JPH02139985A - 光集積装置とその製造方法 - Google Patents
光集積装置とその製造方法Info
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- JPH02139985A JPH02139985A JP29393588A JP29393588A JPH02139985A JP H02139985 A JPH02139985 A JP H02139985A JP 29393588 A JP29393588 A JP 29393588A JP 29393588 A JP29393588 A JP 29393588A JP H02139985 A JPH02139985 A JP H02139985A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
異なるバンドギャップの半導体活性層を有する複数の光
学的素子を集積した光集積装置とその製造方法に関し、 組成の興なる複数の活性層が隣接配置された光集積装置
において、複数の活性層間に形成された光学的界面での
光散乱による結合効率の低下を減じ、光利用率を高く、
光雑音成分を低くできる光集積装置を提供することを目
的とし、 同一基板上に発光素子と他の光学的素子とを集積した光
集積装置であワて、 該発光素子は、基板上の第１の下側クラッド層と、その
上の第１の半導体で形成された第１の活性層と、その上
の第１の上側クラッド層とを有し、該他の光学的素子は
、該第１の下側クラッド層の延長部である第２の下側ク
ラッド層と該第１の活性層に隣接して配置し、該第１の
半導体より広いバンドギャップを有する第２の半導体で
形成された第２の活性層とその上の第２の上側クラッド
層とを含み、該第２の活性層は第１の活性層と接する部
分で第２の下側クラッド層側に増加した厚みを有するよ
うに構成する。
学的素子を集積した光集積装置とその製造方法に関し、 組成の興なる複数の活性層が隣接配置された光集積装置
において、複数の活性層間に形成された光学的界面での
光散乱による結合効率の低下を減じ、光利用率を高く、
光雑音成分を低くできる光集積装置を提供することを目
的とし、 同一基板上に発光素子と他の光学的素子とを集積した光
集積装置であワて、 該発光素子は、基板上の第１の下側クラッド層と、その
上の第１の半導体で形成された第１の活性層と、その上
の第１の上側クラッド層とを有し、該他の光学的素子は
、該第１の下側クラッド層の延長部である第２の下側ク
ラッド層と該第１の活性層に隣接して配置し、該第１の
半導体より広いバンドギャップを有する第２の半導体で
形成された第２の活性層とその上の第２の上側クラッド
層とを含み、該第２の活性層は第１の活性層と接する部
分で第２の下側クラッド層側に増加した厚みを有するよ
うに構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は光集積装置とその製造方法に関し、特に興なる
バンドギャップの半導体活性層を有する複数の光学的素
子を集積した光集積装置とその製造方法に関する。
バンドギャップの半導体活性層を有する複数の光学的素
子を集積した光集積装置とその製造方法に関する。
光通信において、変調光を得ようとする場合等、半導体
レーザ等の発光素子と変調器等の他の光学的素子を用い
る。これらの複数の光学的素子は同一の基板上に集積す
るのが便宜であり、光集積装置化が研究されている。°
シかじ、発光素子の活性層と変調素子の活性層とは一般
的にバンドギャップが異なる。このような複数の異なる
バンドギャップの活性層を含む光集積装置において、発
光素子からの光を効率よく他の光学的素子に結合させる
ことが望まれる。
レーザ等の発光素子と変調器等の他の光学的素子を用い
る。これらの複数の光学的素子は同一の基板上に集積す
るのが便宜であり、光集積装置化が研究されている。°
シかじ、発光素子の活性層と変調素子の活性層とは一般
的にバンドギャップが異なる。このような複数の異なる
バンドギャップの活性層を含む光集積装置において、発
光素子からの光を効率よく他の光学的素子に結合させる
ことが望まれる。
［従来の技術］
従来、半導体レーザ等の発光素子と光変調器とを集積化
する方法の一つは同一の基板上の同一平面上に半導体レ
ーザの活性層と光変調器の活性層とを隣接して形成しス
トライプ状に整形することである。
する方法の一つは同一の基板上の同一平面上に半導体レ
ーザの活性層と光変調器の活性層とを隣接して形成しス
トライプ状に整形することである。
第４図に、この様な従来技術による半導体レーザ発光素
子７０と電界吸収型光変調素子８０との光集積装置の例
を示す０図において、５１は例えばｎ形１ｎＰの基板、
５２は例えばｎ型１ｎＰの下側クラッド層、５２ａはｎ
型下側クラッド層５２の延在部である光変調素子のｎ型
クラッド領域、５３は例えばＩｎＧａＡＳＰの半導体レ
ーザ素子の活性層、５７は組成の異なるＩｎＧａＡｓＰ
の光変調素子の活性層、５４はたとえばｐ型１ｎＰの半
導体レーザ素子の上側クラッド層、５８は例えばｐ型１
ｎＰの光変調素子のｐ型クラッド領域、６０は共通のｎ
１ｌｌｌ電極、６１は半導体レーザ素子７０のｐｉｌ！
！電極、６２は光変調素子８０のｐ側電極である。光変
調素子８０の活性層５７は、無電界時には半導体レーザ
素子７０の活性層５３から発したレーザ光を透過させ、
電界印加時には活性層５３からの光を吸収するようなバ
ンドギャップを持つように、その組成を選択されている
。このため、半導体レーザ素子の活性層５３と光変調素
子８０の活性層５７とは興なる組成を有する必要があり
、別個に形成される１例えば、半導体レーザ素子の構造
を形成後、エツチングにより光変調素子を形成する領域
を活性層まで除去し、部分的エピタキシャル成長を行っ
て、光変調素子の構造を形成する。
子７０と電界吸収型光変調素子８０との光集積装置の例
を示す０図において、５１は例えばｎ形１ｎＰの基板、
５２は例えばｎ型１ｎＰの下側クラッド層、５２ａはｎ
型下側クラッド層５２の延在部である光変調素子のｎ型
クラッド領域、５３は例えばＩｎＧａＡＳＰの半導体レ
ーザ素子の活性層、５７は組成の異なるＩｎＧａＡｓＰ
の光変調素子の活性層、５４はたとえばｐ型１ｎＰの半
導体レーザ素子の上側クラッド層、５８は例えばｐ型１
ｎＰの光変調素子のｐ型クラッド領域、６０は共通のｎ
１ｌｌｌ電極、６１は半導体レーザ素子７０のｐｉｌ！
！電極、６２は光変調素子８０のｐ側電極である。光変
調素子８０の活性層５７は、無電界時には半導体レーザ
素子７０の活性層５３から発したレーザ光を透過させ、
電界印加時には活性層５３からの光を吸収するようなバ
ンドギャップを持つように、その組成を選択されている
。このため、半導体レーザ素子の活性層５３と光変調素
子８０の活性層５７とは興なる組成を有する必要があり
、別個に形成される１例えば、半導体レーザ素子の構造
を形成後、エツチングにより光変調素子を形成する領域
を活性層まで除去し、部分的エピタキシャル成長を行っ
て、光変調素子の構造を形成する。
［発明が解決しようとする課題］
このようなバンドギャップの興なる複数の活性層が隣接
配置された光集積装置においては、複数の活性層間に光
学的界面が形成され、この界面が光散乱の原因となる。
配置された光集積装置においては、複数の活性層間に光
学的界面が形成され、この界面が光散乱の原因となる。
このため、半導体発光素子と他の光学的素子との結合効
率が低下し、光利用率が低く、光雑音成分が高くなる。
率が低下し、光利用率が低く、光雑音成分が高くなる。
本発明の目的は、バンドギャップの興なる複数の活性層
が隣接配置された光集積装置において、複数の活性層間
に形成された光学的界面での光散乱による結合効率の低
下を減じ、光利用率を高く、光９！音成分を低くできる
光集積装置を提供することである。
が隣接配置された光集積装置において、複数の活性層間
に形成された光学的界面での光散乱による結合効率の低
下を減じ、光利用率を高く、光９！音成分を低くできる
光集積装置を提供することである。
本発明の他の目的は、バンドギャップの興なる複数の活
性層を隣接配置し、その間に光学的界面を形成し、かつ
光学的界面での光散乱による結合効率の低下を減じ、光
利用率を高く、光雑音成分を低くできる光集積装置を容
易に製造できる光集積装置の製造方法を提供することで
ある。
性層を隣接配置し、その間に光学的界面を形成し、かつ
光学的界面での光散乱による結合効率の低下を減じ、光
利用率を高く、光雑音成分を低くできる光集積装置を容
易に製造できる光集積装置の製造方法を提供することで
ある。
［課題を解決するための手段］
第１図（Ａ）、（Ｂ）に本発明の光集積装置の原理説明
図を示す、第１図（Ａ＞は発光素子２０と光変調素子３
０とを含む光集積装置を示し、第１図（Ｂ）は発光素子
２０と導波素子３０ａとを含む光集積装置を示す。
図を示す、第１図（Ａ＞は発光素子２０と光変調素子３
０とを含む光集積装置を示し、第１図（Ｂ）は発光素子
２０と導波素子３０ａとを含む光集積装置を示す。
第１図（Ａ）において、基板１上に第１下側クラッド層
２が形成され、その上に発光素子２０の第１活性層３、
第１上側クラッド層４が形成されている。第１活性層は
バンドギャップ波長λ１と屈折率ｎ１とを有し、上下の
クラッド層２．４は、波長λ１では透明でｎｌより小さ
い屈折率を有する。下側クラッド層２の延長部分は発光
素子と隣接する部分で凹部６を有し、光変調素子３０の
ｎ型領域である第２下側クラッド層２ａを形成している
。この上に光変調素子２０の第２活性層７が形成され、
凹部６上で他の部分より大きい厚さを有している。その
上には光変調素子３０のｐ型領域である第２上側クラッ
ド層８が形成され、第１上側クラッド層４とほぼ同一の
上平面を形成している。第２活性層７は、λ１に近いが
λ１より短いバンドギャップ波長λ２ （くλ１）を有
し、その屈折率ｎ２もｎｌと異なる。第２活性層７の上
下のクラッド層２ａ、８はｎｌよりも小さい屈折率を有
する。基板１上に共通電極１０、第１上側クラッド層４
上に発光素子のｐ側電極１１、第２上側クラッド層８上
に光変調素子のｐｉｌｌ電極１２が形成される。
２が形成され、その上に発光素子２０の第１活性層３、
第１上側クラッド層４が形成されている。第１活性層は
バンドギャップ波長λ１と屈折率ｎ１とを有し、上下の
クラッド層２．４は、波長λ１では透明でｎｌより小さ
い屈折率を有する。下側クラッド層２の延長部分は発光
素子と隣接する部分で凹部６を有し、光変調素子３０の
ｎ型領域である第２下側クラッド層２ａを形成している
。この上に光変調素子２０の第２活性層７が形成され、
凹部６上で他の部分より大きい厚さを有している。その
上には光変調素子３０のｐ型領域である第２上側クラッ
ド層８が形成され、第１上側クラッド層４とほぼ同一の
上平面を形成している。第２活性層７は、λ１に近いが
λ１より短いバンドギャップ波長λ２ （くλ１）を有
し、その屈折率ｎ２もｎｌと異なる。第２活性層７の上
下のクラッド層２ａ、８はｎｌよりも小さい屈折率を有
する。基板１上に共通電極１０、第１上側クラッド層４
上に発光素子のｐ側電極１１、第２上側クラッド層８上
に光変調素子のｐｉｌｌ電極１２が形成される。
第１図（Ｂ）においては、第１図（Ａ）と同様の発光素
子２０に隣接して導波路として働く導波素子３０ａが形
成されている０発光素子２０の第１下側クラッド層２の
延在部は発光素子と隣接する部分で凹部６を有し、導波
素子３０ａの第２下側クラツド２ａを形成している。こ
の上に導波素子３０ａの第２活性層７ａが形成されほぼ
平坦な平面を形成している。すなわち第２活性層７ａは
発光素子２０に隣接する部分で部分的に増大した厚さを
有する。第２活性層７ａ上には第２上側クラッド層８ａ
が形成され、第１上側クラッド層４とほぼ同一の上平面
を形成している。第２活性層７ａの凹部６は−様な深さ
を有するものに限らす゛、図中破線で示すように次第に
深さが変わるものなどであっても良い、導波素子３０ａ
の他端にはさらに第３下側クラッド層２ｂ、第３活性層
７ｂ、第３上側クラッド層８ｂを含む他の光学的素子３
０ｂ（例えば分岐素子）を設けることができる。
子２０に隣接して導波路として働く導波素子３０ａが形
成されている０発光素子２０の第１下側クラッド層２の
延在部は発光素子と隣接する部分で凹部６を有し、導波
素子３０ａの第２下側クラツド２ａを形成している。こ
の上に導波素子３０ａの第２活性層７ａが形成されほぼ
平坦な平面を形成している。すなわち第２活性層７ａは
発光素子２０に隣接する部分で部分的に増大した厚さを
有する。第２活性層７ａ上には第２上側クラッド層８ａ
が形成され、第１上側クラッド層４とほぼ同一の上平面
を形成している。第２活性層７ａの凹部６は−様な深さ
を有するものに限らす゛、図中破線で示すように次第に
深さが変わるものなどであっても良い、導波素子３０ａ
の他端にはさらに第３下側クラッド層２ｂ、第３活性層
７ｂ、第３上側クラッド層８ｂを含む他の光学的素子３
０ｂ（例えば分岐素子）を設けることができる。
このように本発明によれば、発光素子との結合部分で他
の光学的素子の活性層が一部太くされている。
の光学的素子の活性層が一部太くされている。
［作用］
発光素子との結合部において、他の光学的素子の活性層
の幅が大きくなっているため、発光素子の活性層と他の
光学的素子の活性層との界面で光散乱が生じても他の光
学的素子の活性層に取り込まれる確率が増える。従って
、発光素子と他の光学的素子との結合効率が向上し、光
利用率が向上し、光雑音成分が低下する。
の幅が大きくなっているため、発光素子の活性層と他の
光学的素子の活性層との界面で光散乱が生じても他の光
学的素子の活性層に取り込まれる確率が増える。従って
、発光素子と他の光学的素子との結合効率が向上し、光
利用率が向上し、光雑音成分が低下する。
このため、例えば、光変調器と結合する場合、変調効率
を向上することができる。
を向上することができる。
［実施例］
本発明の実施例による光集積装置を第２図（Ａ）、（Ｂ
）、（Ｃ）に示す、（Ａ）が斜視図、（Ｂ）が断面図、
（Ｃ）が平面図である。
）、（Ｃ）に示す、（Ａ）が斜視図、（Ｂ）が断面図、
（Ｃ）が平面図である。
第２図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）において、ｎ型ＩｎＰ基
板１の上に、発光波長１．５５μｍのレーザ発光素子２
０と電界吸収型光変調素子３０とが形成されている。レ
ーザ発光素子２０は、ｌｎＰ基板１上のｎ型１ｎＰで形
成された第１下側クラブド層２、発光波長１．５５μｍ
のノンドー１１ｎＧａＡＳＰで形成された第１の活性層
３、ｐ型１ｎＰで形成された第１上側クラッド層４を含
む、電界吸収型光変調素子３０は、基本的に逆バイアス
のダイオード構造を有し、ＩｎＰ基板１ユのｎ型１ｎＰ
で形成された第２下側クラッド層２ａ、無電界印加時に
は１．５５μｍで透明であり、電界印加時に１゜５５μ
ｍで吸収性となるバンドギャップを有するノンドーグＩ
ｎＧａＡｓＰで形成された第２の活性層７、Ｐ型１ｎＰ
で形成された第２上側クラッド層８を含む。
板１の上に、発光波長１．５５μｍのレーザ発光素子２
０と電界吸収型光変調素子３０とが形成されている。レ
ーザ発光素子２０は、ｌｎＰ基板１上のｎ型１ｎＰで形
成された第１下側クラブド層２、発光波長１．５５μｍ
のノンドー１１ｎＧａＡＳＰで形成された第１の活性層
３、ｐ型１ｎＰで形成された第１上側クラッド層４を含
む、電界吸収型光変調素子３０は、基本的に逆バイアス
のダイオード構造を有し、ＩｎＰ基板１ユのｎ型１ｎＰ
で形成された第２下側クラッド層２ａ、無電界印加時に
は１．５５μｍで透明であり、電界印加時に１゜５５μ
ｍで吸収性となるバンドギャップを有するノンドーグＩ
ｎＧａＡｓＰで形成された第２の活性層７、Ｐ型１ｎＰ
で形成された第２上側クラッド層８を含む。
第２下側クラッド層２ａは第１下側クラッド層２と連続
したｎ型１ｎＰの領域であるが、レーザ発光素子２０と
接する部分で下に掘り下げられた凹部６を有している。
したｎ型１ｎＰの領域であるが、レーザ発光素子２０と
接する部分で下に掘り下げられた凹部６を有している。
このため、活性層７は凹部６の上で増加した厚さを有し
ている。
ている。
たとえば、レーザ発光素子２０の長さは３００μｍ、電
界吸収型光変調素子３０の長さは２５０μｍ、下側クラ
ッド層２．２ａの厚さｔｌは２゜０μｍ、活性層３．７
の厚さｔｌは０．２μｍ、上側クラッド層４．８の厚さ
ｔ３は２．０μｍであり、凹部６は長さＱが約５０μｍ
、深さｄが約０．５μｍである。このため第２店性鳩７
は凹部６上で約０．７μｍの厚さを有している。第２活
性層７はレーザ発光素子２０と隣接する部分で少なくと
も２倍の厚さを持つ（ｔｌ ＋ｄ≧２ｔ２）ことが好ま
しい。
界吸収型光変調素子３０の長さは２５０μｍ、下側クラ
ッド層２．２ａの厚さｔｌは２゜０μｍ、活性層３．７
の厚さｔｌは０．２μｍ、上側クラッド層４．８の厚さ
ｔ３は２．０μｍであり、凹部６は長さＱが約５０μｍ
、深さｄが約０．５μｍである。このため第２店性鳩７
は凹部６上で約０．７μｍの厚さを有している。第２活
性層７はレーザ発光素子２０と隣接する部分で少なくと
も２倍の厚さを持つ（ｔｌ ＋ｄ≧２ｔ２）ことが好ま
しい。
レーザ発光素子２０と電界吸収型光変調素子３０とは第
２図（Ａ）、（Ｃ）に示すようにメサストライプ状に整
形され、第２図（Ａ）に破線で示すように側方クラッド
領域９によって埋め込まれる。ストライプの幅は例えば
約２μｍである。
２図（Ａ）、（Ｃ）に示すようにメサストライプ状に整
形され、第２図（Ａ）に破線で示すように側方クラッド
領域９によって埋め込まれる。ストライプの幅は例えば
約２μｍである。
レーザ発光素子２０には順方向バイアス＋ｖ１を印加し
て、順方向電流を流してレーザ発振させ、電界吸収型光
変調素子３０には逆バイアス電圧−ｖ２と変調信号を重
畳して印加し、レーザ発光素子２０から入射するレーザ
光を変調する。
て、順方向電流を流してレーザ発振させ、電界吸収型光
変調素子３０には逆バイアス電圧−ｖ２と変調信号を重
畳して印加し、レーザ発光素子２０から入射するレーザ
光を変調する。
次に、第２図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すような光集
積装置の製造方法を第３図（Ａ＞、（Ｂ）（Ｃ）を参照
して説明する。
積装置の製造方法を第３図（Ａ＞、（Ｂ）（Ｃ）を参照
して説明する。
第３図（Ａ）はエピタキシャル成長の工程を示す、ｎ型
１ｎＰの基板１上に、ｎ型１ｎＰの下側クラッド層２と
レーザ発光素子２０用のＩｎＧａＡＳＰの第１の活性層
３を例えば液晶エピタキシャル成長で、続けて成長する
。
１ｎＰの基板１上に、ｎ型１ｎＰの下側クラッド層２と
レーザ発光素子２０用のＩｎＧａＡＳＰの第１の活性層
３を例えば液晶エピタキシャル成長で、続けて成長する
。
第３図（Ｂ）は選択エツチングの工程を示す。
例えばマスク１４を形成して、ウェットなケミカルエツ
チングにより第１の活性層３の一部を選択的に除去する
。ここで、ケミカルエツチングによって、なだらかな斜
面を得ることができる４次に、露出した第２下側クラッ
ド層２ａの１部上にもマスク１６を設け、レーザ発光素
子と隣接する部分を露出する。更に露出部分で選択的エ
ツチングを行って、第２下側クラッド層２ａをその一部
厚さのみ除去して凹部６を形成する。
チングにより第１の活性層３の一部を選択的に除去する
。ここで、ケミカルエツチングによって、なだらかな斜
面を得ることができる４次に、露出した第２下側クラッ
ド層２ａの１部上にもマスク１６を設け、レーザ発光素
子と隣接する部分を露出する。更に露出部分で選択的エ
ツチングを行って、第２下側クラッド層２ａをその一部
厚さのみ除去して凹部６を形成する。
第３図（Ｃ）はその後のエピタキシャル成長工程を示す
、まず、露出した第２下側クラッド層２ａの上に１、光
−変調素子３０の１ｎＧａＡｓＰ ノ第２の活性層７を
選択的にエピタキシャル成長する。第１の活性層３とほ
ぼ同一面となるまで第２の活性層７を成長した後、ｐ型
１ｎＰの上側クラッド層４．８を成長する。この後、電
極を形成して、レーザ発光素子２０と光変調素子３０と
を含む光集積装置を作成する。
、まず、露出した第２下側クラッド層２ａの上に１、光
−変調素子３０の１ｎＧａＡｓＰ ノ第２の活性層７を
選択的にエピタキシャル成長する。第１の活性層３とほ
ぼ同一面となるまで第２の活性層７を成長した後、ｐ型
１ｎＰの上側クラッド層４．８を成長する。この後、電
極を形成して、レーザ発光素子２０と光変調素子３０と
を含む光集積装置を作成する。
なお、先に第１活性層までエピタキシャル成長した後、
選択的エツチングを行う場合を説明したが、第１上側ク
ラッド層４まで先にエピタキシャル成長した後選択的エ
ツチングを行ってもよい。
選択的エツチングを行う場合を説明したが、第１上側ク
ラッド層４まで先にエピタキシャル成長した後選択的エ
ツチングを行ってもよい。
レーザ発光素子と光変調素子とを含む光集積装置の実施
例について説明したが、同様にしてレーザ発光素子と導
波素子ないしはさらに他の光学的素子を含む光集積装置
を構成することができることは当業者に自明であろう。
例について説明したが、同様にしてレーザ発光素子と導
波素子ないしはさらに他の光学的素子を含む光集積装置
を構成することができることは当業者に自明であろう。
また、上述の実施例は同等制限的意味を有するものでは
なく、種々の変形、修正、組合わせ等が可能であること
も自明であろう４ ［発明の効果］ 光集積装置におい−て、発光素子と他の光学的素子の間
の光学的結合が改良され、光利用率を高く、光雑音成分
を低くすることができる０例えば、他の光学的素子が光
変調素子の場合、変調特性を向上できる。
なく、種々の変形、修正、組合わせ等が可能であること
も自明であろう４ ［発明の効果］ 光集積装置におい−て、発光素子と他の光学的素子の間
の光学的結合が改良され、光利用率を高く、光雑音成分
を低くすることができる０例えば、他の光学的素子が光
変調素子の場合、変調特性を向上できる。
また、上記のような光集積装置を容易に製造することが
できる。
できる。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の光集積装置の原理説明
図、 第２図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明の実施例による
光集積装置の概略的な斜視図、断面図、平面図、 第３図（Ａ＞、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明の実施例により
第２図に示す光集積装置を製造する工程を示す断面図、 第４図は従来例による光集積装置の例を示す断面図であ
る。 ａ ７．７ａ ８．８ａ １０、１１、１２ 第１下側クラッド層 第２下側クラッド層 第１活性層 第１上側クラッド層 凹部 第２活性層 第２上側クラッド層 電極 図において、 基板 （Ａ）発光素子と光変調素子 （Ａ） ｉｔ略斜視図 （Ｂ）概ｓ所面図 ＣＢ）発光素子と導波素子 第１図 ＜ｃ＞ｔｐｕｓ平面区 本発明の実施例による光集積河路装置 第２図 （Ａ）エピタキシャル成長 （Ｂ）選択的エツチング 、（Ｃ）エピタキシャル成長。 第２図の光集Ｍ河路装置の製造工程 第３図 第４図
図、 第２図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明の実施例による
光集積装置の概略的な斜視図、断面図、平面図、 第３図（Ａ＞、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明の実施例により
第２図に示す光集積装置を製造する工程を示す断面図、 第４図は従来例による光集積装置の例を示す断面図であ
る。 ａ ７．７ａ ８．８ａ １０、１１、１２ 第１下側クラッド層 第２下側クラッド層 第１活性層 第１上側クラッド層 凹部 第２活性層 第２上側クラッド層 電極 図において、 基板 （Ａ）発光素子と光変調素子 （Ａ） ｉｔ略斜視図 （Ｂ）概ｓ所面図 ＣＢ）発光素子と導波素子 第１図 ＜ｃ＞ｔｐｕｓ平面区 本発明の実施例による光集積河路装置 第２図 （Ａ）エピタキシャル成長 （Ｂ）選択的エツチング 、（Ｃ）エピタキシャル成長。 第２図の光集Ｍ河路装置の製造工程 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）、同一基板（１）上に発光素子（２０）と他の光
学的素子（３０、３０ａ）とを集積した光集積装置であ
って、 該発光素子（２０）は、基板（１）上の第１の下側クラ
ッド層（２）と、その上の第１の半導体で形成された第
１の活性層（３）と、その上の第１の上側クラッド層（
４）とを有し、該他の光学的素子（３０、３０ａ）は、
該第１の下側クラッド層（２）の延長部である第２の下
側クラッド層（２ａ）と、該第１の活性層（３）に隣接
して配置し、該第１の半導体より広いバンドギャップを
有する第２の半導体で形成された第２の活性層（７、７
ａ）と、その上の第２の上側クラッド層（８、８ａ）と
を含み、該第２の活性層（７、７ａ）は第１の活性層（
３）と接する部分で第２の下側クラッド層（２ａ）側に
増加した厚みを有することを特徴とする光集積装置。 - （２）、発光素子と他の光学的素子とを含む光集積装置
の製造方法であって、 第１の下側クラッド層（２）、第１の活性層（３）を含
む積層構造を基板（１）上にエピタキシャル成長する工
程と、 該積層構造の上にマスクを形成し、露出部分の第１の活
性層（３）を除去して発光素子の活性層を残す工程と、 発光素子と隣接する第１の下側クラッド層 （２）の一部についてその厚さの一部を除去して凹部を
形成し、一部厚さが薄くされた第２の下側クラッド層（
２ａ）を形成する工程と、該凹部を含む第２の下側クラ
ッド層（２ａ）の上に第１の活性層（３）より広いバン
ドギャップを有する第２の活性層（７、７ａ）を選択的
にエピタキシャル成長する工程と を含むことを特徴とする光集積装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29393588A JPH02139985A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 光集積装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29393588A JPH02139985A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 光集積装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02139985A true JPH02139985A (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=17801072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29393588A Pending JPH02139985A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 光集積装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02139985A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008291627A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Riichiro Nishino | 尿飛散防止洋式トイレ |
| JP2020500332A (ja) * | 2016-11-23 | 2020-01-09 | ロックリー フォトニクス リミテッドＲｏｃｋｌｅｙ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 光電気デバイス |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP29393588A patent/JPH02139985A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008291627A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Riichiro Nishino | 尿飛散防止洋式トイレ |
| JP2020500332A (ja) * | 2016-11-23 | 2020-01-09 | ロックリー フォトニクス リミテッドＲｏｃｋｌｅｙ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 光電気デバイス |
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