JPH02144200U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02144200U JPH02144200U JP5226489U JP5226489U JPH02144200U JP H02144200 U JPH02144200 U JP H02144200U JP 5226489 U JP5226489 U JP 5226489U JP 5226489 U JP5226489 U JP 5226489U JP H02144200 U JPH02144200 U JP H02144200U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
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- storage area
- ultraviolet rays
- write count
- memory device
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の一実施例に係る半導体記憶装
置の斜視図、第２図は第１図の−断面図、第
３図は情報記憶セルの構造を示す縦断面部分図、
第４図は書き込み回数記憶セルの構造を示す縦断
面部分図、第５図は半導体素子のメモリマツプの
概略図である。 １……半導体記憶装置、１０……情報記憶セル
、２０……書き込み回数記憶セル、１８……紫外
線遮蔽膜。
置の斜視図、第２図は第１図の−断面図、第
３図は情報記憶セルの構造を示す縦断面部分図、
第４図は書き込み回数記憶セルの構造を示す縦断
面部分図、第５図は半導体素子のメモリマツプの
概略図である。 １……半導体記憶装置、１０……情報記憶セル
、２０……書き込み回数記憶セル、１８……紫外
線遮蔽膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 紫外線の照射により記憶された情報が消去され
得る半導体記憶装置であつて 書き込まれた情報を記憶し、前記紫外線の照射
によつてその情報が消去される情報記憶領域と、 情報の書き込み回数を記憶する書き込み回数記
憶領域と、 前記書き込み回数記憶領域を前記紫外線に対し
遮蔽する遮蔽部と、 を備えた半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5226489U JPH02144200U (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5226489U JPH02144200U (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02144200U true JPH02144200U (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=31572422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5226489U Pending JPH02144200U (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02144200U (ja) |
-
1989
- 1989-05-02 JP JP5226489U patent/JPH02144200U/ja active Pending
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