JPH02140976A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH02140976A JPH02140976A JP63295109A JP29510988A JPH02140976A JP H02140976 A JPH02140976 A JP H02140976A JP 63295109 A JP63295109 A JP 63295109A JP 29510988 A JP29510988 A JP 29510988A JP H02140976 A JPH02140976 A JP H02140976A
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- Japan
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- photosensor
- layer
- semiconductor substrate
- electrodes
- smear
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- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に関し、特にスミアを抑制した固
体撮像装置に関する。
体撮像装置に関する。
従来の固体撮像装置は、半導体基板の表面に拡散層を形
成して光ダイオード等の感光部を構成している。またこ
の感光部に隣接する半導体基板の表面上に電極を形成し
、拡散層とで電荷転送部等を構成している。通常、これ
ら電極上には遮光膜を構成し、電荷転送部等を遮光して
いる。
成して光ダイオード等の感光部を構成している。またこ
の感光部に隣接する半導体基板の表面上に電極を形成し
、拡散層とで電荷転送部等を構成している。通常、これ
ら電極上には遮光膜を構成し、電荷転送部等を遮光して
いる。
上述した従来の固体撮像装置では、半導体基板の表面が
そのまま感光部の表面となる一方、遮光部には半導体基
板の表面上に形成した電極が存在している。このため、
感光部の表面は相対的に凹形とされ、本来感光部に入射
されない光が遮光部の側面で反射されて感光部に入射さ
れることがあり、感光部で過剰の電荷が発生してスミア
が発生するという問題がある。
そのまま感光部の表面となる一方、遮光部には半導体基
板の表面上に形成した電極が存在している。このため、
感光部の表面は相対的に凹形とされ、本来感光部に入射
されない光が遮光部の側面で反射されて感光部に入射さ
れることがあり、感光部で過剰の電荷が発生してスミア
が発生するという問題がある。
本発明はこのようなスミアの発生を防止した固体撮像装
置を提供することを目的とする。
置を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像装置は、半導体基板に形成した感光部
に、少なくとも遮光部の半導体基板上に設けた各種電極
よりもその表面位置が高くなるようにシリコン層を選択
エピタキシャル成長している。
に、少なくとも遮光部の半導体基板上に設けた各種電極
よりもその表面位置が高くなるようにシリコン層を選択
エピタキシャル成長している。
上述した構成では、感光部は平坦又は凸形に構成され、
周囲からの反射光が感光部に入射することを防止し、こ
の反射光が原因とされるスミアの発生を抑制する。
周囲からの反射光が感光部に入射することを防止し、こ
の反射光が原因とされるスミアの発生を抑制する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１実施例の縦断面図である。
Ｐ型半導体基板１の主表面にはＰ型拡散層３． Ｎ型拡
散層４を形成し、この上にシリコン酸化膜５゜及び多結
晶シリコンからなる各種電極６を形成して電荷転送部等
を構成している。この電極６の上にはアルミニウムから
なる遮光板７を形成し、遮光部を構成している。
散層４を形成し、この上にシリコン酸化膜５゜及び多結
晶シリコンからなる各種電極６を形成して電荷転送部等
を構成している。この電極６の上にはアルミニウムから
なる遮光板７を形成し、遮光部を構成している。
一方、感光部では、前記半導体基板１の主表面上に、選
択エピタキシャル成長法によりＮ型のエピタキシャルシ
リコン層２を形成し、このＮ型エピタキシャル９９３７
層２にＰ型半導体基ｖｉ１の接合により光電変換部を構
成している。そして、このＮ型エピタキシャル９９３７
層２は、前記各種電極６と略同−高さに達する厚さに形
成している。
択エピタキシャル成長法によりＮ型のエピタキシャルシ
リコン層２を形成し、このＮ型エピタキシャル９９３７
層２にＰ型半導体基ｖｉ１の接合により光電変換部を構
成している。そして、このＮ型エピタキシャル９９３７
層２は、前記各種電極６と略同−高さに達する厚さに形
成している。
この構成によれば、感光部の表面はＮ型エピタキシャル
シリコンＮ２の表面となり、遮光部の各種電極６の上面
と略同−高さとなる。このため、感光部が相対的に凹形
になることはなく、周囲の各種電極６等からの反射光が
感光部に入射されることが防止され、スミアの改善を図
り、かつその発生を防止する。
シリコンＮ２の表面となり、遮光部の各種電極６の上面
と略同−高さとなる。このため、感光部が相対的に凹形
になることはなく、周囲の各種電極６等からの反射光が
感光部に入射されることが防止され、スミアの改善を図
り、かつその発生を防止する。
第２図は本発明の第２実施例の縦断面図である。
図において、第１図と同一部分には同一符号を付しであ
る。ここでは、感光部を構成するＮ型エピタキシャル９
９３７層２′の高さを、各種電極６よりも高く形成し、
感光部を凸形に形成している。
る。ここでは、感光部を構成するＮ型エピタキシャル９
９３７層２′の高さを、各種電極６よりも高く形成し、
感光部を凸形に形成している。
この実施例においても、周囲からの反射光が感光部に入
射されることはなく、スミアの改善を図り、かつその発
生を防止することができる。
射されることはなく、スミアの改善を図り、かつその発
生を防止することができる。
以上説明したように本発明は、少なくとも遮光部に設け
た各種電極よりもその表面位置が高いシリコン暦を選択
エピタキシャル成長して感光部を構成しているので、感
光部は遮光部に対して平坦又は凸形に構成され、周囲か
らの反射光が感光部に入射することを防止し、この反射
光が原因とされるスミアの発生を抑制することができる
効果がある。
た各種電極よりもその表面位置が高いシリコン暦を選択
エピタキシャル成長して感光部を構成しているので、感
光部は遮光部に対して平坦又は凸形に構成され、周囲か
らの反射光が感光部に入射することを防止し、この反射
光が原因とされるスミアの発生を抑制することができる
効果がある。
第１図は本発明の第１実施例の縦断面図、第２図は本発
明の第２実施例の縦断面図である。 １・・・Ｐ形半導体基板、２・・・Ｎ形エピタキシャル
シリコン層、３・・・Ｐ型拡散層、４・・・Ｎ型拡散層
、５・・・シリコン酸化膜、６・・・電極、７・・・遮
光板。 第２図
明の第２実施例の縦断面図である。 １・・・Ｐ形半導体基板、２・・・Ｎ形エピタキシャル
シリコン層、３・・・Ｐ型拡散層、４・・・Ｎ型拡散層
、５・・・シリコン酸化膜、６・・・電極、７・・・遮
光板。 第２図
Claims (1)
- １、半導体基板に光電変換部からなる感光部と、電荷転
送部等を含む遮光部とを配列形成してなる固体撮像装置
において、前記感光部には、少なくとも遮光部の半導体
基板上に設けた各種電極よりもその表面位置が高くされ
たシリコン層を選択エピタキシャル成長したことを特徴
とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63295109A JPH02140976A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63295109A JPH02140976A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140976A true JPH02140976A (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=17816411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63295109A Pending JPH02140976A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02140976A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04162476A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-05 | Nec Yamagata Ltd | 固体撮像素子 |
| JP2002329858A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP2006294781A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| US7595214B2 (en) | 2003-04-02 | 2009-09-29 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device and manufacturing method for the same |
| US20160126276A1 (en) * | 2013-06-27 | 2016-05-05 | Sony Corporation | Solid-state imaging element, method of manufacturing the same, and imaging device |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP63295109A patent/JPH02140976A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04162476A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-05 | Nec Yamagata Ltd | 固体撮像素子 |
| JP2002329858A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| US7595214B2 (en) | 2003-04-02 | 2009-09-29 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device and manufacturing method for the same |
| JP2006294781A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| US20160126276A1 (en) * | 2013-06-27 | 2016-05-05 | Sony Corporation | Solid-state imaging element, method of manufacturing the same, and imaging device |
| US9590003B2 (en) * | 2013-06-27 | 2017-03-07 | Sony Corporation | Solid-state imaging element, method of manufacturing the same, and imaging device |
| US10002902B2 (en) | 2013-06-27 | 2018-06-19 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging element, method of manufacturing the same, and imaging device for reducing thickness of photoelectric conversion film |
| US10276624B2 (en) | 2013-06-27 | 2019-04-30 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging element, method of manufacturing the same, and imaging device |
| US20190252452A1 (en) * | 2013-06-27 | 2019-08-15 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging element, method of manufacturing the same, and imaging device |
| US10593721B2 (en) | 2013-06-27 | 2020-03-17 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging element, method of manufacturing the same, and imaging device |
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