、　　であると、実効画素コンデンサの
端子間電圧Ｖ（ＬＣ）□は光学的飽和電圧Ｖｕ　Ｋ達し
、副画素Ｓ鵞の実効液晶コンデンサの端子間電圧Ｖ（Ｌ
Ｃ）、は液晶のしきい値レベルＶＬＫ達する。この電圧
条件は、副画素８１Ｋ関連するコンデンサ極板すなわち
電極すの面積と、副画素ＳｚＫ関連するコンデンサ極板
２５の面積との比を決定する。
再び第１１図を参照して、カープＶ（ＬＣ）。。
ｖ（ＬＣ）ｌ、Ｖ（ＬＣ）ｚ　−Ｖ（ＬＣ）ｓは直線状
テ社ナい。この非直線性は、印加電界の作用の下Ｋおけ
る異方性液晶分子の向きが変化する結果である。
これについては第１２図を参照しながら下記に説明する
。
第１２図には、印加電圧の関数としての実効液晶コンデ
ンサの誘電率の変化を示すグラフが示されている。比誘
電率Ｋ、は、電圧が光学的活動電圧ｖ１の近くＫ達する
までほぼ一定Ｋ保たれる最小値を有する。比誘電率は、
光学的飽和電圧Ｖｕまで電圧が上昇するＫつれて増大し
、誘電的Ｋ飽和する電圧レベルｖｕｃにおいて最大値に
達する。
光学的Ｋ飽和させるために選択された画素に加えねげな
ら危い電圧を定める時Ｋは、誘電率の変化を考慮Ｋ入れ
なければならず、次Ｋ選択される画素には光学的活動の
しきい値に近い電圧が印加される。
〔好適な実施例の動作〕
副画素の液晶領域に直列接続され、容量が制御可能であ
る制御コンデンサを用いることによ〕、画素への印加電
圧はどの画素が光を伝えることができるかを決定できる
。画素に制御可能な電圧を加える性能と、画素への印加
電圧の関数として各画素の光学的特性を制御する性能と
によシ、液晶表示装置の画素に、印加電圧の関数として
広い視角のグレースケール性能を持たせることができる
。
本発明においては、副画素の液晶領域と直列Ｋ結合され
る制御コンデンサを導入するととＫよシ、選択された副
画素の起動が制御される。直列制御コンデンサは分圧回
路を構成するために製造され、それＫよシ、画素Ｋ所定
の電圧が印加された時Ｋ関連する副画素が光学的Ｋ起動
させられる。選択された画素電圧において副画素液晶が
光学的に起動させるためＫ制御コンデンサを構成するこ
とＫより、グレースケールを生ずる性能を画素への印加
電圧の関数として得ることができる。直列制御コンデン
サの容量を、コンデンサの訪電率と、極板の距離と、極
板の面積との少くとも１つの関数として変えることがで
きる。この実施例においては、コンデンサの極板面積技
術が用いられる。この技術社光学的性質と電気的性質を
最も良く制御−する。
この実施例においては、各画素への印加電圧を制御する
トランジスタが、薄膜技術を用いて基板上Ｋ製造される
。それらのトランジスタ扛アモルファスシリコン、ポリ
シリコン、セレン化カドミワム、テレリ９ム、その他の
適当な材料を用いて基板上ｋ製造できる。液晶物質社適
当なねじれネマチック物質から選択される。しかし、電
圧の関数として決定される光学的起動を持つ材料に対し
て本発明のやり万を使用できる。基板はガラス、高温度
ガラス、石英または他の適切な材料から製造できる。
液晶表示装置上に表示すべき映像は論理信号の群として
格納され、それから、適切な画素電圧Ｖムを得るために
デジタル−アナログ変換器を使用できる。
本発明を、非光学的Ｋ飽和させられる副画素を無くす画
素に印加される電圧ＫおけるステップＫ関して説明した
が、液晶表示装置の画素へのアナログ信号の印加に応答
して、広い視角にわたって光の透過の一様性を向上させ
ることが明らかであろう。この改善社、複数の一画素Ｋ
対して、印加されたアナログ信号がただ１つの副画素を
飽和されなくなる、という事実の結果である。したがっ
て、角度依存性はあまり明らかでなく、目立つ角度依存
性なしに光の伝送Ｋｌｉ畳される。同様に、本発明の技
術を用いて、種々の電圧において光学的ＪＣ飽和する各
ｉｉｉｉ素Ｋ対する一連の副画素を形成することにより
、グレースケール画素を形成できるが、必ずしも第１１
図Ｋ示す関係社持たない。
画素が光伝送飽和状態Ｋある被数の副画素を典型的Ｋ有
する場合には、軸方向の光伝送の一様性が改善される。
【図面の簡単な説明】
第１ム〜ｌＥ図はねじれネマチック液晶物質の光の伝送
の角度依存性を示し、第２図は液晶マトリックス表示装
置のブロック図、第３Ａ図は画素への列導体と行導体の
電気的結合を示し、第３８図は電気的結合の等価回路図
、第４図は本発明を使用できるマトリックスカラ一液晶
表示装置であり、第５Ａ〜５Ｃ図は第４図に示されてい
るカラ一液晶表示マトリックスの動作の概念的が説明図
、第６図社グレースケールレベルを半調技術によシどの
ようにして達成できるかを示し、第７図は複数の副画素
を有する液晶表示装置の画素にグレースケールを生じさ
せる技術を示し、第８Ａ図、第８８図および第８Ｃ図社
副画素の実効コンデンサＫ制御コンデンサを直列接続す
る技術を示し、第９図は制御コｙデンサの容量を定める
可変面積技術を用いる液晶画素セルの分解斜視図、第１
０図は副画素セルの実効コンデンサ内Ｋ電界を生じさせ
るためＫ誘電体の厚さを用いる液晶画素セルの分解斜視
図、第１１図は印加電圧レベルにより決定される副画素
起動を持つ液晶画素セルを設計する手順を示し、第１２
図は副画素の構造Ｋ影響する液晶物質の性質を示す。 １０・・・・液晶表示装置、１１・・・・Ｘ軸列バス駆
動器、１２・・・・ｙ軸行バス駆動器、２９．３２−−
−一基板、３０．３４−−−−電極、３３・・−・フイ
〃り、３５・・・１液晶、８１・・・・誘電体層、８２
・・・・共通副画素電極。 判、許出好人　ハネ９エル・インコ−ボレーテッド復代
理人　山川政樹（ほか２名） 図面の浄ＩＦ（内容に変更なし） Ｆｉｔ；、　ＩＡ、　　　　　　　　　　　　　　　Ｆ
ｌσ、〃１Ｆ１６．　ＩＣ−ＦＩＧ、　／Ｄ− １・７１ Ｆ１６．　ＩＥ− 土 Ｉ τ ｒ３１　　　　　　　々メぴ／Ｉ Ｆｌロー　４゜ ｒ　　　　　　−−−−−＝ し−一−−−−−−−−−−−−−−−−一　。 罪、　？　　　　　　　ハ　　　？ Ｆｌに、　ＩＩＡ、　　　　　　　　　　　　　　　Ｆ
ｌに−θｌ当　　　？ Ｃ”＃＆［ｏＡ） Ｆ１６．８Ｃ。 Ｆ１６．９゜ Ｆ／ｆ；、　１０゜ Ｆｌ（；、　Ｉｔ 身′” ＦｌｌＬ　Ｍ。 手続補正書（λ代） １、事件の表示

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）複数の副画素を備え、各副画素は、 前記液晶表示装置を有する領域と、 各前記副画素を画素に印加された電圧の関数として起動
    する起動手段と、 を備えることを特徴とする液晶表示装置の画素。
  2. （２）液晶表示装置の画素を複数の副画素に分割する過
    程と、 前記画素の液晶領域に制御コンデンサを直列に置く過程
    と、 前記制御コンデンサのパラメータを調節して、予め選択
    された電圧に対して、関連する各液晶領域を光学的に飽
    和させる過程と、 を備えることを特徴とする液晶表示装置における画素の
    グレースケールを実現する方法。（３）多数の液晶画素
    を備え、各画素は、 前記画素に印加された光学的なグレースケールに依存す
    る電圧を供給するグレースケール手段と、予め選択した
    画素に電圧を加える電圧手段と、を備え、前記グレース
    ケール手段は、前記副画素の軸方向に対称的な光伝送を
    全体的に行うことを特徴とする液晶表示装置。
JP63285928A 1987-11-13 1988-11-14 液晶表示装置の画素および液晶表示装置における画素のグレースケールを実現する方法 Pending JPH0212A (ja)

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