JPH02149485A - Production of ceramic substrate - Google Patents
Production of ceramic substrateInfo
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- JPH02149485A JPH02149485A JP30202688A JP30202688A JPH02149485A JP H02149485 A JPH02149485 A JP H02149485A JP 30202688 A JP30202688 A JP 30202688A JP 30202688 A JP30202688 A JP 30202688A JP H02149485 A JPH02149485 A JP H02149485A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5116—Ag or Au
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、熱伝導性に優れかつその表面に導体が設けら
れ、その導体が高い接合強度をもって接合されてなるセ
ラミック基板の製造方法に関する。[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention provides a ceramic substrate having excellent thermal conductivity and having a conductor provided on its surface, and the conductor being bonded with high bonding strength. Relating to a manufacturing method.
(従来の技術)
窒化アルミニウム(A j N)セラミックは、熱伝導
性が良好で放熱性に優れ、かつ電気絶縁性等の電気的特
性も優れているので半導体用の基板材料として注目を集
めている。(Prior art) Aluminum nitride (A j N) ceramic has good thermal conductivity, excellent heat dissipation, and excellent electrical properties such as electrical insulation, so it is attracting attention as a substrate material for semiconductors. There is.
このAINを、半導体用の基板として適用する場合通常
次のようにして製造される。すなわち、AIN原料粉末
を用意し、この原料粉末に焼結助剤(希土類元素、アル
カリ土類の化合物等)を所定量配合し、更にバインダー
(アルカリ系樹脂等)を添加して全体を充分に混合し、
得られた混合体を例えばドクターブレード法によりグリ
ーンシートに成形した後、窒素雰囲気中で焼結する。つ
いで、前記焼結体の所定の表面に導電性の表面層を形成
するものである。導電性の表面層を形成する方法として
、例えば金、銀−プラチナ1、銀−パラジウム等の導電
性のメタライズ層を厚膜法を適用して設ける方法が実施
されている。When this AIN is used as a semiconductor substrate, it is usually manufactured as follows. That is, AIN raw material powder is prepared, a predetermined amount of sintering aids (rare earth elements, alkaline earth compounds, etc.) are blended into this raw material powder, and a binder (alkaline resin, etc.) is added to the powder to make the entire material sufficiently. mix,
The obtained mixture is formed into a green sheet by, for example, a doctor blade method, and then sintered in a nitrogen atmosphere. Then, a conductive surface layer is formed on a predetermined surface of the sintered body. As a method for forming a conductive surface layer, a method of applying a thick film method to provide a conductive metallized layer of gold, silver-platinum 1, silver-palladium, etc. has been practiced.
上記のようにAINは、緻密に焼結するためには焼結の
際酸化イツトリウム、酸化カルシウム等の焼結助剤を必
要とする。これらの焼結助剤は、AINの焼結工程で液
相状態となりAIN結晶粒の粒界に存在し粒界相を形成
して、AIN結晶粒を強固に結合することにより焼結体
を緻密化するものと考えられている。As mentioned above, AIN requires sintering aids such as yttrium oxide and calcium oxide during sintering in order to sinter densely. These sintering aids enter a liquid phase during the AIN sintering process, exist at the grain boundaries of AIN crystal grains, form a grain boundary phase, and firmly bind the AIN crystal grains, thereby making the sintered body dense. It is thought that it will change.
一方、上記の液相状態のものは焼結工程において焼結体
表面に析出して液相部分を形成する。On the other hand, the liquid phase component mentioned above precipitates on the surface of the sintered body during the sintering process to form a liquid phase portion.
また、半導体用基板として熱伝導性を考えた場合、焼結
助剤に含まれ粒界相に存在する酸素は熱伝導性を低下さ
せる要因の一つであることから、焼結工程において焼結
体・中の液相を焼結体の表面に移動させ液相部分を表面
部分に偏在させて熱伝導性を改良することも試みられて
いる。In addition, when considering thermal conductivity as a semiconductor substrate, oxygen contained in the sintering aid and present in the grain boundary phase is one of the factors that reduces thermal conductivity. Attempts have also been made to improve thermal conductivity by moving the liquid phase inside the sintered body to the surface of the sintered body and making the liquid phase unevenly distributed on the surface.
このように、AIN焼結体を緻密に焼結するためには一
定量以上の焼結助剤を含有させることが必要であるが、
焼結助剤は焼結体を緻密にするとともに焼結体表面に液
相部分を存在させることになる。In this way, in order to sinter the AIN sintered body densely, it is necessary to contain a certain amount or more of a sintering aid.
The sintering aid makes the sintered body dense and causes a liquid phase portion to exist on the surface of the sintered body.
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記したような焼結体表面に液相部分を
有するAIN焼結体を半導体用基板に用いた場合、いく
つかの問題点があった。例えば、液相部分が表面に析出
しているため焼結体表面が平滑でなく微少な凹凸状態を
有しており、この上に導電体を形成した場合、導電体と
の接合強度が充分でないとともに導電体部分で発生する
熱をAIN焼結体に効率良く伝導出来ない、などである
。(Problems to be Solved by the Invention) However, when an AIN sintered body having a liquid phase portion on the surface of the sintered body as described above is used for a semiconductor substrate, there are several problems. For example, because the liquid phase part is precipitated on the surface, the surface of the sintered body is not smooth and has slight irregularities, and if a conductor is formed on this, the bonding strength with the conductor is not sufficient. In addition, the heat generated in the conductive portion cannot be efficiently conducted to the AIN sintered body.
また、液相部分はそれ自体の熱伝導性が悪いためAIN
の持つ良熱伝導性という特長を損ねるものであり、さら
に液相部分は焼結体からはがれやすい性質を有している
ため導電体等との結合強度を劣化させるものである。In addition, since the liquid phase part itself has poor thermal conductivity, AIN
This impairs the good thermal conductivity of the sintered body, and furthermore, since the liquid phase portion tends to peel off from the sintered body, it deteriorates the bonding strength with the conductor and the like.
したがって、AIN焼結体を半導体用基板として用いる
には、焼結体表面に存在する液相部分を均一にかつ必要
なだけ除去することが重要である。Therefore, in order to use the AIN sintered body as a semiconductor substrate, it is important to remove the liquid phase portion existing on the surface of the sintered body uniformly and in the necessary amount.
特に、基板を複数枚積層して半導体用基板とする場合に
は、基板の層間接続のためにスルーホールを設ける必要
があるが、このスルーホールの内面にも液相部分が存在
する。このような多層基板では、スルーホールを含む焼
結体表面に存在する液相部分を均一に除去することが必
要である。In particular, when a plurality of substrates are laminated to form a semiconductor substrate, it is necessary to provide through holes for interlayer connection of the substrates, and a liquid phase portion also exists on the inner surface of these through holes. In such a multilayer substrate, it is necessary to uniformly remove the liquid phase portion present on the surface of the sintered body including through holes.
本発明は、このような課題に対処するためになされたも
ので、AIN焼結体表面に存在する不要な液相部分を均
一にかつ必要なだけ除去することにより導体との接合面
を形成し、この接合面に所望の導体を接合することによ
り良熱伝導性を有しかつ導体との信頼性の高い接合状態
を備えたセラミック基板の製造方法を提供することを目
的とする。The present invention was made to deal with such problems, and it forms a bonding surface with a conductor by uniformly and removing the necessary amount of unnecessary liquid phase portion existing on the surface of the AIN sintered body. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a ceramic substrate that has good thermal conductivity and a highly reliable bonded state with the conductor by bonding a desired conductor to this bonding surface.
(課題を解決するための手段)
本発明は、窒化アルミニウムを主成分とするセラミック
基板の表面に存在する液相部分を、液体媒体を用いて除
去することにより導体の接合面を得る工程と、前記接合
面に導体を形成する工程とを具備することを特徴とする
セラミック基板の製造方法である。(Means for Solving the Problems) The present invention includes a step of obtaining a bonding surface of a conductor by removing a liquid phase portion existing on the surface of a ceramic substrate containing aluminum nitride as a main component using a liquid medium; The method of manufacturing a ceramic substrate is characterized by comprising the step of forming a conductor on the bonding surface.
本発明に使用するAIN焼結体としては、窒化アルミニ
ウム粉末に焼結助剤として、希土類元素、アルカリ土類
金属元素等の酸化物、弗化物等の化合物を添加し、還元
性雰囲気中で焼結したものが用いられる。なお、焼結助
剤成分は焼結体を充分緻密化するのに必要な量を添加す
ればよくあまり多いと液相部分が過剰に形成される。焼
結助剤成分は全混合物中の15重量%以下、好ましくは
10重量%以下がよい。The AIN sintered body used in the present invention is made by adding compounds such as oxides and fluorides of rare earth elements and alkaline earth metal elements as sintering aids to aluminum nitride powder, and sintering it in a reducing atmosphere. The one tied together is used. Incidentally, the sintering aid component may be added in an amount necessary to sufficiently densify the sintered body, and if the amount is too large, an excessive liquid phase portion will be formed. The amount of the sintering aid component in the total mixture is preferably 15% by weight or less, preferably 10% by weight or less.
セラミック基板の表面に存在する液相部分を除去する手
段として、本発明では液体媒体を用いて除去する工程を
採用する。表面層を除去する手段としては、砥石等の工
具による研磨が考えられるが、この方法では効率が悪い
。また、ホーニング加工は、効率が高く好ましい方法で
あるがスルーホールの内部まで充分に液相の除去を行う
のは困難な場合がある。本発明における液体媒体を用い
て液相を除去する工程としてエツチングによる方法があ
る。この方法では、例えば焼結体を所定のエツチング液
に浸漬するごとにより焼結体表面の液相部分を均一に除
去することができる。エツチング液は、基板のスルーホ
ールの内部にも容易に進入することができるのでスルー
ホールの内面に存在する液相部分も他の表面と同様に除
去することが出来る。本発明に用いるエツチング液とし
てはH3PO4、H2SO4、NO3、HCI 、IP
等の酸系のものが挙げられる。また、NaOH,KOH
,I、IOH等のアルカリ系のものも適用出来る。As a means for removing the liquid phase portion present on the surface of the ceramic substrate, the present invention employs a step of removing it using a liquid medium. As a means of removing the surface layer, polishing with a tool such as a grindstone may be considered, but this method is inefficient. Further, although honing is a highly efficient and preferable method, it may be difficult to sufficiently remove the liquid phase to the inside of the through hole. In the present invention, there is an etching method as a step of removing a liquid phase using a liquid medium. In this method, for example, the liquid phase portion on the surface of the sintered body can be uniformly removed each time the sintered body is immersed in a predetermined etching solution. Since the etching liquid can easily enter the inside of the through-hole of the substrate, the liquid phase portion existing on the inner surface of the through-hole can be removed in the same way as other surfaces. Etching solutions used in the present invention include H3PO4, H2SO4, NO3, HCI, IP
Examples include acid-based ones such as. Also, NaOH, KOH
, I, IOH, etc. can also be applied.
なお、エツチングの条件によっては、エツチング後セラ
ミック表面がm くなることがあるがこの場合には、そ
の後ホーニング加工等の表面平滑化加工を施すことが好
ましい。Note that depending on the etching conditions, the ceramic surface may become m after etching, but in this case, it is preferable to perform a surface smoothing process such as honing after that.
こうして得られた基板表面に導体を形成する。A conductor is formed on the surface of the substrate thus obtained.
例えば、銀糸の導体ペーストをスクリーン印刷により所
定のパターンに印刷し焼き付ける。また、スルーホール
には、前記の導体を介して端子用ピンが挿入接続される
。For example, a silver thread conductive paste is printed in a predetermined pattern by screen printing and then baked. Further, a terminal pin is inserted into the through hole and connected via the conductor.
(作用)
本発明のセラミック基板の製造方法によれば、窒化アル
ミニウムを主成分とするセラミック基板の表面に存在す
る液相部分を、液体媒体を用いて除去することにより導
体の接合面を得るので、スルーホール等の狭巾部分も他
の平面部と同様の状態のものを容品に得ることが出来る
。したがってスルーホールに形成される導体を含めてセ
ラミック基板の表面に形成される導体の接合状態を均一
な信頼性の高いものとすることが出来る。(Function) According to the method for manufacturing a ceramic substrate of the present invention, the bonding surface of the conductor is obtained by removing the liquid phase portion existing on the surface of the ceramic substrate mainly composed of aluminum nitride using a liquid medium. Narrow parts such as through-holes can also be obtained in the same condition as other flat parts. Therefore, the bonding state of the conductors formed on the surface of the ceramic substrate including the conductors formed in the through holes can be made uniform and highly reliable.
(実施例) 次に、本発明の実施例について説明する。(Example) Next, examples of the present invention will be described.
第1図は、本発明による窒化アルミニウム基板の一実施
例を示す部分断面図である。窒化アルミニウム基板1の
表面(スルーホール3の内面を含む)の液相部分はエツ
チングで除去されその表面には導体2が形成されている
。スルーホール3には、端子用ビン4が挿入され導体2
と導電接続されている。FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an embodiment of an aluminum nitride substrate according to the present invention. The liquid phase portion of the surface of the aluminum nitride substrate 1 (including the inner surface of the through hole 3) is removed by etching, and a conductor 2 is formed on the surface. A terminal pin 4 is inserted into the through hole 3 and the conductor 2 is inserted into the through hole 3.
conductively connected to.
このようなセラミック基板は次のようにして製造した。Such a ceramic substrate was manufactured as follows.
窒化アルミニウム粉末に焼結助剤として酸化イツトリウ
ム3重量%を添加し、有機バインダー等を加えて混合し
たスラリーを、ドクターブレード法により厚さ0.5m
mのシートに成形した。A slurry made by adding 3% by weight of yttrium oxide as a sintering aid to aluminum nitride powder, adding an organic binder, etc., was made into a 0.5 m thick slurry using a doctor blade method.
It was molded into a sheet of m.
得られたシートにパンチングにより所定の位置にスルー
ホール(直径0.4mm )を複数個形成した。A plurality of through holes (diameter 0.4 mm) were formed in the obtained sheet at predetermined positions by punching.
こうして得られたシートを窒素雰囲気中で脱脂した後、
約1800℃で窒素雰囲気にて焼結した。得られた窒化
アルミニウム焼結体の表面には液相部分が析出し存在し
ていた。After degreasing the sheet thus obtained in a nitrogen atmosphere,
Sintering was performed at approximately 1800°C in a nitrogen atmosphere. A liquid phase portion precipitated and existed on the surface of the obtained aluminum nitride sintered body.
ついでエツチング液として11CI 35%溶液を用い
窒化アルミニウム焼結体を70℃20分間浸漬してエツ
チング処理を(jい表面の液相部う)を除去した。Then, the aluminum nitride sintered body was immersed at 70° C. for 20 minutes using a 35% solution of 11CI as an etching solution to remove the etching process (the liquid phase on the surface).
さらに表面の平滑度を増すためにホーニング加工を施し
最外層を除去した。得られた焼結体表面に導体用の金ペ
ーストをスクリーン印刷により所定のパターンに印刷し
たのち、約850℃にて焼成した。その後、スルーホー
ルには端子用ピンを挿入し銀ろう付にて接合した。Furthermore, in order to increase the smoothness of the surface, honing was performed to remove the outermost layer. Gold paste for a conductor was printed in a predetermined pattern on the surface of the obtained sintered body by screen printing, and then fired at about 850°C. After that, terminal pins were inserted into the through holes and connected using silver brazing.
こうして得られた窒化アルミニウム基板の表面に形成さ
れた導体の接合強度は、0.8〜1.2kg/mjと大
きく、またそのばらつきも少ないものであった。これに
対しエツチング処理を施さない場合には、0.2〜1.
0kg/−と上記実施例のものと比較して小さくまたそ
のばらつきは大きいものであった。The bonding strength of the conductor formed on the surface of the aluminum nitride substrate thus obtained was as high as 0.8 to 1.2 kg/mj, and its variation was small. On the other hand, when no etching treatment is applied, the etching process is 0.2 to 1.
The weight was 0 kg/-, which was smaller than that of the above example, and the variation was large.
またスルーホールに設けた端子用ビンの接合強度は上記
実施例のものは3.5〜4kg/mjと大きく工・ノチ
ング処理を施さないものでは1.5〜3 k g /
siと小さくばらつきも多かった。In addition, the bonding strength of the terminal pin provided in the through hole is 3.5 to 4 kg/mj in the above example, and 1.5 to 3 kg/mj in the case without machining or notching.
si was small and there were many variations.
このように、この実施例のセラミック基板ではセラミッ
ク焼結体とその表面に形成した導体との接合強度が大き
くまたそのばらつきも少なく信頼性の高い接合状態を得
ることが出来る。As described above, in the ceramic substrate of this embodiment, the bonding strength between the ceramic sintered body and the conductor formed on the surface thereof is large, and a highly reliable bonding state can be obtained with little variation.
[発明の効果]
以上説明したように、本発明のセラミック基板の製造方
法によれば、セラミック焼結体の表面の液相部分をスル
ーホールを含めて除去することが出来、導体との接合に
適する表面状態を均一に得ることにより導体との接合強
度が大きく向上したセラミック基板を得ることができる
。また前記の液相部分の除去に液体媒体を用いることに
より、均一な表面状態を得ることができ信頼性の高い接
合状態を得ることができる。さらに、焼結体の外表面お
よびスルーホール部分の表面状態が均一であるため導体
印刷の際の導体ペーストの濡れ性が均一となり微少ピッ
チの精細な回路パターンの形成が可能となるとともに、
焼結体の外表面およびスルーホール部分の印刷条件を同
一のものとすることが出来る。したがって、従来のよう
に導体ペーストの濡れ性が悪いスルーホール部分の印刷
条件を変更する必要がなくなる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the method for manufacturing a ceramic substrate of the present invention, the liquid phase portion on the surface of the ceramic sintered body, including the through holes, can be removed, and it is possible to remove the liquid phase portion on the surface of the ceramic sintered body. By uniformly obtaining a suitable surface condition, a ceramic substrate with significantly improved bonding strength to a conductor can be obtained. Furthermore, by using a liquid medium to remove the liquid phase portion, a uniform surface condition can be obtained and a highly reliable bonded condition can be obtained. Furthermore, since the surface condition of the outer surface of the sintered body and the through-hole portion is uniform, the wettability of the conductor paste during conductor printing becomes uniform, making it possible to form fine circuit patterns with minute pitches.
The printing conditions for the outer surface of the sintered body and the through-hole portion can be made the same. Therefore, it is no longer necessary to change the printing conditions of through-hole portions with poor wettability with conductive paste, unlike in the conventional method.
第1図は本発明による窒化アルミニウムMt、の一実施
例を示す部分断面図である。
l・・・・・・・・・窒化アルミニウム基板2・・・・
・・・・・導体
3・・・・・・・・・スルーホール
4・・・・・・・・・端子用ピンFIG. 1 is a partial sectional view showing an embodiment of aluminum nitride Mt according to the present invention. l......Aluminum nitride substrate 2...
...Conductor 3...Through hole 4...Terminal pin
Claims (1)
面に存在する液相部分を、液体媒体を用いて除去するこ
とにより導体の接合面を得る工程と、前記接合面に導体
を形成する工程とを具備することを特徴とするセラミッ
ク基板の製造方法。The method includes the steps of: obtaining a bonding surface of a conductor by removing a liquid phase portion existing on the surface of a ceramic substrate containing aluminum nitride as a main component using a liquid medium; and forming a conductor on the bonding surface. A method for manufacturing a ceramic substrate, characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30202688A JPH02149485A (en) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | Production of ceramic substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30202688A JPH02149485A (en) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | Production of ceramic substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02149485A true JPH02149485A (en) | 1990-06-08 |
Family
ID=17904007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30202688A Pending JPH02149485A (en) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | Production of ceramic substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02149485A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6013357A (en) * | 1996-08-27 | 2000-01-11 | Dowa Mining Co., Ltd. | Power module circuit board and a process for the manufacture thereof |
-
1988
- 1988-11-29 JP JP30202688A patent/JPH02149485A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6013357A (en) * | 1996-08-27 | 2000-01-11 | Dowa Mining Co., Ltd. | Power module circuit board and a process for the manufacture thereof |
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