JPH02144536A - 露光用レチクル - Google Patents
露光用レチクルInfo
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- JPH02144536A JPH02144536A JP63298556A JP29855688A JPH02144536A JP H02144536 A JPH02144536 A JP H02144536A JP 63298556 A JP63298556 A JP 63298556A JP 29855688 A JP29855688 A JP 29855688A JP H02144536 A JPH02144536 A JP H02144536A
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- reticule
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- film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置等の製造に用いられる露光用レチク
ルに関する。
ルに関する。
半導体の微細パターン化に従ってウェハーにパターンを
焼イ１ける露光機は、コンタクトアライナ−、ミラープ
ロジェクションアライナ−等からステッパーへ変ってき
ている。ステッパーではウェハー上のパターンサイズの
５〜１０倍のパターンサイズを有する露光用レチクル（
以下単にレチクルという）を使用する。レチクルはソー
ダガラスや石英ガラス等の透明ガラス基板とこの上に形
成された厚さ７００人のクロムと厚さ３００人の酸化ク
ロムからなる二層膜のパターンから主に構成されている
。
焼イ１ける露光機は、コンタクトアライナ−、ミラープ
ロジェクションアライナ−等からステッパーへ変ってき
ている。ステッパーではウェハー上のパターンサイズの
５〜１０倍のパターンサイズを有する露光用レチクル（
以下単にレチクルという）を使用する。レチクルはソー
ダガラスや石英ガラス等の透明ガラス基板とこの上に形
成された厚さ７００人のクロムと厚さ３００人の酸化ク
ロムからなる二層膜のパターンから主に構成されている
。
上述したレチクルはウェハーと非接触であるので、ウェ
ハーに密着させて使用するコンタクトアライナ−用のフ
ォトマスクに比べて寿命が長い。
ハーに密着させて使用するコンタクトアライナ−用のフ
ォトマスクに比べて寿命が長い。
しかしながら、ステッパーにセットする時はレチクル上
のごみや汚れが皆無でなくてはならないので、レチクル
の洗浄は熱硫酸、熱硝酸、クロム混酸等の強力な酸やブ
ラシ洗浄が用いられる。洗浄されたレチクルはレーザー
光による検査でごみや汚れが無くなっていることが確認
できてから使用される。
のごみや汚れが皆無でなくてはならないので、レチクル
の洗浄は熱硫酸、熱硝酸、クロム混酸等の強力な酸やブ
ラシ洗浄が用いられる。洗浄されたレチクルはレーザー
光による検査でごみや汚れが無くなっていることが確認
できてから使用される。
このレチクルは該当する半導体が生産されなくなるまで
何度でも使用され、洗浄もその度毎にごみや汚れが完全
に除去されるまで行なわれるので洗浄によるダメージが
蓄積される０例えば熱硫酸洗浄では１回の洗浄で酸化ク
ロムが５〜２０人エツチングされるが、洗浄を繰返して
いくと酸化クロム膜が無くなってクロム膜だけのレチク
ルとなってしまう、クロム膜は一般に、酸化クロム膜に
比べて酸に弱く、５〜１０倍のレートでエツチングされ
る。そのためクロム膜だけとなったレチクルは、パター
ンにピンホール等の欠陥が発生しやすくなり、寿命が短
くなるという欠点がある。
何度でも使用され、洗浄もその度毎にごみや汚れが完全
に除去されるまで行なわれるので洗浄によるダメージが
蓄積される０例えば熱硫酸洗浄では１回の洗浄で酸化ク
ロムが５〜２０人エツチングされるが、洗浄を繰返して
いくと酸化クロム膜が無くなってクロム膜だけのレチク
ルとなってしまう、クロム膜は一般に、酸化クロム膜に
比べて酸に弱く、５〜１０倍のレートでエツチングされ
る。そのためクロム膜だけとなったレチクルは、パター
ンにピンホール等の欠陥が発生しやすくなり、寿命が短
くなるという欠点がある。
本発明の露光用レチクルは、透明基板と、該透明基板上
に順次形成された少くとも金属膜と耐酸性の金属酸化膜
とからなるパターンとを含んで構成される。
に順次形成された少くとも金属膜と耐酸性の金属酸化膜
とからなるパターンとを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
第１図いおいてレチクルは、透明ガラス基板１上に順次
設けられた、クロム膜２と酸化クロム膜３とＷＯ３［４
とからなるパターンとから構成されている。このパター
ンの形成は、例えばＷＯ８膜４をＡ「ガスを用いるＲＩ
Ｅ法で、そして酸化クロム膜３とクロム膜２はＣＣｅ４
ガスを用いるＲＩＥ法でエツチングすることにより形成
できる。
設けられた、クロム膜２と酸化クロム膜３とＷＯ３［４
とからなるパターンとから構成されている。このパター
ンの形成は、例えばＷＯ８膜４をＡ「ガスを用いるＲＩ
Ｅ法で、そして酸化クロム膜３とクロム膜２はＣＣｅ４
ガスを用いるＲＩＥ法でエツチングすることにより形成
できる。
このように構成された本実施例によれば、パターンの表
面が耐酸性のＷＯ３膜４により覆われているため、レチ
クルを熱硫酸等で洗浄してもほとんどエツチングされる
ことはない、従って、レチクルの寿命は長くなる。
面が耐酸性のＷＯ３膜４により覆われているため、レチ
クルを熱硫酸等で洗浄してもほとんどエツチングされる
ことはない、従って、レチクルの寿命は長くなる。
第２図は本発明のレチクルの他の製造方法を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、従来の製造方法と同
様に透明ガラス基板１上にクロム膜２と酸化クロム膜３
からなるパターンを形成する０次で全面にネガタ、イブ
のフォトレジスト膜５を塗布する。
様に透明ガラス基板１上にクロム膜２と酸化クロム膜３
からなるパターンを形成する０次で全面にネガタ、イブ
のフォトレジスト膜５を塗布する。
次に第２図（ｂ）に示すように、裏面より紫外光を照射
し現像する。
し現像する。
次に第２図（ｃ）に示すように、耐酸性の高い高融点金
属の酸化物、例えばＷＯ，を蒸着する。以下、リフトオ
フによってフォトレジスト膜５を除去すると第１９図に
示したように、酸化クロムパターン上に耐酸性の極めて
高いＷＯ３膜４によるパターンが形成される。
属の酸化物、例えばＷＯ，を蒸着する。以下、リフトオ
フによってフォトレジスト膜５を除去すると第１９図に
示したように、酸化クロムパターン上に耐酸性の極めて
高いＷＯ３膜４によるパターンが形成される。
製造期間が長期に亘る半導体に用いられ、使用頻度が高
いと予想される従来のレチクルについても、酸化クロム
膜が消失する前に上記方法により、酸化クロムより耐酸
性の高い高融点金属の酸化物をあらかじめ蒸着しておけ
ば、レチクルが長期間の洗浄、使用に耐えられ、る。
いと予想される従来のレチクルについても、酸化クロム
膜が消失する前に上記方法により、酸化クロムより耐酸
性の高い高融点金属の酸化物をあらかじめ蒸着しておけ
ば、レチクルが長期間の洗浄、使用に耐えられ、る。
尚、上記実施例においては耐酸性の金属酸化膜として％
ｌＯ，を用いた場合について説明したが、タンタルやモ
リブデン等の酸化物を用いてもよい。
ｌＯ，を用いた場合について説明したが、タンタルやモ
リブデン等の酸化物を用いてもよい。
以上説明したように本発明は、露光用レチクルを透明基
板と、この透明基板上に順次形成された少くとも金属膜
と耐酸性の金属酸化膜とからなるパターンとで構成する
ことにより、酸溶液洗浄によるエツチングが少くなるた
め、露光用レチクルの特命を長くできるという効果があ
る。
板と、この透明基板上に順次形成された少くとも金属膜
と耐酸性の金属酸化膜とからなるパターンとで構成する
ことにより、酸溶液洗浄によるエツチングが少くなるた
め、露光用レチクルの特命を長くできるという効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は本発
明の実施例の他の製造方法を説明するだめの断面図であ
る。 １・・・透明ガラス基板、２・・・クロム膜、３，４・
・・酸化クロム膜、４・・・ＷＯ３膜、５・・・フ才ト
レジスｌ〜Ａ９
明の実施例の他の製造方法を説明するだめの断面図であ
る。 １・・・透明ガラス基板、２・・・クロム膜、３，４・
・・酸化クロム膜、４・・・ＷＯ３膜、５・・・フ才ト
レジスｌ〜Ａ９
Claims (1)
- 透明基板と、該透明基板上に順次形成された少くとも金
属膜と耐酸性の金属酸化膜とからなるパターンとを含む
ことを特徴とする露光用レチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63298556A JPH02144536A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 露光用レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63298556A JPH02144536A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 露光用レチクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02144536A true JPH02144536A (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=17861267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63298556A Pending JPH02144536A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 露光用レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02144536A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06175355A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-06-24 | Shashin Kagaku:Kk | 露光マスク等用の素材 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP63298556A patent/JPH02144536A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06175355A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-06-24 | Shashin Kagaku:Kk | 露光マスク等用の素材 |
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