JPH02137524A - 電子チューナ - Google Patents

電子チューナ

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Publication number
JPH02137524A
JPH02137524A JP63292749A JP29274988A JPH02137524A JP H02137524 A JPH02137524 A JP H02137524A JP 63292749 A JP63292749 A JP 63292749A JP 29274988 A JP29274988 A JP 29274988A JP H02137524 A JPH02137524 A JP H02137524A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
local oscillation
input terminal
capacitor
mixer circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63292749A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshimitsu Takenaka
竹中 良光
Kazutoshi Sato
和利 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP63292749A priority Critical patent/JPH02137524A/ja
Publication of JPH02137524A publication Critical patent/JPH02137524A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、テレビおよびVTR用等の電子チューナに関
するものである。
従来の技術 近年、極めて一般的に市販されているテレビおよびVT
R用の電子チューナは第2図に示すような構成である。
1は局部発振回路のインダクタンスライン、6および1
9はピックアップループ、2へ−7 2は局部発振回路の同調用直列コンデンサ、4は局部発
振回路のパッティング用並列コンデンサ、6.8はDC
カット用コンデンサ、3は局部発振回路の同調用バリキ
ャップダイオード、11は局部発振信号増幅器12のバ
イアス抵抗である。以上のように構成された電子チュー
ナについて、以下その動作について説明する。従来、第
2図に示すミキサー回路13は、トランジスタもしくは
ダイオードを使用した方式を用いており、局部発振信号
とRF回路14からのRF倍信号入力は共通端子13a
から行われるようになっている。またプリスケーラ回路
へ局部発振信号を供給するために、別個に1局部発振回
路の共振インダクタンスライン1とのピックアップルー
プ1oをもうけている。
発明が解決しようとする課題 このような従来の構成では、ミキサー回路13へのRF
倍信号局部発振信号の入力が共通端子13Lを介して行
われるため、プリスケーラ回路へ局部発振信号を供給す
る場合、別個に、局部発3ヘー/ 振回路とのピックアップループ10をもうける必要があ
り、コスト面での問題があった。本発明は、このような
問題点を解決するもので、コスト面で有利々ものを提供
することを目的とするものである。
課題を解決するための手段 この問題を解決するために本発明は、局部発振回路と、
この局部発振回路に結合したピックアップループと、こ
のピックアップループの出力側に第1の入力端子が接続
されたダブルバランスミキサー回路と、このダブルバラ
ンスミキサー回路の第2の入力端子に接続されたR7回
路とを備えた構成としたものである。
作用 この構成により、ミキサー回路へのRF倍信号局部発振
信号との入力が別の第1 、第2の入力端子を介して行
われるので、−個のピックアップループで、ミキサー回
路およびプリスケーラ回路への局部発振信号を供給する
ことが可能となる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
第1図は、本発明の一実施例による電子チュナの回路図
であり、第1図において、1は局部発振回路人のインダ
クタンスラインであシ、6はピクアップループである。
2は局部発振同調用コンデンサ、4は局部発振同調回路
パッティング用コンデンサ、6,7,9.16は直流電
圧カント用コンデンサ、3は局部発振同調用バリキャッ
プダイオード、15は高周波信号遮断用アース仕切板で
ある。本実施例では、ダブルバランスミキサー回路17
を採用し、局部発振回路人とのピンクアップループ5を
、コンデンサ7を介してダブルバランスミキサー回路1
7の第1の入力端子17aに接続するとともに、コンデ
ンサ9を介して局部発振信号増幅器12に接続している
。またダブルバランスミキサー回路17の第2の入力端
子17bにはコンデンサ16を介してRF回路14が接
続されており、ピックアップループ6−つで従来のピン
クアップループ1oの働きもさせることがで5ペーノ きる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、ミキサー回路にダブルバ
ランスミキサー回路を採用することにより、従来の局部
発振回路用としてのピンクアップループを廃止すること
ができ、コスト面での効果が得られる。尚、実施例のご
とくダブルバランスミキサー回路17のRF用の第2の
入力端子1了すと局部発振信号用の第1の入力端子17
1Lの間に、高周波信号遮断用アース仕切板16を設け
ることによυ、プリスケーラ回路へのRF倍信号漏れを
防ぐことができ、プリスケーラ機能の誤動作防止にも効
果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による電子チューナを示す回
路図であり、第2図は従来のトランジスタミキサー回路
方式もしくは、ダイオードミキサー回路方式による電子
チューナを示す回路図である。 6ベー7 ン、2・・・・・・局部発振回路同調用コンデンサ、3
・局部発振回路同調用バリキャップダイオード、4・・
・・・・局部発振回路用バッティングコンデンサ、5.
1o・・・・・・ピックアップループ、13・・・・高
周波信号遮断用アース仕切板、14・・・・・・R7回
路、1了・ ・ダブルバランスミキサー回路、17a・
・・第1の入力端子、17b・・・第2の入力端子。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名1 
 ・・局部発振回路同調用インダクタンスライjlF噌
弓艮

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 局部発振回路と、この局部発振回路に結合したピックア
    ップループと、このピックアップループの出力側に接続
    した増幅器と、前記ピックアップループの出力側に第1
    の入力端子が接続されたダブルバランスミキサー回路と
    、このダブルバランスミキサー回路の第2の入力端子に
    接続されたRF回路とを備えた電子チューナ。
JP63292749A 1988-11-18 1988-11-18 電子チューナ Pending JPH02137524A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605150B2 (en) 1997-04-09 2003-08-12 Memc Electronic Materials, Inc. Low defect density regions of self-interstitial dominated silicon

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605150B2 (en) 1997-04-09 2003-08-12 Memc Electronic Materials, Inc. Low defect density regions of self-interstitial dominated silicon

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