JPH02137722A - プラズマを用いた超電導セラミックス膜の製造法および装置 - Google Patents
プラズマを用いた超電導セラミックス膜の製造法および装置Info
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- JPH02137722A JPH02137722A JP63288069A JP28806988A JPH02137722A JP H02137722 A JPH02137722 A JP H02137722A JP 63288069 A JP63288069 A JP 63288069A JP 28806988 A JP28806988 A JP 28806988A JP H02137722 A JPH02137722 A JP H02137722A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、プラズマを用いた高温超電導セラミックス
膜の製造法およびその装置に関するものである。
膜の製造法およびその装置に関するものである。
プラズマ炎を用いた高温超電導セラミックス膜の製造法
は、例えば、［１本金属学会春期大会一般講演概要（１
９８８） 、第２２５頁に、ｒ （３８５）反応性熱プ
ラズマ蒸発法による高温超伝導セラミックスの超高速堆
積」 という講演題目で発表されているように公知である。
は、例えば、［１本金属学会春期大会一般講演概要（１
９８８） 、第２２５頁に、ｒ （３８５）反応性熱プ
ラズマ蒸発法による高温超伝導セラミックスの超高速堆
積」 という講演題目で発表されているように公知である。
この方法は、（Ａ ｒ ＋ ０２ ）ガスと共に、平均
粒径：数μｓ以ドのＹ２Ｏ３粉末、Ｂ ａ Ｃ０３扮宋
およびＣｕＯ粉末からなる混合粉末（以下、ＹＯ粉末、
Ｂ ａ Ｃ０３粉末およびＣｕＯ粉末からなる混合粉末
を原料混合粉末という）を０．２〜０．３ｇ／ｗｉｎの
投入速度で高周波プラズマ発生装置によるプラズマ炎中
に投入し、上記プラズマ炎中で上記原料混合粉末は蒸発
、分解、反応し、上記プラズマ炎下流に設置した温度＝
６００〜７００℃のＭｇＯ基板上に、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ
７の組成を有する超電導セラミックスを堆積させるもの
である。
粒径：数μｓ以ドのＹ２Ｏ３粉末、Ｂ ａ Ｃ０３扮宋
およびＣｕＯ粉末からなる混合粉末（以下、ＹＯ粉末、
Ｂ ａ Ｃ０３粉末およびＣｕＯ粉末からなる混合粉末
を原料混合粉末という）を０．２〜０．３ｇ／ｗｉｎの
投入速度で高周波プラズマ発生装置によるプラズマ炎中
に投入し、上記プラズマ炎中で上記原料混合粉末は蒸発
、分解、反応し、上記プラズマ炎下流に設置した温度＝
６００〜７００℃のＭｇＯ基板上に、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ
７の組成を有する超電導セラミックスを堆積させるもの
である。
上記従来のプラズマ炎による超電導セラミックス膜の成
膜速度は、１０μｓ／ｓｉｎ程度で、一般に知られてい
るスパッタリングなどによる成膜速度に比べて２〜３桁
も速い成膜速度を有するものであり、さらにプラズマ炎
中で気相反応を行なうために、基板上でのエピタキシャ
ル成長によるＣ軸配向も起りやすいという優れた効果を
奏するものである。
膜速度は、１０μｓ／ｓｉｎ程度で、一般に知られてい
るスパッタリングなどによる成膜速度に比べて２〜３桁
も速い成膜速度を有するものであり、さらにプラズマ炎
中で気相反応を行なうために、基板上でのエピタキシャ
ル成長によるＣ軸配向も起りやすいという優れた効果を
奏するものである。
また、上記原料混合粉末の搬送ガスとしてＡ「ガスと０
２ガスの混合ガスを用いた理由は、プラズマ炎中で上記
原料混合粉末が蒸発分解反応してＭｇＯ基板上に堆積し
たＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δの組成を有する超電導セラミ
ックスの酸素不足を補うためである。
２ガスの混合ガスを用いた理由は、プラズマ炎中で上記
原料混合粉末が蒸発分解反応してＭｇＯ基板上に堆積し
たＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δの組成を有する超電導セラミ
ックスの酸素不足を補うためである。
上記従来法によると、高周波プラズマ発生装置のプラズ
マ発生ガスとしてＡｒガスと０２ガスの混合ガスを用い
るために、Ａｒガス単体によるプラズマ炎よりも、プラ
ズマ炎の温度が低下しプラズマ炎が小さくなり、プラズ
マ炎のゆらぎが大きくなり、さらにプラズマ炎が外乱に
対して敏感となるためにプラズマ炎が消えやすくなる。
マ発生ガスとしてＡｒガスと０２ガスの混合ガスを用い
るために、Ａｒガス単体によるプラズマ炎よりも、プラ
ズマ炎の温度が低下しプラズマ炎が小さくなり、プラズ
マ炎のゆらぎが大きくなり、さらにプラズマ炎が外乱に
対して敏感となるためにプラズマ炎が消えやすくなる。
このように不安定なプラズマ炎中に原料混合粉末を通過
せしめると、上記原料混合粉末は十分に蒸発・分解、反
応することなく、原料混合粉末を構成するＹ２Ｏ３粉末
、Ｂ ａ ＣＯａ粉末およびＣｕＯ粉末がそのまま上記
ＭｇＯ基板上に堆積し、不均一な超電導セラミックス膜
が形成され、その超電導特性も劣化するという問題点が
あった。
せしめると、上記原料混合粉末は十分に蒸発・分解、反
応することなく、原料混合粉末を構成するＹ２Ｏ３粉末
、Ｂ ａ ＣＯａ粉末およびＣｕＯ粉末がそのまま上記
ＭｇＯ基板上に堆積し、不均一な超電導セラミックス膜
が形成され、その超電導特性も劣化するという問題点が
あった。
また、粉末の場合、上記原料混合粉末を（Ａｒ ＋Ｏ□
）ガスとともに送給すると各原料粉末の比重の差により
プラズマ炎に供給される組成が不均一となり、ＭｇＯ基
板上に堆積する超電導セラミックス膜も不均一なものと
なるという問題点があった。
）ガスとともに送給すると各原料粉末の比重の差により
プラズマ炎に供給される組成が不均一となり、ＭｇＯ基
板上に堆積する超電導セラミックス膜も不均一なものと
なるという問題点があった。
そこで、本発明者等は、上記問題点を解決すべく研究を
行なった結果、 高周波プラズマ発生装置のプラズマ炎発生ガスとして純
Ａｒガスを用いて安定したプラズマ炎を発生せしめ、上
記純Ａ「ガスとともに超電導セラミックス粉末を上記ｐ
ｔ２ Ａ ｒガスによる安定したプラズマ炎中に投入し
て完全に加熱蒸発させ、ついでＡ「ガスと０２ガスの混
合ガス雰囲気中を通過させることによりすぐれた超電導
セラミックス膜が得られるという知見を得たのである。
行なった結果、 高周波プラズマ発生装置のプラズマ炎発生ガスとして純
Ａｒガスを用いて安定したプラズマ炎を発生せしめ、上
記純Ａ「ガスとともに超電導セラミックス粉末を上記ｐ
ｔ２ Ａ ｒガスによる安定したプラズマ炎中に投入し
て完全に加熱蒸発させ、ついでＡ「ガスと０２ガスの混
合ガス雰囲気中を通過させることによりすぐれた超電導
セラミックス膜が得られるという知見を得たのである。
上記超電導セラミックス粉末は、Ｙ２Ｏ３粉末、Ｂ ａ
ＣＯａ粉末およびＣｕＯ粉末からなる混合粉末につい
て上記知見を得たのであるが、本発明者等はさらに研究
を行なった結果、 Ｂｉ２Ｏ３粉末、５ｒＣ０３・粉末、Ｃａ Ｃ０３粉末
およびＣｕＯ粉末を原料粉末として得られたＢｉ −
５ｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超電導セラミツクス粉末
、 超電導セラミックスを構成する金属元素の塩の混合水溶
液またはエタノール溶液、 Ｙ ２０ ａ粉末およびＢ ａ ＣＯａ粉末をＣｕシー
スに充填してなる充填ワイヤ、並びに Ｂｉ２Ｏ３粉末、Ｓ ｒ ＣＯａ粉末オヨびＣａ ＣＯ
ａ粉末をＣｕシースに充填してなる充填ワイヤ、につい
ても、上記純Ａｒガスによる安定したプラズマ炎中に投
入したのち、Ａ「ガスと０２ガスの混合ガス雰囲気中を
通過させることによりすぐれた超電導セラミックス膜が
得られるという知見を得たのである。
ＣＯａ粉末およびＣｕＯ粉末からなる混合粉末につい
て上記知見を得たのであるが、本発明者等はさらに研究
を行なった結果、 Ｂｉ２Ｏ３粉末、５ｒＣ０３・粉末、Ｃａ Ｃ０３粉末
およびＣｕＯ粉末を原料粉末として得られたＢｉ −
５ｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超電導セラミツクス粉末
、 超電導セラミックスを構成する金属元素の塩の混合水溶
液またはエタノール溶液、 Ｙ ２０ ａ粉末およびＢ ａ ＣＯａ粉末をＣｕシー
スに充填してなる充填ワイヤ、並びに Ｂｉ２Ｏ３粉末、Ｓ ｒ ＣＯａ粉末オヨびＣａ ＣＯ
ａ粉末をＣｕシースに充填してなる充填ワイヤ、につい
ても、上記純Ａｒガスによる安定したプラズマ炎中に投
入したのち、Ａ「ガスと０２ガスの混合ガス雰囲気中を
通過させることによりすぐれた超電導セラミックス膜が
得られるという知見を得たのである。
この発明は、これらの知見にもとづいてなされたもので
あって、 高周波プラズマ発生装置のプラズマ炎発生ガスとして純
Ａｒガスを用いて安定したプラズマ炎を発生せしめ、 （１） Ｙ Ｏ粉末、Ｂ ａ ＣＯ３粉末 および
Ｃｕ０粉末をモル比で、 の割合で配合し、混合し、焼成し、粉砕して得られたＹ
−Ｂａ −Ｃｕ −０系超電導セラミツクス粉末、 （２） Ｂｉ Ｏ粉末、Ｓ ｒ ＣＯａ粉末、Ｃａ
ＣＯａ粉末、およびＣｕＯ粉末をモル比で、 の割合で配合し、混合し、焼成し、粉砕して得られたＢ
ｉ −３ｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超電導セラミツ
クス粉末、 （３）Ｙの硝酸塩、Ｂａの硝酸塩、およびＣｕの硝酸塩
をモル比で、 Ｙ （Ｎ Ｏ） ： Ｂａ（Ｎ Ｏ） ： Ｃｕ（
Ｎ ０３）２ ＝１：２：３ となるように純水に溶解して得られた硝酸塩水溶液、 （４）Ｙの硫酸塩、Ｂａの硫酸塩、およびＣｕの硫酸塩
をモル比で、 １：２：３ となるように純水に溶解して得られた硫酸塩水溶液、 （５〉Ｙの酢酸塩、Ｂａの酢酸塩、およびＣｕの酢酸塩
をモル比で、 Ｙ （Ｃ２Ｈ３Ｏ２）３ ：Ｂａ（Ｃ２Ｈ３Ｏ，、）
２：Ｃ０（Ｃ２Ｈ３Ｏ２）２＝１：２：３となるよう
に純水に溶解してｉすられた酢酸塩水溶液、 （６）Ｙの塩化物、Ｂａの塩化物、およびＣｕの塩化物
をモル比で、 ＹＣＩ）：ＢａＣｌ ：ＣｕＣ１’ ２−１ ： ２
： ３となるように純水に溶解して得られた塩化物水
溶液、 （７）Ｂｉの硝酸塩、Ｓｒの硝酸塩、Ｃａの硝酸塩、お
よびＣｕの硝酸塩をモル比で、 Ｂｉ（ＮＯ ＞ −５ｒ（ＮＯ ’） ＋Ｃａ
（ＮＯ３） ２：ＣＬＩ（ＮＯ３）２−１ ： １ ：
１ ： ２となるようにＢｉの硝酸塩の硝酸酸性水溶
液に溶解して得られた硝酸酸性水溶液、 （１１） Ｂｉの酢酸塩、Ｓｒの酢酸塩、Ｃａの酢酸
塩およびＣｕの酢酸塩をモル比で、 ［３１（Ｃ２Ｈ３Ｏ２）３ コＳｒ（Ｃ２Ｈ３Ｏ２
） ２：Ｃａ（Ｃ２Ｈ３Ｏ２）３ ：Ｃｕ（Ｃ２Ｈ３Ｏ
２）２＝−１：１：１：２ となるようにＢｉの酢酸塩の酢酸酸性水溶液に溶解して
得られた酢酸酸性水溶液、 （９） Ｂｉの塩酸塩、Ｓｒの塩酸塩、Ｃａの塩酸塩
およびＣｕの塩酸塩をモル比て、 Ｂ ｉＣＤ ・Ｓ ｒ Ｃ１１：Ｃａ Ｃ１’ ２：
ｃｕｃｌ） ２−３° ３ １：１：１：２ となるようにエタノールに溶解して得られた溶液、（１
０） Ｙ Ｏ粉末およびＢ ａ ＣＯ３粉末をＣｕ
シースにモル比で、 １：２：３ となるように充填してなる充填ワイヤ、（１１） Ｂ
ｉ Ｏ粉末、Ｓ ｒ ＣＯａ粉末、およびＣｕ ンー
スー１：１：１：２ となるように充填してなる充填ワイヤ、上記（１）〜（
１１）のうちいずれかを上記Ａ「ガスとともにプラズマ
炎中に供給して蒸発、分解、反応せしめ、 つづいてＡｒガスと０２ガスの混合ガス雰囲気を通過さ
せたのち、上記プラズマ炎下流に設置した基板上に超電
導セラミックス膜を形成するｈ法および装置に特徴を白
゛するものである。
あって、 高周波プラズマ発生装置のプラズマ炎発生ガスとして純
Ａｒガスを用いて安定したプラズマ炎を発生せしめ、 （１） Ｙ Ｏ粉末、Ｂ ａ ＣＯ３粉末 および
Ｃｕ０粉末をモル比で、 の割合で配合し、混合し、焼成し、粉砕して得られたＹ
−Ｂａ −Ｃｕ −０系超電導セラミツクス粉末、 （２） Ｂｉ Ｏ粉末、Ｓ ｒ ＣＯａ粉末、Ｃａ
ＣＯａ粉末、およびＣｕＯ粉末をモル比で、 の割合で配合し、混合し、焼成し、粉砕して得られたＢ
ｉ −３ｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超電導セラミツ
クス粉末、 （３）Ｙの硝酸塩、Ｂａの硝酸塩、およびＣｕの硝酸塩
をモル比で、 Ｙ （Ｎ Ｏ） ： Ｂａ（Ｎ Ｏ） ： Ｃｕ（
Ｎ ０３）２ ＝１：２：３ となるように純水に溶解して得られた硝酸塩水溶液、 （４）Ｙの硫酸塩、Ｂａの硫酸塩、およびＣｕの硫酸塩
をモル比で、 １：２：３ となるように純水に溶解して得られた硫酸塩水溶液、 （５〉Ｙの酢酸塩、Ｂａの酢酸塩、およびＣｕの酢酸塩
をモル比で、 Ｙ （Ｃ２Ｈ３Ｏ２）３ ：Ｂａ（Ｃ２Ｈ３Ｏ，、）
２：Ｃ０（Ｃ２Ｈ３Ｏ２）２＝１：２：３となるよう
に純水に溶解してｉすられた酢酸塩水溶液、 （６）Ｙの塩化物、Ｂａの塩化物、およびＣｕの塩化物
をモル比で、 ＹＣＩ）：ＢａＣｌ ：ＣｕＣ１’ ２−１ ： ２
： ３となるように純水に溶解して得られた塩化物水
溶液、 （７）Ｂｉの硝酸塩、Ｓｒの硝酸塩、Ｃａの硝酸塩、お
よびＣｕの硝酸塩をモル比で、 Ｂｉ（ＮＯ ＞ −５ｒ（ＮＯ ’） ＋Ｃａ
（ＮＯ３） ２：ＣＬＩ（ＮＯ３）２−１ ： １ ：
１ ： ２となるようにＢｉの硝酸塩の硝酸酸性水溶
液に溶解して得られた硝酸酸性水溶液、 （１１） Ｂｉの酢酸塩、Ｓｒの酢酸塩、Ｃａの酢酸
塩およびＣｕの酢酸塩をモル比で、 ［３１（Ｃ２Ｈ３Ｏ２）３ コＳｒ（Ｃ２Ｈ３Ｏ２
） ２：Ｃａ（Ｃ２Ｈ３Ｏ２）３ ：Ｃｕ（Ｃ２Ｈ３Ｏ
２）２＝−１：１：１：２ となるようにＢｉの酢酸塩の酢酸酸性水溶液に溶解して
得られた酢酸酸性水溶液、 （９） Ｂｉの塩酸塩、Ｓｒの塩酸塩、Ｃａの塩酸塩
およびＣｕの塩酸塩をモル比て、 Ｂ ｉＣＤ ・Ｓ ｒ Ｃ１１：Ｃａ Ｃ１’ ２：
ｃｕｃｌ） ２−３° ３ １：１：１：２ となるようにエタノールに溶解して得られた溶液、（１
０） Ｙ Ｏ粉末およびＢ ａ ＣＯ３粉末をＣｕ
シースにモル比で、 １：２：３ となるように充填してなる充填ワイヤ、（１１） Ｂ
ｉ Ｏ粉末、Ｓ ｒ ＣＯａ粉末、およびＣｕ ンー
スー１：１：１：２ となるように充填してなる充填ワイヤ、上記（１）〜（
１１）のうちいずれかを上記Ａ「ガスとともにプラズマ
炎中に供給して蒸発、分解、反応せしめ、 つづいてＡｒガスと０２ガスの混合ガス雰囲気を通過さ
せたのち、上記プラズマ炎下流に設置した基板上に超電
導セラミックス膜を形成するｈ法および装置に特徴を白
゛するものである。
上記基板は、温度二６００〜８５０℃に保持されている
ので、上記基板に堆積した超電導セラミックス膜は、上
記基板上に堆積したまま２〜５時間放置するだζノで熱
処理は完了する。
ので、上記基板に堆積した超電導セラミックス膜は、上
記基板上に堆積したまま２〜５時間放置するだζノで熱
処理は完了する。
第１図および第２図は、この発明の超電導セラミックス
膜を製造するための装置の概略図であり、第１図および
第２図において、１はプラズマ炎保課外筒、２は高周波
コイル、３はプラズマ炎、４は原料導入管、５は基板、
６は超電導セラミックス膜、７は高周波電源、８は充填
ワイヤ、９は酸素ガス導入管である。
膜を製造するための装置の概略図であり、第１図および
第２図において、１はプラズマ炎保課外筒、２は高周波
コイル、３はプラズマ炎、４は原料導入管、５は基板、
６は超電導セラミックス膜、７は高周波電源、８は充填
ワイヤ、９は酸素ガス導入管である。
上記第１図および第２図を用いて超電導セラミックス膜
６を基板５上に形成するには、まず減圧下でＡｒガスを
流しながら高周波電源７を作動させ、高周波コイル２に
より水冷されたプラズマ炎保護外筒１内にプラズマ炎３
を発生せしめ、ついで、徐々に空気を流入しつつ大気雰
囲気としたのち、超電導セラミックス膜を作製するため
の原料混合粉末、溶液または充填ワイヤを原料導入管４
を通して上記プラズマ炎３中に供給し、同時に酸素ガス
導入管９から酸素ガスを上記プラズマ炎３の末尾に吹込
んで上記プラズマ炎３と基板５の間の雰囲気を酸素ガス
とアルゴンガスの混合ガス雰囲気とする。この混合ガス
雰囲気は、特に充填ワイヤを超電導セラミックス膜の原
料とした場合、酸素の割合を多くしなければならないた
めに、酸素ガス：５０〜６０容量％のＡ「ガス混合雰囲
気占する必要があり、そのためには、酸素ガス導入管９
から酸素ガス流１ａ：１０〜２０Ｆ ／ｍｌｎの酸素ガ
スを吹込む必要がある。さらに、超電導セラミックス粉
末および溶液を超電導セラミックス膜の原料とした場合
は、酸素ガス流二二５〜ｌ０１ｌ／ｓｉｎの酸素ガスを
吹込む必要がある。
６を基板５上に形成するには、まず減圧下でＡｒガスを
流しながら高周波電源７を作動させ、高周波コイル２に
より水冷されたプラズマ炎保護外筒１内にプラズマ炎３
を発生せしめ、ついで、徐々に空気を流入しつつ大気雰
囲気としたのち、超電導セラミックス膜を作製するため
の原料混合粉末、溶液または充填ワイヤを原料導入管４
を通して上記プラズマ炎３中に供給し、同時に酸素ガス
導入管９から酸素ガスを上記プラズマ炎３の末尾に吹込
んで上記プラズマ炎３と基板５の間の雰囲気を酸素ガス
とアルゴンガスの混合ガス雰囲気とする。この混合ガス
雰囲気は、特に充填ワイヤを超電導セラミックス膜の原
料とした場合、酸素の割合を多くしなければならないた
めに、酸素ガス：５０〜６０容量％のＡ「ガス混合雰囲
気占する必要があり、そのためには、酸素ガス導入管９
から酸素ガス流１ａ：１０〜２０Ｆ ／ｍｌｎの酸素ガ
スを吹込む必要がある。さらに、超電導セラミックス粉
末および溶液を超電導セラミックス膜の原料とした場合
は、酸素ガス流二二５〜ｌ０１ｌ／ｓｉｎの酸素ガスを
吹込む必要がある。
上記プラズマ炎３中に供給される超電導セラミックス粉
末は、アルゴンガスとともに連続的に微量安定供給する
ことが好ましく、また溶液原料は噴霧状にして供給する
のが好ましい。
末は、アルゴンガスとともに連続的に微量安定供給する
ことが好ましく、また溶液原料は噴霧状にして供給する
のが好ましい。
つぎに、この発明を実施例にもとづいて具体的に説明す
る。
る。
実施例 １
Ｙの硝酸塩〔Ｙ（ＮＯ３）３〕、Ｂａの硝酸塩〔Ｂａ（
ＮＯ３）２〕およびＣｕの硝酸塩〔Ｃｕ（ＮＯ３）２〕
を用意し、これらをモル比で、 Ｙ（Ｎ０３）２：Ｂａ（ＮＯ３）２：Ｃｕ（ＮＯ３）２
−１＝２＝３となるよう純水に溶解して硝酸塩水溶液を
作成した。上記硝酸塩水溶液を、５０ｋＷの高周波電源
と連結されている高周波コイルにより発生したプラズマ
炎３に、Ｉｇ／ｗｉｎの流量で噴霧状にして流量： １
０４７ ／ｗｉｎのアルゴンガスとともに供給し、同時
に酸素ガスを第１図の酸素ガス導入管９から導入してプ
ラズマ炎３末尾から基板５の間の領域を酸素ガスとアル
ゴンガスの混合ガス雰囲気に保持した。上記酸素ガス導
入管９から導入される酸素ガスの流量はｌ０ｆｉ／１ｎ
である。
ＮＯ３）２〕およびＣｕの硝酸塩〔Ｃｕ（ＮＯ３）２〕
を用意し、これらをモル比で、 Ｙ（Ｎ０３）２：Ｂａ（ＮＯ３）２：Ｃｕ（ＮＯ３）２
−１＝２＝３となるよう純水に溶解して硝酸塩水溶液を
作成した。上記硝酸塩水溶液を、５０ｋＷの高周波電源
と連結されている高周波コイルにより発生したプラズマ
炎３に、Ｉｇ／ｗｉｎの流量で噴霧状にして流量： １
０４７ ／ｗｉｎのアルゴンガスとともに供給し、同時
に酸素ガスを第１図の酸素ガス導入管９から導入してプ
ラズマ炎３末尾から基板５の間の領域を酸素ガスとアル
ゴンガスの混合ガス雰囲気に保持した。上記酸素ガス導
入管９から導入される酸素ガスの流量はｌ０ｆｉ／１ｎ
である。
上記噴霧状硝酸塩水溶液は、プラズマ炎３を通過する間
に、蒸発、分解、反応し、さらにプラズマ炎３を出て基
板５に到達する間に酸化して基板５の表面にＹ−Ｂａ
−Ｃｕ −０系超電導セラミツクス膜が堆積する。
に、蒸発、分解、反応し、さらにプラズマ炎３を出て基
板５に到達する間に酸化して基板５の表面にＹ−Ｂａ
−Ｃｕ −０系超電導セラミツクス膜が堆積する。
上記基板５はＭｇＯから構成されており、温度二８５０
℃に保持されているので、上記基板５の表面に堆積した
超電導セラミックス膜をそのまま１．５時間放置するこ
とにより熱処理が完ｒする。熱処理の完ｒした超電導セ
ラミックス膜の超電導特性をｎ１定し、その結果を第１
表に示した。
℃に保持されているので、上記基板５の表面に堆積した
超電導セラミックス膜をそのまま１．５時間放置するこ
とにより熱処理が完ｒする。熱処理の完ｒした超電導セ
ラミックス膜の超電導特性をｎ１定し、その結果を第１
表に示した。
さらに上記堆積した超電導セラミックス膜の結晶構造を
Ｘ線回折によりａｌｌ定したところ、Ｙ Ｂ ａ ２
Ｃｕ ａ ０７の組成を有し、ペロブスカイト構造を有
する均一な膜が形成されていることがわかった。
Ｘ線回折によりａｌｌ定したところ、Ｙ Ｂ ａ ２
Ｃｕ ａ ０７の組成を有し、ペロブスカイト構造を有
する均一な膜が形成されていることがわかった。
実施例 ２
Ｙの硫酸塩〔Ｙ２（Ｓ０４）３〕、Ｂａの硫酸塩（Ｂ
ａ Ｓ Ｏ４］およびＣｕの硫酸塩（Ｃｕ Ｓ Ｏ４）
を用意し、これらをモル比で、 となるように純水に溶解して硫酸塩水溶液を作成した。
ａ Ｓ Ｏ４］およびＣｕの硫酸塩（Ｃｕ Ｓ Ｏ４）
を用意し、これらをモル比で、 となるように純水に溶解して硫酸塩水溶液を作成した。
上記硫酸塩水溶液を用いて実施例１と同様にプラズマ炎
中を通過せしめ、基板５表面にＹ Ｂ ａ ２ Ｃｕ
ａ Ｏ□−８の成分組成を有する超電導セラミックス膜
を形成した。得られた膜をそのまま基板上に１．５時間
放置して熱処理してその超電導特性をｉｌＰ＋定し、そ
の結果を第１表に示した。
中を通過せしめ、基板５表面にＹ Ｂ ａ ２ Ｃｕ
ａ Ｏ□−８の成分組成を有する超電導セラミックス膜
を形成した。得られた膜をそのまま基板上に１．５時間
放置して熱処理してその超電導特性をｉｌＰ＋定し、そ
の結果を第１表に示した。
実施例 ３
Ｙの酢酸塩〔Ｙ（Ｃ２Ｈ３Ｏ）３〕、Ｂａの酢酸塩〔Ｂ
ａ（Ｃ２Ｈ３Ｏ）２〕およびＣｕの酢酸塩（Ｃｕ（Ｃ２
Ｈａ Ｏ） ２ ）を用意し、これらをモル比で、 Ｙ（Ｃ２Ｈ３Ｏ２）３ ：Ｂａ（Ｃ２Ｈ３Ｏ）２：Ｃ
ｕ（Ｃ２Ｈ３Ｏ）２−１＝２；３となるように純水に溶
解して酢酸塩水溶液を作成し、この酢酸塩水溶液を用い
て実施例１と同様にしてプラズマ炎により超電導セラミ
ックス膜を形成し、そのまま基板上に１．５時間放置し
て熱処理したのち、その超電導特性を測定し、その結果
を第１表に示した。
ａ（Ｃ２Ｈ３Ｏ）２〕およびＣｕの酢酸塩（Ｃｕ（Ｃ２
Ｈａ Ｏ） ２ ）を用意し、これらをモル比で、 Ｙ（Ｃ２Ｈ３Ｏ２）３ ：Ｂａ（Ｃ２Ｈ３Ｏ）２：Ｃ
ｕ（Ｃ２Ｈ３Ｏ）２−１＝２；３となるように純水に溶
解して酢酸塩水溶液を作成し、この酢酸塩水溶液を用い
て実施例１と同様にしてプラズマ炎により超電導セラミ
ックス膜を形成し、そのまま基板上に１．５時間放置し
て熱処理したのち、その超電導特性を測定し、その結果
を第１表に示した。
実施例 ４
Ｙの塩化物（ＹＣＮ ） 、Ｂａの塩化物［Ｂ ａ
Ｃ！：ｌ ２ ）およびＣｕの塩化物（Ｃｕ Ｃ１１２
］を用意腰これらをモル比で、 ＹＣｆｌ ：ＢａＣｇ：ＣｕＣｆｆ ２ ＝ １ ：
２ ： ３となるように純水に溶解して得られた塩化
物水溶液を用いて実施例１と同様に超電導セラミックス
膜を形成し、そのまま基板上に１．５時間放置して熱処
理したのち、その超電導特性をハ１定してその結果を第
１表に示した。
Ｃ！：ｌ ２ ）およびＣｕの塩化物（Ｃｕ Ｃ１１２
］を用意腰これらをモル比で、 ＹＣｆｌ ：ＢａＣｇ：ＣｕＣｆｆ ２ ＝ １ ：
２ ： ３となるように純水に溶解して得られた塩化
物水溶液を用いて実施例１と同様に超電導セラミックス
膜を形成し、そのまま基板上に１．５時間放置して熱処
理したのち、その超電導特性をハ１定してその結果を第
１表に示した。
実施例 ５
旧の硝酸塩の硝酸酸性水溶液（Ｂｉ（ＮＯ３）３硝酸酸
性水溶液）、Ｓｒの硝酸塩〔Ｓｒ（ＮＯ３）２〕、Ｃａ
の硝酸塩（ｃ ａ（Ｎ ｏ ａ ＞ ２ ） 、および
Ｃｕの硝酸塩（ｃ ｕ＜Ｎｏ ａ ） ２ ）を準備し
、これらをモル比で、 Ｂｉ（Ｎ０３）３：Ｓｒ（ＮＯ３）２：Ｃａ（ＮＯ３）
２：Ｃｌ （Ｎ Ｏ３）２−１：にに２ となるように、Ｂｉの硝酸塩の硝酸酸性水溶液に溶解し
て硝酸酸性水溶液を調製した。
性水溶液）、Ｓｒの硝酸塩〔Ｓｒ（ＮＯ３）２〕、Ｃａ
の硝酸塩（ｃ ａ（Ｎ ｏ ａ ＞ ２ ） 、および
Ｃｕの硝酸塩（ｃ ｕ＜Ｎｏ ａ ） ２ ）を準備し
、これらをモル比で、 Ｂｉ（Ｎ０３）３：Ｓｒ（ＮＯ３）２：Ｃａ（ＮＯ３）
２：Ｃｌ （Ｎ Ｏ３）２−１：にに２ となるように、Ｂｉの硝酸塩の硝酸酸性水溶液に溶解し
て硝酸酸性水溶液を調製した。
この硝酸酸性水溶液を、実施−１１と同様の条件で噴霧
状にしてアルゴンガスとともにプラズマ炎３に供給し、
同時に酸素ガスを第１図の酸素ガス導入管９から導入し
てプラズマ炎３の末尾から基板５に至るまでの間の領域
を酸素ガスとアルゴンガスの混合ガス雰囲気に保持した
。上記酸素ガス導入管９から導入される酸素ガスの流量
は、１５〜２０ｆＩ／ｓｉｎである。
状にしてアルゴンガスとともにプラズマ炎３に供給し、
同時に酸素ガスを第１図の酸素ガス導入管９から導入し
てプラズマ炎３の末尾から基板５に至るまでの間の領域
を酸素ガスとアルゴンガスの混合ガス雰囲気に保持した
。上記酸素ガス導入管９から導入される酸素ガスの流量
は、１５〜２０ｆＩ／ｓｉｎである。
上記噴霧状硝酸塩水溶液は、プラズマ炎３を通過する間
に、蒸発、分解、反応し、さらにプラズマ炎３を出て基
板５に到達する間に酸化し、基板５の表面にＢｉ５ｒＣ
ａＣｕ２０．の組成を有する超電導セラミックス膜が堆
積する。
に、蒸発、分解、反応し、さらにプラズマ炎３を出て基
板５に到達する間に酸化し、基板５の表面にＢｉ５ｒＣ
ａＣｕ２０．の組成を有する超電導セラミックス膜が堆
積する。
上記基板５はＭｇＯで構成されており、温度：８５０℃
に保持されているので、上記基板５の表面に堆積した超
電導セラミックス膜は上記酸素ガス導入管から酸素ガス
を導入しながら２時間放置することにより熱処理が完了
する。
に保持されているので、上記基板５の表面に堆積した超
電導セラミックス膜は上記酸素ガス導入管から酸素ガス
を導入しながら２時間放置することにより熱処理が完了
する。
上記熱処理の完了した超電導セラミックス膜の超電導特
性を測定し、その結果を第２表に示した。
性を測定し、その結果を第２表に示した。
さらに、上記堆積した超電導セラミックス膜をＸ！Ｉｊ
１回折法により測定したところ、高Ｔ を示す相（１１
０’Ｋ）が主ピークであり、低Ｔ を示す相（８０’Ｋ
）も弱いピークとして観察されたが、十分良好な超電導
特性を示すことが裏付けられた。また、膜外観は、極め
て平滑であり、緻密な組織であることがわかった。
１回折法により測定したところ、高Ｔ を示す相（１１
０’Ｋ）が主ピークであり、低Ｔ を示す相（８０’Ｋ
）も弱いピークとして観察されたが、十分良好な超電導
特性を示すことが裏付けられた。また、膜外観は、極め
て平滑であり、緻密な組織であることがわかった。
実施例 ６
Ｂｉの酢酸塩の酢酸水溶液［Ｂ ｉ （ＣＨａ ＣＯＯ
） ａ酢酸水溶液］、Ｓｒの酢酸塩（Ｓ ｒ（ＣＨ３Ｃ
００） ２ ） 、Ｃａの酢酸塩（Ｃａ（ＣＨ３ＣＯ
Ｏ） ２ ） 、およびＣｕの酢酸塩（Ｃｕ（ＣＨａ
ＣＯＯ） ２ ）をＱＷｔし、これらをモル比で、 Ｂａ（ＣＨＣｏｏ） ： ５ｒ（ＣＨＣｏｏ）２ ：
Ｃａ（ＣＨＣＯＯ） ： Ｃｕ（ＣＨＣ００） ２−
１：１：１：２ となるように、Ｂｉの酢酸塩の酢酸水溶液に溶解し、酢
酸酸性水溶液を調製した。この水溶液をもちいて、実施
例５と同様にしてプラズマ炎により超電導セラミックス
膜を形成し、熱処理したのち、超電導特性を測定し、そ
の結果を第２表に示した。
） ａ酢酸水溶液］、Ｓｒの酢酸塩（Ｓ ｒ（ＣＨ３Ｃ
００） ２ ） 、Ｃａの酢酸塩（Ｃａ（ＣＨ３ＣＯ
Ｏ） ２ ） 、およびＣｕの酢酸塩（Ｃｕ（ＣＨａ
ＣＯＯ） ２ ）をＱＷｔし、これらをモル比で、 Ｂａ（ＣＨＣｏｏ） ： ５ｒ（ＣＨＣｏｏ）２ ：
Ｃａ（ＣＨＣＯＯ） ： Ｃｕ（ＣＨＣ００） ２−
１：１：１：２ となるように、Ｂｉの酢酸塩の酢酸水溶液に溶解し、酢
酸酸性水溶液を調製した。この水溶液をもちいて、実施
例５と同様にしてプラズマ炎により超電導セラミックス
膜を形成し、熱処理したのち、超電導特性を測定し、そ
の結果を第２表に示した。
実施例 ７
旧の塩酸塩（ＢｉＣ１’３）、Ｓ’の塩酸塩（ＳｒＣ＃
）、Ｃａの塩酸塩（Ｃａ ＣＤ ２ ）、およびＣ
ｕの塩酸塩［Ｃｕ Ｃρ２〕を準備し、これらをモル比
で、 Ｂｉ（Ｊ） −５ｒＣＲ：ＣａＣ１１：Ｃｕ（，９２
＝３“ ２２ １：１：１：２ となるようにエタノールに溶解し、均一溶液を調製した
。この溶液を用いて、実施例５と同様にしてプラズマ炎
により超電導セラミックス膜を形成し、熱処理したのち
、超電導特性を測定し、その結果を第２表に示した。
）、Ｃａの塩酸塩（Ｃａ ＣＤ ２ ）、およびＣ
ｕの塩酸塩［Ｃｕ Ｃρ２〕を準備し、これらをモル比
で、 Ｂｉ（Ｊ） −５ｒＣＲ：ＣａＣ１１：Ｃｕ（，９２
＝３“ ２２ １：１：１：２ となるようにエタノールに溶解し、均一溶液を調製した
。この溶液を用いて、実施例５と同様にしてプラズマ炎
により超電導セラミックス膜を形成し、熱処理したのち
、超電導特性を測定し、その結果を第２表に示した。
第 ２ 表
実施例 ８
いずれも平均粒径：１０ｍ＋以下のＹ２Ｏ３粉末、Ｂ
ａ ＣＯａ粉末、ＣｕＯ粉末を用意し、これら粉末をモ
ル比で、 １／２Ｙ Ｏ：ＢａＣＯ３：ＣｕＯ−１：２：３とな
るように配合し、混合し、焼成し、粉砕して得られたＹ
−Ｂａ −Ｃｕ −０系超電導セラミツクスを１ｇ／ｌ
ｌ１ｎの割合で流Ｑ ： １０ｊ？ ／ｍ１ｎのＡｒガ
スとともにプラズマ炎中に投入し、加熱蒸発させるとと
もに、酸素ガスを第１図の酸素ガス導入管９から導入し
てプラズマ炎３末尾から基板５の間の空間を（Ａｒ ＋
０゜）ガス雰囲気に保持した。
ａ ＣＯａ粉末、ＣｕＯ粉末を用意し、これら粉末をモ
ル比で、 １／２Ｙ Ｏ：ＢａＣＯ３：ＣｕＯ−１：２：３とな
るように配合し、混合し、焼成し、粉砕して得られたＹ
−Ｂａ −Ｃｕ −０系超電導セラミツクスを１ｇ／ｌ
ｌ１ｎの割合で流Ｑ ： １０ｊ？ ／ｍ１ｎのＡｒガ
スとともにプラズマ炎中に投入し、加熱蒸発させるとと
もに、酸素ガスを第１図の酸素ガス導入管９から導入し
てプラズマ炎３末尾から基板５の間の空間を（Ａｒ ＋
０゜）ガス雰囲気に保持した。
上記酸素ガス導入管９から導入される酸素ガスの流量は
、１ＯｆＩ／ｍｉｎである。
、１ＯｆＩ／ｍｉｎである。
上記加熱蒸発した上記Ｙ−Ｂａ −Ｃｕ −０系超電導
セラミツクス粉末は、上記（Ａ ｒ ＋０２）ガス雰囲
気中を通過する間に酸化し、 ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−６
の組成の微粉末となり、温度：５００℃に保持されたＭ
ｇＯ基板５上に堆積した。
セラミツクス粉末は、上記（Ａ ｒ ＋０２）ガス雰囲
気中を通過する間に酸化し、 ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−６
の組成の微粉末となり、温度：５００℃に保持されたＭ
ｇＯ基板５上に堆積した。
堆積したＹ Ｂ ａ ２ Ｃｕ ａ Ｏｙ−ａの組成を
有する膜は上記酸素ガスを流しながら温度：９１Ｏ℃に
１．５時間放置したのち、その膜の超電導特性を測定し
たところ、 臨界温度Ｔ ｌｏ’Ｋ、 臨界電流密度Ｊ ： ４．ＯＸ １０５Ａ／ｃｄ、と
いう測定結果が得られた。
有する膜は上記酸素ガスを流しながら温度：９１Ｏ℃に
１．５時間放置したのち、その膜の超電導特性を測定し
たところ、 臨界温度Ｔ ｌｏ’Ｋ、 臨界電流密度Ｊ ： ４．ＯＸ １０５Ａ／ｃｄ、と
いう測定結果が得られた。
実施例 ９
いずれも、平均粒径二１０−以下のＢｉ２０ａ粉末、Ｓ
ｒＣＯ３粉末、Ｃａ ＣＯａ粉末、およびＣｕＯ粉末を
用意し、これら粉末をモル比で、Ｂｉ Ｏ−３ｒＣＯ
：ＣａＣＯ３：ＣｕＯ−２３° ３ ■ −： １ ： １ ： ２ となるように配合し、混合し、焼成し、粉砕して得られ
たＢｉ −３ｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超電導セラ
ミツクス粉末を実施例８と同一条件でプラズマ炎中に投
入し、プラズマ炎末尾から基板の間の空間を（Ａ ｒ
＋ ０２）ガス雰囲気とし、この（Ａｒ ＋０ ）ガス
雰囲気を通過する間にＢｉ５ｒＣａＣｕ２０ｘの組成を
有する超電導セラミックス微粉末となり、電導セラミッ
クス膜を形成した。この朦を、上記酸素ガスを流しなが
ら（Ａｒ ＋Ｏ□）ガス雰囲気中に温度：８７０℃、２
０時間放置して熱処理したのち、その超電導特性を測定
したところ、 臨界温度Ｔ ：１０５＠Ｋ、 臨界電流密度Ｊ ：４．０Ｘ１０５Ａ／ｃｄ、という
測定結果が得られた。
ｒＣＯ３粉末、Ｃａ ＣＯａ粉末、およびＣｕＯ粉末を
用意し、これら粉末をモル比で、Ｂｉ Ｏ−３ｒＣＯ
：ＣａＣＯ３：ＣｕＯ−２３° ３ ■ −： １ ： １ ： ２ となるように配合し、混合し、焼成し、粉砕して得られ
たＢｉ −３ｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超電導セラ
ミツクス粉末を実施例８と同一条件でプラズマ炎中に投
入し、プラズマ炎末尾から基板の間の空間を（Ａ ｒ
＋ ０２）ガス雰囲気とし、この（Ａｒ ＋０ ）ガス
雰囲気を通過する間にＢｉ５ｒＣａＣｕ２０ｘの組成を
有する超電導セラミックス微粉末となり、電導セラミッ
クス膜を形成した。この朦を、上記酸素ガスを流しなが
ら（Ａｒ ＋Ｏ□）ガス雰囲気中に温度：８７０℃、２
０時間放置して熱処理したのち、その超電導特性を測定
したところ、 臨界温度Ｔ ：１０５＠Ｋ、 臨界電流密度Ｊ ：４．０Ｘ１０５Ａ／ｃｄ、という
測定結果が得られた。
実施例 １０
原料粉末として、いずれも平均粒径： ｌＯｗａ以下の
ＹＯ粉末およびＢ ａ ＣＯｓ粉末を用意し、これら粉
末を の割合に配合し混合し、この混合粉末を外径３１ｎ＋ｍ
Ｘ内径：３ＯｍｍＸＣｕ製管材に充填し、この充填Ｃｕ
製管材をロータリースェージング加工したのち、溝ロー
ル加工して直径：１．Ｏｍｍ、 Ｃｕシース肉厚： ０
．０２ｎｎの充填ワイヤを作製した。この充填ワイヤは
、モル比で、 温度ニア５０℃に保持されている基板上に堆積し、超２
；３ の割合となるように作製した。
ＹＯ粉末およびＢ ａ ＣＯｓ粉末を用意し、これら粉
末を の割合に配合し混合し、この混合粉末を外径３１ｎ＋ｍ
Ｘ内径：３ＯｍｍＸＣｕ製管材に充填し、この充填Ｃｕ
製管材をロータリースェージング加工したのち、溝ロー
ル加工して直径：１．Ｏｍｍ、 Ｃｕシース肉厚： ０
．０２ｎｎの充填ワイヤを作製した。この充填ワイヤは
、モル比で、 温度ニア５０℃に保持されている基板上に堆積し、超２
；３ の割合となるように作製した。
上記充填ワイヤを、第２図に示されるように純Ａｒガス
によるプラズマ炎３中に送給速度：２ｃｍ／１ｉｉｎで
送給し、上記充填ワイヤを上記プラズマ炎中で蒸発、分
解、反応させたのち、第２図の酸素ガス導入管９から導
入された酸素によって形成された（Ａｒ＋０２）ガス雰
囲気中で酸化し、温度ニア５０℃に保持されたＭｇＯ基
板５の表面にＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７，の組成を有する超電
導セラミックス膜を形成した。
によるプラズマ炎３中に送給速度：２ｃｍ／１ｉｉｎで
送給し、上記充填ワイヤを上記プラズマ炎中で蒸発、分
解、反応させたのち、第２図の酸素ガス導入管９から導
入された酸素によって形成された（Ａｒ＋０２）ガス雰
囲気中で酸化し、温度ニア５０℃に保持されたＭｇＯ基
板５の表面にＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７，の組成を有する超電
導セラミックス膜を形成した。
上記酸素ガス導入管９から導入される酸素ガスの量は！
ＦＪ ／１ｎであり、基板上に堆積した超電導セラミッ
クス膜は、上記酸素ガスにより形成された（ Ａ ｒ
＋０２ ）ガス雰囲気に２時間放置されることにより熱
処理した。
ＦＪ ／１ｎであり、基板上に堆積した超電導セラミッ
クス膜は、上記酸素ガスにより形成された（ Ａ ｒ
＋０２ ）ガス雰囲気に２時間放置されることにより熱
処理した。
上記熱処理が完了した後、超電導セラミックス膜の超電
導特性をΔ−１定したところ、臨界温度Ｔ ： ９０
’Ｋ。
導特性をΔ−１定したところ、臨界温度Ｔ ： ９０
’Ｋ。
臨界電流密度Ｊ ： ３ Ｘ １０５Ａ／ｃｄ、とい
う結果が得られた。
う結果が得られた。
実施例 １１
いずれも平均粒径：１０μｓ以下のＢｉ２Ｏ３粉末、Ｃ
ａＣ０粉末、Ｓ ｒ ＣＯａ粉末を用意し、これら粉末
をモル比で、 Ｂ Ｉ Ｏ−３’ ＣＯａ ： Ｃａ Ｃ０ａ−２＝
”２３゜ となるように配合し、実施例１０と同様にして、直径：
２關、Ｃｕシース肉厚： ０．０２ｍｍの充填ワイヤを
作製した。
ａＣ０粉末、Ｓ ｒ ＣＯａ粉末を用意し、これら粉末
をモル比で、 Ｂ Ｉ Ｏ−３’ ＣＯａ ： Ｃａ Ｃ０ａ−２＝
”２３゜ となるように配合し、実施例１０と同様にして、直径：
２關、Ｃｕシース肉厚： ０．０２ｍｍの充填ワイヤを
作製した。
この充填ワイヤの構成は、モル比で、
の割合にした。
この充填ワイヤを第２図に示されるようにプラズマ炎中
に送給し、実施例１Ｏと同一条件で基板５上に超電導セ
ラミックス膜を形成し、熱処理したのち、その超電導特
性を測定したところ、臨界温度Ｔ ：１０５”Ｋ。
に送給し、実施例１Ｏと同一条件で基板５上に超電導セ
ラミックス膜を形成し、熱処理したのち、その超電導特
性を測定したところ、臨界温度Ｔ ：１０５”Ｋ。
臨界電流密度Ｊ ：２．３Ｘ １０’ Ａ／ｃｄ、と
いう測定結果が得られた。
いう測定結果が得られた。
この発明によると、プラズマ発生ガスとして純アルゴン
ガスを使用し、不足の酸素をプラズマ炎下流に設けた酸
素ガス導入管により上記プラズマ炎下流に導入するため
に、従来の（Ａ ｒ ＋ ０２ ）ガスによるプラズマ
炎よりも安定したプラズマ炎を簡単に発生させることが
でき、基板上に均一で平滑なすぐれた超電導セラミック
ス膜を形成することができるという効果がある。
ガスを使用し、不足の酸素をプラズマ炎下流に設けた酸
素ガス導入管により上記プラズマ炎下流に導入するため
に、従来の（Ａ ｒ ＋ ０２ ）ガスによるプラズマ
炎よりも安定したプラズマ炎を簡単に発生させることが
でき、基板上に均一で平滑なすぐれた超電導セラミック
ス膜を形成することができるという効果がある。
６：超電導セラミックス膜、
７：高周波電源、
９：酸素ガス導入管。
８：充填ワイヤ、
Claims (13)
- （１）超電導セラミックス粉末を、アルゴンガスプラズ
マ炎に供給し通過せしめ、つづいて上記プラズマ炎下流
の酸素ガス雰囲気を通過させたのち、基板上に堆積させ
ることを特徴とするプラズマによる超電導セラミックス
膜の製造法。 - （２）上記超電導セラミックス粉末は、Ｙ＿２Ｏ＿３粉
末、ＢａＣＯ＿３粉末およびＣｕＯ粉末を、モル比で、 １／２Ｙ＿２Ｏ＿３：ＢａＣＯ＿３：ＣｕＯ＝１：２：
３の割合で配合し混合し、焼成し、粉砕したものである
ことを特徴とする請求項１記載の超電導セラミックス膜
の製造法。 - （３）上記超電導セラミックス粉末は、Ｂｉ＿２Ｏ＿３
粉末、ＳｒＣＯ＿３粉末、ＣａＣＯ＿３粉末、およびＣ
ｕＯ粉末をモル比で、 １／２Ｂｉ＿２Ｏ＿３：ＳｒＣＯ＿３：ＣａＣＯ＿３：
ＣｕＯ＝１：１：１：２ の割合で配合し、混合し、焼成し、粉砕したものである
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマによる超電導
セラミックス膜の製造法。 - （４）上記超電導セラミックス原料は、Ｙの硝酸塩、Ｂ
ａの硝酸塩、およびＣｕの硝酸塩をモル比で、Ｙ（ＮＯ
＿３）＿３：Ｂａ（ＮＯ＿３）＿２：Ｃｕ（ＮＯ＿３）
＿２＝１：２：３ となるように溶解して得られた硝酸塩水溶液であること
を特徴とする請求項１記載のプラズマによる超電導セラ
ミックス膜の製造法。 - （５）上記超電導セラミックス原料は、Ｙの硫酸塩、Ｂ
ａの硫酸塩、およびＣｕの硫酸塩をモル比で、１／２Ｙ
＿２（ＳＯ＿４）＿３：ＢａＳＯ＿４：ＣｕＳＯ＿４＝
１：２：３ となるように溶解して得られた硫酸塩水溶液であること
を特徴とする請求項１記載のプラズマによる超電導セラ
ミックス膜の製造法。 - （６）上記超電導セラミックス原料は、Ｙの酢酸塩、Ｂ
ａの酢酸塩、およびＣｕの酢酸塩をモル比で、Ｙ（Ｃ＿
２Ｈ＿３Ｏ＿２）＿３：Ｂａ（Ｃ＿２Ｈ＿３Ｏ＿２）＿
２：Ｃｕ（Ｃ＿２Ｈ＿３Ｏ＿２）＿２＝１：２：３とな
るように溶解して得られた酢酸塩水溶液であることを特
徴とする請求項１記載のプラズマによる超電導セラミッ
クス膜の製造法。 - （７）上記超電導セラミックス原料は、Ｙの塩化物、Ｂ
ａの塩化物、およびＣｕの塩化物をモル比で、ＹＣｌ＿
３：ＢａＣｌ＿２：ＣｕＣｌ＿２＝１：２：３となるよ
うに溶解して得られた塩化物水溶液であることを特徴と
する請求項１記載のプラズマによる超電導セラミックス
膜の製造法。 - （８）上記超電導セラミックス原料は、Ｂｉの硝酸塩、
Ｓｒの硝酸塩、Ｃａの硝酸塩、およびＣｕの硝酸塩をモ
ル比で、 Ｂｉ（ＮＯ＿３）＿３：Ｓｒ（ＮＯ＿３）＿２：Ｃａ（
ＮＯ＿３）＿２：Ｃｕ（ＮＯ＿３）＿２＝１：１：１：
２ となるようにＢｉの硝酸塩の硝酸酸性水溶液に溶解して
得られた硝酸酸性水溶液であることを特徴とする請求項
１記載のプラズマによる超電導セラミックス膜の製造法
。 - （９）上記超電導セラミックス原料は、Ｂｉの酢酸塩、
Ｓｒの酢酸塩、Ｃａの酢酸塩、およびＣｕの酢酸塩をモ
ル比で、 Ｂｉ（Ｃ＿２Ｈ＿３Ｏ＿２）＿３：Ｓｒ（Ｃ＿２Ｈ＿３
Ｏ＿２）＿２：Ｃａ（Ｃ＿２Ｈ＿３Ｏ＿２）＿２：Ｃｕ
（Ｃ＿２Ｈ＿３Ｏ＿２）＿２＝１：１：１：２ となるようにＢｉの酢酸塩の酢酸酸性水溶液に溶解して
得られた酢酸酸性水溶液であることを特徴とする請求項
１記載のプラズマによる超電導セラミックス膜の製造法
。 - （１０）上記超電導セラミックス原料は、Ｂｉの塩酸塩
、Ｓｒの塩酸塩、Ｃａの塩酸塩、およびＣｕの塩酸塩を
モル比で、 ＢｉＣｌ＿３：ＳｒＣｌ＿２：ＣａＣｌ＿２：ＣｕＣｌ
＿２＝１：１：１：２ となるようにエタノールに溶解して得られた溶液である
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマによる超電導
セラミックス膜の製造法。 - （１１）上記超電導セラミックス原料は、Ｙ＿２Ｏ＿３
粉末およびＢａＣＯ＿３粉末をＣｕシースにモル比で、
１／２Ｙ＿２：ＢａＣＯ＿３：Ｃｕシース＝１：２：３ となるように充填してなる充填ワイヤであることを特徴
とする請求項１記載のプラズマによる超電導セラミック
ス膜の製造法。 - （１２）上記超電導セラミックス原料は、Ｂｉ＿２Ｏ＿
３粉末、ＳｒＣＯ＿３粉末、およびＣａＣＯ＿３粉末を
Ｃｕシースにモル比で、 １／２Ｂｉ＿２：ＳｒＣＯ＿３：ＣａＣＯ＿３：Ｃｕシ
ース＝１：１：１：２ となるように充填してなる充填ワイヤであることを特徴
とする請求項１記載のプラズマによる超電導セラミック
ス膜の製造法。 - （１３）プラズマ炎保護外筒、原料導入管、上記プラズ
マ炎保護外筒の周囲に設けられた高周波コイル、および
上記高周波コイルのさらに下方に設けられた基板からな
るプラズマによる超電導セラミックス膜の製造装置にお
いて、 上記高周波コイルと上記基板の間のプラズマ炎保護外筒
の周囲に酸素ガス導入管を設けたことを特徴とするプラ
ズマによる超電導セラミックス膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63288069A JPH02137722A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | プラズマを用いた超電導セラミックス膜の製造法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63288069A JPH02137722A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | プラズマを用いた超電導セラミックス膜の製造法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137722A true JPH02137722A (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=17725414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63288069A Pending JPH02137722A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | プラズマを用いた超電導セラミックス膜の製造法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02137722A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63274032A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-11 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 基板上に超伝導層を形成する方法 |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP63288069A patent/JPH02137722A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63274032A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-11 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 基板上に超伝導層を形成する方法 |
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