JPH02143601A - 高周波用１／２分周器 - Google Patents
高周波用１／２分周器Info
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- JPH02143601A JPH02143601A JP1247837A JP24783789A JPH02143601A JP H02143601 A JPH02143601 A JP H02143601A JP 1247837 A JP1247837 A JP 1247837A JP 24783789 A JP24783789 A JP 24783789A JP H02143601 A JPH02143601 A JP H02143601A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
- H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0092—Measures to linearise or reduce distortion of oscillator characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超高周波分野で使用するための１／２分周器
に係わる。
に係わる。
マイクロ波で使用し得る分周器については、論理分周器
及びアナログ分周器が知られている。
及びアナログ分周器が知られている。
一般にヒ化ガリウム又はケイ素のモノリシック構成部材
を使用する高速論理分周器は、価格が高く、供給電圧に
感応し、且つ無視し得ないような温度偏差を示すという
欠点を有する。
を使用する高速論理分周器は、価格が高く、供給電圧に
感応し、且つ無視し得ないような温度偏差を示すという
欠点を有する。
可変容量ダイオード又は高速切替ダイオードを用いるア
ナログ分周器は、通常３０ミリワツトを越える比較的大
きい入力を必要とし、適用バンド幅がかなり狭く、また
入力レベルの変化がかなり制限されるために入力ダイナ
ミックがないという欠点を有する。この種の分周器は更
に、固有のゲージング内に配置しなければならない。
ナログ分周器は、通常３０ミリワツトを越える比較的大
きい入力を必要とし、適用バンド幅がかなり狭く、また
入力レベルの変化がかなり制限されるために入力ダイナ
ミックがないという欠点を有する。この種の分周器は更
に、固有のゲージング内に配置しなければならない。
場合によっては、同期低調波発振器を使用することもで
きるが、自由周波数の出力信号が常に存在するため、該
発振器を挿入した装置の正常な機能が損なわれることが
ある。
きるが、自由周波数の出力信号が常に存在するため、該
発振器を挿入した装置の正常な機能が損なわれることが
ある。
本発明の目的はこれらの欠点を解消することにある。そ
のために本発明は、アナログ形の超高周波用１７２分周
器を提供する。この分周器は、特性の非直線部分に機能
点（ｐｏｉｎｔ ｄｅ ｆｏｎｃｔｉｏｎｎｅ＋ｎｅｎ
ｔ）が存在するように増幅器に組込まれたトランジスタ
を含む。このトランジスタのくベース又はゲートの）入
力回路は２つのマイクロストリップ形コイル（ｓｅｌｆ
Ａ ｒｕｂａｎ）を含み、第１コイルが超高周波信号
の入力端子と該トランジスタのベース又はゲ−ｌ−（制
御電極）との間に直列に配置され、第２の可調整コイル
が前記入力端子とアースとの間に並列に接続されている
。第１コイルは、該トランジスタの制御電極と出力電極
との間の寄生容量（ｃａｐａｃｉｔ６ ｐａｒａｓｉｔ
ｅ）と協働して、入力周波数の半分の周波数に合わせて
調整される濾波周波数を有する帰還ループ（ｂｏｕｃｌ
ｅ ｄｅ ｒｅｔｏｕｒ）を規定するように構成されて
いる。第２コイルは、前記帰還ループによって再導入さ
れた信号の位相が、この再導入信号を入力信号から差し
引いたような位相になるように調整される。
のために本発明は、アナログ形の超高周波用１７２分周
器を提供する。この分周器は、特性の非直線部分に機能
点（ｐｏｉｎｔ ｄｅ ｆｏｎｃｔｉｏｎｎｅ＋ｎｅｎ
ｔ）が存在するように増幅器に組込まれたトランジスタ
を含む。このトランジスタのくベース又はゲートの）入
力回路は２つのマイクロストリップ形コイル（ｓｅｌｆ
Ａ ｒｕｂａｎ）を含み、第１コイルが超高周波信号
の入力端子と該トランジスタのベース又はゲ−ｌ−（制
御電極）との間に直列に配置され、第２の可調整コイル
が前記入力端子とアースとの間に並列に接続されている
。第１コイルは、該トランジスタの制御電極と出力電極
との間の寄生容量（ｃａｐａｃｉｔ６ ｐａｒａｓｉｔ
ｅ）と協働して、入力周波数の半分の周波数に合わせて
調整される濾波周波数を有する帰還ループ（ｂｏｕｃｌ
ｅ ｄｅ ｒｅｔｏｕｒ）を規定するように構成されて
いる。第２コイルは、前記帰還ループによって再導入さ
れた信号の位相が、この再導入信号を入力信号から差し
引いたような位相になるように調整される。
また、有利には、前記トランジスタの出力回路内に出力
適合フィルタを配置する。このフィルタは入力信号の１
７２の周波数に合わせて調整される。
適合フィルタを配置する。このフィルタは入力信号の１
７２の周波数に合わせて調整される。
この出力フィルタは、前記１７２周波数に対して調心さ
れ且つ約１オクターブをカバーし得るバンド幅を有する
バンドフィルタが有利である。このフィルタは好ましく
は、トランジスタの出力電極とアースとの間に接続され
た容量と、マイクロストリップ形態の２つのコイルとで
構成され、 第１コイルが前記出力電極と当該分周器の超高周波出力
端子との間に接続され、 第２コイルが前記出力端子とアースとの間に接続される
。
れ且つ約１オクターブをカバーし得るバンド幅を有する
バンドフィルタが有利である。このフィルタは好ましく
は、トランジスタの出力電極とアースとの間に接続され
た容量と、マイクロストリップ形態の２つのコイルとで
構成され、 第１コイルが前記出力電極と当該分周器の超高周波出力
端子との間に接続され、 第２コイルが前記出力端子とアースとの間に接続される
。
本発明の利点及び特徴をより明らかにすべく、以下、添
付図面に基づき非限定的具体例を挙げて本発明をより詳
細に説明する。
付図面に基づき非限定的具体例を挙げて本発明をより詳
細に説明する。
第１図は、本発明の実施に使用される一般的原理を有す
る公知の１７２分周器を簡略ブロック図で示している。
る公知の１７２分周器を簡略ブロック図で示している。
この図の符号１は、入力信号の１７２の周波数に合わせ
て調整されたフィルタを含む高利得増幅器である。この
増幅器は、加算器２を介して周波数ｒｅの入力信号（入
力端子３）を受容する。この増幅器１の出力信号は分周
器の出力端子５に与えられる。
て調整されたフィルタを含む高利得増幅器である。この
増幅器は、加算器２を介して周波数ｒｅの入力信号（入
力端子３）を受容する。この増幅器１の出力信号は分周
器の出力端子５に与えられる。
増幅器１の出力には結合器６も接続されている。
この結合器は、周波数ｒｅ／２に合わせて調整される極
めて選択的なフィルタと可調整移相回路とを兼ねた回路
７を含む帰還ループの入力を構成する。
めて選択的なフィルタと可調整移相回路とを兼ねた回路
７を含む帰還ループの入力を構成する。
従って、回路７の出力には周波数ｒｅ／２の信号が得ら
れ、この信号は値πに調整された移相をもつて加算器２
に送られる。
れ、この信号は値πに調整された移相をもつて加算器２
に送られる。
この回路は帰還ループ形分周器を構成し、この回路の公
知の一最的原理が、第２図に示す本発明の超高周波分周
器で使用される。
知の一最的原理が、第２図に示す本発明の超高周波分周
器で使用される。
第２図の回路は、例えばＮＥ ６４５３５というレファ
レンスで市販されているような一般的な超高周波形バイ
ポーラトランジスタ８を含む。このトランジスタ８は共
通エミッタに組込まれている。このトランジスタはコレ
クターベース間に寄生容、１９を有し、この容量の値は
入力端子３に与えられる周波数ｒｅの超高周波入力信号
の瞬間的振幅に応じて変化する。
レンスで市販されているような一般的な超高周波形バイ
ポーラトランジスタ８を含む。このトランジスタ８は共
通エミッタに組込まれている。このトランジスタはコレ
クターベース間に寄生容、１９を有し、この容量の値は
入力端子３に与えられる周波数ｒｅの超高周波入力信号
の瞬間的振幅に応じて変化する。
トランジスタ８の端子３とベース１０との間には、マイ
クロストリップからなる第１コイル１１が接続されてお
り、このコイルが容量９と協働して、１７２周波周波数
／２に合わせて調整される選択的帰還ループフィルタを
構成する。やはりマイクロストリップからなる第２コイ
ル１２は端子３とアースとの間に接続される。このコイ
ル１２は第１図の回路の場合と同様に、帰還信号の位相
をπに等しくなるように調整する役割を果たす。トラン
ジスタ８には、機能点がベース−エミッタ特性１．（ベ
ース電流）、Ｖ、、（ベース−エミッタ電圧）の非直線
（放物線）部分に存在するようにバイアスを与えてチャ
ージする。
クロストリップからなる第１コイル１１が接続されてお
り、このコイルが容量９と協働して、１７２周波周波数
／２に合わせて調整される選択的帰還ループフィルタを
構成する。やはりマイクロストリップからなる第２コイ
ル１２は端子３とアースとの間に接続される。このコイ
ル１２は第１図の回路の場合と同様に、帰還信号の位相
をπに等しくなるように調整する役割を果たす。トラン
ジスタ８には、機能点がベース−エミッタ特性１．（ベ
ース電流）、Ｖ、、（ベース−エミッタ電圧）の非直線
（放物線）部分に存在するようにバイアスを与えてチャ
ージする。
従って、該トランジスタの出力には、周波数ｆｅ＋ｆｅ
／２及びｆｅ４ｅ／２の２つの相互変調積が得られる。
／２及びｆｅ４ｅ／２の２つの相互変調積が得られる。
これらの積は、寄生容量９とコイル１１とで構成された
可調整フィルタを介して、トランジスタ８からなる高利
得増幅器の入力３に送られる。前記フィルタは通過周波
数がｒｅ／Ｚに合わせて調整されるためこの成分しか通
さず、従って帰還位相はコイル１２の調整によりπに調
整される。この極めて簡単な構造の回路は、回路６及び
７が反応素子９．１１．１２に代えられただけで、第１
図とほぼ同じ原理を使用している。
可調整フィルタを介して、トランジスタ８からなる高利
得増幅器の入力３に送られる。前記フィルタは通過周波
数がｒｅ／Ｚに合わせて調整されるためこの成分しか通
さず、従って帰還位相はコイル１２の調整によりπに調
整される。この極めて簡単な構造の回路は、回路６及び
７が反応素子９．１１．１２に代えられただけで、第１
図とほぼ同じ原理を使用している。
最終的には周波数ｒｅ／２の信号がトランジスタ８の出
力端子１３に現れる。出力５にこの周波数ｆｅ／２の信
号だけが得られるようにするためには、端子１３と端子
５との間に、ｒｅ／２に合わせて調心したフィルタ４を
挿入する。このフィルタ４は、１−ランジスタ８のコレ
クタとアースとの間に接続された、直接成分の形態を有
する容量１４と、マイクロストリップからなる２つのコ
イル１５及び１６とを含み、コイル１５が端子１３と端
子５との間に接続され、コイル１６が端子５とアースと
の間に配置される。
力端子１３に現れる。出力５にこの周波数ｆｅ／２の信
号だけが得られるようにするためには、端子１３と端子
５との間に、ｒｅ／２に合わせて調心したフィルタ４を
挿入する。このフィルタ４は、１−ランジスタ８のコレ
クタとアースとの間に接続された、直接成分の形態を有
する容量１４と、マイクロストリップからなる２つのコ
イル１５及び１６とを含み、コイル１５が端子１３と端
子５との間に接続され、コイル１６が端子５とアースと
の間に配置される。
フィルタ４は、周波数ｆｅ／２に合わせて調心されてい
るにも拘わらす１オクターブをカバーすることができる
バンド幅を有するように設計されたバンドフィルタが有
利である。
るにも拘わらす１オクターブをカバーすることができる
バンド幅を有するように設計されたバンドフィルタが有
利である。
第３図は、はぼＳ形のマイクロストリップからなる線１
７を１つ用いて２つの入力コイル１１及び１２を形成す
る方法を示している。
７を１つ用いて２つの入力コイル１１及び１２を形成す
る方法を示している。
コイル１１はＳの上方水平分岐部からなり、コイル１２
は残りのＳ部分で構成される。コイル１２の値は（πに
等しい移相を得るべく）、銀レーキを用いて形成した短
絡線１８を介して調整される。
は残りのＳ部分で構成される。コイル１２の値は（πに
等しい移相を得るべく）、銀レーキを用いて形成した短
絡線１８を介して調整される。
勿論、本発明は以上説明してきた具体例には限定されず
、例えば制御用補助トランジスタ、電流ミラーによる機
能点の調整を用いて実施することもできる。このように
すれば、−３０°Ｃ〜＋６０℃の温度範囲で正確な機能
が得られる。本発明の分周器は電界効果トランジスタを
用いて形成することもでき、その場合はトランジスタ８
のベースがＦＥＴトランジスタのゲー１〜になり、トラ
ンジスタ８のエミッタ及びコレクタが夫々ＦＥＴトラン
ジスタのソース及びドレインになる。
、例えば制御用補助トランジスタ、電流ミラーによる機
能点の調整を用いて実施することもできる。このように
すれば、−３０°Ｃ〜＋６０℃の温度範囲で正確な機能
が得られる。本発明の分周器は電界効果トランジスタを
用いて形成することもでき、その場合はトランジスタ８
のベースがＦＥＴトランジスタのゲー１〜になり、トラ
ンジスタ８のエミッタ及びコレクタが夫々ＦＥＴトラン
ジスタのソース及びドレインになる。
第１図は本発明の分周器で使用される原理の簡略説明図
、第２図は本発明の分周器の簡略電気図、第３図は本発
明の分周器で使用されるトランジスタの入力回路内に配
置される２つのコイルの形成法及び調整法を示す説明図
である。 ４・・・ ・・・出力適合フィルタ、 ８・・・ ・・・トランジスタ、 １１．１２・・・ コイル。 ：ｆ−讐人 フルカフ少・Ｊメ・へ°−
、第２図は本発明の分周器の簡略電気図、第３図は本発
明の分周器で使用されるトランジスタの入力回路内に配
置される２つのコイルの形成法及び調整法を示す説明図
である。 ４・・・ ・・・出力適合フィルタ、 ８・・・ ・・・トランジスタ、 １１．１２・・・ コイル。 ：ｆ−讐人 フルカフ少・Ｊメ・へ°−
Claims (5)
- （１）超高周波用の１／２分周器であって、特性の非直
線部分に機能点が存在するように増幅器に組込まれたト
ランジスタを含み、このトランジスタ（ベース又はゲー
ト）の制御回路が２つのマイクロストリップ形コイルを
有し、第１コイルが超高周波信号の入力端子と該トラン
ジスタの制御電極（ベース又はゲート）との間に直列に
配置され、第２コイルが可調整であって前記入力端子と
アースとの間に並列に接続されており、第１コイルが、
該トランジスタの制御電極と出力電極との間の寄生容量
と協働して、入力周波数の半分の周波数に合わせて調整
される濾波周波数を有する帰還ループを規定するように
構成されており、第２コイルが前記帰還ループによって
再導入された信号の位相が、この再導入信号を入力信号
から差し引いたような位相になるように調整されること
を特徴とする高周波用１／２分周器。 - （２）２つのコイルがほぼＳ形のマイクロストリップか
らなる１つの線によって形成されることを特徴とする請
求項１に記載の分周器。 - （３）入力信号の１／２の周波数に合わせて調整される
出力適合フィルタも含むことを特徴とする請求項１又は
２に記載の分周器。 - （４）出力適合フィルタが約１オクターブをカバーでき
るようなバンド幅を有することを特徴とする請求項３に
記載の分周器。 - （５）出力適合フィルタがトランジスタの出力電極とア
ースとの間に接続された容量とマイクロストリップ形態
の２つのコイルとで構成され、第１コイルが前記出力電
極と当該分周器の超高周波出力端子との間に接続され、 第２コイルが前記出力端子とアースとの間に接続されて
いることを特徴とする請求項３又は４に記載の分周器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8812383 | 1988-09-22 | ||
| FR8812383A FR2636792A1 (fr) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | Diviseur de frequence pour micro-ondes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02143601A true JPH02143601A (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=9370263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1247837A Pending JPH02143601A (ja) | 1988-09-22 | 1989-09-22 | 高周波用１／２分周器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4968959A (ja) |
| EP (1) | EP0361295B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02143601A (ja) |
| DE (1) | DE68911451D1 (ja) |
| FR (1) | FR2636792A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5461353A (en) * | 1994-08-30 | 1995-10-24 | Motorola, Inc. | Printed circuit board inductor |
| CN114337705A (zh) * | 2022-02-11 | 2022-04-12 | 成都阶跃时进科技有限公司 | 一种互调干扰抑制电路和电子器件 |
| US12542356B2 (en) * | 2022-03-25 | 2026-02-03 | Intel Corporation | Low radiation high symmetry inductor |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2937994A1 (de) * | 1979-09-20 | 1981-04-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Frequenzteiler |
| US4631500A (en) * | 1984-04-24 | 1986-12-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Microwave frequency divider having regenerative oscillation |
| FR2612018B1 (fr) * | 1987-03-06 | 1989-05-26 | Labo Electronique Physique | Melangeur hyperfrequences |
-
1988
- 1988-09-22 FR FR8812383A patent/FR2636792A1/fr not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-09-20 DE DE89117372T patent/DE68911451D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-20 EP EP89117372A patent/EP0361295B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-21 US US07/410,326 patent/US4968959A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-22 JP JP1247837A patent/JPH02143601A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0361295A1 (fr) | 1990-04-04 |
| EP0361295B1 (fr) | 1993-12-15 |
| DE68911451D1 (de) | 1994-01-27 |
| US4968959A (en) | 1990-11-06 |
| FR2636792A1 (fr) | 1990-03-23 |
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