JPH02137762A - 配向した多結晶質超伝導体 - Google Patents

配向した多結晶質超伝導体

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JPH02137762A
JPH02137762A JP1258985A JP25898589A JPH02137762A JP H02137762 A JPH02137762 A JP H02137762A JP 1258985 A JP1258985 A JP 1258985A JP 25898589 A JP25898589 A JP 25898589A JP H02137762 A JPH02137762 A JP H02137762A
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superconductor
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sinterable powder
oxide
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JP1258985A
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James Duane Livingston
ジェームズ・デュアン・リビングストン
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General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/80Constructional details
    • H10N60/85Superconducting active materials
    • H10N60/855Ceramic superconductors
    • H10N60/857Ceramic superconductors comprising copper oxide

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本願は、1988年9月6日に提出されかつ本発明の場
合と同じ譲受人に譲渡されたケイ・ダブリュー・レイ(
K、W、 Lay)の同時係属米国特許出願第2402
96号と関連を有している。この特許出願明細書中には
、配向した多結晶質超伝導体の製造方法が開示されてい
る。
本発明は、Y B a2Cu3O7−y (Y −12
3)および(または) LaB a2Cu3O7−y 
(La−123)に異方性の希土類元素を添加して整列
度を高めることにより配向した多結晶質超伝導体を製造
する方法に関するものである。
当業界においては、YあるいはLaからLuまでのラン
タニド元素の大部分を含有する123組成の高温超伝導
体が・製造されている。なお、割合に安定な4+イオン
を生じるランタニド元素(すなわち、Ce、Prおよび
Tb)は例外を成すと考えられている。これまでの研究
の多くはY−123化合物を用いて行われてきた。この
物質は高度の異方性を持った超伝導特性を示すことが判
明している。特に、(001)面内における臨界電流値
は面外における臨界電流値よりも遥かに大きい。
ところで、ランダムに配列した結晶粒から成る多結晶質
の塊状体は、隣接した結晶粒同士が整列していないため
に大きい臨界電流値を示さないものと予想される。これ
が事実であれば、大きい電流容量を持った超伝導体を必
要とする用途においては、単結晶を使用するか、あるい
は高い秩序度を持った結晶粒から成る多結晶体を使用し
なければならないことになる。粉末から圧縮体を形成し
、次いで該圧縮体を焼結によって高密度化することから
成る通常のセラミック成形技術は、123組成の塊状超
伝導体を製造するための方法として好適であると考えら
れる。しかし残念ながら、こうして得られた高密度物体
中の結晶粒はランダムな配列状態しか示さない。それ故
、結晶粒を配向させるための簡単な方法が要望されてい
るのである。
整列した結晶粒から成る多結晶質の焼結体を製造するた
めに有効であることが判明している方法の1つは、上記
のごとき物質の磁化率の異方性を利用するというもので
ある。123化合物の結晶は磁界中において整列するこ
とが証明されている。
Y−123、Dy−123、N1423、S@−123
およびHo−123は、結晶のC軸が磁界と平行になる
ように整列する。しかるに、Eu−123、Gd−12
3、Tom−123、Yb−123およびEr−123
は結晶のC軸が磁界に対して垂直になるように整列する
。 Y−123およびLa−,123の磁化率は、銅イ
オンおよび伝導電子に由来するものである。他方、Ln
がP「からYltまでの範囲内にあるようなLll−1
23化合物は、Lnイオン上の磁気モーメントに由来す
る遥かに大きい磁化率(および磁化率の異方性)を示す
。なお、YおよびLaイオンは磁性イオンでない。
本発明の方法は、簡単に述べれば、(a)Yおよび(ま
たは)La、Ba  並びにCuのそれぞれの酸化物ま
たはそれらの前駆物質から成り、 かつY B a2C
u3O7−y、 L a B a2Cu3O7−yおよ
びそれらの組合せ(ただし、yは0〜約1の範囲内の値
を有する)から成る群より選ばれた1者の組成に1致す
る金属酸化物組成を与えるような比率で使用される母材
生成粉末を用意し、(b)Lnの酸化物(ただし、Ln
は Nd、Em、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb
およびそれらの組合せから成る群より選ばれた元素であ
る)またはそれの前駆物質から主として成る添加剤を用
意し、(c)前記Lnの酸化物が前記Yおよび(または
)Laの酸化物の約1〜約20(容量)%の範囲内にあ
るようにして前記母材生成粉末と前記添加剤との混合物
を調製し、(d)約800℃から前記金属酸化物の融点
未満までの範囲内の反応温度に前記混合物を加熱するこ
とにより、前記反応温度に達するまでに前記前駆物質を
分解して対応する金属酸化物を生成させてから前記混合
物を反応させ、それによってYl−。
(Ln)xBazcuiot−y、  La、−x(L
n)、Ba2Cu3o 7−yおよびそれらの組合せく
ただし、Xは約0゜01〜約0.2の範囲内の値を有し
、yは0〜約1の範囲内の値を有し、そしてLnは前記
に定義された通りである)から成る群より選ばれた反応
生成物を生成させ、(e)前記反応生成物を微粉砕して
焼結性粉末を得、(f)前記焼結性粉末に整列用磁界を
印加することにより、前記焼結性粉末をそれの優先磁化
軸に沿って実質的に整列させ、(g)このようにして整
列させた前記焼結性粉末を圧縮することにより、前記焼
結性粉末がそれの優先磁化軸に沿って実質的に整列して
成る圧縮体を形成し、(h)約900℃から前記焼結性
粉末の融点未満までの範囲内の温度を使用しながら前記
圧縮体を酸化雰囲気中において焼結することにより、0
〜約20(容量)%の範囲内の開放気孔率を有する焼結
体を形成し、次いで(i>超伝導体を生成するような速
度を使用しながら前記焼結体を酸化雰囲気中において冷
却する諸工程から成ることを特徴とするものである。
本発明方法の実施に際しては、−最に、酸化イツトリウ
ムおよび(または>Pi化シランタン炭酸バリウム並び
に酸化銅が母材生成粉末として使用される。これらの母
材生成粉末は、 Y B a2Cu3o 7−y、L 
a B a2Cu3O7−yおよびそれらの組合せ(た
だし、yは0〜約1の範囲内の値を有するが、通例は0
〜約0.7の範囲内にある)から成る群より選ばれた1
者の組成に合致する金属酸化物組成を与えるような比率
で使用される。
添加剤は、一般的に述べれば、Lnの酸化物(ただし、
LnはNd、Em、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Y
bおよびそれらの組合せから成る群より選ばれた希土類
元素である)から成っている。かかる添加剤は一般に酸
化イツトリウム、酸化ランタンまたはそれらの組合せを
基準として約1〜約20(容量)%の範囲内の量で使用
され、また通例は約2〜約5(容量)%の範囲内の量で
使用される。なお、添加剤の実際の使用量は実験的に決
定される。
所望ならば、上記のごとき酸化物反応体の粒子状無機前
駆物質を使用することもできる。かかる前駆物質は完全
に分解して対応する酸化物と副生ガスとを生成し、そし
て反応塊中にいかなる汚染物をも残留させないようなも
のでなければならない。炭酸バリウムは酸化バリウムの
有用な前駆物質である。かかる前駆物質は、所要量の対
応する酸化物を生成するのに十分な量で使用することが
必要である。
上記のごとき酸化物反応体またはそれらの前駆物質は、
反応の生起を可能にするような粒度を有していなければ
ならない。一般に、これらの粉末は商業的に入手可能な
粒度範囲(通例1ミクロン未満から約100ミクロンま
での粒度範囲)内において使用される。これらの粉末は
また、大きい粒度(すなわち、約100ミクロンを実質
的に越える粒度)の硬い凝集体を含まないことも必要で
ある。なぜなら、かかる凝集体は混合操作後にも残留し
て反応体同士の十分な接触を妨げ、それによって反応速
度の低下を招くことがあるからである。
上記のごとき母材生成粉末および添加剤を混合すること
によって混合物が調製される。均質もしくは実質的に均
質な反応生成物を得るため、かかる混合物は均質らしく
は実質的に均質であることが好ましい。かかる混合物を
調製するためには、ボールミル処理をはじめとする各種
の常用技術を使用することができる。
このような母材生成粉末と添加剤との混合物を反応させ
ることによって反応生成物が得られる。
かかる反応は、一般に約800℃から金属酸化物の融点
未満までの反応温度を使用しながら、酸化雰囲気中にお
いて行われる。通例、反応温度は約850〜1000°
Cあるいは約900〜950℃の範囲内にある。反応時
間は実験的に決定される6一般に、反応生成物は酸化雰
囲気中においてほぼ室温にまで冷却される。一般的に述
べれば、反応の実施および反応生成物の冷却に際して使
用される酸化雰囲気は少なくとも約1(容量)%の酸素
を含有するものであり、また該雰囲気の残部は反応生成
物に顕著に悪影響を及ぼさない気体から成る。
かかる気体の代表例としては、窒素ガスおよびアルゴン
やヘリウムのごとき貴ガスが挙げられる。
なお、かかる酸化雰囲気は酸素または空気から成ること
が好ましい。一般に、かかる酸化雰囲気はほぼ大気圧下
にあればよい。
上記の反応生成物は、  Y +−x(L H)XB 
a2Cu3O ?−31,L &1−X(L 11)X
B a2C113O7−31およびそれらの組合せくた
だし、Xは約0.01〜約0.2の範囲内の値を有し、
yは0〜約1の範囲内の値を有し、そしてLnは前記に
定義された通りである)から成る群より選ばれたもので
ある。かかる反応生成物中においては、Xは通例約0,
02〜約0.05の範囲内の値を有し、またyは通例0
〜約0.7の範囲内の値を有する。
上記のごとき反応生成物を微粉砕することによって所望
の焼結性粉末が得られる。かかる微粉砕を行うためには
、摩砕をはじめとする常用技術を使用することができる
。かかる焼結性粉末は一般に1ミクロン未満から約10
ミクロンまでの範囲内の平均粒度を有するが、通例は約
0.1〜約5ミクロンあるいは約0.2〜約4ミクロン
の範囲内の平均粒度を有する。なお、平均粒度は通常の
技術によって測定することができる。
本発明方法の実施に際しては、焼結性粉末を(c軸に対
して平行または垂直である)それの優先磁1ヒ軸に沿っ
て少なくとも実質的に整列させるため、好ましくは室温
下で焼結性粉末に整列用磁界が印加される。詳しく述べ
れば、焼結性粉末は添加剤中の希土類元素の優先磁化軸
に沿って整列することになる。焼結性粉末に対する整列
用磁界の印加は焼結性粉末から圧縮体を形成する前に行
−゛われるが、圧縮体の形成中にもそれを継続すること
が好ましい。一般に、整列用磁界は約17約100キロ
エルステツドの範囲内にあればよいが、実際の強さは実
験的に決定される。
焼結性粉末から圧縮体を形成するためには、各種の常用
技術を使用することができる。たとえば、押出し、射出
成形、型圧縮、スリップ鋳込またはテープ流延によって
焼結性粉末から所望形状の圧縮体を形成することができ
る。1つの方法に従って詳しく述べれば、プレス内にお
いて(通例は層状を成す)焼結性粉末に整列用磁界を印
加し、次いで(好ましくは整列用磁界中において)整列
した焼結性粉末を圧縮することによって圧縮体が形成さ
れる。
別の方法に従えば、焼結性粉末をヘプタンのごとき有機
液体中に分散させることによってスラリーが調製される
。このスラリーを適当な焼成容器(たとえばアルミナボ
ート)内に配置し、そして整列用磁界を印加しながら液
体を蒸発させれば、容器内に整列した圧縮体が形成され
る。次いで、この圧縮体を焼成すれば本発明の焼結体が
得られることになる。
更に別の方法に従えば、焼結性粉末のスラリーを多孔質
の型に入れた後、整列用磁界中において通常のごときス
リップ鋳込を行うことにより、整列した圧縮体が形成さ
れる。
更に別の方法に従えば、整列用磁界中において焼結性粉
末のスラリーからテープが流延される。
上記の焼結性粉末には、圧縮体の形成に際して有用な滑
剤、分散剤、結合剤などの成形助剤を混合することもで
きる。かかる成形助剤は当業界において公知のものであ
ればよく、かつ常法に従って使用すればよい、なお、そ
れらの使用量は実験的に決定される。それらは一般に有
機物質であるが、比較的低い温度(好ましくは500℃
以下)で加熱した場合に蒸発または分解して残留物を全
くもしくはほとんど生じないようなものであることが好
ましい。かかる成形助剤は、磁気による焼結性粉末の整
列を許すと共に、本発明方法に顕著な悪影響を及ぼさな
いものでなければならない。
上記の圧縮体は、少なくとも本発明の焼結体を生成する
のに十分な密度を有していなければならない。なお、焼
結時における高密度化を容易にするため、圧縮体は理論
密度の少なくとも約45%に等しい密度を有することが
好ましい。
圧縮体の焼結は、一般にほぼ大気圧下にある酸化雰囲気
中において行われる。かかる酸化雰囲気は、化学式中に
おける酸素(0)の含量が少なくとも約6.0であるよ
うな焼結体を生成するのに少なくとも十分な程度の酸化
性を有していなければならない。一般に、焼結(または
焼成)用の雰囲気は少なくとも約1く容量)%の酸素を
含有するものであり、また該雰囲気の残部は焼結体に麗
著な悪影響を及ぼさない気体でなければならない。かか
る気体の代表例としては、窒素ガスおよびアルゴンやヘ
リウムのごとき貴ガスが挙げられる。なお、焼結用の雰
囲気は酸素から成ることが最も好ましい。
焼結は、約900°Cから圧縮体の酸化物成分の融点未
満までの範囲内の温度において行われる。
焼結温度は一般に約900〜約1000℃の範囲内にあ
り、また通例は約950〜約975°Cの範囲内にある
。実際の焼結温度は実験的に決定されるが、それは焼結
性粉末の粒度、圧縮体の密度、および焼結体において所
望される最終密度に大きく依存する。一般的に述べれば
、焼結温度が高くなるほど、高い密度および大きい結晶
粒度を持った焼結体が得られる。
焼結時間は広範囲にわたって変わり得るが、実際の焼結
時間は実験的に決定される。一般的に述べれば、焼結時
間が長くなるほど大きい結晶粒度を持った焼結体が得ら
れる。一般に、焼結時間は約2〜8時間の範囲内にある
こうして得られた焼結体は、本発明の超伝導体を生成す
るような速度を使用しながら、一般にほぼ大気圧下にあ
る酸化雰囲気中において冷却される。冷却条件は広範囲
にわたって変わり得るが、実際の冷却条件は実験的に決
定される。一般的に述べれば、冷却用の酸化雰囲気は少
なくとも約20(容量)%の酸素を含有するものであり
、またに部の気体は得られる超伝導体に対して顕著な悪
影響を及ぼさないものでなければならない、なお、酸化
雰囲気は空気から成ることが好ましく、また酸素から成
れば一層好ましい。
冷却工程に関して詳しく述べれば、一般に約700〜約
400°Cの温度範囲においては、少なくとも超伝導体
を生成するのに十分な量の斜方晶系結晶構造を生み出す
ような速度で焼結体を冷却する必要がある。一般に、こ
のような約700〜約400°Cの温度範囲においては
、焼結体中に追加の酸素が導入される。その際には、所
要の斜方晶系結晶構造を生み出すのに十分なだけの酸素
を焼結体中に導入することが必要である。
約400℃からはより早い速度で焼結体を冷却してもよ
いが、その速度は熱衝撃によって焼結体が破砕するほど
に早くてはならない0通例、焼結体は室温(すなわち、
約20〜約3O℃の範囲内の温度)にまで冷却される。
この冷却工程は焼結体の他の成分くすなわち、酸素以外
の成分)の景に顕著な影響は及ぼさない。
上記のごとき焼結体およびそれから得られる超伝導体は
、同じ密度または気孔率を有する。焼結体は多少の閉鎖
気孔を有することもあるが、一般には開放気孔を有して
いる。かかる気孔はく好ましくは1ミクロン未満の)小
さいものであると共に、焼結体中に十分に分散すること
によってそれの機械的性質に顕著な悪影響を及ぼさない
ことが好ましい、気孔率は、焼結体の研京断面を光学的
に検査するなどの標準的な金属組織学的技術によって測
定することができる。
ここで言う「閉鎖気孔」とは、焼結体の表面に開いてお
らず、従って周囲の雰囲気に接触していない細孔または
空隙を意味する。一般に、閉鎖気孔率は焼結体全体の0
〜約10(容量)%の範囲内にあるが、好ましくは約5
(容量)%未満であり、また−層好ましくは約1(容量
)%未満である。
ここで言う「開放気孔」とは、焼結体の表面に開いてお
り、従って内面が周囲の雰囲気に接触し得るような細孔
または空隙を意味する。
焼結体は超伝導体を生成するのに十分なだけの表面積を
有していなければならないが、実際の表面積は実験的に
決定される。詳しく述べれば、酸化雰囲気中における冷
却に際して、焼結体は酸素との接触によって超伝導体を
生成するのに少なくとも十分なだけの表面積を有してい
なければならない、一般的に述べれば、焼結体の表面積
の一部はそれの開放気孔によって提供される。なお、極
めて薄い焼結体の場合には開放気孔が必要でないことも
ある。一般に、本発明の超伝導体は0〜約20(容量)
%の開放気孔率を有するが、好ましくは約2〜約20(
容量)%の開放気孔率を有し、また−層好ましくは約5
〜約15(容量)%の開放気孔率を有する。なお、開放
気孔率は約7〜約10(容量)%の範囲内にあるのが通
例である。
一般的に述べれば、本発明の超伝導体は円板または多角
形の形状を持った板状の結晶粒から成っていて、かかる
板状結晶粒の外周は不規則である。
長軸方向における結晶粒度は少なくとも約1ミクロンで
あるが、実際の値は焼結性粉末の粒度および焼結条件に
応じて広範囲に変わり得る。たとえば、長軸方向におけ
る結晶粒度は約1ミクロンから約100ミクロンにまで
わたり得る。通例、長軸方向における結晶粒度は約1〜
約5ミクロン、約2〜約5ミクロンあるいは約2〜約4
ミクロンの範囲内にあるのが通例である。
超伝導体中における結晶粒の方位は、本発明方法の実施
時における焼結性粉末の方位に大きく依存する。一般的
に述べれば、焼結性粉末のC軸が整列用磁界と平行にな
るように整列する場合には、得られる超伝導体中の板状
結晶粒のほぼ全部が互いに積層した状態になる。他方、
焼結性粉末のC軸が整列用磁界に対して垂直になるよう
に整列する場合には、得られる超伝導体中の板状結晶粒
は整列用磁界に対して垂直な共通平面内にC軸を有する
が、それ以外の点では任意の方向に向かって(すなわち
、360°の範囲にわたって)配列する。
従来、Y−123およびLa−123の焼結体は整列し
ていない結晶粒から成ると共に、それらの結晶粒度は一
般に約2〜3ミクロンに制限されて−いた6その理由は
、大きい結晶粒度を有する焼結体は加熱時に割れを生じ
るからであった。従来のものと異なり、本発明の超伝導
体は結晶粒が整列しているために盟著な異方性を持った
熱膨張を示す。その結果、結晶粒度に関する制限は存在
しない。また、−a的に述べれば、結晶粒界は弱い結合
部位であって臨界電流値を低下させる。しかるに、本発
明の超伝導体中の結晶粒は所望ならば比較的大きくする
ことができるから、結晶粒界を少なくして臨界電流値を
上昇させることが可能である。
本発明の超伝導体は、  Y 1−X(L n)、B 
a2Cu3O7□、L al−x(Ln)XB a2C
u、o 7−yおよびそれらの組合せ(ただし、Xは約
0.01〜約0.2の範囲内の値を有し、yは0〜約0
.3の範囲内の値を有し、そしてLnは前記に定義され
た通りである)から成る群より選ばれた組成を有してい
る。なお、Xは約0.02〜約0.05の範囲内の値を
有するのが通例である。また、yは0〜約0.2の範囲
内の値を有することが好ましい。Xおよびyの実際の値
は実験的に決定されるが、それらは所望される超伝導体
に大きく依存する。
本発明の超伝導体は、少なくとも所望の超伝導性を付与
するのに十分な量の斜方晶系結晶構造を含有している。
一般に、斜方晶系結晶相の存在はX線回折分析、透過型
電子顕微鏡検査または偏光顕微鏡検査によって確認する
ことができる。なお、本発明の超伝導体は多結晶質であ
る。
本発明の超伝導体が有する超伝導性は通常の技術によっ
て確認することができる。たとえば、それは磁束排斥効
果(すなわちマイスナー効果)によって証明することが
できる。一般的に述べれば、本発明の超伝導体は約77
により高いゼロ抵抗転移温度(すなわち、電気抵抗が存
在しなくなる温度)を有している。なお、本発明の超伝
導体は好ましくは約85により高いゼロ抵抗転移温度を
有し、また最も好ましくは約90により高いゼロ抵抗転
移温度を有する。
本発明の超伝導体は、磁石、電動機、発電機および送電
線路用の導体として有用である。
本発明を一層詳しく説明するため、以下に実施例を示す
実施例1 1a06gのY2O3,7,65g(’)E r20B
、47、72 gのCuOおよび7a94gのBaCO
3がら成る粉末混合物を調製した。はぼ大気圧下にある
空気中において、この粉末混合物を約950℃で約20
時間にわたって反応させた。
次いで、ボールミル内において反応生成物を4時間にわ
たり粉砕し、それによって個々の粒子を分離させた。こ
うして得られた焼結性粉末に間する一点BET表面積測
定結果から計算したところ、それの相対粒度の指標であ
る球換算平均結晶粒径は約0.97ミクロンであった。
X線回折分析によれば、この焼結性粉末は単一の相から
成ることが判明した。
初期の混合比率に基づけば、この焼結性粉末はY o、
 aE rQ、 2B a2Cu3o 7−yから成る
ことが判明した。また、別の研究結果に基づけば、酸素
(0)の含量は約6〜7の範囲内にあることが判明した
約100gの焼結性粉末を室温のへブタンと混合するこ
とによってスラリーを調製した。なお、サルコシル−〇
 (Sarkosyl−0)の商品名で販売されている
有機物質の数滴を分散剤として添加した。
こうして得られたスラリーをアルミナボート内に装入し
た後、空気中において室温下で約40キロエルステツド
の整列用磁界を印加した。約16時間にわたって整列用
磁界を印加し続けたが、その間に液体媒質は蒸発しな、
こうして得られた圧縮体を含有するアルミナボートをア
ルミナ製の管状炉内に配置した。
はぼ大気圧下にある酸素ガス流中において、圧縮体を約
950°Cで10時間にわたり焼結した。
次いで、はぼ大気圧下にある酸素ガス流中において、焼
結体を室温にまで炉内冷却した。詳しく述べれば、約2
0°C/時の速度で焼結体を室温にまで冷却した。なお
、酸素流量は約1立方フィート7時であった。
こうして得られた超伝導体を切断することによって試料
を得た。
試料のX線回折分析の結果、12B化合物相のみが存在
することが判明した。
やはりX線回折分析の結果、結晶粒はそれらのC軸が整
列用磁界の方向に対して垂直になるように整列している
ことが判明した。このような整列方向は、Er−123
結晶について予想される整列方向である。
研摩した試料を偏光顕微鏡によって検査したところ、超
伝導体相において予期される双晶が結晶粒の内部に認め
られた。結晶粒の最大寸法は約2ミクロンから50ミク
ロンにまでわたっていた。
なお、結晶粒の多くは約10〜25ミクロンの最大寸法
を有していた。結晶粒の厚さはそれよりも小さくて、多
くは約5ミクロンであった。12B化合物においては、
C軸方向が他の2方向よりも薄い異方性の結晶粒形状が
普通である。
磁束排斥効果(すなわちマイスナー効果)によって確認
したところ、試料は77にで超伝導性を示すことが判明
した。
別の研究結果に基づけば、こうして得られた超伝導体は
Y o、 soE ro、 20B a2Cu3O ?
−y (ただし、yは約0.2以下の値を有する)から
成り、かつ約10(容量)%の開放気孔率を有すること
が判明した。
かかる超伝導体は、磁石、電動機、発電機、および大電
流かつ低損失の導体を必要とするその他の用途において
有用であると考えられる。

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.(a)Yおよび(または)La,Ba並びにCuの
    それぞれの酸化物またはそれらの前駆物質から成り、か
    つYBa_2Cu_3O_7_−_y、LaBa_2C
    u_3O_7_−_yおよびそれらの組合せ(ただし、
    yは0〜約1の範囲内の値を有する)から成る群より選
    ばれた1者の組成に合致する金属酸化物組成を与えるよ
    うな比率で使用される母材生成粉末を用意し、(b)L
    nの酸化物(ただし、LnはNd、Eu、Gd、Dy、
    Ho、Er、Tm、Ybおよびそれらの組合せから成る
    群より選ばれた元素である)またはそれの前駆物質から
    主として成る添加剤を用意し、(c)前記Lnの酸化物
    が前記Yおよび(または)Laの酸化物の約1〜約20
    (容量)%の範囲内にあるようにして前記母材生成粉末
    と前記添加剤との混合物を調製し、(d)約800℃か
    ら前記金属酸化物の融点未満までの範囲内の反応温度に
    前記混合物を加熱することにより、前記反応温度に達す
    るまでに前記前駆物質を分解して対応する金属酸化物を
    生成させてから前記混合物を反応させ、それによってY
    _1_−_x(Ln)_xBa_2Cu_3O_7_−
    _y、La_1_−_x(Ln)_xBa_2Cu_3
    O_7_−_yおよびそれらの組合せ(ただし、xは約
    0.01〜約0.2の範囲内の値を有し、yは0〜約1
    の範囲内の値を有し、そしてLnは前記に定義された通
    りである)から成る群より選ばれた反応生成物を生成さ
    せ、(e)前記反応生成物を微粉砕して焼結性粉末を得
    、(f)前記焼結性粉末に整列用磁界を印加することに
    より、前記焼結性粉末をそれの優先磁化軸に沿って実質
    的に整列させ、(g)このようにして整列させた前記焼
    結性粉末を圧縮することにより、前記焼結性粉末がそれ
    の優先磁化軸に沿って実質的に整列して成る圧縮体を形
    成し、(h)約900℃から前記焼結性粉末の融点未満
    までの範囲内の温度を使用しながら前記圧縮体を酸化雰
    囲気中において焼結することにより、0〜約20(容量
    )%の範囲内の開放気孔率を有する焼結体を形成し、次
    いで(i)超伝導体を生成するような速度を使用しなが
    ら前記焼結体を酸化雰囲気中において冷却する諸工程か
    ら成ることを特徴とする多結晶質超伝導体の製造方法。
  2. 2.yが0〜約0.7の範囲内の値を有する請求項1記
    載の方法。
  3. 3.前記Lnの酸化物が前記Yおよび(または)Laの
    酸化物の約2〜約5(容量)%の範囲内にある請求項1
    記載の方法。
  4. 4.前記焼結性粉末が1ミクロン未満から約10ミクロ
    ンまでの範囲内の平均粒度を有する請求項1記載の方法
  5. 5.前記混合物が空気中において反応させられる請求項
    1記載の方法。
  6. 6.前記反応温度が約850〜1000℃の範囲内にあ
    る請求項1記載の方法。
  7. 7.前記焼結性粉末から圧縮体を形成する前記工程中に
    も前記焼結性粉末に前記整列用磁界が印加される請求項
    1記載の方法。
  8. 8.前記焼結工程が酸素中において実施される請求項1
    記載の方法。
  9. 9.前記焼結温度が約900〜約1000℃の範囲内に
    ある請求項1記載の方法。
  10. 10.前記冷却工程が酸素中において実施される請求項
    1記載の方法。
  11. 11.LnがErである請求項1記載の方法。
  12. 12.Y_1_−_x(Ln)_xBa_2Cu_3O
    _7_−_y、La_1_−_x(Ln)_xBa_2
    Cu_3O_7_−_yおよびそれらの組合せ(ただし
    、xは約0.01〜約0.2の範囲内の値を有し、yは
    0〜約0.3の範囲内の値を有し、そしてLnはNd、
    Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Ybおよびそれ
    らの組合せから成る群より選ばれた元素である)から成
    る群より選ばれた組成を有し、長軸方向において約5ミ
    クロンまでの結晶粒度を有し、かつ約20(容量)%ま
    での開放気孔率を有することを特徴とする多結晶質超伝
    導体。
  13. 13.xが約0.02〜約0.05の範囲内の値を有す
    る請求項12記載の超伝導体。
  14. 14.yが0〜約0.2の範囲内の値を有する請求項1
    2記載の超伝導体。
  15. 15.約5〜約15(容量)%の開放気孔率を有する請
    求項12記載の超伝導体。
  16. 16.長軸方向において約2〜約5ミクロンの結晶粒度
    を有する請求項12記載の超伝導体。
  17. 17.約77Kより高いゼロ抵抗転移温度を有する請求
    項12記載の超伝導体。
  18. 18.LnがErである請求項12記載の超伝導体。
  19. 19.Y_1_−_x(Ln)_xBa_2Cu_3O
    _7_−_y(ただし、xは約0.01〜約0.05の
    範囲内の値を有し、yは0〜約0.2範囲内の値を有し
    、そしてLnはNd、Em、Gd、Dy、Ho、Er、
    Tm、Ybおよびそれらの組合せから成る群より選ばれ
    た元素である)から主として成る組成を有し、長軸方向
    において約5ミクロンまでの粒度を持った外周の不規則
    な板状結晶粒から成り、かつ約20(容量)%までの開
    放気孔率を有することを特徴とする多結晶質超伝導体。
  20. 20.LnがErである請求項19記載の超伝導体。
JP1258985A 1988-10-05 1989-10-05 配向した多結晶質超伝導体 Pending JPH02137762A (ja)

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