JPH02140003A - 静磁波遅延線型発振器 - Google Patents
静磁波遅延線型発振器Info
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- JPH02140003A JPH02140003A JP254389A JP254389A JPH02140003A JP H02140003 A JPH02140003 A JP H02140003A JP 254389 A JP254389 A JP 254389A JP 254389 A JP254389 A JP 254389A JP H02140003 A JPH02140003 A JP H02140003A
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- Japan
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- magnetostatic
- transducer
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は例えばＶ ＣＯ（ｖｏｌｔａｇｅ −ｃｏｎｔ
ｒｏｌｌｅｄＯ８Ｃｉ ｌ １ａｔｅｒ ：電圧制御型
発振器）等に使用される静磁波遅延線型発振器（Ｈａｇ
ｎｅｔｏｓｔａｔｉｃ Ｗａｖｅ Ｄｅｌａｙ Ｌ
ｉｎｅ ０ｓｃｉｌｌａｔｏｒ ）に関し、小形化お
よび周波数掃引範囲の拡大をはかった発振器に関するも
のである。
ｒｏｌｌｅｄＯ８Ｃｉ ｌ １ａｔｅｒ ：電圧制御型
発振器）等に使用される静磁波遅延線型発振器（Ｈａｇ
ｎｅｔｏｓｔａｔｉｃ Ｗａｖｅ Ｄｅｌａｙ Ｌ
ｉｎｅ ０ｓｃｉｌｌａｔｏｒ ）に関し、小形化お
よび周波数掃引範囲の拡大をはかった発振器に関するも
のである。
〈従来の技術〉
まず、静磁波遅延型発振器の遅延素子について簡単に説
明する。−様磁界中に金属導体からなる２本の１〜ラン
スジ、１−サと磁性体とを近接して配置し、この２本の
トランスジューサの一方に高周波電流を流すとその近く
の磁性体中のスピンが揺ぎ、その揺ぎが静磁波となって
伝搬し、他方のトランスジューサにはスピンの揺ぎに起
因する高周波の誘導電流が流れる。スピンの揺ぎの伝搬
速度は磁界の強さに応じて変化するので遅延時間の可変
な素子となる。
明する。−様磁界中に金属導体からなる２本の１〜ラン
スジ、１−サと磁性体とを近接して配置し、この２本の
トランスジューサの一方に高周波電流を流すとその近く
の磁性体中のスピンが揺ぎ、その揺ぎが静磁波となって
伝搬し、他方のトランスジューサにはスピンの揺ぎに起
因する高周波の誘導電流が流れる。スピンの揺ぎの伝搬
速度は磁界の強さに応じて変化するので遅延時間の可変
な素子となる。
第７図は上記静磁波遅延素子を用いな静磁波遅延線型発
振器を示す構成図で７１０は静磁波遅延素子、５は増幅
器、６はカプラ、７はスペクトラムアナライザである。
振器を示す構成図で７１０は静磁波遅延素子、５は増幅
器、６はカプラ、７はスペクトラムアナライザである。
なお１図では省略するが遅延素子１０には磁界印加手段
により磁界Ｈ０が印加され、ルーズ中を流れる周波数信
号をカプラ６を介してスペクトラムアナライザ内に取込
んで発振周波数特性を測定している。図において入力ト
ランスジューサ３ａに流した高周波電流により磁性体中
の電子スピンが揺ぎ静磁波となって出カドランスジュー
サ３ｂ側に伝搬する。この出力は増幅器５で増幅されカ
プラ６を介して出力されるが。
により磁界Ｈ０が印加され、ルーズ中を流れる周波数信
号をカプラ６を介してスペクトラムアナライザ内に取込
んで発振周波数特性を測定している。図において入力ト
ランスジューサ３ａに流した高周波電流により磁性体中
の電子スピンが揺ぎ静磁波となって出カドランスジュー
サ３ｂ側に伝搬する。この出力は増幅器５で増幅されカ
プラ６を介して出力されるが。
遅延素子→増幅器→カプラ→遅延素子間はマイクロ波用
ケーブル９ａ、９ｂ、９ｃにより結合されている。
ケーブル９ａ、９ｂ、９ｃにより結合されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記構成において、静磁波遅延素子は第８図に示す様に
一端が接地膜８に接続された人出力１ヘランスジューサ
３ａ、３ｂが平行に形成されている。
一端が接地膜８に接続された人出力１ヘランスジューサ
３ａ、３ｂが平行に形成されている。
そのためＩ−１゜方向から磁界を印加し、入出ドランス
ジューサにマイクロ波を印加すると矢印■、■。
ジューサにマイクロ波を印加すると矢印■、■。
■方向に体積前進波か発生するが、これらの体積前進波
のうち信号として有効に取りだせるのは■のみであり、
このことは投入されたマイクロ波の半分近くが無駄にな
るという問題がある０、ｔた。
のうち信号として有効に取りだせるのは■のみであり、
このことは投入されたマイクロ波の半分近くが無駄にな
るという問題がある０、ｔた。
矢印■、■の前進波は伝搬特性にリップルを生じさせる
原因ともなっていた。
原因ともなっていた。
一般に静磁波遅延線による遅延時間τつはで、＝Ｌ／υ
９ Ｌ；トランスジューサ間の距離 υ９；群速度（＝ｄｌ／ｄω） ｋ；静磁波の波数 ω；静磁波の角周波数 で表わされるが、この式から分る様に例えば遅延時間を
２倍にしようとした場合，入出力トランスジューサの距
離も２倍にする必要がある。しかし形状が大きくなると
磁界印加の為の磁石も大きくしなければならず重量が重
くなるという問題があった。 また、上記構成において
遅延素子１０以外の部分（例えば増幅器５．カプラ６、
マイクロ波用ケーブル９ａ、９ｂ、９ｃ等）の伝搬遅延
時間（τｅ）が０ならば周波数掃引範囲（八ｆ）は蕪限
大である。しかしなから現実にはこれを０にするのは難
しく１例えば本出願人が試作した発振器ではカグラｅ−
ｆ間で１００ｐｓ、増幅器ｃｄ間で２００ｐｓ、各ケー
ブル間（ｂ−ｃ、ｄ、−ｅ、ｆ−ａ）で２ｎｓ程度あり
合計すると τｅ＝５．３ｎｓ程度となる。
９ Ｌ；トランスジューサ間の距離 υ９；群速度（＝ｄｌ／ｄω） ｋ；静磁波の波数 ω；静磁波の角周波数 で表わされるが、この式から分る様に例えば遅延時間を
２倍にしようとした場合，入出力トランスジューサの距
離も２倍にする必要がある。しかし形状が大きくなると
磁界印加の為の磁石も大きくしなければならず重量が重
くなるという問題があった。 また、上記構成において
遅延素子１０以外の部分（例えば増幅器５．カプラ６、
マイクロ波用ケーブル９ａ、９ｂ、９ｃ等）の伝搬遅延
時間（τｅ）が０ならば周波数掃引範囲（八ｆ）は蕪限
大である。しかしなから現実にはこれを０にするのは難
しく１例えば本出願人が試作した発振器ではカグラｅ−
ｆ間で１００ｐｓ、増幅器ｃｄ間で２００ｐｓ、各ケー
ブル間（ｂ−ｃ、ｄ、−ｅ、ｆ−ａ）で２ｎｓ程度あり
合計すると τｅ＝５．３ｎｓ程度となる。
その結果「ループ内での位相条件か合う周波数範囲」が
狭くなる。即ち。
狭くなる。即ち。
周波数掃引範囲（Δｆ）は
Δｆ＝ （ｒ：ｅ ）−’ ＝０．１９ＧＨｚ程度とな
り１周波数挿引範囲が狭いという問題があった。
り１周波数挿引範囲が狭いという問題があった。
本発明は上記従来技術の問題に鑑みて成されたもので、
小形化を可能とするとともに、各構成部品の配置位置を
工夫することによりマイクロ波用ケーブルを不要とし２
周波数掃引範囲の拡大をはかり信号の減衰が少なく、伝
搬特性の優れた静磁波遅延線型発振器を提供することを
目的とする。
小形化を可能とするとともに、各構成部品の配置位置を
工夫することによりマイクロ波用ケーブルを不要とし２
周波数掃引範囲の拡大をはかり信号の減衰が少なく、伝
搬特性の優れた静磁波遅延線型発振器を提供することを
目的とする。
く課題を解決するための手段〉
上記課題を解決するための本発明の構成は。
（１）ＹＩＧ薄膜と入出力トランスジューサを用いな静
磁波遅延線型発振器において、前記入力トランスジュー
サにより励起された静磁波か前記ＹＩＧ薄膜中を異なる
経路を経て出カドランスジューサに伝搬する様に前記入
出力トランスジューサを配置したことを特徴とし。
磁波遅延線型発振器において、前記入力トランスジュー
サにより励起された静磁波か前記ＹＩＧ薄膜中を異なる
経路を経て出カドランスジューサに伝搬する様に前記入
出力トランスジューサを配置したことを特徴とし。
（２）ＹＩＧ薄膜と入出力トランスジューサを用いな静
磁波遅延線型発振器において１前記入出カドランスジユ
ーサは前記ＹＩＧ薄膜を横切って直線状に対向して配置
するとともにＹＩＧ薄膜は入力１〜ランスジユーサによ
り励起された静磁波の進行方向に対してそれぞれ２つの
ほぼ４５′の縁を有する様に形成したことを特徴とし。
磁波遅延線型発振器において１前記入出カドランスジユ
ーサは前記ＹＩＧ薄膜を横切って直線状に対向して配置
するとともにＹＩＧ薄膜は入力１〜ランスジユーサによ
り励起された静磁波の進行方向に対してそれぞれ２つの
ほぼ４５′の縁を有する様に形成したことを特徴とし。
（３）前記第１項または第２項記載の静磁波遅延線型発
振器のＹＩＧ薄膜は第１の基板に形成し。
振器のＹＩＧ薄膜は第１の基板に形成し。
入出力トランスジューサは第２の基板に形成し入出力ト
ランスジューサとＹＩＧ薄膜を接して固定したことを特
徴とし。
ランスジューサとＹＩＧ薄膜を接して固定したことを特
徴とし。
（４）前記第１項または第２項記載の静磁波遅延線型発
振器の第１の基板はＧＧＧ、第２の基板はアルミナから
なることを特徴とし。
振器の第１の基板はＧＧＧ、第２の基板はアルミナから
なることを特徴とし。
（５）前記第１項または第２項記載の静磁波遅延線型発
振器の第１の基板はＧＧＧ、第２の基板（よ半導体から
なること、を特徴とし。
振器の第１の基板はＧＧＧ、第２の基板（よ半導体から
なること、を特徴とし。
（６）前記第１項または第２項記載の静磁波遅延線型発
振器はＹＩＧ薄膜のほぼ中央部を中空とし。
振器はＹＩＧ薄膜のほぼ中央部を中空とし。
その中空部に増幅器を含む能動素子を配置し、静磁波の
伝搬経路中にカプラを配置したことを特徴とし。
伝搬経路中にカプラを配置したことを特徴とし。
（７）前記第１項、第２項記載の静磁波遅延線型発振器
はＹＩＧ薄膜，入出力トランスジューサを半導体基板上
にフォトリソクラフイにより形成し。
はＹＩＧ薄膜，入出力トランスジューサを半導体基板上
にフォトリソクラフイにより形成し。
前記半導体基板上に増幅器を含む能動素子を形成したこ
とを特徴とするものである。
とを特徴とするものである。
〈実施例〉
以下１本発明を図面に基づいて説明する。第１図（ａ＞
、（ｂ）は本発明の第１項、第３項、第４項および第６
項に係わる静磁波遅延線型発振器の一実施例を示す平面
図である。第１図（ａ）は組立てた状態の平面図、第１
図（ｂ）は組立てる前の断面図である０図において１は
厚さ０．６ｍｍ程度のＧＧＧ （ガドリニウム−ガリウ
ム−ガーネット）からなる矩形状の第１の基板であり、
中央部には直径６ｍｍ程度の孔１２が形成されている。
、（ｂ）は本発明の第１項、第３項、第４項および第６
項に係わる静磁波遅延線型発振器の一実施例を示す平面
図である。第１図（ａ）は組立てた状態の平面図、第１
図（ｂ）は組立てる前の断面図である０図において１は
厚さ０．６ｍｍ程度のＧＧＧ （ガドリニウム−ガリウ
ム−ガーネット）からなる矩形状の第１の基板であり、
中央部には直径６ｍｍ程度の孔１２が形成されている。
１１はこの基板の表面（図では裏面）に形成された厚さ
２０〜６０μｍ程度のＹＩＧ （イツトリウム−鉄−ガ
ーネット）薄膜で、このＹＩＧ薄膜は例えば中心直径８
ｍｍ、幅２ｍｍ程度の円環状に形成されている。
２０〜６０μｍ程度のＹＩＧ （イツトリウム−鉄−ガ
ーネット）薄膜で、このＹＩＧ薄膜は例えば中心直径８
ｍｍ、幅２ｍｍ程度の円環状に形成されている。
２はアルミナ等のセラミックスで形成された厚さ０．６
ｍｍ程度の第２の基板で、この基板の一方の面には導電
体（例えば金）からなる接地膜８が形成され、他方の面
の約中央部には能動素子であるモノリシックなＩＣ増幅
器５が形成されている。３ａ、３ｂは導電体からなる入
出力トランスジューサで１円環状のＹＩＧ薄膜１１の中
心部を横切る様に直線状に配置されている。この入力ト
ランスジューサの一端は能動素子（増幅器）５の出力端
子側に、他端は接地膜８に接続され、出カドランスジュ
ーサの一端は増幅器５の入力端子側に、他端は接地膜８
に接続されており、これらはマイクロ波用ケーブルを用
いることなく増幅器５の端子に直接接続されている。１
３は導電体からなるカプラで、第２の基板にＹＩＧ薄膜
を横切る様に形成されている。１４はカプラの一端に接
続されたＳＭＡコネクタである。
ｍｍ程度の第２の基板で、この基板の一方の面には導電
体（例えば金）からなる接地膜８が形成され、他方の面
の約中央部には能動素子であるモノリシックなＩＣ増幅
器５が形成されている。３ａ、３ｂは導電体からなる入
出力トランスジューサで１円環状のＹＩＧ薄膜１１の中
心部を横切る様に直線状に配置されている。この入力ト
ランスジューサの一端は能動素子（増幅器）５の出力端
子側に、他端は接地膜８に接続され、出カドランスジュ
ーサの一端は増幅器５の入力端子側に、他端は接地膜８
に接続されており、これらはマイクロ波用ケーブルを用
いることなく増幅器５の端子に直接接続されている。１
３は導電体からなるカプラで、第２の基板にＹＩＧ薄膜
を横切る様に形成されている。１４はカプラの一端に接
続されたＳＭＡコネクタである。
上記構成において従来例と同様、基板に垂直方向から磁
界を印加し、入力トランスジューサ３ａにマイクロ波を
入力すると体積前進波は両方向へ向かって進行し１円環
状のＹＩＧ薄膜の縁で反射しながら出力トランスジュー
サ３ｂに向かう。この場合、第８図の■で示した前進波
と同様用カドランスジューサを通り越すものもあるにし
てもこのトランスジューサでの補足率は向上する。また
、前進波の行路はトランスジューサを平行に配置した場
合に比較して長くなる。更に、増幅器５を第１の基板の
孔１２の位置に来るように形成するとともに、ＹＩＧ薄
膜を横切る様にカプラ１３を配置したのでマイクロ波用
ケーブルが不要となり遅延要素を無視することが出来る
。。
界を印加し、入力トランスジューサ３ａにマイクロ波を
入力すると体積前進波は両方向へ向かって進行し１円環
状のＹＩＧ薄膜の縁で反射しながら出力トランスジュー
サ３ｂに向かう。この場合、第８図の■で示した前進波
と同様用カドランスジューサを通り越すものもあるにし
てもこのトランスジューサでの補足率は向上する。また
、前進波の行路はトランスジューサを平行に配置した場
合に比較して長くなる。更に、増幅器５を第１の基板の
孔１２の位置に来るように形成するとともに、ＹＩＧ薄
膜を横切る様にカプラ１３を配置したのでマイクロ波用
ケーブルが不要となり遅延要素を無視することが出来る
。。
第２図は本発明の第２項、第３項、第４項、第６項の実
施例に係わる静磁波遅延線型発振器の一実施例を示す斜
視図である。
施例に係わる静磁波遅延線型発振器の一実施例を示す斜
視図である。
図において、第１図と同一要素には同一符号を付しであ
る。この実施例ではイ、イーで示す平行面が入出力トラ
ンスジューサ３ａ、３ｂに対して直角に１口１０−で示
す面かトランスジューサに平行に、ハ、バーで示す平行
面がトランスジューサに対してほぼ４５°になるように
配置されている。
る。この実施例ではイ、イーで示す平行面が入出力トラ
ンスジューサ３ａ、３ｂに対して直角に１口１０−で示
す面かトランスジューサに平行に、ハ、バーで示す平行
面がトランスジューサに対してほぼ４５°になるように
配置されている。
なお１図では入力）・ランスジューサ３ａの上部を切り
欠いて示しているが実際にはこの部分は切り欠かれてい
ない、１３は導電体からなるカプラで第２の基板に入出
力トランスジューサと直角の位置に形成されている。
欠いて示しているが実際にはこの部分は切り欠かれてい
ない、１３は導電体からなるカプラで第２の基板に入出
力トランスジューサと直角の位置に形成されている。
上記構成において従来例と同様、基板に垂直方向から磁
界を印加し 入力１〜ランスジユーサ３ａにマイクロ波
を入力すると体積前進波は入力トランスジューサ３ａか
ら両側へ向かって進行しハハ、およびバー、バー面で反
射して出力トランスジューサ３ｂ側に向かう、この場合
、第８図の■で示１７な前進波と同様出力トランスジュ
ーサ３ｂを通り越すものもあるにＬ７てら、この）−ラ
ンスジューサでの補足率は画上する。
界を印加し 入力１〜ランスジユーサ３ａにマイクロ波
を入力すると体積前進波は入力トランスジューサ３ａか
ら両側へ向かって進行しハハ、およびバー、バー面で反
射して出力トランスジューサ３ｂ側に向かう、この場合
、第８図の■で示１７な前進波と同様出力トランスジュ
ーサ３ｂを通り越すものもあるにＬ７てら、この）−ラ
ンスジューサでの補足率は画上する。
第３図（ａ）、（ｂ）はＹＴＧ薄膜中を伝搬する静磁波
が半回り、または１四半回りで出力Ｉ−ランスジューサ
に補足されている状態を示している。
が半回り、または１四半回りで出力Ｉ−ランスジューサ
に補足されている状態を示している。
このような形状の静磁波素子において１人カドランスジ
ューサにｅ ＬＩＪＪＣの信号を入力すると出カドラン
スジューサで補足される信号ＳはＳ＝＝ （Ｐｅ−１−
”Ｉ！、Ｐ、１．、、．３．’ｙｉｌ、βｒ、−ｚｔ４
！、 、、、、 ）ｅ＝ｗｔ＝−（ｐ−’ｅＩ−’ｌＬ
／ ＋ρ、−ｊ４７．）−ノ６．−に：静磁波の波数 ω；静磁波の角周波数 り；半回りの伝搬長（第３図（ａ）の様にトランスジュ
ーサに対応する一辺の長さをａとした場合： Ｆ７Ｉ） ρ；０くρく１（ρは入力トランスジューサで励起され
た静磁波が半回りする間の 伝搬のロスと反射のロスを乗じたもの）となる。この遅
延線τ９はＳの位相をφとするとτ９＝ｄφ／ｄωで計
算することが出来る。即ちτり＝（（１＋ρ２）／（１
−ρ２））・１／ｖ９ ＝（（１＋ρ２）／（１−ρ２）） ・「「・ａ ／ ？Ｊ ｇ となる（ただ［２，υ５＝ｄｆｉ／ｄω）、その結果第
８図に示すＬとａを同じにすると τ５−（（１＋ρ’）／（１−ρ２） ＜Ｊ２・Ｌ／１７９）となり。
ューサにｅ ＬＩＪＪＣの信号を入力すると出カドラン
スジューサで補足される信号ＳはＳ＝＝ （Ｐｅ−１−
”Ｉ！、Ｐ、１．、、．３．’ｙｉｌ、βｒ、−ｚｔ４
！、 、、、、 ）ｅ＝ｗｔ＝−（ｐ−’ｅＩ−’ｌＬ
／ ＋ρ、−ｊ４７．）−ノ６．−に：静磁波の波数 ω；静磁波の角周波数 り；半回りの伝搬長（第３図（ａ）の様にトランスジュ
ーサに対応する一辺の長さをａとした場合： Ｆ７Ｉ） ρ；０くρく１（ρは入力トランスジューサで励起され
た静磁波が半回りする間の 伝搬のロスと反射のロスを乗じたもの）となる。この遅
延線τ９はＳの位相をφとするとτ９＝ｄφ／ｄωで計
算することが出来る。即ちτり＝（（１＋ρ２）／（１
−ρ２））・１／ｖ９ ＝（（１＋ρ２）／（１−ρ２）） ・「「・ａ ／ ？Ｊ ｇ となる（ただ［２，υ５＝ｄｆｉ／ｄω）、その結果第
８図に示すＬとａを同じにすると τ５−（（１＋ρ’）／（１−ρ２） ＜Ｊ２・Ｌ／１７９）となり。
（（１＋ρ２）／（１−ρ２）Ｆ７倍だけ伝搬長を長く
することが出来る。
することが出来る。
また、上記構成によれば、第７図および第８図に示す従
来例に比較して遅延時間を与えるケーブルが不要であり
、更に、カプラ１３も静磁波の伝搬経路中に配置したの
で遅延要素としては無視することが出来る。従って、静
磁波遅延素子以外での遅延時間（τｅ）は増幅器の２０
０ｐｓだけとなる。その結果１周波数掃引範囲Δｆとし
てはΔ ｆ＝ｒｅ−’＝５ＧＨｚ 即度となり従来の約２５倍に掃引範囲を広げることが可
能である。
来例に比較して遅延時間を与えるケーブルが不要であり
、更に、カプラ１３も静磁波の伝搬経路中に配置したの
で遅延要素としては無視することが出来る。従って、静
磁波遅延素子以外での遅延時間（τｅ）は増幅器の２０
０ｐｓだけとなる。その結果１周波数掃引範囲Δｆとし
てはΔ ｆ＝ｒｅ−’＝５ＧＨｚ 即度となり従来の約２５倍に掃引範囲を広げることが可
能である。
第４図は第２図に示す発振器と同様であるがｌ−ランス
ジューサに所望の角度を持たせたものであり、このよう
に構成することにより伝搬特性を変化させることが出来
る。
ジューサに所望の角度を持たせたものであり、このよう
に構成することにより伝搬特性を変化させることが出来
る。
第５図（ａ）、（ｂ）は本発明の第５項に係わる一実施
例を示すヰ図であり、第１図と同一要素には同一符号を
付している。ここでは第１の基板２０をＳｔ、ＧａＡｓ
等の半導体で形成し１第】の基板に能動素子である増幅
器５ａおよびトランスジューサを一般的な半導体技術に
より作り込んでいる。（ａ）は平面図、（ｂ）は組合せ
る前のＡ−Ａ断面図である。この場合能動素子は実線で
示すようにＹＩＧ薄膜のほぼ中心に作り込んでもよ＜、
ＹＩＧ薄膜の外側に作り込んでもよい。
例を示すヰ図であり、第１図と同一要素には同一符号を
付している。ここでは第１の基板２０をＳｔ、ＧａＡｓ
等の半導体で形成し１第】の基板に能動素子である増幅
器５ａおよびトランスジューサを一般的な半導体技術に
より作り込んでいる。（ａ）は平面図、（ｂ）は組合せ
る前のＡ−Ａ断面図である。この場合能動素子は実線で
示すようにＹＩＧ薄膜のほぼ中心に作り込んでもよ＜、
ＹＩＧ薄膜の外側に作り込んでもよい。
上記構成によれば９部品（増幅器）点数を少なくするこ
とができ２組立て工数を少なくすることが出来る。
とができ２組立て工数を少なくすることが出来る。
第６図は本発明の第７項に係わる一実施例を示す平面図
（ａ）、断面図（ｂ）である、この例ではＳｔやＧａＡ
ｓなどの半導体基板に能動素子である増幅器５ａおよび
トランスジューサを一般的な半導体技術により作り込み
、その上にＧＧＧ １ａを例えば５００μｍ程度の厚さ
にスパッタ等により形成し、更にとのＧＧＧの上にＹＩ
Ｇを５０μｍ程度形成したものである。このＹＩＧの形
成はスパッタリング、エピタキシャル成長、または化学
蒸着等を用いることが出来る。
（ａ）、断面図（ｂ）である、この例ではＳｔやＧａＡ
ｓなどの半導体基板に能動素子である増幅器５ａおよび
トランスジューサを一般的な半導体技術により作り込み
、その上にＧＧＧ １ａを例えば５００μｍ程度の厚さ
にスパッタ等により形成し、更にとのＧＧＧの上にＹＩ
Ｇを５０μｍ程度形成したものである。このＹＩＧの形
成はスパッタリング、エピタキシャル成長、または化学
蒸着等を用いることが出来る。
なお、ＹＩＧの縁とトランスジューサの位置関係は非常
に重要であるが、上記の例では１つの基板にトランスジ
ューサ、ＹＩＧをフォトリソグラフィを用いて形成する
のでそれぞれを正確に位置ぎめすることが出来１組立て
時の調整は不要である。
に重要であるが、上記の例では１つの基板にトランスジ
ューサ、ＹＩＧをフォトリソグラフィを用いて形成する
のでそれぞれを正確に位置ぎめすることが出来１組立て
時の調整は不要である。
なお、各基板の形状は図示の例に限ることなく適宜変更
可能である。
可能である。
また，入出力トランスジューサの形状はラインを１本ま
たは３本で示したが本実施例に限ることなく適宜増減可
能である。
たは３本で示したが本実施例に限ることなく適宜増減可
能である。
〈発明の効果〉
以り述べたように本発明によれば１人出方トランスジュ
ーサを直線状に配置し静磁波がＹＩＧ薄膜中を異なる経
路を経て出方トランスジューサ側に伝搬する様にし、ま
た、ＹＩＧ薄膜は入力トランスジューサにより励起され
な静磁波の進行方向に対してそれぞれほぼ４５°の縁を
有する様に形成し、ＹＩＧ薄ｊ摸のほぼ中央部に位置す
る第２の基板に増幅器を設け、静磁波の伝搬経路中にカ
ブラを配置したので。
ーサを直線状に配置し静磁波がＹＩＧ薄膜中を異なる経
路を経て出方トランスジューサ側に伝搬する様にし、ま
た、ＹＩＧ薄膜は入力トランスジューサにより励起され
な静磁波の進行方向に対してそれぞれほぼ４５°の縁を
有する様に形成し、ＹＩＧ薄ｊ摸のほぼ中央部に位置す
る第２の基板に増幅器を設け、静磁波の伝搬経路中にカ
ブラを配置したので。
■ 同じ面積であれば従来に比較して伝搬行路を長くす
ることが出来、大きな遅延量を得ることが出来る。
ることが出来、大きな遅延量を得ることが出来る。
■ ２方向に伝搬する前進波を捕えることが出来るので
パワーの損失を少なくすることが出来る。
パワーの損失を少なくすることが出来る。
■ 反射によるリップルを減少させることが出来る。
■ 従来必要であったマイクロ波用ゲーブル。
カブラによる遅延時間がなくなるので１Ｍれ時間を小さ
くすることが出来１周波数掃引範囲を広くすることが出
来る。
くすることが出来１周波数掃引範囲を広くすることが出
来る。
などの効果がある。
第１図〜第６図は本発明に係る静磁波遅延線型発振器の
一実施例を示す構成図、第７図、第８図は従来の静磁波
遅延線型発振器を示す構成図である。 １・・・第１の基板、２・・・第２の基板、３ａ・・・
入力ｌ−ランスジューサ、３ｂ・・・出カドランスジュ
ーサ。 ５・・・増幅器、８・・・接地膜、１１・・・ＹＩＧ薄
膜、１第 図 第 図 第 区 第 図 （ｂ） 半回績わり １回半まわり 第 図 １４：５Ｍ△コネクタ １゛ρ（１
一実施例を示す構成図、第７図、第８図は従来の静磁波
遅延線型発振器を示す構成図である。 １・・・第１の基板、２・・・第２の基板、３ａ・・・
入力ｌ−ランスジューサ、３ｂ・・・出カドランスジュ
ーサ。 ５・・・増幅器、８・・・接地膜、１１・・・ＹＩＧ薄
膜、１第 図 第 図 第 区 第 図 （ｂ） 半回績わり １回半まわり 第 図 １４：５Ｍ△コネクタ １゛ρ（１
Claims (7)
- （１）ＹＩＧ薄膜と入出力トランスジューサを用いた静
磁波遅延線型発振器において，前記入力トランスジュー
サにより励起された静磁波が前記ＹＩＧ薄膜中を異なる
経路を経て出力トランスジューサに伝搬する様に前記入
出力トランスジューサを配置したことを特徴とする静磁
波遅延線型発振器。 - （２）ＹＩＧ薄膜と入出力トランスジューサを用いた静
磁波遅延線型発振器において、前記入出力トランスジュ
ーサはＹＩＧ薄膜を横切って直線状に対向して配置する
とともにＹＩＧ薄膜は入力トランスジューサにより励起
された静磁波の進行方向に対してそれぞれ２つの４５゜
の縁を有する様に形成したことを特徴とする静磁波遅延
線型発振器。 - （３）ＹＩＧ薄膜は第１の基板に形成し，入出力トラン
スジューサは第２の基板に形成し，入出力トランスジュ
ーサとＹＩＧ薄膜を接して固定したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載の静磁波遅延線型
発振器。 - （４）第１の基板はＧＧＧ，第２の基板はセラミックス
からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載の静磁波遅延線型発振器。 - （５）第１の基板はＧＧＧ，第２の基板は半導体からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
記載の静磁波遅延線型発振器。 - （６）ＹＩＧ薄膜のほぼ中央部を中空とし，その中空部
に増幅器を含む能動素子を配置し，静磁波の伝搬経路中
にカプラを配置したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の静磁波遅延線型発振器。 - （７）ＹＩＧ薄膜，入出力トランスジューサは半導体基
板上にフォトリソグラフィにより形成し，前記半導体基
板上に増幅器を含む能動素子を形成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項，第２項記載の静磁波遅延線型
発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP254389A JPH02140003A (ja) | 1988-08-24 | 1989-01-09 | 静磁波遅延線型発振器 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20964688 | 1988-08-24 | ||
| JP63-209646 | 1988-08-24 | ||
| JP254389A JPH02140003A (ja) | 1988-08-24 | 1989-01-09 | 静磁波遅延線型発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140003A true JPH02140003A (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=26335947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP254389A Pending JPH02140003A (ja) | 1988-08-24 | 1989-01-09 | 静磁波遅延線型発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02140003A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104466338A (zh) * | 2014-09-18 | 2015-03-25 | 电子科技大学 | 一种yig静磁波谐振器 |
-
1989
- 1989-01-09 JP JP254389A patent/JPH02140003A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104466338A (zh) * | 2014-09-18 | 2015-03-25 | 电子科技大学 | 一种yig静磁波谐振器 |
| CN104466338B (zh) * | 2014-09-18 | 2017-02-15 | 电子科技大学 | 一种yig静磁波谐振器 |
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