JPH02130850A - 半導体ウエーハのマーキング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体結晶のインゴットから切り出される半
導体ウェーハのマーキング方法に関する。

［従来の技ＶＰ′Ｉ］ 第３図は従来の半導体ウェーハの平面図で、半導体ウェ
ーハ１には一般に結晶軸の方向を示す主フラット２が設
けられている。

又、主フラット２とは別に、半導体ウェーハ１の表裏を
判別するために副フラット３が設けられる場合もある。

しかし、従来、半導体ウェーハの製作段階において、半
導体・ウェーハが切り出されたインゴットの切断部位を
特定できるようなマーキングは施されていなかった。

［発明が解決しようとする課題］ 半導体結晶はインゴットごとに特性のバラツキがあるた
め、半導体ウェーハをすべて同一のインボッ１〜から取
得づるように要求されることが多い。

又、同一のインゴット内でも結晶のシート側とテイル側
で特性が変わるためシート側からの切断部位を特定する
ため個々の半導体ウェーハにシリーズ番りを付与する必
要があった。

従来、半導体ウェーハを梱包する旧、容器に上記シリー
ズ番号によるウェーハ番号を記入していたが、容器から
半導体ウェーハを取り出すと、これを判別することはで
きなかった。

一方、半導体ウェーハの表面にレーザ光を使ってウェー
ハ番号を記入することも行われてきたが、手間がかかる
上、マーキング前に順序を混同すると判別できなくなる
恐れがあった。

更に、半導体ウェーハを研磨、洗浄する際には、同時に
多数枚を処理することが多いが、ウェーハ番号が個々に
マーキングされてないと、半導体ウェーハが混ざって個
々の判別ができなくなることが多い。

本発明は、簡単な方法により容易に半導体ウェーハのウ
ェーハ番号及び表裏を判別することができ、個々の半導
体ウェーハを識別することができる半導体ウェーハのマ
ーキング方法を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明では、結晶軸の方向を示す主フラットを形成する
主切欠部を設けた柱状の半導体結晶のインゴットのシー
ト側から外周に沿って螺旋状にｂｊｌフラットを形成す
る副切欠部を設け、上記インゴットをスライスして半導
体ウェーハを切り出し、上記主切欠部により上記半導体
ウェーハにマーキングされた主フラットと上記切欠部に
より上記半導体ウェーハにマーキングされた上記副フラ
ットの距離により上記半導体ウェーハが切り出された上
記インゴットの切断部位を特定するようにしたことを特
徴とする。

［作　　用］ 本発明では、半導体ウェーハにおける主フラットの位置
を基準にし、インゴットの切断部位の変化に伴って副フ
ラットの位置を移動させるようにしたので、主フラット
と副フラットの距離を測ることにより半導体ウェーハが
切り出されたインゴットの切断部位を特定でき、シート
側から設定されるウェーハ番号を判別でき、個々の半導
体ウェーハを識別できる。

［実　施　例］ 以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明す
る。

第１図は本実施例に係るＬＥＣ法（溶融液カプセル引上
法）で成長したＱａ、Ａｓ半導体結晶のインゴットの斜
視図である。本実施例に適用できる半導体材料としては
、Ｓ　ｉ　、Ｇｅ、ＧａＡｓ。

ＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ、ＣｄＴｅ等がある。

又、インゴット４は円柱形状としたが、角形のものでも
よい。５は主フラット２を形成するための主切欠部で、
本実施例ではインゴット４の結晶シート側上端で、切欠
部５に隣接した位置からその外周に沿って螺旋状に、後
述する副フラットを形成するための副切欠部６を設けた
後、インゴット４を結晶シート側からスライスして、半
導体１りニーハフを切り出ずようにしている。

本実施例に係る試作例では、ＧａＡＳインゴットを全長
１２０１Ｍ１に切断し、円筒研削装置を用いて直径φ２
インチに研削した。主フラット２の主切欠部５は円筒研
削装置を用いてフラット面幅１６ｍ＋に加工した。その
後半導体結晶のインゴット４を１３５゛回転させながら
主切欠部５に隣接する位置から対面側にわたって研削し
、幅９　ｍｍの副フラットを形成づる副切欠部６を設け
た。次いで、このインゴット４から厚さ５００＃の半導
体・ウェーハ７を１５０枚切り出した。

第２図（イ）〜（ボ）は、本試作例でインゴット４から
切り出された半導体ウェーハ１の平面図で、インゴット
４の副切欠部６により４′導体ウェーハ１にマーキング
されたｎ１フラツト６ａ〜６Ｃは、第２図（イ）に示ず
主フラット１に隣接した位置から半導体ウェーハ１の外
周に沿って順次、第２図（ホ）に示す位置まで移動する
。

本試作例では、隣接づる２つの半導体ウェーハ１の副フ
ラット、例えば副フラット６ａと副フラット６ｂの位置
は１ｍ近くずれており、両者を見較べるか、主フラット
２と副フラット６ａ〜６ｅの距離を測定することにより
半導体ウェーハが切り出されたインゴット４の切断部位
を特定することができ、個々の半導体ウェーハ１にシー
ト側から設定されるウェーハ番号も容易に知ることがで
きる。

尚、本実施例では副フラット６ａ〜６ｅの位置は第２図
の左半分で、主フラット２に隣接した位置から１８００
以内の範囲に設けるようにしたので、表裏を間違える心
配はない。

又、本試作品を洗浄、ラッピング、鏡面研磨加工を行っ
た結果、副フラット６ａ〜６ｅは損傷することなく、こ
のマーキング方法は非常に有効であることが確認できた
。

尚、副フラット６ａ〜６ｅは面ではなく、切欠き線又は
これに類似する形状とすることができる。

本実施例によれば、マーキングされた主フラットと副フ
ラットの距離を測定することにより半導体ウェーハがイ
ンゴットのどの切断部位から切り出されたかがわかり、
半導体ウェーハの表裏、ウェーハ番号を知ることができ
、個々の半導体・り工−ハの識別が可能となる。

従って、従来のように半導体ウェーハを製作した模、ウ
ェーハ番号をレーザ光により表面にマーキングする手間
が省ける一方、半導体ウェーハ表面を有効に活用するこ
とが可能となる。

又、半導体ウェーハを研磨する以前にマーキングするの
で間違づだマーキングをする危険性がなく、研磨や洗浄
によってマークが消えることがない。又、マーキングは
容易に行うことができる。

尚、上記実施例では副フラットは１個であったが、これ
を複数箇所に設け、それらを組合せてウェーハｆｆｉ号
、半導体ウェーハの表裏を判別することもＩ＋Ｊ能であ
る。

［発明の効果］ 本発明によれば、簡単な方法により容易に半導体ウェー
ハのウェーハ番号、及び表裏を判別することができ、個
々の半導体ウェーハを識別することが可能となる。又、
インゴットから切り出しの段階でマーキングを行うので
従来のような間違ったマーキングの危険性がない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る半導体結晶のインゴッ
トの斜視図、第２図（イ）〜（ホ）は副フラットの位置
を異にする半導体ウェーハの平面図、第３図は従来の半
導体ウェーハの平面図である。 二手導体ウェーハ、 ：主フラット、 ：インゴット、 ：主切欠部、 ：副切欠部、 ：副フラット。 第　１　図 ４：インコー、、、　ｈ Ｓ：主切欠卵 ６：副切欠部 （べ） Ｚ 目 （ロ） ２：　宝フウー、ト 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、結晶軸の方向を示す主フラットを形成する主切欠部
   を設けた柱状の半導体結晶のインゴットのシート側から
   外周に沿って螺旋状に副フラットを形成する副切欠部を
   設け、上記インゴットをスライスして半導体ウェーハを
   切り出し、上記主切欠部により上記半導体ウェーハにマ
   ーキングされた主フラットと、上記副切欠部により上記
   半導体、ウエーハにマーキングされた上記副フラットの
   距離により上記半導体ウェーハが切り出された上記イン
   ゴットの切断部位を特定するようにしたことを特徴とす
   る半導体ウェーハのマーキング方法。