JPH02139919A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH02139919A JPH02139919A JP29396088A JP29396088A JPH02139919A JP H02139919 A JPH02139919 A JP H02139919A JP 29396088 A JP29396088 A JP 29396088A JP 29396088 A JP29396088 A JP 29396088A JP H02139919 A JPH02139919 A JP H02139919A
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- Japan
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- wafer
- quartz tube
- tube
- gas
- quartz
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分舒〕
乙の発明は、半導体装置の製造工程における半導体ウニ
への熱処理を行う半導体装置の製造装置に関するもので
ある。
への熱処理を行う半導体装置の製造装置に関するもので
ある。
第４図（ａ） （ｂ）は従来の半導体装置の製造装
置を示す正面断面図および側面図である。第４図におい
て、１は石英管（ｔ＆述の実施例では外側の石英管とい
う） ２はこの石英管１の内部に挿入された石英ボート
、３はこの石英ボート２上に並置されたＳｉウェハ、４
は前記石英管１を介してＳｉウェハ３を加熱するための
炉体、５は前記石英管１へのガス供給口であり、６は前
記石英管１に設けられた石英ボート２の押入口である。
置を示す正面断面図および側面図である。第４図におい
て、１は石英管（ｔ＆述の実施例では外側の石英管とい
う） ２はこの石英管１の内部に挿入された石英ボート
、３はこの石英ボート２上に並置されたＳｉウェハ、４
は前記石英管１を介してＳｉウェハ３を加熱するための
炉体、５は前記石英管１へのガス供給口であり、６は前
記石英管１に設けられた石英ボート２の押入口である。
次に動作について説明する。
石英ボー１−２はＳｉウェハ３を保持する治具であり、
Ｓｉウェハ３は不純物の拡散、酸化、ｃｖＤ、アニール
等のために１０００℃前後の高温ニする必要があるが、
そのために炉体４によって石英管１をあらかじめ加熱し
ておき、その石英管１の内部に、石英ボート２に保持さ
れたＳｉウェハ３を挿入口６より挿入する。ガス供給口
５からは、必要に応じてＮ、、Ｏ，その他のガスを導入
し、Ｓ１ウニ八３を一定の雰囲気に保持する。
Ｓｉウェハ３は不純物の拡散、酸化、ｃｖＤ、アニール
等のために１０００℃前後の高温ニする必要があるが、
そのために炉体４によって石英管１をあらかじめ加熱し
ておき、その石英管１の内部に、石英ボート２に保持さ
れたＳｉウェハ３を挿入口６より挿入する。ガス供給口
５からは、必要に応じてＮ、、Ｏ，その他のガスを導入
し、Ｓ１ウニ八３を一定の雰囲気に保持する。
従来の半導体装置の製造装置は、以上のように構成され
ているので、Ｓｉウェハ３の加熱ガスが不拘τになる問
題点があった。すなわち、加熱がＳｉウェハ３の周辺部
から中心部に向って進むので、Ｓｉウェハ３内部に温度
勾配が発生し、それが原因となってＳｉウェハ３に内部
歪みが発生して結晶欠陥が生じる。また、Ｓｌウェハ３
は石英管１の挿入口６から挿入される時に、低温から急
に高温にさらされるので、この時もＳ１ウ工ハ３内部に
温度の不均一が発生し、結晶欠陥が生しる。
ているので、Ｓｉウェハ３の加熱ガスが不拘τになる問
題点があった。すなわち、加熱がＳｉウェハ３の周辺部
から中心部に向って進むので、Ｓｉウェハ３内部に温度
勾配が発生し、それが原因となってＳｉウェハ３に内部
歪みが発生して結晶欠陥が生じる。また、Ｓｌウェハ３
は石英管１の挿入口６から挿入される時に、低温から急
に高温にさらされるので、この時もＳ１ウ工ハ３内部に
温度の不均一が発生し、結晶欠陥が生しる。
これらの不具合のために、従来の半導体装置の製造装置
は一定以上の大面積のウェハでは実用に供し得ない問題
点があった。
は一定以上の大面積のウェハでは実用に供し得ない問題
点があった。
また、従来の半導体装置の製造装置は、ガス供給口５が
石英管１の端部にあるので、ガス供給口５に対し、Ｓｉ
ウェハ３が直列に多数設置されることになり、ウェハ面
に新鮮なガスを均一に当てることができない。したがっ
て、供給されるガスが特に反応性ガスの場合には、ウェ
ハ面に均一に不純物を供給したり、酸化膜を形成したり
するのに不具合が生じる場合がある。
石英管１の端部にあるので、ガス供給口５に対し、Ｓｉ
ウェハ３が直列に多数設置されることになり、ウェハ面
に新鮮なガスを均一に当てることができない。したがっ
て、供給されるガスが特に反応性ガスの場合には、ウェ
ハ面に均一に不純物を供給したり、酸化膜を形成したり
するのに不具合が生じる場合がある。
この発明は、上記のようなｌｊ１題点を解消するために
なされたもので、半導体ウェハを均一に加熱することに
より、大面積の半導体ウェハでも、結晶欠陥等の不具合
を発生させることのない半導体装置の製造装置を提供す
ることを目的とする。
なされたもので、半導体ウェハを均一に加熱することに
より、大面積の半導体ウェハでも、結晶欠陥等の不具合
を発生させることのない半導体装置の製造装置を提供す
ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置の製造装置は、互いにほぼ平
行な内面を持つ耐熱性材料からなりボートに載置され力
半導体ウェハが挿入される内側の宮と、この内側の官が
挿入される耐熱性材料からなる外側の管と、内側の管内
に挿入され力半導体ウェハのウェハ面に対し平行にガス
が供給されるようにガス導入口およびガス導出口を設け
たものである。
行な内面を持つ耐熱性材料からなりボートに載置され力
半導体ウェハが挿入される内側の宮と、この内側の官が
挿入される耐熱性材料からなる外側の管と、内側の管内
に挿入され力半導体ウェハのウェハ面に対し平行にガス
が供給されるようにガス導入口およびガス導出口を設け
たものである。
この発明においては、ボートに載置され力半導体ウェハ
を内側の管内に挿入し、この内側の管を外側の管内に挿
入して熱処理を行うようにしたことから、半導体ウェハ
は急熱されることがなくなり、急熱によるウェハ面の加
熱の不均一を防ぎ、熱歪みによる結晶欠陥の発生を防止
する。
を内側の管内に挿入し、この内側の管を外側の管内に挿
入して熱処理を行うようにしたことから、半導体ウェハ
は急熱されることがなくなり、急熱によるウェハ面の加
熱の不均一を防ぎ、熱歪みによる結晶欠陥の発生を防止
する。
また、ガス流はウェハ面に対して均一に流れるので、ウ
ェハ面に均一に不純物が供給されろ。
ェハ面に均一に不純物が供給されろ。
第１図（ａｌ （ｂ）はこの発明の一実施例を示す半
導体装置の製造装置の正面断面図および側面断面図であ
る。この図において、第４図と同一符号は同しものを示
し、７は前記外側の石英管１の内部に押入された内側の
石英管であり、この内側の石英管７の内面７ａは互いに
ほぼ平行になってお’）、内Ｉ７ａとＳｉウェハ３のウ
ェハ面３ａもほぼ平行となっている。
導体装置の製造装置の正面断面図および側面断面図であ
る。この図において、第４図と同一符号は同しものを示
し、７は前記外側の石英管１の内部に押入された内側の
石英管であり、この内側の石英管７の内面７ａは互いに
ほぼ平行になってお’）、内Ｉ７ａとＳｉウェハ３のウ
ェハ面３ａもほぼ平行となっている。
次に動作について説明する。
Ｓｉつ工へ３は内側の石英管７全通して加熱されるが、
Ｓｉウェハ３のウェハ面３ａは内側の石英管７の内面７
ａとほぼ平行になっているので、熱流はウェハ面３ａに
対して直角方向に流れしたがって、ウェハ面３ａは均一
に加熱されることになる。石英ボート２は内側の石英管
７の内部に挿入されているが、この石英ボート２にＳｉ
ウェハ３を保持することにより、Ｓｉウェハ３が内側の
石英ｗ７の内部に挿入されることになる。外側の石英管
１は炉体４によって一般には、あらかじめ加熱されてい
るが、そのあらかじめ加熱されている外側の石英ｗ１の
内部にＳｉウェハ３が設置された内側の石英管７が挿入
されるが、この時Ｓｉウェハ３は外側の石英管１の持つ
熱容量のなめに急激に加熱されることはない。したがっ
て、急熱による熱歪みの発生を防ぐことができるので、
熱歪みによる結晶欠陥の発生やＳｉウェハ３の変形を防
ぐことができる。また、内側の石英管７を外側の石英管
１からの引き出す場合でも、Ｓｉウェハ３は内側の石英
管７の持つ熱容量のために急激には冷却されない。した
がって、前述と同様の効果を有する。このようにＳｉウ
ェハ３は場所的には均一に、時間的にはなめらかに加熱
、冷却がなされる。
Ｓｉウェハ３のウェハ面３ａは内側の石英管７の内面７
ａとほぼ平行になっているので、熱流はウェハ面３ａに
対して直角方向に流れしたがって、ウェハ面３ａは均一
に加熱されることになる。石英ボート２は内側の石英管
７の内部に挿入されているが、この石英ボート２にＳｉ
ウェハ３を保持することにより、Ｓｉウェハ３が内側の
石英ｗ７の内部に挿入されることになる。外側の石英管
１は炉体４によって一般には、あらかじめ加熱されてい
るが、そのあらかじめ加熱されている外側の石英ｗ１の
内部にＳｉウェハ３が設置された内側の石英管７が挿入
されるが、この時Ｓｉウェハ３は外側の石英管１の持つ
熱容量のなめに急激に加熱されることはない。したがっ
て、急熱による熱歪みの発生を防ぐことができるので、
熱歪みによる結晶欠陥の発生やＳｉウェハ３の変形を防
ぐことができる。また、内側の石英管７を外側の石英管
１からの引き出す場合でも、Ｓｉウェハ３は内側の石英
管７の持つ熱容量のために急激には冷却されない。した
がって、前述と同様の効果を有する。このようにＳｉウ
ェハ３は場所的には均一に、時間的にはなめらかに加熱
、冷却がなされる。
第２図（ａ））（ｂ）はこの発明の他の実施例を示す正
面断面図および側断面図である。この図において、第１
図と同一符号は同じものを示し、８は前記石英ボート２
が挿入される内側の石英管で、矩形状に形成されている
。１１は前記内側の石英管８と同様の形状に形成された
外側の石英管で、その内部に内側の石英管８が挿入され
ている。
面断面図および側断面図である。この図において、第１
図と同一符号は同じものを示し、８は前記石英ボート２
が挿入される内側の石英管で、矩形状に形成されている
。１１は前記内側の石英管８と同様の形状に形成された
外側の石英管で、その内部に内側の石英管８が挿入され
ている。
内側ｐ石英管８の内面８ａは互いにほぼ平行であり、こ
の内面８ａとＳｉウェハ３のウェハ面３ａもほぼ平行と
なっている。さらに、外側の石英管１１の内面１１ａも
互いにほぼ平行であり、内面１１ａと内側の石英管８の
内面８ａおよびウェハ面３ａもほぼ平行となっている この実施例では、Ｓｉウェハ３のウェハ面３ａは内側の
石英管８の内面８ａとほぼ平行になっているのみならず
、さらにその外側の石英管１１の内面ｔｆａともほぼ平
行になっているので、熱流はウェハ面３ａに対してより
直角方向となり易（、ウェハ面３ａは第１図の実施例よ
り均一に加熱されることになる。
の内面８ａとＳｉウェハ３のウェハ面３ａもほぼ平行と
なっている。さらに、外側の石英管１１の内面１１ａも
互いにほぼ平行であり、内面１１ａと内側の石英管８の
内面８ａおよびウェハ面３ａもほぼ平行となっている この実施例では、Ｓｉウェハ３のウェハ面３ａは内側の
石英管８の内面８ａとほぼ平行になっているのみならず
、さらにその外側の石英管１１の内面ｔｆａともほぼ平
行になっているので、熱流はウェハ面３ａに対してより
直角方向となり易（、ウェハ面３ａは第１図の実施例よ
り均一に加熱されることになる。
第３図（ａ）、（ｂ）はこの発明のさらに他の実施例を
示す正面断面図および側断面図である。
示す正面断面図および側断面図である。
この図において、第１図２第２図と同一符号は同じもの
を示し、１２は外側の石英管で、これに内側の石英管９
が挿入される。内側の石英管９は、その外周面の所要個
所にガス導入部９ａとガス導出部９ｂが形成され、ガス
導入部９ａにはガス導入口５ａが、ガス導出部９ｂには
ガス導出口５ｂがそれぞれ設けられている。そして、内
側の石英管９のガス導入側の内壁１０ａにはガスを噴出
する多数の小孔からなるガス供給用小孔１０ｂが形成さ
れ、ガス導入側の内壁１０ｃにはガス排出用小孔１０ｄ
がそれぞれ形成されている。そして、内壁１０ａの内壁
面と内壁１０ｂの内壁面とは対向して形成され、Ｓｌウ
ェハ３に対しガスの流れが均一になるように構成されて
いる。また、内側の石英管９の石英ボー）−２の挿入１
」６には管内に供給ガス以外の外部雰囲気が混入しない
ようにするために管内を密閉するキャップ１３が装着さ
れ、ガス導入口５ａに可撓性配管１４が接続されている
。この可撓性配管１４を用いる乙とにより内側の石英ｆ
ｆ９の出し入れが容易となる。なお、内側の石英管９内
に外部雰囲気が混入しない構造になっている限り内壁１
０ａ、１０ｃは外側の石英管１２と一体である必要はな
い。
を示し、１２は外側の石英管で、これに内側の石英管９
が挿入される。内側の石英管９は、その外周面の所要個
所にガス導入部９ａとガス導出部９ｂが形成され、ガス
導入部９ａにはガス導入口５ａが、ガス導出部９ｂには
ガス導出口５ｂがそれぞれ設けられている。そして、内
側の石英管９のガス導入側の内壁１０ａにはガスを噴出
する多数の小孔からなるガス供給用小孔１０ｂが形成さ
れ、ガス導入側の内壁１０ｃにはガス排出用小孔１０ｄ
がそれぞれ形成されている。そして、内壁１０ａの内壁
面と内壁１０ｂの内壁面とは対向して形成され、Ｓｌウ
ェハ３に対しガスの流れが均一になるように構成されて
いる。また、内側の石英管９の石英ボー）−２の挿入１
」６には管内に供給ガス以外の外部雰囲気が混入しない
ようにするために管内を密閉するキャップ１３が装着さ
れ、ガス導入口５ａに可撓性配管１４が接続されている
。この可撓性配管１４を用いる乙とにより内側の石英ｆ
ｆ９の出し入れが容易となる。なお、内側の石英管９内
に外部雰囲気が混入しない構造になっている限り内壁１
０ａ、１０ｃは外側の石英管１２と一体である必要はな
い。
なお、上記実施例では、半導体ウェハとしてＳｉウェハ
３の場合について説明したが、ＧｅやＧａＡｓ等の他の
半導体ウェハでもよい。
３の場合について説明したが、ＧｅやＧａＡｓ等の他の
半導体ウェハでもよい。
また、上記各実施例では、石英管について説明したが、
管の材料としては、ポリＳｉや、グラフーノ・イト等の
他の耐熱性の材料で構成してもよい。
管の材料としては、ポリＳｉや、グラフーノ・イト等の
他の耐熱性の材料で構成してもよい。
以上説明したようにこの発明は、互いにほぼ平行な内面
を持つ耐熱性材料からなりボートに載置され力半導体ウ
ェハが挿入される内側の管と、この内側の管が挿入され
る耐熱性材料からなる外側の管と、内側の管内に挿入さ
れ力半導体ウェハのウェハ面に対し平行にガスが供給さ
れるようにガス導入口およびガス導出口を設けたので、
ウェハを均一に加熱することができ、したがって加熱に
よるウェハの結晶欠陥や変形を防ぐことができる。
を持つ耐熱性材料からなりボートに載置され力半導体ウ
ェハが挿入される内側の管と、この内側の管が挿入され
る耐熱性材料からなる外側の管と、内側の管内に挿入さ
れ力半導体ウェハのウェハ面に対し平行にガスが供給さ
れるようにガス導入口およびガス導出口を設けたので、
ウェハを均一に加熱することができ、したがって加熱に
よるウェハの結晶欠陥や変形を防ぐことができる。
また、ウェハを設置した管をさらに加熱した管に挿入す
る場合、ガス供給口および排出口を互いに対向させるこ
とにより、ガスの流れも均一にすることができるので、
ウェハ面を均一に反応処理することができる。
る場合、ガス供給口および排出口を互いに対向させるこ
とにより、ガスの流れも均一にすることができるので、
ウェハ面を均一に反応処理することができる。
第１図（ａ ）、 （ｂ ）はこの発明の一実施例を示
す半導体装置の製造装置の正面断面図および側面断面図
、第２図（ａ）、（ｂ）はこの発明の他の実施例を示す
正面断面図および側断面図、第３図（ａ）。 （ｂ）はこの発明のさらに他の実施例を示す正面断面図
および側断面図、第４図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体
装置の製造装置舎示す正面断面図および側面図である。 図において、１，１１．１２は外側の石英管、２は石英
ボート、３はＳｉウェハ、３ａはウェハ面、４は炉体、
５はガス供給口、５ａはガス導入口、５ｂはガス導出口
、６は石英管の挿入口、７゜８．９は内側の石英管、７
ａ、８ａ、１１ ａは内面、９ａはガス導入部、９ｂは
ガス導出部、１０ａ、１０ｃは内壁、１０ｂはガス供給
用小孔、１０ｄはガス排出用小孔である。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
す半導体装置の製造装置の正面断面図および側面断面図
、第２図（ａ）、（ｂ）はこの発明の他の実施例を示す
正面断面図および側断面図、第３図（ａ）。 （ｂ）はこの発明のさらに他の実施例を示す正面断面図
および側断面図、第４図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体
装置の製造装置舎示す正面断面図および側面図である。 図において、１，１１．１２は外側の石英管、２は石英
ボート、３はＳｉウェハ、３ａはウェハ面、４は炉体、
５はガス供給口、５ａはガス導入口、５ｂはガス導出口
、６は石英管の挿入口、７゜８．９は内側の石英管、７
ａ、８ａ、１１ ａは内面、９ａはガス導入部、９ｂは
ガス導出部、１０ａ、１０ｃは内壁、１０ｂはガス供給
用小孔、１０ｄはガス排出用小孔である。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- ボートに載置された半導体ウェハを加熱処理する半導体
装置の製造装置において、互いにほぼ平行な内面を持つ
耐熱性材料からなり前記ボートに載置された半導体ウェ
ハが挿入される内側の管と、この内側の管が挿入される
耐熱性材料からなる外側の管と、前記内側の管内に挿入
され力半導体ウェハのウェハ面に対し平行にガスが供給
されるようにガス導入口およびガス導出口を設けたこと
を特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29396088A JPH02139919A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29396088A JPH02139919A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02139919A true JPH02139919A (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=17801417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29396088A Pending JPH02139919A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02139919A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6159873A (en) * | 1995-03-30 | 2000-12-12 | F.T.L. Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device and production apparatus of semiconductor device |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP29396088A patent/JPH02139919A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6159873A (en) * | 1995-03-30 | 2000-12-12 | F.T.L. Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device and production apparatus of semiconductor device |
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