JPH0213268B2 - - Google Patents
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- JPH0213268B2 JPH0213268B2 JP4865881A JP4865881A JPH0213268B2 JP H0213268 B2 JPH0213268 B2 JP H0213268B2 JP 4865881 A JP4865881 A JP 4865881A JP 4865881 A JP4865881 A JP 4865881A JP H0213268 B2 JPH0213268 B2 JP H0213268B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
- G01N30/02—Column chromatography
- G01N30/50—Conditioning of the sorbent material or stationary liquid
- G01N30/56—Packing methods or coating methods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Treatment Of Liquids With Adsorbents In General (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ガスクロマトグラフイーもしくは
液体クロマトグラフイーのカラムに関する。
液体クロマトグラフイーのカラムに関する。
さらに詳しくは、ガスクロマトグラフイーもし
くは液体クロマトグラフイーのカラムのチユーブ
の改良に関するものである。
くは液体クロマトグラフイーのカラムのチユーブ
の改良に関するものである。
クロマトグラフイーのカラム用チユーブとして
従来使用されているものは、主として、ステンレ
ススチール・チユーブ、ソーダ石灰ガラス・チユ
ーブ、硼珪酸ガラス・チユーブおよび石英ガラ
ス・チユーブである。このうち石英ガラス・チユ
ーブは優れて内面の活性が低く、広い用途に使用
されうるが、加工しにくい石英を素材としている
ために極めて特殊な加工装置が必要となる欠点が
ある。これに対し石英ガラス・チユーブ以外のも
のは、取扱い又は加工が容易であるという長所は
あるが、内面の活性が比較的に高いために、試料
に悪影響を与えることのある欠点がある。これを
防ぐために種々の不活性化処理が試みられている
が、その不活性化処理工程が複雑であり、効果も
充分とは言えない。
従来使用されているものは、主として、ステンレ
ススチール・チユーブ、ソーダ石灰ガラス・チユ
ーブ、硼珪酸ガラス・チユーブおよび石英ガラ
ス・チユーブである。このうち石英ガラス・チユ
ーブは優れて内面の活性が低く、広い用途に使用
されうるが、加工しにくい石英を素材としている
ために極めて特殊な加工装置が必要となる欠点が
ある。これに対し石英ガラス・チユーブ以外のも
のは、取扱い又は加工が容易であるという長所は
あるが、内面の活性が比較的に高いために、試料
に悪影響を与えることのある欠点がある。これを
防ぐために種々の不活性化処理が試みられている
が、その不活性化処理工程が複雑であり、効果も
充分とは言えない。
この発明は、このような事情に鑑みてなされた
もので、石英ガラス・チユーブと同程度に内面が
不活性であつて、ステンレススチール、ソーダ石
灰ガラスあるいは硼珪酸ガラスなどの取扱い又は
加工のしやすい素材を主体に用いて構成すること
ができ、しかも製造の容易なチユーブを用いたク
ロマトグラフイーのカラムの製造方法の提供を目
的とする。
もので、石英ガラス・チユーブと同程度に内面が
不活性であつて、ステンレススチール、ソーダ石
灰ガラスあるいは硼珪酸ガラスなどの取扱い又は
加工のしやすい素材を主体に用いて構成すること
ができ、しかも製造の容易なチユーブを用いたク
ロマトグラフイーのカラムの製造方法の提供を目
的とする。
この発明の1つの構成上の特徴は、クロマトグ
ラフイーのカラムのチユーブとすべき管の内壁
に、CLD法により二酸化珪素被膜を形成したこ
とにある。
ラフイーのカラムのチユーブとすべき管の内壁
に、CLD法により二酸化珪素被膜を形成したこ
とにある。
この結果、内面は石英ガラス・チユーブと同程
度に不活性となる。また、管の素材はそれ自体の
不活性の程度を考慮せずに選択できるので、加工
のしやすいステンレススチール、ソーダ石灰ガラ
ス又は硼珪酸ガラスなどを用いることができる。
もつとも、石英ガラスを用いても何ら差支えはな
い。
度に不活性となる。また、管の素材はそれ自体の
不活性の程度を考慮せずに選択できるので、加工
のしやすいステンレススチール、ソーダ石灰ガラ
ス又は硼珪酸ガラスなどを用いることができる。
もつとも、石英ガラスを用いても何ら差支えはな
い。
加工のしやすいソーダ石灰ガラスや硼珪酸ガラ
スなどを主体として構成でき、かつ内面の不活性
が改善される結果、この発明のひとつの実施態様
として、内面が優れて不活性なキヤピラリ・カラ
ムが容易に得られるが、このようなキヤピラリ・
カラムは、外径が0.7mm〜1.2mmと極めて細いため
に折れやすいという欠点がある。
スなどを主体として構成でき、かつ内面の不活性
が改善される結果、この発明のひとつの実施態様
として、内面が優れて不活性なキヤピラリ・カラ
ムが容易に得られるが、このようなキヤピラリ・
カラムは、外径が0.7mm〜1.2mmと極めて細いため
に折れやすいという欠点がある。
この発明は上記欠点を改善することをもひとつ
の目的とするものである。換言すれば、この発明
は、製作が容易で内面が優れて不活性であり、か
つ、折れにくいクロマトグラフイーに好適なキヤ
ピラリ・カラムを提供することを他のひとつの目
的とするものである。
の目的とするものである。換言すれば、この発明
は、製作が容易で内面が優れて不活性であり、か
つ、折れにくいクロマトグラフイーに好適なキヤ
ピラリ・カラムを提供することを他のひとつの目
的とするものである。
上記観点から、内壁にCLD法による二酸化珪
素被膜が形成され、かつ、外壁に補強用被膜が形
成されてなるチユーブを用いたクロマトグラフイ
ーのキヤピラリ・カラムがこの発明により提供さ
れる。
素被膜が形成され、かつ、外壁に補強用被膜が形
成されてなるチユーブを用いたクロマトグラフイ
ーのキヤピラリ・カラムがこの発明により提供さ
れる。
キヤピラリ・チユーブの主体となる素材は、前
述したように、加工のしやすいソーダ石灰ガラス
や硼珪酸ガラスなどとすることができる。
述したように、加工のしやすいソーダ石灰ガラス
や硼珪酸ガラスなどとすることができる。
補強用被膜の素材は、例えばポリイミド樹脂や
その他耐熱性合成樹脂、金属、ゴムなどが好まし
い。
その他耐熱性合成樹脂、金属、ゴムなどが好まし
い。
上記この発明のキヤピラリ・カラムは、製作し
やすく、内面が優れて不活性であり、かつ、充分
にフレキシブルであり折れにくい。
やすく、内面が優れて不活性であり、かつ、充分
にフレキシブルであり折れにくい。
この発明において不活性な二酸化珪素を形成す
る方法はCLD(Chemical Liquid Deposition)法
に属する方法であり、例えば珪素化合物を含む溶
液(具体的には日本曹達製のアトロンが挙げられ
る)を、不活性なガスたとえば窒素ガスによつて
チユーブ内に圧入するかもしくは負圧によりチユ
ーブ内に吸引し、流通させてチユーブ内面を一様
にコートし、乾燥した後に加熱処理し酸化物被膜
を形成させる方法である。
る方法はCLD(Chemical Liquid Deposition)法
に属する方法であり、例えば珪素化合物を含む溶
液(具体的には日本曹達製のアトロンが挙げられ
る)を、不活性なガスたとえば窒素ガスによつて
チユーブ内に圧入するかもしくは負圧によりチユ
ーブ内に吸引し、流通させてチユーブ内面を一様
にコートし、乾燥した後に加熱処理し酸化物被膜
を形成させる方法である。
以下、図に示す実施例に基いて、この発明をさ
らに詳説する。
らに詳説する。
第1図に示す1は、この発明の製造工程で得ら
れるクロマトグラフイーのカラム用チユーブの一
例である。内径3mmのステンレススチール管2の
内壁に、厚さ数ミクロン以下の二酸化珪素層3が
形成されてなつている。
れるクロマトグラフイーのカラム用チユーブの一
例である。内径3mmのステンレススチール管2の
内壁に、厚さ数ミクロン以下の二酸化珪素層3が
形成されてなつている。
この二酸化珪素層3の形成は、第2図に示すよ
うに、まず通常のガスクロマトグラフイーのカラ
ム用のステンレススチール管2に珪素系化合物の
溶液4を窒素ガス圧により一定量流通し、ひきつ
づき窒素ガスのみを通じて溶剤を乾燥し、それを
恒温槽5に入れて約100℃で30〜60分間窒素ガス
を流した後、約450℃に昇温して30〜60分間空気
を流通することによつて行う。
うに、まず通常のガスクロマトグラフイーのカラ
ム用のステンレススチール管2に珪素系化合物の
溶液4を窒素ガス圧により一定量流通し、ひきつ
づき窒素ガスのみを通じて溶剤を乾燥し、それを
恒温槽5に入れて約100℃で30〜60分間窒素ガス
を流した後、約450℃に昇温して30〜60分間空気
を流通することによつて行う。
このチユーブ1は主体となる素材がステンレス
スチールなので丈夫で取扱い易く安価である。ま
た、内面が二酸化珪素で被覆されているので、石
英カラムと同程度に優れて不活性である。
スチールなので丈夫で取扱い易く安価である。ま
た、内面が二酸化珪素で被覆されているので、石
英カラムと同程度に優れて不活性である。
第3図に示す6は、この発明の製造工程で得ら
れるクロマトグラフイーのカラム用チユーブの他
の一例である。内径0.25mmのパイレツクスガラ
ス・キヤピラリ7の内壁に二酸化珪素層8が形成
されるとともに、外壁にポリイミド樹脂層9が形
成されている。
れるクロマトグラフイーのカラム用チユーブの他
の一例である。内径0.25mmのパイレツクスガラ
ス・キヤピラリ7の内壁に二酸化珪素層8が形成
されるとともに、外壁にポリイミド樹脂層9が形
成されている。
パイレツクスガラス・キヤピラリ7は良く知ら
れたものであり、二酸化珪素層8の形成は前述と
同様にして行いうる。
れたものであり、二酸化珪素層8の形成は前述と
同様にして行いうる。
ポリイミド樹脂層9の形成は、通常の方法で行
いうる。
いうる。
このキヤピラリ・チユーブ6は、素材がパイレ
ツクスガラスであるので、カラム作成のための加
工が石英ガラスに比較して極めて容易であり、価
格も安価である。また、内面の不活性は石英ガラ
スと同程度に優れている。
ツクスガラスであるので、カラム作成のための加
工が石英ガラスに比較して極めて容易であり、価
格も安価である。また、内面の不活性は石英ガラ
スと同程度に優れている。
第4図Aに示す10は、第1図に示すチユーブ
1の内部に通常の充填剤11をパツクしてクロマ
トグラフイー用充填カラムとした例である。
1の内部に通常の充填剤11をパツクしてクロマ
トグラフイー用充填カラムとした例である。
第4図Bに示す12は、第2図に示すキヤピラ
リ・チユーブ6の内面に通常の液相13をコーテ
イングしてクロマトグラフイー用キヤピラリ・カ
ラムとした例である。このキヤピラリ・カラム1
2を用いて得たクロマトグラムを第5図Aに示
す。第5図Bは、同じ液相、同じ試料であるが、
従来のパイレツクスガラス・キヤピラリ・カラム
を用いて得たクロマトグラムである。これから判
るように、この発明に係るキヤピラリ・カラム1
2によれば、従来のキヤピラリ・カラムで生じて
いたDBKピークbのテーリングが解消され、ま
たPCHピークdが全く溶出されていなかつたの
が明らかに現われるようになつた。
リ・チユーブ6の内面に通常の液相13をコーテ
イングしてクロマトグラフイー用キヤピラリ・カ
ラムとした例である。このキヤピラリ・カラム1
2を用いて得たクロマトグラムを第5図Aに示
す。第5図Bは、同じ液相、同じ試料であるが、
従来のパイレツクスガラス・キヤピラリ・カラム
を用いて得たクロマトグラムである。これから判
るように、この発明に係るキヤピラリ・カラム1
2によれば、従来のキヤピラリ・カラムで生じて
いたDBKピークbのテーリングが解消され、ま
たPCHピークdが全く溶出されていなかつたの
が明らかに現われるようになつた。
なお、この発明の対象物の使用目的からいつ
て、チユーブ内面にシラノール基の残存しないこ
とをより確実にするために、シリル基を導入して
シリルエーテル化不活性化するいわゆるシラン処
理を行つてもよい。
て、チユーブ内面にシラノール基の残存しないこ
とをより確実にするために、シリル基を導入して
シリルエーテル化不活性化するいわゆるシラン処
理を行つてもよい。
第1図はこの発明の製造工程で得られるガスク
ロマトグラフイーのカラム用チユーブの一例の断
面図、第2図は第1図に示すチユーブの内壁に二
酸化珪素層を形成する工程説明図、第3図はこの
発明の製造工程で得られるガスクロマトグラフイ
ーのカラム用チユーブの他の一例の一部破断斜視
図、第4図は第1図および第3図に示すチユーブ
を用いて作成したカラムの断面図、第5図は第4
図Bに示すこの発明に係るキヤピラリ・カラムを
用いて得たクロマトグラムおよび従来のキヤピラ
リ・カラムを用いて得たクロマトグラムである。 1……クロマトグラフイーのカラム用チユー
ブ、2……ステンレススチール管、3……二酸化
珪素層、6……クロマトグラフイーのカラム用キ
ヤピラリ・チユーブ、7……パイレツクスガラ
ス・キヤピラリ・チユーブ、8……二酸化珪素
層、9……ポリイミド層、10,12……クロマ
トグラフイーのカラム。
ロマトグラフイーのカラム用チユーブの一例の断
面図、第2図は第1図に示すチユーブの内壁に二
酸化珪素層を形成する工程説明図、第3図はこの
発明の製造工程で得られるガスクロマトグラフイ
ーのカラム用チユーブの他の一例の一部破断斜視
図、第4図は第1図および第3図に示すチユーブ
を用いて作成したカラムの断面図、第5図は第4
図Bに示すこの発明に係るキヤピラリ・カラムを
用いて得たクロマトグラムおよび従来のキヤピラ
リ・カラムを用いて得たクロマトグラムである。 1……クロマトグラフイーのカラム用チユー
ブ、2……ステンレススチール管、3……二酸化
珪素層、6……クロマトグラフイーのカラム用キ
ヤピラリ・チユーブ、7……パイレツクスガラ
ス・キヤピラリ・チユーブ、8……二酸化珪素
層、9……ポリイミド層、10,12……クロマ
トグラフイーのカラム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 管の内壁に、珪素化合物の溶液を流通し
CLD法によつて不活性な二酸化珪素被膜を形成
し、次いでこのチユーブの内面に、液相をコーテ
イングするかもしくはそのチユーブ内に充填剤を
充填してクロマトグラフイーのカラムを得ること
を特徴とするクロマトグラフイーのカラムの製造
方法。 2 管が、キヤピラリ・チユーブである請求の範
囲第1項に記載の製造方法。 3 管の素材が、耐熱ガラスである請求の範囲第
1項又は第2項記載の製造方法。 4 耐熱ガラスが、硼珪酸ガラスである請求の範
囲第3項記載の製造方法。 5 管の素材が、ソーダ石英ガラスである請求の
範囲第1項又は第2項記載の製造方法。 6 管の素材が、ステンレススチールである請求
の範囲第1項記載の製造方法。 7 キヤピラリ・チユーブの外壁に補強用被膜が
形成されてなる請求の範囲第2項記載の製造方
法。 8 補強用被膜が、ポリイミド樹脂である請求の
範囲第7項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4865881A JPS57161648A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Column of chromatography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4865881A JPS57161648A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Column of chromatography |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57161648A JPS57161648A (en) | 1982-10-05 |
| JPH0213268B2 true JPH0213268B2 (ja) | 1990-04-03 |
Family
ID=12809438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4865881A Granted JPS57161648A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Column of chromatography |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57161648A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150024152A1 (en) | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Agilent Technologies, Inc. | Metal components with inert vapor phase coating on internal surfaces |
| US10767259B2 (en) | 2013-07-19 | 2020-09-08 | Agilent Technologies, Inc. | Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same |
| WO2016114850A1 (en) | 2015-01-14 | 2016-07-21 | Agilent Technologies, Inc. | Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same |
-
1981
- 1981-03-31 JP JP4865881A patent/JPS57161648A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57161648A (en) | 1982-10-05 |
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