JPH02134620A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH02134620A JPH02134620A JP63289068A JP28906888A JPH02134620A JP H02134620 A JPH02134620 A JP H02134620A JP 63289068 A JP63289068 A JP 63289068A JP 28906888 A JP28906888 A JP 28906888A JP H02134620 A JPH02134620 A JP H02134620A
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- Japan
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- liquid crystal
- thickness
- thin film
- rubbing
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置に係り、特にマイクロドメインの
発生防止構造に関する。
発生防止構造に関する。
［従来の技術〕
従来の液晶表示パネルの構造を第３図（ａ）〜（Ｃ）に
示す。
示す。
液晶表示パネルは同図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）に見
られる如く、ガラス基板９上に、液晶セルを駆動するた
めの薄膜トランジスタＴ、この薄膜トランジスタＴに選
択信号を供給するゲートバスラインＣＢ、薄膜トランジ
スタＴに表示データを供給するデータバス５４７０８．
表示電極Ｅ等が形成されたＴＰＴ基板１と、これに対向
配置され、ＴＰＴ基板１との間に液晶層５を挟持する対
向基板２により構成されている。
られる如く、ガラス基板９上に、液晶セルを駆動するた
めの薄膜トランジスタＴ、この薄膜トランジスタＴに選
択信号を供給するゲートバスラインＣＢ、薄膜トランジ
スタＴに表示データを供給するデータバス５４７０８．
表示電極Ｅ等が形成されたＴＰＴ基板１と、これに対向
配置され、ＴＰＴ基板１との間に液晶層５を挟持する対
向基板２により構成されている。
同図（Ｃ）に見られるように、上記ゲートバスラインＣ
ＢやデータバスラインＤＢ、或いは薄膜トランジスタＴ
の各部は、その頂面が表示電極Ｅの上面より１〜１．５
μｍ程度高い位置にあり、しかもその壁面はほぼ垂直に
切り立っている。これらの上には液晶分子の配向方向を
規定するため配向膜１２が塗布され、更に、対向基板２
側にも配向膜が塗布されている。
ＢやデータバスラインＤＢ、或いは薄膜トランジスタＴ
の各部は、その頂面が表示電極Ｅの上面より１〜１．５
μｍ程度高い位置にあり、しかもその壁面はほぼ垂直に
切り立っている。これらの上には液晶分子の配向方向を
規定するため配向膜１２が塗布され、更に、対向基板２
側にも配向膜が塗布されている。
上記ＴＦＴ基板１側および対向基板２側の配向膜には、
それぞれの配向方向（同図（ａ）の３及び４参照）が垂
直に交わるようにラビングがなされる。
それぞれの配向方向（同図（ａ）の３及び４参照）が垂
直に交わるようにラビングがなされる。
これにより、液晶分子はラビング方向前方に向かって僅
かにチルト、即ちラビング方向前方が上に向き、後方が
下に向く状態に立ち上がり（これをプレチルトと言う）
、上記それぞれの基板のラビング方向に沿って配向され
る。
かにチルト、即ちラビング方向前方が上に向き、後方が
下に向く状態に立ち上がり（これをプレチルトと言う）
、上記それぞれの基板のラビング方向に沿って配向され
る。
液晶表示パネルを上述したように構成し、液晶層５に電
圧を印加すると、プレチルト状態の液晶分子は、上に向
いた方が更に上に向かって立ち上がり、光が通過可能状
態となる。液晶表示装置はこれを利用し、液晶に印加す
る電圧を制御することにより表示を行なう。
圧を印加すると、プレチルト状態の液晶分子は、上に向
いた方が更に上に向かって立ち上がり、光が通過可能状
態となる。液晶表示装置はこれを利用し、液晶に印加す
る電圧を制御することにより表示を行なう。
ところが上記構造でゲートバスラインＣＢ等の壁面近傍
で、壁面に沿って液晶分子が立ち上がるため、液晶分子
のプレチルト状態に乱れを生じ、この乱れは壁面の高さ
が高いほど顕著になる。しかも、ラビング方向前方に立
ちはだかる形に見える壁面と、後方にのみ見える壁面（
これらを以後ラビング方向前面、背面と称する）とで、
その近傍のプレチルト状態の乱れに相違が生じる。これ
を第４図（ａ）〜（ｄ）に示す。
で、壁面に沿って液晶分子が立ち上がるため、液晶分子
のプレチルト状態に乱れを生じ、この乱れは壁面の高さ
が高いほど顕著になる。しかも、ラビング方向前方に立
ちはだかる形に見える壁面と、後方にのみ見える壁面（
これらを以後ラビング方向前面、背面と称する）とで、
その近傍のプレチルト状態の乱れに相違が生じる。これ
を第４図（ａ）〜（ｄ）に示す。
同図（ａ）は液晶表示装置の１画素分の配置を模式的に
示す図で、ＧＢＩ、ＤＢ２は当該画素に対応するゲート
バスライン、データバスライン、ＧＢ２、ＤＢＩは図の
下側、左側に隣接する画素に対応するゲートバスライン
、データバスラインである。
示す図で、ＧＢＩ、ＤＢ２は当該画素に対応するゲート
バスライン、データバスライン、ＧＢ２、ＤＢＩは図の
下側、左側に隣接する画素に対応するゲートバスライン
、データバスラインである。
いま、図の矢印３の方向にラビングを行なったとする。
この場合、ラビング方向に対し前面に相当するのは、図
のゲートバスラインＧＢＩの下側の面およびデータバス
ラインＤＢ２の左側の面である。また、ラビング方向に
対し背面に相当するのは、図のゲートバスラインＣＢ２
の上側の面およびデータバスラインＤＢＩの右側の面で
ある。
のゲートバスラインＧＢＩの下側の面およびデータバス
ラインＤＢ２の左側の面である。また、ラビング方向に
対し背面に相当するのは、図のゲートバスラインＣＢ２
の上側の面およびデータバスラインＤＢＩの右側の面で
ある。
同図（ｂ）はラビング方向背面３１近傍の、（Ｃ）は前
面３２近傍の液晶分子３３の状態を示す。図の参照符号
Ａを付した領域は壁面から離れた領域であって、この領
域では液晶分子３３は配向膜１２の材質と、ラビングに
よって定まるプレチルト角を呈する。これは正常な順チ
ルトである。しかし、背面３Ｉ近傍の参照符号Ｂを付し
た領域においては、液晶分子３３は、壁面に沿うように
上記順チルトとは反対方向に立ち上がり、逆チルト状態
となる。そのためラビング方向背面３１近傍のＢ領域（
逆チルト状態の領域）においては、（ｂ）に見られる如
く液晶分子の立ち上がり方向が、壁面から雛れたＡ領域
（順チルト状態の領域）とで反対となり、同図（ｄ）に
示すように、順チルト状態と逆チルト状態との境界部に
、液晶分子３３がどちらの方向にも立ち上がっていない
マイクロドメインＣが生じる。
面３２近傍の液晶分子３３の状態を示す。図の参照符号
Ａを付した領域は壁面から離れた領域であって、この領
域では液晶分子３３は配向膜１２の材質と、ラビングに
よって定まるプレチルト角を呈する。これは正常な順チ
ルトである。しかし、背面３Ｉ近傍の参照符号Ｂを付し
た領域においては、液晶分子３３は、壁面に沿うように
上記順チルトとは反対方向に立ち上がり、逆チルト状態
となる。そのためラビング方向背面３１近傍のＢ領域（
逆チルト状態の領域）においては、（ｂ）に見られる如
く液晶分子の立ち上がり方向が、壁面から雛れたＡ領域
（順チルト状態の領域）とで反対となり、同図（ｄ）に
示すように、順チルト状態と逆チルト状態との境界部に
、液晶分子３３がどちらの方向にも立ち上がっていない
マイクロドメインＣが生じる。
本発明者らは種々検討の結果、このマイクロドメインＣ
の発生率は、第５図に示す如く壁面の高さ即ち隣接領域
との段差高に依存し、その値が凡そ１μｍ以下となると
殆ど発生しないことを確認した。
の発生率は、第５図に示す如く壁面の高さ即ち隣接領域
との段差高に依存し、その値が凡そ１μｍ以下となると
殆ど発生しないことを確認した。
実際の液晶表示装置では、各種パスラインや薄膜トラン
ジスタＴ各部の厚さにより、段差高を生じる。ところが
ＴＰＴ基板１上を走る各種パスラインは、低抵抗化する
必要からあまり薄くできないので、従来はマイクロドメ
インＣの発生を防止する存効な手段ないし方法がなかっ
た。
ジスタＴ各部の厚さにより、段差高を生じる。ところが
ＴＰＴ基板１上を走る各種パスラインは、低抵抗化する
必要からあまり薄くできないので、従来はマイクロドメ
インＣの発生を防止する存効な手段ないし方法がなかっ
た。
このようなマイクロドメインＣは画面上で線状の表示と
なるため、著しく表示品質が低下する。
なるため、著しく表示品質が低下する。
本発明は、上述の隣接領域との段差高とラビング方向と
に依存するマイクロドメインの発生を防止することを目
的とする。
に依存するマイクロドメインの発生を防止することを目
的とする。
本発明においては、各種パスラインの両側面及び薄膜ト
ランジスタ各部の端面のうち、ラビング方向背面に当た
る部分を、段階的に厚さを減じる形状とし、その下段と
上段とを階段状、もしくは下段をテーパ状として、下段
と隣接領域との段差間をマイクロドメインが発生しない
程度に小さくした。
ランジスタ各部の端面のうち、ラビング方向背面に当た
る部分を、段階的に厚さを減じる形状とし、その下段と
上段とを階段状、もしくは下段をテーパ状として、下段
と隣接領域との段差間をマイクロドメインが発生しない
程度に小さくした。
上述した如くラビング方向背面に当たる面を段階的に厚
さを減じる構成１例えば二段構成とし、その下段と上段
とを階段状、もしくは下段をテーパ状として、隣接領域
との段差高を小さくしたことにより、下段と隣接領域と
の段差高を、前述の第５図に示したマイクロドメインが
発生しない程度に抑えることができる。
さを減じる構成１例えば二段構成とし、その下段と上段
とを階段状、もしくは下段をテーパ状として、隣接領域
との段差高を小さくしたことにより、下段と隣接領域と
の段差高を、前述の第５図に示したマイクロドメインが
発生しない程度に抑えることができる。
各種パスラインや薄膜トランジスタ各部の最大厚さは従
来と同様にすることができるので、パスラインの低抵抗
化等に必要な十分な厚さを確保しながら、マイクロドメ
インの発生を防止できる。
来と同様にすることができるので、パスラインの低抵抗
化等に必要な十分な厚さを確保しながら、マイクロドメ
インの発生を防止できる。
以下本発明の一実施例および変形例の構成を第１図（ａ
）〜（Ｃ）により、上記一実施例の製造方法を第２図（
ａ）〜（ｅ）により説明する。
）〜（Ｃ）により、上記一実施例の製造方法を第２図（
ａ）〜（ｅ）により説明する。
あらかじめラビングの方向３を決めておき、ラビング方
向背面３１に当たる部分を、上段４１と下段４２からな
る二段構造とする。マイクロドメインＣは段差高が凡そ
１μｍ以下となるとほとんど発生しないことを検討の結
果確かめたので、下段４２を（ｂ）に示ず一実施例では
階段状とし、（Ｃ）に示す変形例では下段４２をテーパ
状とし、厚さを約１μｍ以下とする。
向背面３１に当たる部分を、上段４１と下段４２からな
る二段構造とする。マイクロドメインＣは段差高が凡そ
１μｍ以下となるとほとんど発生しないことを検討の結
果確かめたので、下段４２を（ｂ）に示ず一実施例では
階段状とし、（Ｃ）に示す変形例では下段４２をテーパ
状とし、厚さを約１μｍ以下とする。
次に第２図（ａ）〜（ｅ）により、上記一実施例の製造
方法を説明する。
方法を説明する。
同図（ａ）に示す基板２１は、ガラス基板上に薄膜トラ
ンジスタや表示電極等の形成を終了したものであって、
各種パスライン形成直前の状態を示すもきとする。
ンジスタや表示電極等の形成を終了したものであって、
各種パスライン形成直前の状態を示すもきとする。
これの上にパスライン形成材料の膜として、例えばＡ／
２（アルミニウム）膜２２を成膜する。
２（アルミニウム）膜２２を成膜する。
次いで同図（ｂ）に示すように、上記、１１膜２２の上
にレジスト膜２３を形成する。このレジスト膜２３は前
述のラビング方向背面３１の下段４２の部分に当たるパ
ターンである。
にレジスト膜２３を形成する。このレジスト膜２３は前
述のラビング方向背面３１の下段４２の部分に当たるパ
ターンである。
次いで同図（Ｃ）に示すように再びＡＰ膜２４を成膜し
、その上に同図（ｄ）に示すようにレジスト膜２５を形
成する。このレジスト膜２５は上段４１の部分に当たる
パターンである。
、その上に同図（ｄ）に示すようにレジスト膜２５を形
成する。このレジスト膜２５は上段４１の部分に当たる
パターンである。
次いで上記Ａｌ膜２２及び２４をエツチングしてその露
出部を除去する。このエツチングにより、まずへ！膜２
４の露出部、即ちレジスト膜２５の下層部分以外が除去
され、レジスｌ−膜２３が露呈する。更にエツチングを
続行すると、Ａｌｎ’；ｊ、２２の露出部。
出部を除去する。このエツチングにより、まずへ！膜２
４の露出部、即ちレジスト膜２５の下層部分以外が除去
され、レジスｌ−膜２３が露呈する。更にエツチングを
続行すると、Ａｌｎ’；ｊ、２２の露出部。
即ちレジスト膜２３．２５の下層部分以外が除去されて
、図示の如く、幅の広いへ！膜２２とその上に幅の狭い
ＡＩ！、膜２４が積層されて階段状をなすハスラインが
得られる。
、図示の如く、幅の広いへ！膜２２とその上に幅の狭い
ＡＩ！、膜２４が積層されて階段状をなすハスラインが
得られる。
このあとレジスト膜２３．２５を除去して、本実施例が
完成する。
完成する。
このようにして得られたパスラインは、へ！膜２２の突
出部が前述の下段４２に、／ｌｌｌ’、？２４とその下
層部のＡ２膜２２が上段４１に相当する。
出部が前述の下段４２に、／ｌｌｌ’、？２４とその下
層部のＡ２膜２２が上段４１に相当する。
本実施例において、ＡＰ膜２２の厚さが下段４２の段差
高となり、これの厚さは他に影害されることなく独立に
決定できる。そこで、Ａｆ膜２２の厚さをマイクロドメ
インが発生しない程度の厚さ、即ち凡そ１１１ｍ以下に
形成することが可能であり、マイクロドメインの発生を
防止でき、表示品質が向上する。
高となり、これの厚さは他に影害されることなく独立に
決定できる。そこで、Ａｆ膜２２の厚さをマイクロドメ
インが発生しない程度の厚さ、即ち凡そ１１１ｍ以下に
形成することが可能であり、マイクロドメインの発生を
防止でき、表示品質が向上する。
なお、Ａｆｆｉ膜２２．２４の合計厚さは任意に選べる
ので、パスライン抵抗を充分に低くすることができる。
ので、パスライン抵抗を充分に低くすることができる。
また、上記第２図（ｅ）におけるＡｌ膜２２の露出部を
、更にエツチングする等の方法によりテーパー状とすれ
ば、マイクロドメイン発生の危険性はより低下し、更に
、逆ツイストなどによる段差部近傍での配向の乱れをも
防ぐ効果がある。従って、他に悪影響がない限り下段４
２の形状をテーパ状とすることが一層望ましい。
、更にエツチングする等の方法によりテーパー状とすれ
ば、マイクロドメイン発生の危険性はより低下し、更に
、逆ツイストなどによる段差部近傍での配向の乱れをも
防ぐ効果がある。従って、他に悪影響がない限り下段４
２の形状をテーパ状とすることが一層望ましい。
以上説明したごとく本発明によれば、ハスラインの低抵
抗化等に必要な厚さを保ちながら、パスライン等の近傍
におけるマイクロドメインの発生を防止でき、表示品質
が著しく向上する。
抗化等に必要な厚さを保ちながら、パスライン等の近傍
におけるマイクロドメインの発生を防止でき、表示品質
が著しく向上する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の実施例の構成説明図、
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明一実施例の製造方法説明
図、 第３図（ａ）〜（Ｃ）は従来の薄膜トランジスタの構造
説明図、 第４図（ａ）〜（ｄ）は従来の薄膜トランジスタの問題
点説明図、 第５図は段差高に対するマイクロドメイン発生率を示す
図である。 図において、１はＴＦＴ基板、２は対向基板、３はＴＰ
Ｔ基板側のラビング方向、４は対向基板側のラビング方
向、５は液晶層、１２は配向膜、３１はラビング方向背
面、３２はラビング方向前面、４１は上段、４２は下段
、Ａはパスライン等から離れた順チルト領域、Ｂはラビ
ング方向背面近傍領域で逆チルト領域、Ｃはマイクロド
メイン、ＣＢはゲートバスライン、ＤＢはデータバスラ
イン、Ｔは薄膜トランジスタを示す。 （Ｑ）
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明一実施例の製造方法説明
図、 第３図（ａ）〜（Ｃ）は従来の薄膜トランジスタの構造
説明図、 第４図（ａ）〜（ｄ）は従来の薄膜トランジスタの問題
点説明図、 第５図は段差高に対するマイクロドメイン発生率を示す
図である。 図において、１はＴＦＴ基板、２は対向基板、３はＴＰ
Ｔ基板側のラビング方向、４は対向基板側のラビング方
向、５は液晶層、１２は配向膜、３１はラビング方向背
面、３２はラビング方向前面、４１は上段、４２は下段
、Ａはパスライン等から離れた順チルト領域、Ｂはラビ
ング方向背面近傍領域で逆チルト領域、Ｃはマイクロド
メイン、ＣＢはゲートバスライン、ＤＢはデータバスラ
イン、Ｔは薄膜トランジスタを示す。 （Ｑ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 片側の絶縁性基板上に、複数の薄膜トランジスタをマト
リクス配列された複数の液晶セルに対応付けて配設する
とともに、該薄膜トランジスタに選択信号を供給するゲ
ートバスラインと表示データを供給するデータバスライ
ンを具え、更に、これらの上に所定の方向にラビングを
施して該方向に液晶分子を配向させるための配向膜を設
けた液晶表示装置において、 前記ゲートバスライン及びデータバスラインの両側面並
びに前記薄膜トランジスタ各部の端面のうち、前記ラビ
ング方向背面に当たる部分を段階的に厚さを減じる形状
としたことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28906888A JP2751259B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28906888A JP2751259B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02134620A true JPH02134620A (ja) | 1990-05-23 |
| JP2751259B2 JP2751259B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=17738409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28906888A Expired - Lifetime JP2751259B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751259B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6211939B1 (en) | 1998-07-23 | 2001-04-03 | Nec Corporation | Liquid crystal display and method of driving liquid crystal display |
| KR100435819B1 (ko) * | 1999-12-20 | 2004-06-12 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 배향 분할형 액정 표시 장치, 그 제조 방법, 및 화상 표시방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5929289A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示パネル用基板 |
| JPS6370282A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-30 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタマトリツクスの形成方法 |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP28906888A patent/JP2751259B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5929289A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示パネル用基板 |
| JPS6370282A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-30 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタマトリツクスの形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6211939B1 (en) | 1998-07-23 | 2001-04-03 | Nec Corporation | Liquid crystal display and method of driving liquid crystal display |
| KR100435819B1 (ko) * | 1999-12-20 | 2004-06-12 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 배향 분할형 액정 표시 장치, 그 제조 방법, 및 화상 표시방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2751259B2 (ja) | 1998-05-18 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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