JPH02140918A - 連続型気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、ウェハにエピタキシャル成長させる几めの気
相成長装置に係り、特に連続型の装置に関するものであ
る。

（従来の技術ならびに発明が解決しようとする課題）従
来、エピタキシャル成長のための気相成長装置としては
、縦型、横型、バレル型と呼ばれる装置が実用化されて
いる。しかし、これらの装置はいずれもバヴチ式であり
、生産性金高める次めには装置を大型化する必要がある
。ま友近年、ウェハの大径化の傾向が顕著であり、この
ためにも装置の大形化の要求が高まっているが、装置を
大形化するにはウェハ全載置する友めの黒鉛全基板とす
るサセプタや反応室全形成するための石英で作られるベ
ルジャを大形化しなければならず、これらは製造設備あ
るいは製造技術の面から現状では大形化に限界がある几
め、装置の大形化は困難である。また、生産性を高める
他の方法として、従来から処理の連続化が考えられ、種
々の連続型の装置が提案されている。連続型の１つの方
式は、連続して走行するコンベア等にウェハをセットし
、処理室を通過させるものであるが、この連続走行方式
はガスのシール全完全に行うことができない。

この問題は、爆発性のＮ２ガスや毒性の強いＢ２Ｈ６（
ジボラン）、ＰＨ３＋ホスフイン】等のガス、さらに腐
食性の強い８ｒＣ１４（四塩化けい素）　、　８１Ｈ４
（モノシラン）等のガスを用いるエピタキシャル成長に
おいては重要である。また、連続型の他の方式として、
処理基金エピタキシャル成長ゾーンと、その前後の搬入
、搬出および付属処理用のゾーンとの合計３つの仕切り
可能なゾーンとし、ウェハ’ｋｌＦ（次各ゾーンへ送っ
て処理するものがある。

これはウェハの搬送間隔が処理時間の最も長いエピタキ
シャル成長工程によって決まってしまうため、生産性向
上の効果が十分に得られない欠点があった。

本発明は、ウェハの搬入、搬出の時間間隔全比較的短か
くし、生産性を高めると同時に気相成長の前後の工程と
の連続化を可能にし、さらに比較的多数の工程からなる
一連の処理金エリ的確に行うことのできる連続型気相成
長装置全提供すること金目的としている。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段］ 本発明は、Ｎ２１　Ｎ２　ガスなどのパージガス、ウェ
ハ表面を浄化するためのエプチングガスならびに反応ガ
スなどの気相成長に必要なガスの種類・流量およびウェ
ハ加熱温度等の処理条件が変わる毎に１つのゾーンを形
成し、これらのゾーンを処理シーケンスに従って順次配
列した連続型の処理室と、各ゾーンの処理条件に対応し
て設けられたガスの給排手段および加熱手段と、ウェハ
を所定の搬送単位で所定時間単位を基にしてステップ送
りにより各ゾーン間を通過させる搬送手段とがらなり、
各ゾーンの大きさがそこでの処理時間を前記の所定時間
単位で割った値エリ大きな整数に相当する数以上のウェ
ハ搬送単位Ｘを収容可能に定められているものである。

なお、処理室の入口と出口は一重または二重の可動シャ
ッタで閉じることができるようにし、処理室内のゾーン
間も可動シャッタで仕切ることができる工うにするとよ
い。また、搬送手段はゾーン毎に独立して駆動できる↓
うにするとよい。

（作用） 各ゾーンを所定の処理条件に制御すると共に、各ゾーン
での処理時間の公約数を基準にして定められる比較的短
かい時間間隔でウェハをステップ搬送して連続処理を行
なう。ステップ搬送であるため、処理室の入口、出口お
よびゾーン間のガスシールがエリ確実に行なわれると共
に、ウェハの搬送は完全な連続搬送に近い搬送となる。

（実施例） 以下本発明の一実施例を示す第１図ないし第３図につい
て説明する。１ｏは連続型の処理室で、第１ないし第７
のユニブト１１〜１７を気密に連結して構成されている
。それぞれのユニブトの間は、ｂずれか一方のユニブト
に設けた可動型シャッタ２１〜２６にエリそれぞれ仕切
られるようになっている。また、第３ユニツト１３内は
、後述する移動台３１、サセプタ３２およびウェハ３３
からなる被搬送体３０の通過に必要最小限な大きさの固
定開口２７ａを有する仕切り２７と可動型シヤツク２８
によって長手方向に３つに分けられ、さらにまた、第４
ユニブト１４内は前記仕切り２７と同様な固定開口２９
ａを有する仕切り２９によって２つに分けられている。

しかして、連続型の処理室１ｏは前記可動型シャッタ２
１〜２６および２ｇと仕切り２７．２９により２１〜２
００で示す１０ゾーンに分けられている。処理室１０の
入口＋ＯＡと出口１０Ｂは可動型シャッタ１８．１９に
より開閉可能になっている。各ゾーンＺ１〜Ｚ１０には
それぞれガス導入口４１〜５０と排気口５１〜６０が設
けられ、図示しないガス供給ユニブトから各ゾーンに対
応し九種類のガスが流量を制御されて供給されるように
なっている。

処理室１０のゾーンＺ３〜Ｚ８の上方には赤外線ランプ
６１による加熱手段６３〜６８が設けられ、各ゾーンに
応じた強さの加熱を行なうようになっている。なお、こ
れらの加熱手段６３〜６８はＲＦ”コイルなど他の加熱
方式でもよい。

処理室ＩＯの各ゾーンＺ１〜Ｚ１０内、入口＋ＯＡの前
および出口１０Ｂの後には多数の回転体７０からなる搬
送手段７１〜８２が設けられている。各々の搬送手段７
１〜８２には、第３白に示すモータ９１がそれぞれ設け
られ、互いに独立して起動・停止されるようになってい
る。なお、搬送手段７７Ｖｉ、７７ａ、７７ｂ、７７Ｃ
の３つに分割されている。モータ９１は、ギヤ９２．９
３およびスズロケット９４、チェーン９５などの回転伝
達機構を介して全ての回転体７０に連結されている。な
お、回転体７０は全てを駆動せず、例えば１本置きに駆
動し、他は単に回転自在に支持するようにしてもよい。

加熱されたり、さらにはエツチングやエピタキシャル成
長が行なわれるゾーンＺ３〜Ｚ８の搬送手段７３〜７８
の回転体７０お↓びこれらのゾーンＺ３〜Ｚ８　ヲＷｅ
成Ｔル３−二ｑ　）　１３−Ｉ　４．１５は、石英ガラ
スもしくは耐熱・耐食性のセラミックスであるＳｉｅ、
Ｓｉ３Ｎ４などで形成され、さらに前記回転体７０は処
理室１０円からのガス漏れを完全に防止するため、第３
図に示すように、処理室１０に取付は次磁性流体シール
軸受９６．９６によって支持されている。なお、磁性流
体シール軸受９６゜９６およびこれに係合している回転
体７０の両端部は図示しない冷却手段にエリ冷却される
ようになっている。

他のゾーンＺｌ　、Ｚ２．Ｚ９　、ＺＩＯならびに処理
室１０外の各搬送手段７１．７２．７９〜８２の回転体
７０およびこれらのゾーンを形成するユニブト１２、１
６．１７はステンレス鋼で形成してもよく、さらにゾー
ンｚｌ　、Ｚ２　、Ｚ９　、Ｚｌ　０に設けられている
回転体７０のシールは、Ｏリングによるシールであって
もよい。

前記回転体７０は、第３図に示すように、移動台３１を
支持する部分の直径が小さく形成され、段部７０ａ　、
７０ａ　Ｋ工り移動台３１を案内する工うになっている
。

移動台３１ｔ″ｔ１石英ガラスもしくは耐熱・耐食性の
セラミックスで形成されており、カーボンを基体とする
サセプタ３２が載置され、サセプタ３２には２枚のウニ
へ３３が載置されるようになっている。

処理室１０の周囲は、第１図および第２図に示すように
カバー１００で被われ、カバー１００に設は九がガス導
入口＋０１と排気口１０２にＬり冷却流体を流し、処理
室１０および加熱手段６３〜６８を冷却するようになっ
ている。

前記処理室１０の各ゾーンｚ１〜ＺＩＯにおける処理は
、第１表におけるエピタキシャル成長工程のシーケンス
扁１〜扁１０にそれぞれ対応している。

第 表 すなわちゾーンＺ１は、以後のゾーンに空気を持込まな
いようにＮ２ガス雰囲気を形成する部屋であり、ガス導
入口４１からＮ２ガスを供給し、排気口５１から排気す
る。

ゾーンＺ２は、以後のゾーンをＮ２ガスをベースとする
雰囲気を形成するためにＮ２ガスからＮ２ガス雰囲気に
するための部屋であり、２つのガス導入口４２．４２か
らＮ２ガスを供給し、排気口５２から排気する。

ゾーンＺ３は、Ｎ２ガス雰囲気においてウェハ３３を８
５０℃まで加熱する（　Ｈｅａｔ　ｕｐ　ｌ　）　部屋
テアリ、ガス導入口４３からＮ２ガスを供給しつつ排気
口５３から排気し、加熱手段６３の出力制御に工りウェ
ハ３３を所定の温度勾配て８５０℃まで昇温させる。

ゾーンＺ４は、シー７３に続いてウェハ３３を２１０℃
まで昇温させる（）ｌｅａｔ　ＬＩＩＪ　２　）部屋で
あす、雰囲気はシー７３と同じであるが、加熱手段６４
の出力が前記１２１０℃に対応するよう設定され、かつ
制御される。

ゾーンＺ５は、ウェハ３３の表面を清浄にするためにＨ
Ｃｔガスに↓リエッチングを行なう部屋であり、ガス導
入口４５がらはＨＣｔガスとキャリアガスであるＮ２ガ
スとが供給され、排気口４５がら排気される。なお、加
熱手段６５はウェハ３３の温度をエツチング温度である
１２１０℃に保つ。

ゾーンＺ６は、エツチングのためのＨＣｔ＋Ｈ２ガスを
Ｈ２バージによってパージし、エピタキシャル成長のた
めの準備を整えるための部屋であり、ガス導入口４６か
らはＮ２ガスが供給され、排気口５６から排気される。

なお、このゾーンＺ６の加熱手段６６は、ウェハ３３の
温度をエピタキシャル成長温度である１１８０℃に下げ
て（Ｈｅａｔ　ｄｏｗｎ　）、該温度に保つようになっ
ている。

５ｉＣＬ４）とキャリアガスであるＮ２ガスが供給され
る。なお、ガス導入口４７．４７からの反応ガス（キャ
リアガスも含む以下同じ）は、第１因おＬび第２図に示
すように、仕切り２９に設けたメツシュ状の噴田口４７
ａがらゾーンスフ内に向って略層流で吹出す工うになっ
ている。この反応ガスは、排気口５７．５７から排気さ
れる。また、このゾーンｚ７の加熱手段６７は、このゾ
ーン内にあるウェハ３３の温度をエピタキシャル成長温
度である１８０℃に保つ。

ゾーンｚｇｈ、反応ガスをＮ２ガスでパージすると共に
ウェハ３３の温度を９００℃まで下げる（Ｈｅａｔ　ｄ
ｏｗｎ　）ための部屋で、ガス導入口４８からはＮ２ガ
スが供給され、排気口５８から排気されると共に、加熱
手段６８ハウエバ３３を１１８０℃から所定の温度勾配
で９００℃まで低下させる工うに設定され、かつ制御さ
れる。

ゾーンＺ９は、ゾーンＺ８に続＜　Ｈ２バージの几めの
部屋で、ガス導入口４９からはＮ２ガスが供給され、排
気口５９から排気される。なお、このゾーンＺ９には加
熱手段がないため、ウェハ３３は１−１２ガスによって
冷却され、ここで２００〜３００℃まで温度が下げられ
る。

ゾーンＺＩＯは、ゾーンｚ９内のＮ２ガスが処理室１０
外へ漏れないようにすると共に、空気がゾーンＺ９内へ
流入することを防止するためのＮ２パージ用の部屋であ
り、ガス導入口５０がらＮ２ガスを供給し、排気口６０
から排気する。

以上の工うに各ゾーンＺ１〜ＺＩＯは、エピタキシャル
成長工程の処理条件の変化に対応しており、各ゾーンｚ
１〜Ｚ１０は、それぞれ予じめ設定された種類のガス雰
囲気下に置かれ、かつそれらの流量も処理条件に合わせ
て定められており、かつ加熱手段６３〜６８による加熱
の度合もそれぞれの工程に合わせて定められている。

また、前記の各ゾーンｚ１〜Ｚ１０内における処理時間
（帯留時間ンは、第１表の［時間（比目の欄に示されて
いる。なお、この「時間（比）」の欄の数値の［１」は
、実際には略２分に相当する。

しかして前記各ゾーンＺ１〜ＺＩＯの長さは、前記ｍ１
表の「時間（比）」の欄に記載されている数値に相当す
る数の移動台３１を収容できる工うに定められている〇 次いで本装置の動作について説明する。サセプタ３２を
載置し九移動台３１を、処理室１０の入口ＯＡの前に位
置する搬送手段８１上に移送し、ここで図示省略したオ
ートローダにエリウエノ・カセット１０３内に収納され
ている未処理のウエノ・３３をセブトする。

ウェハ３３を載置した移動台３１すなわち被搬送体３０
は、入口＋ＯＡの可動型シャッタ１８を開き、搬送手段
８１と７１を作動させることにより処理室１０のゾーン
２１内へ送られる０可動型シヤブタ１８はその後直ちに
閉じる。可動型シャッタ１８を開くことにエリゾーンＺ
１内に侵入した空気は、該可動型シャッタ１８が閉じら
れることにエリ、ガス導入口４１から供給されているＮ
２ガスと共に排気口５１から排気され、ゾーン２１内は
再びＮ２ガス雰囲気に戻る。

こうして移動台３！がゾーンＺ１に入ってから所定時間
（第１表の「時間（比］」の欄の数値「１」に相当する
時間】が経過すると、ゾーンＺ１とＺ２の間の可動型シ
ャッタ２１が開くと共に、搬送手段７１．７２が作動し
て移動台３１をゾーンＺ２へ送る。可動型シャッタ２１
が開くことにより、ゾーンＺｌ　、Ｚ２はＮ２ガスとＮ
２ガスとの混合雰囲気となるが、搬送後、可動型シャッ
タ２１を閉じることにより、ゾーンＺ１は可動型シャッ
タ１８を開いた場合と同様に若干後にＮ２ガス雰囲気に
戻り、また、ゾーンＺ２はガス導入口４２からＮ２ガス
が供給され、排気口５２から排気されている几め、若干
後にＮ２ガス雰囲気に戻る。

そこで、再び入口＋ＯＡの可動型シヤツク１８を開き、
次の被搬送体３０をゾーン２１内へ移送する。

ゾーンｚ１からゾーンＺ２に移送され友最初の被搬送体
３０は、移送後、所定時間が経過すると、可動型シャッ
タ２２が開いてゾーンＺ３へ移送される。このゾーンｚ
３はゾーンＺ２と同じＮ２ガス雰囲気であるため、可動
型シャフタ２２を開くことによる雰囲気の変化はない。

このゾーンｚ３に入ったウェハ３３は、加熱手段６３に
１って加熱を開始される。どのゾーンＺ３は、被搬送体
３０を３つ収容する長さに形成されており、被搬送体３
０は、所定時間が経過する毎に、該ゾーン２１内を順次
１つ分ずつ移動する。そこで、ウニ・・３３がゾーン２
１内に置かれる時間は所定時間単位の３倍となり、この
時間を掛けて８５０℃まで加熱される。すなわち加熱手
段６３の出力を制御することにエリ、ウェノＳ３３は所
定の温度勾配で８５０℃まで昇温される〇 なお、最初の被搬送体３０がＩＩ’ｊ次ステププ送りさ
れるに従って、新らたな被搬送体３０が続いて送り込ま
れてくる。この様子を第４因に示す。第４図において、
３０ａ　、３０ｂ　、３０Ｃ＃　３０ｄは順次送り込ま
れる被搬送体を示し、ｔは所定時間単位に相当する時間
であり、Ｓは先行する被搬送体があるゾーンま几はゾー
ン内の所定位置から移送された後、後行する被搬送体が
そのゾーンまたはゾーン内の所定位置に移送されるまで
の待ち時間であり、この待ち時間Ｓは前述したように可
動型シャッタ２１．２２・・・を−時的に開いて閉じた
とき、その前のゾーンの雰囲気が元に戻る友めに必要な
時間りり若干長く定められたものである。この第４因か
ら明らかなように各々の被搬送体３０ａ、３０ｂ、３０
　ｃ。

３０ｄは、それぞれ所定時間を毎に順次ステップ送りさ
れ、各々の被搬送体の移送時間間隔は（を十ｓ）である
。

前記のゾーンＺ３で８５０℃まで加熱されたウェハ３３
は、固定開口２７ａを通ってゾーンＺ４に送られる。こ
のゾーンＺ４に送られたウェハ３３は、所定時間単位の
２倍の時間（２ｔ）ここにとどまり、この間に加熱手段
６４にエリ１２１０℃まで加熱される。

１２１０℃に加熱され友ウェハ３３は可動盤シャ南 フタ２８を用いてゾーンＺ５へ移送される。このゾーン
Ｚ５は、ガス導入口４５からＨＵＬ＋Ｈ２のエツチング
ガスが供給されているので、ここに送られたウェハ３３
の表面をエツチングして清浄化する。ウェハ３３は、加
熱手段６５にエリ１２１０℃に保たれ、所定時間単位の
２倍の時間（２ｔ）ここにとどまつて所足量エブチング
され、次のゾーンＺ６に移送される。

このゾーンＺ６はＮ２ガス雰囲気であり、加熱手段６６
はウェハ３３の温度をエピタキシャル成長温度である１
１８０℃に変化させる。このゾーンＺ６には、ウェハ３
３は所定時間単位に相当する時間（１）だけとどまって
、次のエピタキシャル成長を行なうゾーンＺ７に送られ
る。

このゾーンｚ７にはメツシュ状の噴出口４７ａから反応
ガスが吹出されており、被搬送体３０は前に位置する搬
送手段７７ａと、それに続く中央の搬送手段７７ｂの連
携動作にエラで、中央の搬送手段７７ｂの第２図におい
て右端位置に置かれる。これは、ウェハ３３の表面全域
に対する反応ガスの接触を均一にするためである。中央
の搬送手段７７ｂ上に置かれたウェハ３３は、加熱手段
６７によって１１８０℃に保たれ、反応ガスに工ってエ
ピタキシャル成長が行なわれる。このウニ／Ｓ３３は、
中央の搬送手段７７ｂの間欠的な動作に工うて所定時間
単位の５倍に相当する時間（５ｔ）ここにとどまって所
定厚さのエピタキシャル層が形成され、時間（５ｔ）が
好適すると、中央の搬送手段７７ｂとその後に位置する
搬送手段７７Ｃの連携動作にょうてウェハ３３ｔ−ゾー
ンＺ８へ送る。ゾーンＺ８の加熱手段６８は、ウェハ３
３を所定の温度勾配で降温させるような出力になされ、
時間（２ｔ）が経過する間に９００℃まで降温させる。

また、このゾーンＺ８は可動型シャッタ２４を一時的に
開くことによってゾーンＺ７から漏れてくる反応ガスを
出口１０Ｂ側のゾーンＺ９へ流さないためのｌ（２バー
ジの働きをする。

ゾーンｚ８を出たウェハ３３は、次のゾーンＺ９へ送ら
れる。このゾーンｚ９は力ｎ熱手段を有していない九め
、ウェハ３３等の被搬送体３０はガス導入口４９から供
給されて排気口５９から排気されるＨ２ガスによって冷
却され、次のゾーンＺ１０に移される。

このゾーンＺ１０はＨ２ガスを出口１０Ｂから流出させ
ないためのＮ２バージを行なうと共にウェハ３３などの
被搬送体３０を略常温まで降温させる。このゾーンＺ１
０内のウェハ３３は、可動型シャッタ１９を開くことに
より、出口１０Ｂから処理室１０外の搬送手段８２上に
送られ、ここで図示しないアンローディング装置に１リ
ウエハカセブト　１０４内へ収納される。

この最初のウェハ３３の後には、前述した工うに時間（
ｔ＋ｓ）を置いて次々とウェハ３３がステップ送りされ
つつ処理されているため、処理室１０の出口１０Ｂから
は、時間（ｔ−）−ｓ）を置いてエピタキシャル成長さ
れ九ウェハ３３が次々に送り出される。

ウェハ３３をアンロードし次移動台３１およびサセプタ
３２は、図示しない搬送手段によって処理室１０の入口
１０Ａの前に設けられている搬送手段８１へ戻され、再
び未処理のウェノ・３３を搭載して処理室１０へ送込ま
れる。

１４５図は、本発明の他の実施例の一部を示すもので、
各ゾーンＺ１〜Ｚ１０（ゾーンＺ５以降は図示省略）の
長さを、前述した実施例の２倍にし次ものである。この
実施例で扛、Ｚｌ　、Ｚ３　、Ｚ５．Ｚ９の奇数ゾーン
の前側の可動型シャッタ１ｇ、２２゜１．２５および出
口Ｂの可動型シャッタ１９と、Ｚ２．Ｚ６．Ｚ８．ｚｌ
ｏの偶数ゾーンの前側の可動型シャッタ２　＋　、２３
．２４　、２６との２つのグループに分け、該可動型シ
ャッタをグループ毎にまとめて交互に開閉するようにし
たものである。

本実施例における被搬送体３０の移送は、次の工うに行
なわれる。まず、第１のグループである可動型シャッタ
１８．２２．２８等を開き、入口＋ＯＡからゾーンＺ１
へ、またゾーンｚ２からゾーンＺ３の工うに偶数ゾーン
から奇数ゾーンへ、さらにゾーンＺ１０から出口１０Ｂ
外へ、被搬送体３０が同時に移送される。

次いで前記第１のグループの可動型シャッタ１８等は閉
じられ、各ゾーン２１〜Ｚ１０をそれぞれのガス雰囲気
に戻す。なお、奇数ゾーンへ被搬送体３０を移送してか
ら所定時間単位の’／３に相当する時間（ｔ／３　）経
過すると、第２のグループの可動型シャフタ２１等を開
き、奇数ゾーンＺＺ３などに先に入っていた被搬送体３
０を偶数ゾーンｚ２．ｚ４などへ送込む。このとき偶数
ゾーンは奇数ゾーンから被搬送体３０を１つ受入れるス
ペースが空けられている。また、この移送に工って奇数
ゾーンには被搬送体３０を１つ受入れることのできる空
スペースを生ずる。

前記奇数ゾーンから偶数ゾーンへの移送後、時間（’／
３　）が経過すると、次には再び第１のグループの可動
型シャフタ＋８．２２．２８等が開き、前記と同様に奇
数ゾーンへ被搬送体３０を送込む。

そして、これからさらに時間（’／３　）が経過すなわ
ち今回の前に奇数ゾーンに被搬送体３０が送込まれてか
ら時間（ｔＪが経過すると、第２のグループの可動型シ
ャッタ２１等が開き、奇数ゾーン内の後方の被搬送体３
０を偶数ゾーンへ送込む。

この実施例における被搬送体３０のゾーン間およびゾー
ン内の移送のタイミングチャートを第６図に示す。なお
、同図中のａ、ｂ・・・等は各ゾーン内の位置を示す。

同図から明らかな工うに、この実施例では２１／３時間
毎にウェハ３３が処理室１０へ送込まれ、同時間毎にエ
ピタキシャル成長されたウェハ３３が処理室１０の出口
１０Ｂから送出される。

本実施例は、可動型シャフタ１８等を１つ置きのゾーン
毎に開閉する九め、ゾーン間のガスの移動は隣りのゾー
ンのみに限られ、例えばゾーンＺ２内のＨ２ガスがゾー
ンＺ１を通過して入口＋ＯＡから外部へ漏れたり、これ
とは逆に外部の空気がゾーンＺ２内へ流入したりするこ
とはない。

前述した実施例は、処理室１０を横長に形成した例を示
したが、これに限らず、上下方向へ被搬送体３０を移動
させる工うにしたり、また各ゾーンの配置をジグザグ状
にしたり、または処理室１０を環状として入口＋ＯＡと
出口１０Ｂを隣接させるようにしても工い等、種々変更
可能であり、また各ゾーンの長さおよび移送のタイミン
グは前述した実施例に限らず種々変更し得ることは言う
までもない。また、処理室１０の入口１０Ａ、出口１０
Ｂならびに雰囲気が異なるゾーン間は可動型シャフタＩ
Ｓ等にエリ移送時以外は確実にしゃ断する構造とするこ
とが好ましいが、ガスカーテンなどにエラてしゃ断して
もよい。さらにまた、Ｈ２ガスと空気とのより完全な接
触を避ける几め、処理室１０の入口＋ＯＡと出口１０Ｂ
に接するゾーンＺｌ　、ＺＩＯを可動型シャッタを介し
て二重に配置してもよい。さらにまた、被搬送体３０は
、ゾーン間の雰囲気をしゃ断し易くする之め、ゾーン間
ではステップ送りとするが、ゾーン内では連続送りであ
ってもよい。

さらにまた、エピタキシャル成長を行なうためのゾーン
Ｚ７を前後のゾーンｚ６．ｚ８に対し分岐させて２列設
け、一方がその部分の処理室内を清浄化するためにエツ
チングする場合やメンテナンスを行なう場合に、他方を
使用するようにしてもよい。

さらにまた、処理室１０の出口１０Ｂから出されてウェ
ハ３３をアノロードし、再び処理室１００入口＋ＯＡへ
戻される移動台３１およびサセプタ３２の搬送路の途中
に、これらを清浄化するためのエツチング等を行ない、
さらにはサセプタ３２にＳｉコーティングを行なうため
の処理室を設けておくことが好ましい。

さらにまた、移動台３１およびサセプタ３２を出口１０
Ｂから入口＋ＯＡへ戻す途中に、前記のエツチングを行
なう処理室を設ける場合には、この処理室の前で新たな
ウェハ３３をサセプタ３２上に搬入し、ウェハ３３を同
時にエツチングするようにすれば、前述し次エブチング
のためのゾーンｚ５を省略し、その前後のゾーンｚ４　
、ｚ６を８５０ｔｌ：から１１ｇ０℃まで昇温させるた
めの１つのゾーンとすることができる。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明は、エピタキシャル成長の処理
工程に応じ次ゾーンを配列し、ウェハを少なくともゾー
ン間はステップ送りで移送するようにし几ため、ゾーン
間のガスしゃ断を確実にし易く、かつ各ゾーンの雰囲気
は所定の処理条件に定められている友め処理を迅速かつ
的確に行なうことができ、ま友、ウェハ搬送の時間間隔
が比較的短かいため、前後の工程との連続化を図がり易
く、さらに生産性をエリ高くすることができるなどの効
果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す概要平面断面図、ｍ２
図は第１図のＩｔ−ｌ線断面図、第３図は搬送手段の一
例を示す部分拡大断面図、第４図は第１，２因に示し几
実施例におけるウェハ搬送のタイミングチャート、第５
図は本発明の他の実施例を示す部分概要平面断面図、第
６因は第５図に示し次実施例におけるウニ・・搬送のタ
イミングチャートである。 １０・・・処理室、 Ｚ１〜ＺＩＯ・・・ゾーン、 １ｇ、ｌ’？、２１〜２６　、２８・・・可動型シャッ
タ、２７ａ、２’？ａ・・・固定開口、 ３０・・・被搬送体、　３３・・・フェノ・４１〜５０
・・・ガス導入口、 ５１〜６０・・・排気口、 ６３〜６８・・・加熱手段、 ７１〜８２・・・搬送手段、 ９６・・・磁性流体シール軸受。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、気相成長に必要なガスの種類・流量およびウェハ加
   熱温度等の処理条件が変わる毎に１つのゾーンを形成し
   、これらのゾーンを処理シーケンスに従って順次配列し
   た連続型の処理室と、各ゾーンの処理条件に対応して設
   けられたガスの給排手段および加熱手段と、ウェハを所
   定の搬送単位で所定時間単位を基にしてステップ送りに
   より各ゾーン間を通過させる搬送手段とからなり、前記
   各ゾーンの大きさがそこでの処理時間を前記所定時間単
   位で割った値より大きな整数に相当する数以上のウェハ
   搬送単位を収容可能に定めらていることを特徴とする連
   続型気相成長装置。 ２、処理室の入口と出口が可動型シャッタで閉じられる
   ようになっていることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の連続型気相成長装置。 ３、搬送手段が各ゾーン毎に独立して駆動されるように
   構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１ま
   たは２項記載の連続型気相成長装置。 ４、ゾーン間が可動型シャッタによって仕切られるよう
   に構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第３
   項記載の連続型気相成長装置。 ５、処理室の入口および出口に接するゾーンが可動型シ
   ャッタを介して二重に配置されていることを特徴とする
   特許請求の範囲第４項記載の連続型気相成長装置。