JPH02138447U - - Google Patents

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JPH02138447U
JPH02138447U JP1487989U JP1487989U JPH02138447U JP H02138447 U JPH02138447 U JP H02138447U JP 1487989 U JP1487989 U JP 1487989U JP 1487989 U JP1487989 U JP 1487989U JP H02138447 U JPH02138447 U JP H02138447U
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conductivity type
type region
high concentration
region
polycrystalline silicon
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JP1487989U
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図はゲート保護回路を含むＣＭ
ＯＳの従来の回路図及び素子配置図、第３図及び
第４図は本考案の回路図及び素子配置図をそれぞ
れ示す。 １……抵抗、３，１０……ダイオード、４，６
……ソース、７……ゲート、５，８……ドレイン
、１２……Ｐウエル、１３……Ｎ型半導体基板、
１４，１７……高濃度Ｐ型領域、１５……高濃度
Ｎ型領域、１６……入力端子、１８……薄膜抵抗
。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型領域に形成された第１のトランジスタ
    と逆導電型領域に形成された第２のトランジスタ
    とを有する相補型絶縁ゲート電界効果トランジス
    タと、該相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタ
    のゲート保護手段とを有する半導体装置において
    、入力パツドと、該入力パツドに一端が接続され
    、前記一導電型領域上に絶縁膜を介して延在され
    た多結晶シリコン抵抗パターンと、前記一導電型
    領域に形成された逆導電型の第１の高濃度領域と
    、前記逆導電型領域に形成された一導電型の第２
    の高濃度領域と、前記一導電型領域上にあつて前
    記多結晶シリコン抵抗パターンの前記他端に接続
    され、前記逆導電型領域上にまで延びる導体パタ
    ーンと、該導体パターンと前記第１の高濃度領域
    とを接続する第１のコンタクトと、前記導体パタ
    ーンと前記第２の高濃度領域とを接続する第２の
    コンタクトと、前記多結晶シリコン抵抗パターン
    の前記他端に接続された前記第１および第２のト
    ランジスタの多結晶シリコンゲート電極パターン
    とを有することを特徴とする半導体装置。
JP1487989U 1989-02-10 1989-02-10 Pending JPH02138447U (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4830189A (ja) * 1971-08-19 1973-04-20
JPS50109682A (ja) * 1974-02-04 1975-08-28
JPS5167075A (ja) * 1974-12-09 1976-06-10 Nippon Electric Co
JPS51128278A (en) * 1975-04-30 1976-11-09 Sony Corp Integrated circuit with resistance element

Patent Citations (4)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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