JPH0215193A - 分散層を形成するための装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は請求項の上部概念に記載した種類の装置に関す
る。

〔従来技術〕

西ドイツ国特許公開第２２６１７７６号公報には１つの
公知の装置が記載されている。この装置においては層を
形成すべき面における固体粒子の付着（層形成）割合を
高めるため、非常に強い渦流が形成される。この様にし
て層形成割合が木質的に高められることができる。この
ようにして実際、層を形成すべき面の全長に亘って−様
な層形成割合だけが達成される。

往復ピストン内燃機関のシリンダー面の研究によれば、
ピストンの上部の変向点の範囲においてシリンダー面に
著しい摩耗が発生していることが報告されている。

この様な摩耗を少なくするため、公知の方法によってシ
リンダー面全体に摩耗を阻止する固体粒子の層形成割合
を高めることができる。しかしこのことは少量の生産の
場合にのみ意味がある。しかし大量生産及び／またはシ
リンダー数の多い排気量の大きい内燃機関の場合にはこ
のことは非常に不経済な手段である。何故ならばそれに
応して摩耗を少なくする固体の多くが面上に蓄積させら
れなげればならないし、しかも必要でない深さにまで分
散させなければならないからである。

〔発明の解決しようとする課題〕

本発明は、冒頭に述べた種類の装置を、ただ−回の加工
過程で、摩耗を少なくする固体粒子が、目標とする制御
された種々異なった密度での付着割合が可能になる様に
改良することを課題とする。

〔課題を解決する手段〕

上記の課題は、本発明により、請求項の構成により達成
される。

〔作用〕

本発明は、１つの渦流を用いて摩耗を少な（する固体粒
子の層形成割合を高めることが達成できるという認識を
基礎とするものである。従って必要な位置には電解質の
渦流が維持される様に配慮されている。この様な渦流が
層流に変換されるよ、固体粒子の層形成割合が減少する
。この様な場合には非常に薄い分散層が得られるが、こ
の層はあまり摩耗しない位置に適したものである。この
ことにより経済的な過程が達成される。何故ならば摩耗
に対してより強い密度の高い層が是非とも必要な位置に
のみ形成されるからである。

後に示す実施態様第１項には、分散層を形成すべき面上
に流入するに際しては渦流で流入し引き続いて層流が得
られる流動誘導体が記載されている。

実施態様第２項による本発明の変形により、摩耗に強い
種々異なる密度の層の間の精密に定められそして再現可
能な境界が得られる。この境界は渦流から層流に代わる
処である。

実施態様第３〜６項は流動誘導体の有利な実施形態に付
いて記載している。ここに記載された流動誘導体は往復
ピストン内燃機関のシリンダー面に適用するのに特に適
合したものである。この除屑を形成すべきシリンダー面
のみに分散層が形成されることが保証されている。シリ
ンダー面のその他の部分を形成しているクランク室は不
必要なため分散層は形成されない。

（実施例〕 以下の説明において本発明は１つの実施例を用いて詳細
に説明されている。

第１図において略図により１つの内燃機関の１つのクラ
ンクケーシング１が断面図により示されている。この際
２はシリンダー穴を示し、この穴の中で、内燃機関が組
立完成したとき１つのピストンが往復運動を行う。

シリンダー穴２の中に１つの陽極３が位置し、この陽極
は流動誘導体４によって保持されている。

流動誘導体４は１つのリング状のダクト５を有し、この
ダクトは、第２図に示す様に、渦巻状に形成され、斯く
して流入口６を通ってダクト５の中に導かれた流体は貫
流（Ｄｕｒｃｈｆ　ＩｕＢ）が増大するに従って流速度
を増大する。

リング状ダクト５から溢流ダクト７が渦流室８に接続さ
れている。溢流ダクｌ−７はシリンダー軸線９に向かっ
て斜めに延び、そして前同様にリング状に配置され、斯
くしてリング状ダクト５に流入した液体はいたるところ
で溢流ダクト７の中に流入することが可能である。

溢流ダクト７は渦流室８と連結しており、この渦流室は
前同様にリング状に配置されている。この渦流室はそれ
の断面が円形のリング状の輪郭を有している。流体はこ
の渦流室からリング状の隙間１０に到達し、この隙間は
シリンダー穴２と陽極３の外周との間に形成されている
。

陽極３ば１つの陽極保持体１１上に保持され、この保持
体は中央穴１２を有し、この中央穴はりング状の隙間１
０の中で運ばれる流体のための溢流と排出のために役立
っている。

流動誘導体４とクランクケーシング１との間には更にに
バンキング１３が設けられている。

第３図によって本発明の装置の作動を詳細に説明する。

流動誘導体４の１／２を拡大された断面図で示した第３
図が示す様に、渦流室８はそれの底部が流動誘導体４又
は陽極保持体１１によって形成されている。渦流室の上
部は陽極の周囲の一部分並びに分散層を形成されるべき
クランクケーシング１の壁の一部分によって形成されて
いる。この実施形態は、溢流ダクト７が斜め内側に延び
ているためこの位置に導かれた流れが突き当たる面が陽
極３によって形成され、斯くして陽極はいずれにしても
消耗し、規則正しい時間間隔て交換可能になっている。

さて第３図において１４の記号で示されたシリンダー穴
２の上部に摩耗を少なくする固体粒子で強化された層を
形成することを可能にするため、本発明によりこの範囲
に１つの乱流が形成される。

渦巻き状ダクト５により溢流ダクト７の中で流れは２つ
の成分に分解される。即ち１つは垂直に上方に登る成分
ともう１つは水平方向に向かう成分に分解される。この
様な成分により渦流室８の内部では１つの乱流が発生し
、この乱流は層状に蓄積させるべき固体粒子の層をシリ
ンダー穴２の上方の範囲１４において厚くする様に作用
する。この範囲は、陽極の円形リング状の切片と陽極の
垂直に位置する周囲の壁とによって形成されている方向
変換突出部分Ｉ５によって境界付けられている。流体の
流れる方向においてこの方向変換突出部分の上方では流
体の流れは層状に形成されている。このことはこの範囲
では粒子が層形成割合がより少ないごとを意味する。こ
のことにより１４で示された範囲に引き続いて固体粒子
の層を形成されるべき面は固体粒子の密度が小さい層で
覆われ、このことば摩耗に対する強度がより少ないこと
に対応する。

（効果〕 リング状ダクト並びに溢流ダクＩ・及び渦流室を本発明
により上記の様に形成したために只１つの加工過程によ
って、シリンダー穴２の壁に固体粒子の種々異なる密度
の層が得られる。

高い密度を持った層の長さ即ち範囲１４の高さはこの際
方向変換突出部分１５の位置によって限定される。

摩耗を少なくする固体粒子としては、基本材料としてア
ルミニウムが用いられている場合には、シリコンカーバ
イドを使用するのが有利である。

適合した電解物質は一般に公知のものである。

本発明の実施態様は以下の如くすることができる。

（１）流動誘導体（４）は電解質を供給する面内に渦巻
状リング状ダク１−（５）を有し、該ダクｌ−はシリン
ダー穴の軸線（９）に対して斜めに配置されている溢流
ダクト（７）を介して渦流室（８）と結合していること
を特徴とする請求項に記載の装置。

（２）渦流室（８）は円形リング状断面を有し、流れの
方向に見て周囲を取り囲む方向変換突出部分（１５）を
有するリング状ダクトとして形成されていることを特徴
とする、前記第１項に記載の装置。

（３）流動誘導体（４）はシリンダー穴の外側に配置さ
れ、シリンダー穴と水密に結合していることを特徴とす
る請求項又は前記第１項又は第２項に記載の装置。

（４）流動誘導体（４）は同時にまた陽極保持体（１１
）として形成されていることを特徴とする請求項又は前
記第１項〜第３項のいずれか１つに記載の装置。

（５）渦流室（８）は２つの部分から成り、その際下方
部分は溢流ダクト（７）を形成している流＃）＋誘導体
（４）の一部から成りそして−Ｌ方部分は陽極（３）に
より形成されていることを特徴とする請求項又は前記第
１項〜第４項のいずれか１つに記載の装置。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明により構成された分散層を形成する１つ
の装置の断面と１つの往復ピストン内燃機関の一部分の
断面とを示し図、第２図は第１図に示したＩ−１線に沿
った流動誘導体の断面を示す図、第３図は渦流室の内部
における流れの経過を示す図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）積み重ねるべき固体粒子を有する電解質が、中央
   のシリンダー軸線に配置された陽極の外周の被覆すべき
   面の上に導かれ、そして電解質は渦流を形成する流動誘
   導体を用いてシリンダーの中に導入される、少なくとも
   片方が開放されている中空シリンダーの内面に、特に内
   燃機関のシリンダーの内面に分散層を形成するための装
   置において、渦流を形成する流動体（４）は電解質を、
   流れが層流部分と乱流部分に分割する様に導くことを特
   徴とする装置。