JPH02135657A - 二次イオン質量分析方法及び装置 - Google Patents
二次イオン質量分析方法及び装置Info
- Publication number
- JPH02135657A JPH02135657A JP63290725A JP29072588A JPH02135657A JP H02135657 A JPH02135657 A JP H02135657A JP 63290725 A JP63290725 A JP 63290725A JP 29072588 A JP29072588 A JP 29072588A JP H02135657 A JPH02135657 A JP H02135657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- energy
- physical quantity
- mass spectrometry
- secondary ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体等の各種材料の分析装置に係り、特に
濃度差の大きな元素または、濃度変化幅の大きな元素の
分析に好適な二次イオン質量分析方法及び装置に関する
。
濃度差の大きな元素または、濃度変化幅の大きな元素の
分析に好適な二次イオン質量分析方法及び装置に関する
。
従来の装置は、二次イオンの検出法にパルス計測法を用
いることが多い。パルス計測法では、二次イオンの検出
部に二次電子増倍管や高速パルス増幅器等を用いて、検
出する二次イオンを各イオン毎にパルスに変換し、パル
スの数を計数している。この時、パルスの計数を時分割
で行うために、高速パルス増幅器やパルスの計数回路の
応答速度で二次イオンの最大計数値が制限される。上記
の制限から、パルス計測法による分析でのダイナミック
レンジとしては８桁が限界であった。このため分析に際
しては以下の制約を受ける。
いることが多い。パルス計測法では、二次イオンの検出
部に二次電子増倍管や高速パルス増幅器等を用いて、検
出する二次イオンを各イオン毎にパルスに変換し、パル
スの数を計数している。この時、パルスの計数を時分割
で行うために、高速パルス増幅器やパルスの計数回路の
応答速度で二次イオンの最大計数値が制限される。上記
の制限から、パルス計測法による分析でのダイナミック
レンジとしては８桁が限界であった。このため分析に際
しては以下の制約を受ける。
（１）元素間の濃度差は８桁以内。
（２）元素の濃度変化幅は８桁以内。
マトリックス中の極低濃度不純物の分析を行なう場合、
マトリックス元素と不純物元素の両方を検出する必要が
あるが、両者の濃度差が８桁を越えると前記（１）の制
限から両者を検出することができなくなる。そのために
マトリックス元素の一価イオンに比べて二次イオン量が
少ないマトリックス元素の多価イオンや化合物イオンを
検出することによって、マトリックス元素と不純物元素
の両方を検出できるようにしている。しかし、多価イオ
ンや化合物イオンの判別、設定は極めて煩しい操作であ
る。また、多層膜界面での拡散の様子を測定する場合、
拡散した元素の濃度変化は前記（２）の制限から８桁以
内でしか測定できない。
マトリックス元素と不純物元素の両方を検出する必要が
あるが、両者の濃度差が８桁を越えると前記（１）の制
限から両者を検出することができなくなる。そのために
マトリックス元素の一価イオンに比べて二次イオン量が
少ないマトリックス元素の多価イオンや化合物イオンを
検出することによって、マトリックス元素と不純物元素
の両方を検出できるようにしている。しかし、多価イオ
ンや化合物イオンの判別、設定は極めて煩しい操作であ
る。また、多層膜界面での拡散の様子を測定する場合、
拡散した元素の濃度変化は前記（２）の制限から８桁以
内でしか測定できない。
上記従来技術は、二次イオン検出時のダイナミックレン
ジの拡大について配慮がされておらず、高濃度元素と極
低濃度元素の同時分析や、高濃度から極低濃度まで大幅
に濃度変化する元素の分析ができないという問題があっ
た。
ジの拡大について配慮がされておらず、高濃度元素と極
低濃度元素の同時分析や、高濃度から極低濃度まで大幅
に濃度変化する元素の分析ができないという問題があっ
た。
本発明の目的は、二次イオン検出時のダイナミックレン
ジを拡大することにより、濃度差の大きな元素または、
濃度変化幅の大きな元素の分析を一回の測定で行うこと
ができるとともに、分析元素の選択等が不要で操作性の
良い二次イオン質量分析方法及び装置を提供することに
ある。
ジを拡大することにより、濃度差の大きな元素または、
濃度変化幅の大きな元素の分析を一回の測定で行うこと
ができるとともに、分析元素の選択等が不要で操作性の
良い二次イオン質量分析方法及び装置を提供することに
ある。
上記目的を達成するため、本発明は、一次イオンを試料
に照射する工程と、試料より放出されろ二次イオンの物
理量を検出する工程と、検出した前記物理量を記憶する
工程と、前記物理量が予じめ設定された設定値を越えて
いるときと越えていないときで試料より放出される二次
イオンの有するエネルギーを異ならせる工程と、前記エ
ネルギーの異なった各状態で検出した各物理量を基に前
記異なったエネルギーの差を補填する溶算処理を行なっ
て質量分析する工程と、を含む二次イオン質量分析方法
である。
に照射する工程と、試料より放出されろ二次イオンの物
理量を検出する工程と、検出した前記物理量を記憶する
工程と、前記物理量が予じめ設定された設定値を越えて
いるときと越えていないときで試料より放出される二次
イオンの有するエネルギーを異ならせる工程と、前記エ
ネルギーの異なった各状態で検出した各物理量を基に前
記異なったエネルギーの差を補填する溶算処理を行なっ
て質量分析する工程と、を含む二次イオン質量分析方法
である。
また、本発明は、一次イオンを試料に照射する工程と、
試料より放出される二次イオンの物理量を検出する工程
と、前記物理量の動向によって試料より放出される二次
イオンの有するエネルギーを異ならせることにより該二
次イオンの物理量を検出手段の測定レンジ内に保ちつつ
該物理量を記憶する工程と、記憶された物理量に前記エ
ネルギーの異なった変化分に対応した補正をすることに
より測定レンジを拡大して溶算処理を行なって質量分析
する工程と、を含む二次イオン質量分析方法である。
試料より放出される二次イオンの物理量を検出する工程
と、前記物理量の動向によって試料より放出される二次
イオンの有するエネルギーを異ならせることにより該二
次イオンの物理量を検出手段の測定レンジ内に保ちつつ
該物理量を記憶する工程と、記憶された物理量に前記エ
ネルギーの異なった変化分に対応した補正をすることに
より測定レンジを拡大して溶算処理を行なって質量分析
する工程と、を含む二次イオン質量分析方法である。
前記分析方法において、試料の分析中に所定時間毎に二
次イオンの有するエネルギーに対する二次イオンの物理
量の検出を行ない、補填すべき前記異なったエネルギー
の差を常に把握していることがよい。
次イオンの有するエネルギーに対する二次イオンの物理
量の検出を行ない、補填すべき前記異なったエネルギー
の差を常に把握していることがよい。
あるいは二次イオンの有するエネルギーを複数回変化さ
せて同一成分の分析を行ない、各エネルギー値毎の分析
データを比較して補填すべき異なったエネルギーの差を
決定するのがよい。
せて同一成分の分析を行ない、各エネルギー値毎の分析
データを比較して補填すべき異なったエネルギーの差を
決定するのがよい。
また、前記分析方法において、複数の分析対象の濃度差
の範囲又は一種の分析対象の濃度分布範囲が検出手段の
レンジを越えているものであるのがよい。また、分析対
象試料はイオン注入による半導体であって、該半導体の
深さ方向の注入不純物イオン量であるものが挙げられる
。
の範囲又は一種の分析対象の濃度分布範囲が検出手段の
レンジを越えているものであるのがよい。また、分析対
象試料はイオン注入による半導体であって、該半導体の
深さ方向の注入不純物イオン量であるものが挙げられる
。
また１本発明に係る二次イオン質量分析装置は、一次イ
オンを試料に照射する手段と、試料より放出される二次
イオンの物理量を検出する手段と、検出した前記物理量
を記憶する手段と、前記物理量が予じめ設定された設定
値を越えているときと越えていないときで試料より放出
される二次イオンの有するエネルギーを異ならせる手段
と、前記エネルギーの異なった各状態で検出した各物理
量を基に前記異なったエネルギーの差を補填する溶算処
理を行なう手段と、を備えたものである。ここで、二次
イオンの有するエネルギーを異ならせる手段は、試料か
ら放出される二次イオンの流路に設けられた加速電源す
なわち、加速電圧または電場の強度が挙げられる。
オンを試料に照射する手段と、試料より放出される二次
イオンの物理量を検出する手段と、検出した前記物理量
を記憶する手段と、前記物理量が予じめ設定された設定
値を越えているときと越えていないときで試料より放出
される二次イオンの有するエネルギーを異ならせる手段
と、前記エネルギーの異なった各状態で検出した各物理
量を基に前記異なったエネルギーの差を補填する溶算処
理を行なう手段と、を備えたものである。ここで、二次
イオンの有するエネルギーを異ならせる手段は、試料か
ら放出される二次イオンの流路に設けられた加速電源す
なわち、加速電圧または電場の強度が挙げられる。
試料から放出される二次イオンの有するエネルギーを異
ならせる即ち選択する手段にて、その有するエネルギー
の選択値をかえることにより、検出系に導く二次イオン
量を増減させることができる。また、二次イオンの物理
量の検出値が、検出系の測定ダイナミックレンジ以内で
所定の値を越えたか否かを判断する手段によって、常に
検出値を監視させる。検出値が所定の値を越えた場合に
は、前記のエネルギー選択手段にてエネルギーの選択値
を変え、二次イオン量を減少させることによって、検出
値が検出系のダイナミックレンジを越えないようにする
ことができる。以上により検出したデータを一旦メモリ
ーに記憶させておく。
ならせる即ち選択する手段にて、その有するエネルギー
の選択値をかえることにより、検出系に導く二次イオン
量を増減させることができる。また、二次イオンの物理
量の検出値が、検出系の測定ダイナミックレンジ以内で
所定の値を越えたか否かを判断する手段によって、常に
検出値を監視させる。検出値が所定の値を越えた場合に
は、前記のエネルギー選択手段にてエネルギーの選択値
を変え、二次イオン量を減少させることによって、検出
値が検出系のダイナミックレンジを越えないようにする
ことができる。以上により検出したデータを一旦メモリ
ーに記憶させておく。
データの出力の際には、貯えたデータを溶算処理する手
段にて、二次イオン量を減少させて検出したデータを二
次イオンの減少率で除算して前記エネルギーの変化分を
補填する溶算処理をすることにより、出力されるデータ
は、検出系のダイナミックレンジの上限で飽和すること
なく、ダイナミックレンジが大きくて分析値を忠実に反
映したデータを出力できる。
段にて、二次イオン量を減少させて検出したデータを二
次イオンの減少率で除算して前記エネルギーの変化分を
補填する溶算処理をすることにより、出力されるデータ
は、検出系のダイナミックレンジの上限で飽和すること
なく、ダイナミックレンジが大きくて分析値を忠実に反
映したデータを出力できる。
以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。一次
イオン照射部１は、一次イオン２を生成、加速、収束、
走査等して試料３に照射する。試料３は例えばイオン注
入による半導体であって、その深さ方向の不純物イオン
量を測定する場合が挙げられる。
イオン照射部１は、一次イオン２を生成、加速、収束、
走査等して試料３に照射する。試料３は例えばイオン注
入による半導体であって、その深さ方向の不純物イオン
量を測定する場合が挙げられる。
一次イオン２を照射された試料３は、二次イオン４を放
出する。二次イオン４は、引出電極５と静電レンズ６に
て、試料３表面から引出し収束されて電場電極７で形成
された電場を通過する間にエネルギー収束された後、電
磁石８で形成された磁場を通過する間に質量分離され、
特定の質量対電荷比を有する二次イオンが検出器９に達
する。
出する。二次イオン４は、引出電極５と静電レンズ６に
て、試料３表面から引出し収束されて電場電極７で形成
された電場を通過する間にエネルギー収束された後、電
磁石８で形成された磁場を通過する間に質量分離され、
特定の質量対電荷比を有する二次イオンが検出器９に達
する。
検出器９では、到達する二次イオン毎にパルスを発生し
、パルスの数をパルス計数器１０にて計数する。試料３
には、二次イオン加速電源１１から二次イオンの加速電
圧が印加され、ブリーダ１２を介して、加速電圧に連動
し分圧された電圧が引出電極５と静電レンズ６に印加さ
れる。
、パルスの数をパルス計数器１０にて計数する。試料３
には、二次イオン加速電源１１から二次イオンの加速電
圧が印加され、ブリーダ１２を介して、加速電圧に連動
し分圧された電圧が引出電極５と静電レンズ６に印加さ
れる。
電場電源１３の出力を電場電極７に印加して電極間に電
場を形成し、磁場電源１４にて電磁石８で形成する磁場
の強度を制御している。そして、コンピュータ１５にて
二次イオン加速電源１１、電場電源１３、磁場電源１４
を制御し、パルス計数器１０の出力を第１のメモリー１
６に貯える。
場を形成し、磁場電源１４にて電磁石８で形成する磁場
の強度を制御している。そして、コンピュータ１５にて
二次イオン加速電源１１、電場電源１３、磁場電源１４
を制御し、パルス計数器１０の出力を第１のメモリー１
６に貯える。
第１のメモリー１６に貯えたデータをコンピュータ１５
で溶算処理して第２のメモリー１７に貯える。第２のメ
モリー１７に貯えたデータをプリンター１８に出力する
。
で溶算処理して第２のメモリー１７に貯える。第２のメ
モリー１７に貯えたデータをプリンター１８に出力する
。
ところで、第２図は、二次イオン４のエネルギー分布を
示した図である。縦軸が二次イオン量であり、横軸は二
次イオン加速電源１１の出力電圧で二次イオンのエネル
ギーに対応する。通常、加速電圧Ｖは、二次イオン貴重
が最大のＩＮとなるＶＭに設定する。その理由は分析元
素をより低濃度の領域まで検出するためである。
示した図である。縦軸が二次イオン量であり、横軸は二
次イオン加速電源１１の出力電圧で二次イオンのエネル
ギーに対応する。通常、加速電圧Ｖは、二次イオン貴重
が最大のＩＮとなるＶＭに設定する。その理由は分析元
素をより低濃度の領域まで検出するためである。
ここで、濃度が、最低Ｃｍｉｎから最高Ｃｍａｘまで変
化する元素の、試料の深さ方向分析の場合を考える。第
３図は深さ方向プロファイルの従来装置での測定結果と
真値の対応を示すもので、縦軸が濃度、横軸がスパッタ
時間（試料の表面からの深さに対応する）である。Ｃｗ
ｉｎからＣｍａｘまでの変化幅が大きい場合、装置検出
系のダイナミックレンジの上限で検出値が飽和し、この
時の濃度Ｃｓａｔ以上の領域では正確なデータ（第３図
中の一点鎖線で指示）が得られない。
化する元素の、試料の深さ方向分析の場合を考える。第
３図は深さ方向プロファイルの従来装置での測定結果と
真値の対応を示すもので、縦軸が濃度、横軸がスパッタ
時間（試料の表面からの深さに対応する）である。Ｃｗ
ｉｎからＣｍａｘまでの変化幅が大きい場合、装置検出
系のダイナミックレンジの上限で検出値が飽和し、この
時の濃度Ｃｓａｔ以上の領域では正確なデータ（第３図
中の一点鎖線で指示）が得られない。
そこで、本実施例では、検出系のダイナミックレンジ内
で、第１の所定のレベルＣ１と、第２の所定のレベルＣ
８を予じめ設定し、コンピュータ１５にその設定値をセ
ットしておく、Ｃ工及びＣ２のレベルは第３図に示す。
で、第１の所定のレベルＣ１と、第２の所定のレベルＣ
８を予じめ設定し、コンピュータ１５にその設定値をセ
ットしておく、Ｃ工及びＣ２のレベルは第３図に示す。
第４図は、第１のメモリー１６に貯えられるデータを示
したもので、縦軸が濃度、横軸がスパッタ時間である。
したもので、縦軸が濃度、横軸がスパッタ時間である。
分析中の元素の濃度が第１の所定のレベルＣ１を越える
ｔｌの時点で、コンピュータ１５が二次イオン加速電源
１１の出力電圧をｖＭからＶｓに変え、二次イオン量を
減少させる。この時の減少率をＡとおけば、第１のメモ
リー１６には、最大濃度ＣｍａｘがＡ−Ｃ１１８又とし
て貯えられる。加速電圧をＶｓにして測定中に、第２の
所定のレベルＣ２より低くなる時点ｔ２で、コンピュー
タ１５が二次イオン加速電源１１の出力電圧をＶｓから
ｖＨに戻す。以上により第１のメモリー１６に貯えたデ
ータの内、ｔｌからｔ２の間データに対して、コンピュ
ータ１５により前記の減少率Ａで除算したデータを第２
のメモリー１７に貯える。第５図は、第２のメモリー１
７に貯えられたデータで、縦軸が濃度、横軸がスパッタ
時間である。この第５図は、第３図において一点鎖線で
示したＣ５ａｔからＣｍａｘの領域を含めＣｍａｘから
ＣｆｌＩｉｎに到る広いダイナミックレンジのプロファ
イルデータに相当する。この第２のメモリー１７に貯え
たデータをプリンター１８に出力する。
ｔｌの時点で、コンピュータ１５が二次イオン加速電源
１１の出力電圧をｖＭからＶｓに変え、二次イオン量を
減少させる。この時の減少率をＡとおけば、第１のメモ
リー１６には、最大濃度ＣｍａｘがＡ−Ｃ１１８又とし
て貯えられる。加速電圧をＶｓにして測定中に、第２の
所定のレベルＣ２より低くなる時点ｔ２で、コンピュー
タ１５が二次イオン加速電源１１の出力電圧をＶｓから
ｖＨに戻す。以上により第１のメモリー１６に貯えたデ
ータの内、ｔｌからｔ２の間データに対して、コンピュ
ータ１５により前記の減少率Ａで除算したデータを第２
のメモリー１７に貯える。第５図は、第２のメモリー１
７に貯えられたデータで、縦軸が濃度、横軸がスパッタ
時間である。この第５図は、第３図において一点鎖線で
示したＣ５ａｔからＣｍａｘの領域を含めＣｍａｘから
ＣｆｌＩｉｎに到る広いダイナミックレンジのプロファ
イルデータに相当する。この第２のメモリー１７に貯え
たデータをプリンター１８に出力する。
二次イオン加速電源１１の出力を変えてエネルギーを選
択する場合、減少率Ａを１０″″１〜１〇−にできるの
で検出系のダイナミックレンジは１〜２桁拡大したこと
になる。
択する場合、減少率Ａを１０″″１〜１〇−にできるの
で検出系のダイナミックレンジは１〜２桁拡大したこと
になる。
尚、試料の分析中に所定時間毎に二次イオンの有するエ
ネルギーに対する二次イオンの量（物理量）の検出を行
なって前記減少率Ａを常に把握していると、それだけ精
度よい測定ができる。前記減少率Ａを求める他の方法と
して、二次イオンの有するエネルギーを複数回変化させ
て同一成分の分析を行ない、各エネルギー値毎の分析デ
ータを比較して最適のものを求めてもよい。
ネルギーに対する二次イオンの量（物理量）の検出を行
なって前記減少率Ａを常に把握していると、それだけ精
度よい測定ができる。前記減少率Ａを求める他の方法と
して、二次イオンの有するエネルギーを複数回変化させ
て同一成分の分析を行ない、各エネルギー値毎の分析デ
ータを比較して最適のものを求めてもよい。
また、以上の説明では、一種の分析対象の試料深さ方向
の濃度分布範囲が検出手段のレンジを越えている場合に
ついて示したが、複数の元素を分析対象として、各元素
の濃度差の範囲が検出手段のレンジを越えている場合に
おいても同様に本発明を適用できる。
の濃度分布範囲が検出手段のレンジを越えている場合に
ついて示したが、複数の元素を分析対象として、各元素
の濃度差の範囲が検出手段のレンジを越えている場合に
おいても同様に本発明を適用できる。
本発明に係る分析方法によれば、検出系のダイナミック
レンジを２桁以上拡大できるので、濃度変化幅の大きな
元素の分析や、濃度の大きな元素の分析が精度良く行な
える。
レンジを２桁以上拡大できるので、濃度変化幅の大きな
元素の分析や、濃度の大きな元素の分析が精度良く行な
える。
また、本発明に係る分析装置によれば、上記分析方法を
装置構造簡単にして実施できる。
装置構造簡単にして実施できる。
第１図は本発明に係る二次イオン質量分析装置の一実施
例の構成図、第２図は二次イオンのエネルギー分布特性
図、第３乃至５図は分析データを示す図である。 １・・・一次イオン照射部、２・・・一次イオン、３・
・・試料、４・・・二次イオン、５・・・引出電極、６
・・・静電レンズ、７・・・電場電極、８・・・電磁石
、９・・・検出器、１ｏ・・・パルス計数器、１１・・
・二次イオン加速電源、１２・・・ブリーダ、１３・・
・電場電源、１４・・・磁場電源。
例の構成図、第２図は二次イオンのエネルギー分布特性
図、第３乃至５図は分析データを示す図である。 １・・・一次イオン照射部、２・・・一次イオン、３・
・・試料、４・・・二次イオン、５・・・引出電極、６
・・・静電レンズ、７・・・電場電極、８・・・電磁石
、９・・・検出器、１ｏ・・・パルス計数器、１１・・
・二次イオン加速電源、１２・・・ブリーダ、１３・・
・電場電源、１４・・・磁場電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一次イオンを試料に照射する工程と、試料より放出
される二次イオンの物理量を検出する工程と、検出した
前記物理量を記憶する工程と、前記物理量が予じめ設定
された設定値を越えているときと越えていないときで試
料より放出される二次イオンの有するエネルギーを異な
らせる工程と、前記エネルギーの異なった各状態で検出
した各物理量を基に前記異なったエネルギーの差を補填
する溶算処理を行なって質量分析する工程と、を含む二
次イオン質量分析方法。 ２、一次イオンを試料に照射する工程と、試料より放出
される二次イオンの物理量を検出する工程と、前記物理
量の動向によって試料より放出される二次イオンの有す
るエネルギーを異ならせることにより該二次イオンの物
理量を検出手段の測定レンジ内に保ちつつ該物理量を記
憶する工程と、記憶された物理量に前記エネルギーの異
なった変化分に対応した補正をすることにより測定レン
ジを拡大して演算処理を行なって質量分析する工程と、
を含む二次イオン質量分析方法。 ３、請求項１において、試料の分析中に所定時間毎に二
次イオンの有するエネルギーに対する二次イオンの物理
量の検出を行ない、補填すべき前記異なったエネルギー
の差を常に把握している二次イオン質量分析方法。 ４、請求項１において、二次イオンの有するエネルギー
を複数回変化させて同一成分の分析を行ない、各エネル
ギー値毎の分析データを比較して補填すべき異なったエ
ネルギーの差を決定する二次イオン質量分析方法。 ５、請求項１又は２において、複数の分析対象の濃度差
の範囲又は一種の分析対象の濃度分布範囲が検出手段の
レンジを越えているものである二次イオン質量分析方法
。 ６、請求項５において、分析対象試料はイオン注入によ
る半導体であって、該半導体の深さ方向の注入不純物イ
オン量である二次イオン質量分析方法。 ７、一次イオンを試料に照射する手段と、試料より放出
される二次イオンの物理量を検出する手段と、検出した
前記物理量を記憶する手段と、前記物理量が予じめ設定
された設定値を越えているときと越えていないときで試
料より放出される二次イオンの有するエネルギーを異な
らせる手段と、前記エネルギーの異なった各状態で検出
した各物理量を基に前記異なったエネルギーの差を補填
する演算処理を行なう手段と、を備えた二次イオン質量
分析装置。 ８、請求項７において、二次イオンの有するエネルギー
を異ならせる手段は、試料から放出される二次イオンの
流路に設けられた加速電源である二次イオン質量分析装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290725A JPH02135657A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 二次イオン質量分析方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290725A JPH02135657A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 二次イオン質量分析方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02135657A true JPH02135657A (ja) | 1990-05-24 |
Family
ID=17759717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63290725A Pending JPH02135657A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 二次イオン質量分析方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02135657A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013152169A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Fujitsu Ltd | 二次イオン質量分析方法及び二次イオン質量分析装置 |
-
1988
- 1988-11-17 JP JP63290725A patent/JPH02135657A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013152169A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Fujitsu Ltd | 二次イオン質量分析方法及び二次イオン質量分析装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1618587B1 (en) | Beam uniformity and angular distribution measurement system | |
| Cottrell et al. | Characteristics of a multichannel electrooptical detection system and its application to the analysis of large molecules by fast atom bombardment mass spectrometry | |
| US7663125B2 (en) | Ion beam current uniformity monitor, ion implanter and related method | |
| JP2585616B2 (ja) | 二次イオン質量分析計方法 | |
| US3881108A (en) | Ion microprobe analyzer | |
| US5105082A (en) | Laser ionization sputtered neutral mass spectrometer | |
| Jaklevic et al. | Energy dispersive X-ray fluorescence spectrometry using pulsed X-ray excitation | |
| US4101772A (en) | Ion-beam etching method and an apparatus therefor | |
| JPH02135657A (ja) | 二次イオン質量分析方法及び装置 | |
| JPS5871541A (ja) | イオンマイクロアナライザ | |
| US5208457A (en) | Method of secondary ion mass spectrometry analysis | |
| JPH0673296B2 (ja) | 二次イオン質量分析装置 | |
| JPS6250648A (ja) | 電子線照射による試料中の注目元素の分析方法 | |
| JP3140557B2 (ja) | レーザイオン化中性粒子質量分析装置及びこれを用いる分析法 | |
| JP4368698B2 (ja) | 試料分析装置及びその方法 | |
| JPH02247555A (ja) | パルスカウント式イオン測定方法 | |
| JP3375734B2 (ja) | 多段式飛行時間型質量分析装置 | |
| JP2754425B2 (ja) | イオン注入装置における混入イオンの分析方法 | |
| JP2895860B2 (ja) | 質量分析方法 | |
| JPH039259A (ja) | 高繰り返しレーザ励起質量分折装置 | |
| JP2985904B2 (ja) | Ｘ線光電子分析方法 | |
| JPH08111203A (ja) | 高分解能質量分析計 | |
| JP2001056315A (ja) | 電子捕獲型検出器 | |
| JPS63245850A (ja) | メタステ−ブルイオンエネルギ−分析装置 | |
| JP2706478B2 (ja) | イオン注入方法及び装置 |